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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > pattern widthに関連した英語例文

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pattern widthの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1835



例文

Since a desired receiving antenna pattern defined by arbitrary beam direction and beam width can be obtained, a variable beam array antenna can be constituted depending on the traffic environment.例文帳に追加

これにより、任意のビーム方向とビーム幅によって定義される所望の受信アンテナパターンを得ることができるので、トラフィック環境に合わせてビームが可変であるアレーアンテナを構成することができる。 - 特許庁

Accordingly, the conductive layer 15 is chemically and mechanically ground under the condition that the aperture width of groove pattern 14 is partially narrowed to form an embedded wiring 16 in which the dishing phenomenon.例文帳に追加

これによって、溝パターン14の開口幅を部分的に狭くした状態で導電層15の化学的機械研磨を行い、ディッシング現象を防止した埋め込み配線16の形成が行われる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printing plate by which changes in an etching critical dimension (CD) is minimized to form a fine pattern by flattening the plate with an organic film and then etching into a desired width.例文帳に追加

有機膜を用いて平坦化した後に望む幅でエッチングすることによって、エッチングCDの変化を最小化し微細パターンを形成することができる印刷板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A broad part 14b having a broader width than the terminal 14a of a circuit pattern 14 has is formed at the front end of the terminal 14a and the front end of the broad part 14b is electrically connected to a solder land 16.例文帳に追加

回路パターン14の端子14aの先端部に、端子14aの幅より幅広の幅広部14bを形成し、この幅広部14bの先端をハンダランド16に電気的に接続する。 - 特許庁

例文

To suppress a measuring error caused by a change in the spot position of reflection light occurring when making luminous flux impinge on a fine pattern having line width that is nearly the same as a light source wavelength on an object to be examined.例文帳に追加

被検物上の光源波長と同程度の線幅を持つ微細パターンに光束を入射した場合に生じる、反射光のスポット位置変化に起因する測定誤差を抑制する。 - 特許庁


例文

The light intensity value near the gate edge of the gate pattern is calculated and the dimension shift quantity of the gate line width by a proximity effect is calculated in accordance with the light intensity value in a dimension shift quantity calculating section 605.例文帳に追加

ゲートパタンのゲートエッジ近傍における光強度値を計算し、寸法シフト量計算部605で光強度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸法シフト量を計算する。 - 特許庁

The conductor plate 20 includes an inner conductor part 22 substantially covering the second antenna pattern and a loop-shaped outer conductor part 24 arranged with a prescribed slit width d separated from the inner conductor part.例文帳に追加

導体板20は、第2のアンテナパターンを実質的に覆う内部導体部22と、この内部導体部から所定のスリット幅dをもって離間して配置されたループ形状の外部導体部22とからなる。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第1マスクでゲート電極を形成する段階と、第2マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第3マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A laminated mask having a second mask 1411 with a second pattern, laminated on a first mask 1402 with a first pattern 1410 is formed on a substrate 1401, and the second mask 1411 comprises an opening portion 1411B having an inclined sidewall and a flat portion 1411A, and also has a pattern including wide-width portions 1415A and 1415B in top view.例文帳に追加

第1のパターン1410を有する第1のマスク1402の上層に、第2のパターンを有する第2のマスク1411を積層する積層マスクを基板1401上に形成し、前記第2のマスク1411は、側壁に傾斜を有する開口部1411Bと、平坦部1411Aと、からなり、かつ、上面視で幅広部1415Aおよび1415Bを有するパターンとする。 - 特許庁

例文

The laser beam detecting means includes: diffraction optical elements 103a and 103b which shape the defected and scanned laser beams into a pattern consisting of dots or lines; and a plurality of light receiving elements PD1 and PD2 for detecting the pattern, wherein the plurality of light receiving elements have a light receiving face wider than the luminous flux width in a main scanning direction of dots or lines composing the pattern.例文帳に追加

レーザビーム検出手段は、偏向走査されるレーザビームをドットまたはラインからなるパターンに整形する回折光学素子103a,103bと、上記パターンを検出するための複数の受光素子PD1,PD2とを具備し、複数の受光素子は、上記パターンを構成するドットまたはラインの主走査方向光束幅よりも広い幅の受光面を有する。 - 特許庁

例文

In the semiconductor device 1 in which a wiring pattern 11 on a surface of a base plate 10 is electrically connected with a connecting electrode 3 formed on a connection surface of a semiconductor element 2 and made of a conductive material by face-down packaging, the width of a part of the wiring pattern 11b is set such that a fillet-shaped connecting electrode 3b is formed on the wiring pattern 3b.例文帳に追加

基板10面の配線パターン11と半導体素子2の接続面に形成された導電材料から成る接続用電極3とがフェースダウン実装により電気的に接続されている半導体装置1において、一部の上記配線パターン3bの幅が、上記配線パターン3b上にフィレット形状の接続用電極3bが形成されるように設定されている。 - 特許庁

The inspection method for ejection of an inkjet device comprising an ink head with a plurality of ejection nozzles includes: a process of continuously ejecting ink from respective ejection nozzles of the ink head to form a parallel line pattern while moving the ink head in the conveyance direction on an image reception base material; and a process of determining defective ejection from line width and pattern interval of the line pattern.例文帳に追加

複数の吐出ノズルを有するインクヘッドからなるインクジェット装置の吐出検査方法であって、検査用受像基材上に、インクヘッドを搬送方向に移動させながら、前記インクヘッドの各吐出ノズルからインクを連続吐出し、平行なラインパターンを形成する工程と、ラインパターンの線幅及びパターン間隔から吐出の良不良を判断する工程と、を有する吐出検査方法。 - 特許庁

A resist mask 56 having a resist pattern having opening parts 54 of a width the same as a width of a ribbon member 19 of the MEMS device at intervals the same as intervals of the ribbon members 19 is formed on a sacrifice layer 24, when a ribbon member forming layer is formed on the sacrifice layer 24 in manufacturing the MEMS device.例文帳に追加

本方法では、MEMSデバイスを製造する際、リボン部材形成層を犠牲層24上に成膜する前に、先ず、MEMSデバイスのリボン部材19の幅と同じ幅の開口部54をリボン部材19の間隔と同じ間隔で有するレジストパターンを備えたレジストマスク56を犠牲層24上に形成する。 - 特許庁

Furthermore, size of the widths of the specific portions Pa to Pd based on the positions of the specific portions Pa to Pd for every pattern image 3a to 3d for detection of position shifting is calculated, and a confirming process for width reproduction which confirms the reproducing property for the printing width is carried out based on the calculated size of the widths of the specific portions Pa to Pd.例文帳に追加

また、位置ずれ検出用パターン像3a〜3d毎の特定部分Pa〜Pdの位置に基づいて特定部分Pa〜Pdの幅の大きさが算出され、算出された特定部分Pa〜Pdの幅の大きさに基づいて、印字幅の再現性を確認する幅再現性確認処理が行われる。 - 特許庁

The pattern parts 22a and 22b is provided with: a connection part 40 which is linearly extended to connect to a pressure welding terminal; a component mounting part 42 in which the resistance 30 is mounted; a narrow-width linking part 43 which is linked to one edge in the width direction of the connection part 40, and is linked to both the connection part 40 and the component mounting part 42.例文帳に追加

パターン部22a,22bは圧接端子に接続する直線状に延在した接続部40と抵抗30が取り付けられる部品取付部42と接続部40の幅方向の一方の縁に連なりかつ接続部40と部品取付部42との双方に連なっている幅狭連結部43を備えている。 - 特許庁

The pneumatic tire is equipped with a tread pattern having transverse grooves 2b formed between a plurality of blocks, wherein each transverse groove 2b has a facial side groove part 11 stretching with the groove width GW widened and extended toward the tread end and a bottom side groove part 12 extended with approximately a constant groove width GW.例文帳に追加

複数のブロック1b間に形成された横溝2bを有するトレッドパターンを備えた空気入りタイヤにおいて、前記横溝2bは、溝幅GWがトレッド端側に広がりつつ延びる表面側溝部11と、略一定の溝幅GWで延びる底面側溝部12とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

By displaying the measurement result of pattern shape by divided signal waveforms (bottom width of the final shape 703, resist bottom width by exposure 704, the amount of etching shift 705, and etching tilt angle component706), users can easily comprehend how much of which component changes in the total changes.例文帳に追加

特に、パターン形状の計測結果を、分割された信号波形ごとに表示(最終形状のボトム幅703、露光による、レジストボトム幅704、エッチングシフト量705、エッチング傾斜角成分706)することで、形状全体の変動のうち、どの成分がどのように変動したのかを容易に確認できるようにする。 - 特許庁

For coils, width of the coil end facing the magnetic response section is designed wider only by the given angle range than maximum width in circumferential direction of the pattern in the magnetic response section for allowing the position applicable to the coil on the magnetic response section to relatively be displaced in the circumferential direction through rotation of the piston rod.例文帳に追加

コイルは、ピストンロッドの回転によって磁気応答部のコイルに対する対応位置が相対的に円周方向に変位することを許容すべく、該磁気応答部に対向する該コイル端部の幅員を、該磁気応答部のパターンの円周方向についての最大幅よりも所定角度範囲だけ幅広に構成される。 - 特許庁

A CPU 31 in an image processing section 3 calculates variation in the brightness of image data, i.e. the device pattern of a semiconductor wafer picked up at an image pickup section 2, finds the distribution width D and the central value M of brightness, and corrects them to have specified distribution width D2 and central value M2, thus correcting variation in the brightness of the image data.例文帳に追加

画像処理部3内のCPU31により、画像撮像部2で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの明るさのばらつきを計算し、明るさの分布幅Dと中央値Mを求め、所定の分布幅D2と中央値M2となるように補正し、画像データの明るさのばらつきを補正する。 - 特許庁

In the resist pattern forming method for forming a resist film on a support body and selectively exposing the resist film a plurality of times through a photomask, the width of an exposure portion of the resist film in each selective exposure is larger than the width of a light transmitting portion of the photomask.例文帳に追加

本発明は、支持体上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しフォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎のレジスト膜の露光部幅は、前記フォトマスクの透光部幅よりも大きいことを特徴とするレジストパターン形成方法である。 - 特許庁

A shape of the dynamic pressure groove of the required width W is reproduced in high precision without repeating experiment before production, etc. by correcting the width L of the electrically conductive pattern 1a formed on the surface of the electrode tool 1 in accordance with a machining clearance (d) between the electrode tool 1 and a work 3.例文帳に追加

電極工具1と被加工物3との間の加工間隙dに応じて、電極工具1の表面上に形成される導電パターン1aの幅Lを補正することにより、生産前の試作等を繰り返すことなく、所要の幅Wの動圧溝形状を高精度に再現することができる。 - 特許庁

Subsequently, as shown in Fig. 1(c), anisotropic dry etching is performed using the above passage pattern 14A as an etching mask to form a micro passage 12A having a width of about 10 μm and a depth of about 20 μm on the substrate 12.例文帳に追加

次に、図1(c)に示すように、上記流路パターン14Aをエッチングマスクとして異方性ドライエッチングにより、基板12上に幅約10μm、深さ約20μmのマイクロ流路12Aが形成される。 - 特許庁

In the ceramics heater obtained in this way, fluctuations in thickness of the exothermic body can be made within ± 5% or less, and fluctuations in the width direction of the exothermic body pattern can be made within ± 3% or less against the design value.例文帳に追加

このようにして得られたセラミックスヒータは、発熱体の厚さのばらつきを±5%以下とすることができ、発熱体パターンの幅方向のばらつきを設計値に対して±3%以下とすることができる。 - 特許庁

To provide a thin-film patterning method for obtaining narrower isolated trench width, without having to depend on the formation technique of a resist pattern, manufacturing method of a thin-film device, and to provide a manufacturing method of a thin-film magnetic head.例文帳に追加

レジストパターンの形成技術に依存することなく、より狭い孤立トレンチ幅を得ることができる薄膜パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, by having both a low resolution optical system and a high resolution optical system, both a circular or a rectangular pattern defect and a defect of fine line width such as an CD error can be detected simultaneously.例文帳に追加

さらに、低解像度光学系と高解像度光学系の両方を具えることにより、円形又は矩形のパターン欠陥とCDエラーのような微細線幅の欠陥の両方を同時に検出することができる。 - 特許庁

Thus, without increasing the outer diameter of each of the thin-film coils 11, 12, 13 and 14 or reducing the pattern width of each of the thin-film coils 11, 12, 13 and 14, then winding number of the entire thin- film coils is increased.例文帳に追加

これにより、各薄膜コイル11,12,13,14の外径を大きくしたり、各薄膜コイル11,12,13,14のパターン幅を小さくしたりすることなく、薄膜コイル全体としての巻き数を増加させることができる。 - 特許庁

The center layer, having a plurality of grooves which are crossed to each other, is formed with a lattice pattern functioning as a path, along the width and length of the center layer, thus promoting heat dissipation and moisture dissipation of a body part.例文帳に追加

一側において、互いに交差する複数の溝を有するセンター層は、通路として機能する該層の幅および長さに沿う格子パターンを形成しており、身体部分の熱放散および湿気放散を促進する。 - 特許庁

To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide an offset printing apparatus capable of realizing uniform pattern printing on a work with high accuracy by preventing longitudinal distortion of a pressure roller and preventing non-uniformity of printing pressure in the width direction of a blanket, especially, in the effective printing region thereof.例文帳に追加

押圧ローラの長手方向の撓みを防止し、ブランケット幅、特に、有効印刷領域での印圧の不均一を防ぎ、均一なパターン印刷をワーク上に高精度に実現できるオフセット印刷装置を提供する。 - 特許庁

Four recording heads 4a to 4d are arranged to be deviated respectively in a tape longitudinal direction and in a tape width direction so as to become continuous recording pattern such as Tr1 to Tr4 on a tape sliding plane of the head block 18.例文帳に追加

このヘッドブロック18のテープ摺動面には、Tr1〜Tr4のような連続した記録パターンとなるように4個の記録ヘッド4a〜4dをテープ長手方向に且つテープ幅方向に各々ずらして配設する。 - 特許庁

At the crotch part B of the absorbent article 1, the rear sheet 3 has the pattern 12 only at the part not overlapped with the part containing the hydrophilic agent 10 across the width of the absorbent article 1.例文帳に追加

吸収性物品1の股下部Bにおいては、裏面シート3は、吸収性物品1の厚み方向に関して、親水性の剤10が含まれている部位と重ならない部分にのみ模様12を有している。 - 特許庁

To provide a chemical amplification resist composition to be used for the preparation of a mold, capable of forming a pattern excellent not only in sensitivity and resolution, but also in the line width roughness (LWR) performance, in preparation of a mold.例文帳に追加

モールドの作成において、感度及び解像力に優れるとともに、ラインウィズスラフネス(LWR)性能にも優れたパターンを形成可能な、モールドの作成に用いられる化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To effectively perform input/output impedance matching of approximately lower than 1 Ω, relative to a power amplification element for power amplifying high-frequency signals of 500 MHz or higher, without widening the pattern width of a low impedance line.例文帳に追加

低インピーダンス線路のパターン幅を広げることなく、500MHz以上の高周波信号を電力増幅する電力増幅素子に対して概ね1Ω未満の入出力インピーダンスマッチングを効果的に行う。 - 特許庁

So the forming die for glass can be used as a forming die at the time of producing the glass substrate formed with the pattern of the fine embossment on the surface, the width of which is about from submicrons to several μm.例文帳に追加

従って、本発明のガラス用成形型は、表面に幅がサブミクロン〜数ミクロン程度の微細な凹凸によってパターンが形成されたガラス基板を製造する際、その成形型として使用することができる。 - 特許庁

Furthermore, an effective region SLA-V having a width w2 is provided in the region SLA inside of the overlapping region OLA, only with respect to prescribed adjacent two sides of the four sides in the outermost periphery of the pattern PTN.例文帳に追加

さらに、上記パターンPTN4辺の外周のうち、所定の隣接する2辺のみに対してオーバーラップ用領域OLAの内側の領域SLA内に幅w2の有用領域SLA−Vが設けられる。 - 特許庁

To provide a method of measuring optical characteristic capable of measuring the optical characteristic related to pitch-dependence of the line width of a projected image within a substantially wide pitch range near a required pitch without the need for increasing kinds of a measurement pattern.例文帳に追加

投影像の線幅のピッチ依存性に関する光学特性を、計測用のパターンの種類を多くすることなく、実質的に広いピッチ範囲で、かつ必要とするピッチの近くで計測できるようにする。 - 特許庁

A first proposed signal transmission line 102 and a second proposed signal transmission line 103 are formed according to the varied specifications such as a pattern width and the like, so as to enable a printed wiring board to have a target characteristic impedance when printed wiring boards are manufactured.例文帳に追加

印刷配線板製造の際に、第一の信号伝送路候補102及び第二の信号伝送路103をパターン幅などの条件を変え、特性インピーダンスの目標値を変えて作成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is excellent in line edge roughness in normal exposure and liquid immersion exposure and with which the variation of the line width caused by time delay between exposure-PEB is reduced; and a method for forming a pattern using the same.例文帳に追加

通常露光時及び液浸露光時に於ける、ラインエッジラフネスに優れ、且つ、露光−PEB間の引き置きによる線幅の変動が低減されたポジ型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The captioned number 11 denotes the initial pattern of a continuous line width W which crosses the sub-field L of a left side where the unsharpness is B1 and the sub-field R on a right side where the unsharpness is B2 with the boundary 12 of the sub-fields as a boundary.例文帳に追加

11は線幅Wの連続した当初のパターンで、サブフィールドの境界12を境に、ボケがB1である左側のサブフィールドLとボケがB2である右側のサブフィールドRにまたがっている。 - 特許庁

When the composition ratio of Al becomes smaller than 0.06, the refractive index of the AlGaN layer becomes big and, therefore, an NFP (Near Field Pattern) in the vertical direction is widened whereby the half-value width of the FFP in the vertical direction can be reduced.例文帳に追加

Al組成比xが0.06より小さくなると、AlGaN層の屈折率が大きくなるので、垂直方向のNFP(近視野像)を広げ、垂直方向のFFPの全半値幅を小さくできる。 - 特許庁

A spray pattern of the spray gun 126 is set so that the short axis is along the conveying direction of the chaff mat 12 and the long axis is an ellipse form covering the whole range in the width direction of the chaff mat perpendicular to the conveying direction.例文帳に追加

スプレーガン126のスプレーパターンは、短軸が籾殻マット12の搬送方向に沿い長軸が搬送方向と直交する籾殻マット12の幅方向全域に跨る楕円形に設定されている。 - 特許庁

Solder paste is printed on the bonding pattern which is widened in the wiring width and the solder is wetted and spread up to the bonding pads, by reflowing to obtain the manufacturing method for the semicoductor package substrate having inexpensive solder specifications.例文帳に追加

配線幅が広くなったボンディングパターンの上にはんだペーストを印刷し、リフローではんだをボンディングパットまで濡れ広がらすことで安価なはんだ仕様の半導体パッケージ基板の製造方法を提供できる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition giving a reduced fluctuation range of resist pattern width, having high sensitivity to radiation and exhibiting excellent etching resistance, and a copolymer suitably employable for the resin composition.例文帳に追加

レジストパターンの幅の変動が小さく、放射線に対する感度が高く、更にエッチング耐性に優れた感放射線性樹脂組成物及びこの樹脂組成物に好適に用いることができる共重合体を提供する。 - 特許庁

In the high-density wiring board, a wiring circuit provided with a teardrop-shaped groove having a maximum width diameter larger than a wiring interval in the vicinity of a bent portion of the folded wiring pattern is formed in the bent portion.例文帳に追加

折り返し配線パターンの屈曲部内側に、該屈曲部近傍の配線間隔より大きい最大幅径を有するティアドロップ形状溝を備えた配線回路を形成した高密度配線基板とする。 - 特許庁

This electricity removing fiber fabric 1 comprises a plain woven fabric 2 having conductive fibers 3 obtained by forming a film of a thin digenite (copper sulfide) layer on the surface of a synthetic fiber interweaved in a square pattern of 10 cm intervals of length and width.例文帳に追加

平織り生地2の縦横10cm間隔升目状に、合成繊維の表面をダイジェナイト(硫化銅)薄層で被膜形成した導電性糸3を織込んで成る除電繊維生地1である。 - 特許庁

A photoresist pattern 103 having an opening 103K1 whose aspect ratio (depth/width) is larger than 1 and an opening 103K2 whose aspect ratio is smaller than the opening 103K1 is formed in one surface of a substrate 101.例文帳に追加

基体101の一面に、アスペクト比(深さ/幅)が1よりも大きい開口部103K1とアスペクト比が開口部103K1よりも小さい開口部103K2とを有するフォトレジストパターン103を形成する。 - 特許庁

A control method or a control apparatus is provided for the wireless network wherein a plurality of wireless stations each including an antenna having a sector pattern with a prescribed beam width are provided and wireless communication is executed among the wireless stations.例文帳に追加

それぞれ所定のビーム幅を有するセクタパターンを有するアンテナをそれぞれ含む複数の無線局を備え、各無線局間で無線通信を行う無線ネットワークのための制御方法又は制御装置である。 - 特許庁

The wiring pattern with very fine wire width of 100 nm or less is drawn on various kind of printed boards by an ink jet printer, by using the ink for the ink jet printer containing conductive gold-colloid particles as main component.例文帳に追加

導電性を有する金コロイド粒子を主成分とするインクジェット印刷機用インキを用いて、インクジェット印刷機により、プリント基板上に100nm以下の微細線幅の配線パターンを形成させる。 - 特許庁

The present invention includes a method for forming a word line pattern of the nonvolatile memory array including a step of producing the sub-F word lines using a mask producing device having a width of at least minimum characteristic size F through the use of spacer technology.例文帳に追加

少なくとも最小特徴サイズFの幅を有するマスク生成素子から、スペーサー技術を用いてサブFワード線を生成する段階を含む不揮発性メモリアレイのワード線パターン形成のための方法を含む。 - 特許庁

例文

To obtain a circuit board having high reliability without short circuit or the like between adjacent wiring layers with less variation in wiring width of the wiring layer of the high-density pattern by embedding the wiring layer in an insulating sheet.例文帳に追加

配線層の絶縁シートへの埋設させるとともに、高密度パターンの配線層の配線幅のばらつきが少なく、また隣接する配線層間の短絡などの発生のない高い信頼性の配線基板を得る。 - 特許庁




  
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