「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus for patterning of a tufted machine, which is capable of freely drawing the pattern over the whole width of the tufted machine and expressing a high designability, at a low cost.例文帳に追加

本発明の課題は、タフテッドマシーンの幅全体にわたって柄を自由に描くことができ、高い意匠性を表現できるタフテッドマシーンの柄出し装置を安価に提供することにある。 - 特許庁

A density pattern K1 is formed all over the developing area in a width direction in order to correct the density irregularity in a shaft direction (main-scanning direction) of a photoreceptor drum 1d.例文帳に追加

濃度パターンＫ１は、感光体ドラム１ｄの軸方向（主走査方向）における濃度むらを補正するために現像領域の幅方向全域に亘って形成されている。 - 特許庁

To quickly change the width of a spray pattern and the thickness of a coating material without bringing about complexity of a system and the like, thereby suppressing the generation of defects in coating and improving accuracy in coating and the like.例文帳に追加

装置の複雑化等を招くことなく、スプレーパターンの幅や塗料の厚さを素早く変更することができ、ひいては塗装不良の発生抑制や塗装精度の向上等を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an organic EL element capable of pattern-applying a coating liquid used as an organic layer at an intentional width and manufacturing the organic EL element in a simple process.例文帳に追加

有機層となる塗布液を意図する幅でパターン塗布し、簡易な工程で有機ＥＬ素子を製造することが可能な有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

(Step 2) The crystal size of t is determined by a following equation from a half value width w of a peak observed when q of a scattering vector is in a range of 5<q<30 nm^-1 on the X-ray diffraction pattern acquired.例文帳に追加

（ステップ２）得られたＸ線回折図形で、散乱ベクトル：ｑが、５＜ｑ＜３０ｎｍ^-1の範囲に観察されるピークの半値幅：ｗより次式により結晶サイズ：ｔを求める。 - 特許庁

A control unit 14 specifies the non-inspection region being the region on the semiconductor pattern corresponding to the joint on the basis of the field size and the width of the joint received by the input unit 12.例文帳に追加

制御部１４は、入力部１２が受け付けたフィールドサイズおよび継ぎ目の幅に基づいて、その継ぎ目に相当する半導体パターン上の領域である非検査領域を特定する。 - 特許庁

To easily and surely attain even a fine pattern of a complicated shape which extends in each direction with a narrow width to a sufficiently satisfactory level by adapting to the particularity of the shape.例文帳に追加

幅狭で縦横に延びる複雑な形状の微細パターンでも、その形状の特殊性に適合して十分に満足できる程度に容易且つ確実に実現することを可能とする。 - 特許庁

To obtain a wiring pattern whose wiring width and wiring interval are small almost to resolution limits of an exposure device by eliminating influence of proximity effect and micro-loading effect and suppressing resist fall.例文帳に追加

近接効果やマイクロローディング効果の影響を排除し、レジスト倒れを抑制し、配線幅や配線間隔が露光装置の解像度限界程度に小さい配線パターンを得る。 - 特許庁

A width of a hole section corresponding to the electrode pattern in a printing plate is corrected so as to eliminate the irregular distribution based on the measured result, and then the printing of the electrodes is executed.例文帳に追加

そして、前記測定結果に応じて、前記不均一を解消するように製版における電極パターンに対応する孔部の幅の修正を行い、電極の印刷を行う。 - 特許庁

To provide an exposure system, an exposure apparatus, a substrate processing apparatus, a pattern forming method, and a semiconductor device manufacturing method for enhancing the uniformity of line width of a resist film formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成されるレジスト膜の線幅均一性を向上させる露光システム、露光装置、基板処理装置、パターン形成方法、及び半導体デバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printer detecting the optimum scan pattern and carrying out a preliminary ejection control to improve the entire throughput, by carrying out physical detection or the logical detection of paper width.例文帳に追加

プリンタが物理的な紙幅の検出、または論理的な紙幅の検出を行うことで、最適なスキャンパターンを検索し予備吐制御を行い、全体のスループットを向上させる - 特許庁

To sufficiently assure lithography process tolerance, such as exposure tolerance and depth of focus, while reducing the line width difference by the pattern density of resist patterns without exerting load on manufacturing a mask.例文帳に追加

マスクの製造に負荷をかけることなく、レジストパターンのパターン密度による線幅差を縮小しつつ、露光裕度および焦点深度などのリソグラフィプロセス裕度を十分に確保する。 - 特許庁

An absolute track pattern comprises geometrically congruent sub tracks, and the sub tracks are arranged such that if one of them is translated by the width dimension YDETABS, then they will nominally coincide.例文帳に追加

アブソリュートトラックパターンは、幾何学的に合同なサブトラックを備え、このサブトラックは、その１つが幅寸法ＹＤＥＴＡＢＳだけ移動すると、名目上一致するように配置されている。 - 特許庁

A PWM portion outputs a control signal to an inverter so that the inverter outputs a voltage pattern in which a pulse width is expressed as three voltage vectors of τa, tb and τc, respectively.例文帳に追加

そして、ＰＷＭ部は、パルス幅が夫々τa,τb,τcの３つの電圧ベクトルで表される電圧パターンをインバータ部より出力するように、インバータ部に制御信号を出力する。 - 特許庁

To obtain a substrate thermal processing device and a substrate thermal processing method capable of enhancing uniformity of a film thickness of a coating film on a substrate or pattern line width uniformity.例文帳に追加

基板上の塗布膜の膜厚の均一性またはパターン線幅均一性を向上させることができる基板熱処理装置および基板熱処理方法を提供することである。 - 特許庁

The tape printing device has a function of automatically setting the margin length in the front and back direction according to the tape width, and a function of printing a sectioned dot pattern in an area wider than a character row.例文帳に追加

本発明のテープ印刷装置は、テープ幅に応じて、前後の余白長さを自動的に設定できる機能や、文字列より広い領域に方眼ドットパターンを印刷する機能を有いる。 - 特許庁

Projections 14a, 14b are formed in the auxiliary patterns 12a, 12b near the end portion of the main pattern 11 to give a larger width than other portion of the auxiliary patterns 12a, 12b.例文帳に追加

主パターン１１の端部に近い補助パターン１２ａ，１２ｂの部分には突起１４ａ，１４ｂが形成され、補助パターン１２ａ，１２ｂの他の部分よりも大きな幅を有している。 - 特許庁

A belt-like image patch pattern whose width in the conveying direction becomes equal to a distance difference (Mmax1-Mmin1) between the detected positions in the conveying direction is formed on the intermediate transfer body.例文帳に追加

その検知された搬送方向位置の距離差（Ｍｍａｘ１−Ｍｍｉｎ１）に対して搬送方向の幅が等しくなるような帯状画像パッチパターンを中間転写体上に形成する。 - 特許庁

The inner pattern part Pi includes small block rows 23 and 24 wherein small blocks B2 and B3 having the width and the tire peripheral length shorter than the large block B1 are aligned in the tire peripheral direction.例文帳に追加

内側パターン部Ｐｉは、大型ブロックＢ１よりも幅及びタイヤ周方向長さがともに小さい小型ブロックＢ２、Ｂ３がタイヤ周方向に並ぶ小型ブロック列２３、２４を含む。 - 特許庁

To provide a receiver for accurately receiving binary data by suppressing increase of hardware amount, even if an eye pattern of input binary data collapses to make the eye-width narrower.例文帳に追加

入力バイナリデータのアイパターンがつぶれてアイの幅が狭くなった場合であってもハードウェア量の増大を抑制してバイナリデータを正確に受信することができる受信装置を提供する。 - 特許庁

The exposure apparatus feeds a body T to be exposed in a roll film shape having a prescribed width onto an exposure stage 50 and exposes the circuit pattern of a mask to the body to be exposed.例文帳に追加

露光装置は、所定幅を有するロールフィルム状の被露光体Ｔを露光ステージ５０上に送り込んで、マスクの回路パターンを被露光体に露光する露光装置である。 - 特許庁

The pattern shown in a mirror device projection region 2 where the mirror device of about 15 mm width is to be projected is condensed into a small spot by a microlens array and projected onto the mask substrate 1.例文帳に追加

約１５ｍｍの幅のミラーデバイスが投影されるミラーデバイス投影領域２に示されたパターンは、マイクロレンズアレイによって小さなスポットに集光され、マスク基板１上に投影される。 - 特許庁

To obtain a resist material that makes good use of the rectilinear propagation of electrons as a characteristic of an electron beam at a high accelerating voltage and attains high throughput while retaining high pattern line width controlling capability.例文帳に追加

高加速電圧電子線の特性である電子の直進性を生かし、高いパターン線幅制御性を維持したまま、高スループットを得ることができるレジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer giving a resist pattern, which has good line width roughness while exhibiting high resolution in a lithography process, and a positive photoresist composition containing the polymer.例文帳に追加

リソグラフィプロセスにおいて解像度が高いながら、ライン幅ラフネスも良好なレジストパターンを与える重合体、及びこの重合体を含むポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask for solder printing which ensures good releasability of solder and can accurately transfer creamy solder even to the top of an ultrafine circuit pattern having several μm line width.例文帳に追加

半田の抜け性が良好で、線幅が数μｍオーダーの超微細回路パターン上にも正確にクリーム半田を転写可能な半田印刷用マスクの製造方法を確立する。 - 特許庁

Thereby, leaking light through the mosaic region of the exposure mask can be decreased, which can suppress changes in the pattern line width of a TFT substrate and can reduce display irregularity in a liquid crystal display.例文帳に追加

これにより、露光マスクのモザイク領域からの漏れ光を低減でき、ＴＦＴ基板のパターン線幅の変動を抑制し、液晶表示装置の表示ムラを軽減することが可能になる。 - 特許庁

Each of both of the pattern plates 5 has an external shape in which its outer peripheral part 5a is arranged at an interval of substantially uniform width B between an inner peripheral face 2a of a framing body 2 and the outer peripheral part 5a.例文帳に追加

両模様板５はその外周部５ａが框組体２の内周面２ａとの間で略均一巾Ｂの間隔をあけて配置される外形状を有している。 - 特許庁

The operation pattern decision processing is performed by selecting one group number based on the fluctuation width and the present game sound used at the time of deciding the game sound of the next time.例文帳に追加

この動作パターン決定処理は、次回遊技音決定の際に使用された変動幅および現在の遊技音に基づき、「１〜２６」のうちの１つのグループ番号が選択されて行われる。 - 特許庁

As a result, the overlap parts of all the adjacent four shot regions are prevented from changing suddenly in a cumulative light exposure, that is, a pattern can be prevented from suddenly changing in line width.例文帳に追加

この結果、隣接４ショット領域の全域で重ね合せ部分の積算露光量の急激な変化、すなわちパターン線幅の急激な変化の発生を防止することができる。 - 特許庁

To adjust an exposure luminous energy in each area precisely set within a substrate plane, to improve uniformity in a resist residual film after a developing process and to suppress variations in the line width and pitches of a wiring pattern.例文帳に追加

基板面内で細かく設定したエリア毎の露光量を調整し、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide the structure of a liquid crystal device which can reduce the width of a peripheral area existing around a driving area by improving the arrangement of a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの引き回し態様自体に改良を加えて、駆動領域の周囲に存在する周辺領域の幅を削減することのできる液晶装置の構造を提供する。 - 特許庁

On a tread, this pneumatic tire is provided with a block pattern partitioned into a plurality of blocks by a main groove formed along the tire peripheral direction and a lug groove formed along the tire width direction.例文帳に追加

空気入りタイヤは、トレッドに、タイヤ周方向に沿って形成された主溝とタイヤ巾方向に沿って形成されたラグ溝とによって複数のブロックに区画されたブロックパターンを有する。 - 特許庁

A main time axis is set in the extending direction of the living pattern display 57, and a sub-divided time axis is set in the width direction wherein the minimum unit time of the main time axis is made much more fine.例文帳に追加

生活パターン表示５７の延び方向に主時刻軸が設定され、幅方向に上記主時刻軸の最小単位時間を更に細かくした細分時刻軸が設定されている。 - 特許庁

A plurality of test patterns having the same on pixel density and a different relative position to a pattern detection matrix are outputted and a pulse width corresponding to a code is set such that their densities are equalized.例文帳に追加

オン画素密度が同じで、パターン検出マトリクスとの相対位置が異なる複数のテストパターンを出力し、それらの濃度が同じになるように、コードに対応するパルス幅を設定する。 - 特許庁

The line includes the equal-resistance part in a zigzag pattern and then the actual length of the line is longer than a lengthwise straight distance or the line is different in width from other parts.例文帳に追加

等抵抗部では、配線がジグザグパターンを描くことにより配線の実際の長さが長手方向の直線距離より大きく、または配線の幅が他の部分の幅とは異なる。 - 特許庁

To provide a circuit board wherein much current can be passed by a lead frame without excessively extending the width of an isolation groove isolating circuit patterns or a circuit pattern itself.例文帳に追加

回路パターン間を分離する分離溝や、回路パターンそのものの幅を不必要に広げることなく、リードフレームにより多くの電流を流すことができる回路基板を提供する。 - 特許庁

The arithmetic unit calculates the coefficients of the elements in a proposed method so that the beam pattern of the array antenna has a flat top main lobe having an adjustable beam width and a specified side lobe ratio.例文帳に追加

演算器は、アレイアンテナのビームパターンが調整可能なビーム幅を持つフラットトップなメインローブと所定のサイドローブ比を持つように、提案された方法で素子の係数を演算する。 - 特許庁

To provide a method for producing a novolak resin for a positive-type photoresist, capable of sufficiently controlling its dissolving speed in alkali, and consequently forming such an extremely fine pattern that the line width is 0.30 μm.例文帳に追加

アルカリ溶解速度が充分に制御され、その結果線幅が０.３０μmと言う極めて微細なパターン形成を可能とする、ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in near field mask exposure that the aspect ratio of a pattern being formed on a resist lowers when the opening width of a mask is set smaller than one third the exposure wavelength.例文帳に追加

近接場マスク露光において、マスクの開口幅を露光波長の１／３よりも小さくすると、レジストへ形成されるパターンのアスペクト比が低下してしまうという課題を解決する。 - 特許庁

To accurately control a width distribution of ultraviolet rays radiated in a line to an irradiation object, in a structure in which a diffraction grating pattern is formed on each side of a diffractive optical element.例文帳に追加

回折光学素子の両面に回折格子パターンが形成された構造で、照射対象にライン状に照射される紫外線の幅方向の配光を精度よく制御する。 - 特許庁

The zirconia sintered compact is characterized in that the half-value width of a peak of (111)plane of the tetragonal system in the X-ray diffraction pattern by CuKα ray is 0.38-10°.例文帳に追加

ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおける正方晶の（１１１）面のピークの半値幅が０．３８度以上１０度以下であることを特徴とするジルコニア焼結体。 - 特許庁

In step S7003, the width for each wiring of a wiring pattern of input layout data 7001 after wiring is sensed, and the wiring density for each wiring region is sensed.例文帳に追加

工程Ｓ７００３において、配線後の入力レイアウトデータ７００１の配線パターンの配線毎の配線幅を検出したり、配線領域毎の配線密度を検出する。 - 特許庁

To provide a photomask and a method for manufacturing the photomask, which can reduce variance in dimensional errors of a mask pattern width, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the photomask.例文帳に追加

マスクパターンの幅の寸法誤差のばらつきを低減することができる、フォトマスクおよびその製造方法、ならびにフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition giving a resist pattern with a suppressed change in line width when observed with a scanning electron microscope(SEM) in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときに、線幅の変動が軽減したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor layer 14 has a forward mesa inclined surface area MJ where the width of one direction [0-1-1] of a pattern of the semiconductor layer 14 is increased toward an electron emission layer 13.例文帳に追加

半導体層１４は、電子放出層１３に向かうに従って半導体層１４のパターンの一方向［０−１−１］の幅が広くなる順メサ斜面領域ＭＪを有している。 - 特許庁