「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The patterning method comprised of such steps has a benefit that the pattern line width can be adjusted by adjusting the surface energy of the substrate.例文帳に追加

このように構成された本発明は、基板の表面エネルギーを調整してパターンの線幅を調整することができるという利点がある。 - 特許庁

To solve the problem that liquid droplets spread and a thin width pattern cannot be drawn, without adding a process of liquid repellency treatment.例文帳に追加

液滴が広がってしまい細幅パターンの描画ができないという問題を撥液処理を行う工程を追加することなく解決する。 - 特許庁

Further, the width of the base 42 side by the scattered electrons on the base layer is smaller on the projected part 74 than on the primary pattern 72.例文帳に追加

更に、ベース層において散乱された電子によるベース４２側の幅の広がりが、主パターン７２よりも突部７４の方が小さくなっている。 - 特許庁

The cutting position adjusting pattern 300 comprises a plurality of rectangular block patterns elongated in the feeding direction of sheet and arranged in the sheet width direction.例文帳に追加

カット位置調整用パターン３００は、紙送り方向に長い長方形からなるブロックパターンが紙幅方向に複数個配置されてなる。 - 特許庁

To solve a problem that, if moving speed is different when acquiring a plurality of image data, the image data different in subject shake width is acquired and accuracy of pattern matching is deteriorated.例文帳に追加

複数の画像データ取得の際に移動速度が異なると被写体ブレ幅が異なる画像データとなり、パターンマッチングの精度が劣化する。 - 特許庁

To provide a developing method and developing equipment of a photosensitive film, where irregularities in pattern width in a substrate surface can be reduced, as compared with the conventional cases.例文帳に追加

従来に比べて基板面内のパターン幅のばらつきを小さくできる感光膜の現像方法及び現像装置を提供する。 - 特許庁

To reduce a substrate size of an LED light-emitting device by reducing a width of a bonding area of a conductive pattern of the substrate for bonding a wire.例文帳に追加

ＬＥＤ発光装置において、ワイヤをボンディングする基板の導電パターンのボンディング領域の幅を小さくして、基板のサイズを小さくする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a conductor wiring having a predetermined length and width is formed in the plane-shaped conductor pattern by providing a slit.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、プレーン状導体パターンにスリットを設けることで所定の長さ及び幅を有する導体配線を形成する。 - 特許庁

The conductive layer has a pattern pitch not longer than a quarter of a wavelength being transmitted or received and not shorter than ten times of the line width.例文帳に追加

また、前記導電層のパターンピッチが、送信または受信する波長の１／４以下かつ線幅の１０倍以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a reverse tapered resist pattern having excellent chemical stability, line width controllability, and easiness for process control and handling.例文帳に追加

化学的安定性、線幅制御性、工程管理と取扱いの容易性の点で優れた逆テーパ形レジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic sewing machine capable of forming a seam of a needle swinging pattern by restricting a needle swinging width in response to various gauge parts.例文帳に追加

種々のゲージ部品に対応して針振り巾を制限して針振りパターンの縫目を形成することが可能な電子ミシンを提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure apparatus that can expose and transfer a pattern of finer line width, as compared with an electron beam exposure apparatus of conventional conception.例文帳に追加

従来考えられている電子線露光装置に比して微細な線幅のパターンを露光転写可能な電子線露光装置を提供する。 - 特許庁

CD-SEM 1 measures the line width of a resist pattern by lots as units of several wafers and stores measurement data in a database 4.例文帳に追加

ＣＤ−ＳＥＭ１は、何枚かのウェハーを単位としたロット毎にレジストパターンの線幅を測定し、測定データをデータベース４に記憶して行く。 - 特許庁

Herein, width of the wiring pattern opening 42 is set to be a smaller value for an external edge than for the center of the ceramic substrate 21.例文帳に追加

このとき、配線パターン用開口部４２の幅寸法は、セラミック基板２１の中央部に比べて外縁部の方が小さい値に設定する。 - 特許庁

To obtain a resist pattern having a good profile reduced in line width roughness (LWR).例文帳に追加

ラインワイズラフネス（ＬＷＲ）が低減された良好な形状のレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a wiring pattern with very fine wire width of 100 nm or less on various kind of printed boards by an ink jet printing process.例文帳に追加

インクジェット印刷工程により、各種プリント基板上に１００ｎｍ以下の微細線幅の配線パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

A development advancing degree of the outer edge of the wafer W is regulated by this operation, and hence the circuit pattern of uniform line width in the wafer W is formed.例文帳に追加

この操作により，ウェハＷ外縁部の現像進度が調節され，ウェハＷ面内に均一な線幅の回路パターンが形成される。 - 特許庁

As the exposure function, the relation between the reflection factor, exposure, and pattern width is determined by using previously many wafers to calculate it by performing multi-regression analyses.例文帳に追加

露光量関数は、予め多くのウェハを用いて、反射率と露光量とパターン幅との関係を求め、重回帰分析して算出する。 - 特許庁

To provide a thin color filter which does not cause leaking of light even when the pattern width of a light-shielding layer is small and which has excellent display quality and surface flatness.例文帳に追加

遮光層のパターン幅が狭くても光漏れが発生せず、表示品位と表面平坦性とに優れた薄いカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

To provide a displaying article capable of exhibiting a three-dimensional feeling even when it is a displaying pattern with a narrow width and stably exhibiting the three-dimensional feeling, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

細幅の表示パターンであっても立体感を呈することができ、且つ安定的に立体感を呈する表示物を提供する。 - 特許庁

To perform high-precision stable resist trimming by suppressing variations in resist pattern line width extremely small during processing of many substrates.例文帳に追加

多数枚の基板処理を行う際のレジストパターン線幅寸法のバラツキを極めて小さく抑制し、高精度かつ安定なレジストトリミングを行う。 - 特許庁

Then, a wiring pattern edge in the image is detected at an edge detecting portion 12, and a distance between the edges is calculated as a wiring width at a measuring portion 14.例文帳に追加

その後、エッジ検出部１２で画像内の配線パターンエッジを検出し、測定部１４でエッジ間の距離を配線幅として算出する。 - 特許庁

Each of the first and second reference pattern lines has a specified shape similar to another, and extended over the width of at least one servo track.例文帳に追加

第１および第２基準パターンラインのそれぞれは、同一の所定形状を有し、少なくとも一つのサーボトラックの幅にわたって延在する。 - 特許庁

A gate electrode 105a having the predetermined gate stroke width CD is formed by thinning the gate electrode pattern 105 from both sides of the stroke widthwise direction of the same.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５を線幅方向の両側から細線化して所定のゲート線幅ＣＤのゲート電極１０５ａを形成する。 - 特許庁

A mask 4 having a larger pattern than the width disappearing due to side etching is formed in an area wherein the ZnO layer 3 is still left.例文帳に追加

ＺｎＯ層３を残存させる領域に、サイドエッチにより消失される幅より大きい寸法を有するパターンのマスク４を形成する。 - 特許庁

The widths of sector apertures 40 and 42 can be narrowed and the width of the linear scanning pattern 14 can be widened so as to form the image with a shallow depth.例文帳に追加

浅い深さでの画像形成のために、セクタアパーチャ４０，４２の幅を狭め、直線走査パターン１４の幅を広くすることができる。 - 特許庁

To provide a technology capable of forming a pattern having a fixed line width on a coating object having steps by an ink-jet method.例文帳に追加

段差を有する塗布対象物においてインクジェット法を用いて一定の線幅のパターンを形成することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic component, which can form a microscopic wiring pattern of a line width narrower than 100 μm reliably and at low cost.例文帳に追加

線幅が１００μｍ以下の微細な配線パターンを確実且つ安価にして形成できる電子部品の製造方法を提案する。 - 特許庁

The top sheet 21 is provided with a grid-like positioning pattern 4 formed of lines 41 extended in the longitudinal direction and width direction of the main body part 2.例文帳に追加

トップシート２１は、本体部２の長手方向および幅方向に伸びる線４１にて形成される格子状の位置決めパターン４を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of reducing sparse and dense micro-loading in a pattern where the dense space width is 20 nm or less.例文帳に追加

本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently extract a parameter required for calculating the yield from a pattern by finding the widths and lengths of individual divided patterns on the basis of the lengths of all width candidate patterns and the lengths of length candidate patterns.例文帳に追加

パターンから、歩留りの計算に必要なパラメータを効率的に抽出することができるパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

In this filter circuit substrate, a pattern 30 for controlling coupling which can be regulated by changing the amount of the electromagnetic couplings between the resonators in a pattern shape, such as change of a pattern width M, etc., is disposed on the front surface of the dielectric substrate between the resonator and the resonator.例文帳に追加

このフィルタ回路基板においては、共振器と共振器との間の誘電体基板の表面に、共振器間の電磁結合量をパターン形状、例えば、パターン幅Ｍなどの変更により調節できる結合制御用パターン３０を配置する。 - 特許庁

Since a heat transmission transfer regulating pattern 9 having a narrow width and protruding to the PTC thermistor 1 is formed on the pattern 3, heat diffusion is reduced from the PTC thermistor 1 to the pattern 3, and thus, a temperature can positively be increased when an overcurrent is applied.例文帳に追加

そして、電源ベタパターン３にはＰＴＣサーミスタ１側に突出した、幅の狭い伝熱規制パターン９が形成されているので、ＰＴＣサーミスタ１から電源ベタパターン３への熱の拡散を少なくし、過電流時に温度を確実に上昇させることができる。 - 特許庁

For the above process, a screen mask 210 having opening patterns 212A, 212C for forming the pattern for the inner periphery drying agent and the outer periphery drying agent, and an opening pattern 211 for forming the pattern for the inside drying agent having a width of opening narrower than that of opening patterns 212A, 212C, is used.例文帳に追加

このために、内周及び外周乾燥剤パターン形成用の開口パターン２１２Ａ,２１２Ｃと、開口パターン２１２Ａ,２１２Ｃよりも開口幅が狭い、内部乾燥剤パターン形成用開口パターン２１１とが形成されたスクリーンマスク２１０を用いる。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, a method for fabricating a semiconductor device, and an apparatus for forming the resist pattern, in which advantages of sililation process is displayed while line width can be controlled precisely and uniformly in plane irrespective of density or size of the pattern.例文帳に追加

パターンの粗密やサイズに関係なく、高精度且つ面内均一に線幅制御が可能でありながら、シリル化プロセスの利点を生かすことができるレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびレジストパターンの形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a photo-curable composition capable of forming a pixel pattern having a minute pattern size such as line width of 2.5 μm or less with a low exposure amount, capable of suppressing the occurrence of residue between pixels and capable of suppressing exposure dependency of the pattern size low.例文帳に追加

微細な（例えば、線幅２．５μｍ以下の）パターン寸法を有する画素パターンを、低い露光量で形成することができ、画素間の残渣の発生を抑制することができ、パターン寸法の露光量依存性が低い光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

In the therapy apparatus, a shape such that the ratio of the thickness and the width constituting the cross section of the planar pattern heater 1 is between 1:20 and 1:100 is formed, and the width is increased as separating from the electrode part 5.例文帳に追加

該面状パターンヒータ１の断面を構成する厚みと幅の比が１対２０から１対１００の間に入る形状になっており、電極部５から遠ざかるに従い幅が広くなる構造となっている。 - 特許庁

The dynamic pressure generating group 2 is formed by pressing in a pattern in which the ratio of a width of a group part 12 in the arrangement direction (arrow A direction) of an adjacent dynamic pressure generating group 2 to a width of a non-group part 13 is substantially 1:1.例文帳に追加

動圧発生用グルーブ２は、隣接する動圧発生用グルーブ２の配列方向［矢印Ａ方向］のグルーブ部１２の幅と非グルーブ部１３の幅がほぼ１：１となるパターンでプレスして形成する。 - 特許庁

The pattern width varies including a width with which impedance matching with the antenna elements 5 and 6 is obtained, so the impedance matching with the antenna elements 5 and 6 can be obtained and wider-band characteristics can be obtained through electromagnetic coupling.例文帳に追加

アンテナ素子５及び６とインピーダンス整合が得られる幅を含むようにパターン幅が変化するので、アンテナ素子５及び６とのインピーダンス整合を実現でき、電磁結合により広帯域特性が得られる。 - 特許庁

To provide a device for setting laser beam machining data with which a working pattern for forming a working line or a working face having a wider width than the width of the working line by a laser beam is generated easily.例文帳に追加

レーザ光による加工線幅よりも広い幅を有する加工線又は加工面を形成するための加工パターンを容易に生成することができるレーザ加工データ設定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and apparatus which can control accurately the line width of a resist pattern formed on a substrate and can improve the uniformity of the line width of the entire part of a substrate or on a substrate surface.例文帳に追加

基板上に形成されたレジストパターンの線幅を精密に制御でき、基板ごと又は基板面内での線幅の均一性を向上させることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The width W1 of the upper pole chip is same as the film thickness of the magnetic film 17a' for formation of the upper pole chip formed on the side end face of the photoresist pattern 31 and the width can be controlled to a submicron dimension.例文帳に追加

上部ポールチップの幅Ｗ１は、フォトレジストパターン３１の側端面に形成された上部ポールチップ形成用磁性膜１７ａ′の膜厚そのものであり、サブミクロンの寸法に制御することが容易である。 - 特許庁

In this case, the width of the protruding section 11a of the hard base material 11 is formed to be wider than the width of a recess of a plate in order to leave an ink applied to the surface of the PDMS layer 12 while corresponding to a pattern to be formed.例文帳に追加

ここで、硬質基材１１の凸部１１ａの幅は、ＰＤＭＳ層１２の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広く形成されている。 - 特許庁

Moreover a pattern of the liquid repellent layer 42 with very narrow width (slender lines with ≤25μm width) can be easily formed on the light shielding layer 41 by setting a pore diameter of an ejection pore 62 of the ink jet apparatus 61 to be 0.01μm to 25μm.例文帳に追加

また、インクジェット装置６１の吐出口６２の口径を０．０１μｍ〜２５μｍとすることで、非常に幅の狭い撥液層４２のパターン（幅２５μｍ以下の細線）を、遮光層４１上に容易に形成できる。 - 特許庁

In the inspection method, video data are acquired in pixel units, and the widths of a circuit pattern or spatial component are measured in a direction perpendicular to a measurement direction, to detect short circuit, when the measured width is larger than the reference width.例文帳に追加

本発明の製造方法は、光学検査工程で回路パターンの良否及びオープン又はショート不良を検出して、製造工程を減らすことができ、後続工程での収率を向上させることができる。 - 特許庁