「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The light from an artificial light source S as a line segment light source extending in vehicle width direction is reflected to the front by a first reflector 14 and a light distribution pattern having cut-off lines CL1, CL2 at the top end part is formed.例文帳に追加

車幅方向に延びる線分光源としての擬似光源Ｓからの光を、第１リフレクタ１４で前方へ向けて反射させて、上端部にカットオフラインＣＬ１、ＣＬ２を有する配光パターンを形成する。 - 特許庁

The device is provided with a circuit 14 for detecting the wear at the front end of the probe 9 which detects the wear at the front end 9A of the probe 9 from the shape of an eye pattern formed from the various level difference or pulse width or servo signal of the output of the probe.例文帳に追加

探針出力の高低レベル差やパルス幅あるいはサーボ信号から形成したアイパターンの形状から探針９の先端９Ａの磨耗を検知する探針先端磨耗検知回路１４を設ける。 - 特許庁

The first land part is a continuous land part provided with a plurality of first lug grooves arranged in the tire circumferential direction, extending from the pattern end in the tire width direction, and closed without communicating with the circumferential directional grooves.例文帳に追加

前記第１の陸部は、前記パターンエンドからタイヤ幅方向に延びる第１のラグ溝が前記周方向溝と連通することなく閉塞するようタイヤ周方向に複数設けられてなる連続陸部である。 - 特許庁

Since the base film is porous, the printed matter is likely to be absorbed more by the base film than by the object to be printed with a printed matter, reducing a ratio of a quantity of bleeding to the width of the line part of the fine pattern.例文帳に追加

さらに、印刷用下地膜が多孔質であるので、被印刷物に比べて印刷物を吸収し易くなり、ファインパターンであってもライン部分の幅に対して滲み量の比率を小さくすることができる。 - 特許庁

To reliably hold both the end parts of a workpiece to be sewn in a horizontal width direction, which is spread in a loop shape by surrounding a plurality of rollers extending in a horizontal direction with respect to a sewing machine frame, so as to prevent a deviation in pattern.例文帳に追加

ミシンフレームに対して横方向に延びた複数のローラを取り巻いて被縫製物を略ループ状に展張された被縫製物の横幅方向の両端部を確実に保持し、以って柄ずれを防ぐ。 - 特許庁

In this constitution, since a process constant in a contraction projection optical system can be reduced to 0.3-0.4, resolution performance can be raised as compared with the prior art, and the fine pattern with a line width of 150 nm or less can be drawn.例文帳に追加

この構成では、縮小投影光学系におけるプロセス定数を０．３〜０．４と小さくできるため、解像性能を従来よりも高めることができ、線幅１５０ｎｍ以下の微細なパターンを描画できる。 - 特許庁

The center of a heating area is arranged at a track edge side of a recording pattern as compared with the width-direction center position of a main magnetic pole of a recording head, and a recording magnetic field is applied while a medium is locally heated at the time of signal recording.例文帳に追加

記録ヘッドの主磁極の幅方向中心位置に比べ記録パターンのトラック端側に加熱領域の中心を配置し、信号記録時に媒体を局所的に加熱しながら記録磁界を印加する。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

To provide a verification device for LSI design capable of detecting wiring for which an allowable current value becomes a violation in a minimum wiring width from a circuit simulated result and preventing an allowable current capacity error on layout pattern design.例文帳に追加

回路シミュレーション結果から最小の配線幅では、許容電流値が違反となる配線を検出し、レイアウトパターン設計上の許容電流容量ミスを防止できるＬＳＩ設計用検証装置を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a donor substrate capable of precisely forming a fine transfer layer pattern without precisely controlling a width of a laser beam and an organic electroluminescent display appartus using the donor substrate.例文帳に追加

レーザ光線の幅を精密に制御しなくても，微細な転写層パターンを精密に形成することができるドナー基板ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

More particularly in this liquid crystal display device, a wiring pattern having two or more resistors varying in wiring width produced by using a portion of the wiring is formed between the pair of the wiring for external connection on the lower substrate.例文帳に追加

特に、この液晶装置では、下側基板上の一対の外部接続用配線の間にはその一部を用いて作製された配線幅の異なる２つ以上の抵抗体を有する配線パターンが形成されている。 - 特許庁

Transparent electrode 9 having a prescribed pattern shape is formed on a front-face substrate 2, and a base electroconductive layer 20 having a width narrower than the transparent electrode 9 and resistivity lower than the transparent electrode 9 is formed on the transparent electrode 9.例文帳に追加

前面基板２上に所定のパターン形状の透明電極９を形成し、その透明電極９上に透明電極９よりも幅が狭くかつ比抵抗が低い下地導電層２０を形成する。 - 特許庁

To provide an etchant which solves problems such as irritating odor of hydrogen chloride and corrosion of devices, and controls distribution of width of a wiring pattern within the surface, by enhancing an etching rate, and to provide an etching method.例文帳に追加

塩化水素による刺激臭や装置への腐食などの問題を解決し、エッチングスピードを高めて、配線パターンの幅の面内のバラツキを抑制することができるエッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

An organic pigment element is used as the nonlinear optical element to acquire a two-dimensional pattern of autocorrelation waveform information to waveform information and determines the pulse width through the use of a reticule as a scale reference on the basis of the autocorrelation waveform information.例文帳に追加

非線形光学素子として、有機色素素子を用い、自己相関波形情報対波長情報の２次元パターンを得、自己相関波形情報からスケール基準としてのレチクルを用いてパルス幅を決定する。 - 特許庁

By this, a wiring pattern to the connector part connection part 23 from the coaxial cable connection part divided in multi-stages can be made to have a simple constitution, and moreover, space saving can be realized by making the connection terminal 20 narrower in the width.例文帳に追加

これにより多段に分割された同軸ケーブル接続部からコネクタ部接続部２３への配線パターンを簡易な構成とすることができ、また接続端末２０を幅狭にして省スペース化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which enables formation of a resist pattern excellent in sensitivity, resolution, line width roughness (LWR) and etch resistance, and a method of forming resist patterns using the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

感度、解像性、ＬＷＲ及び耐エッチング性に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

The obtained correction time is obtained for each unit by an operation and pseudo-pattern data large enough to give an enough amount of accumulated scattering electrons for correcting a change of the line width caused by a loading effect are formed.例文帳に追加

補正時間は、各ユニットごとに演算により求められ、この求められた補正時間から、ローディング効果による線幅変化を補正するだけの蓄積散乱電子量を与える大きさの擬似パターンデータを作成する。 - 特許庁

To provide an image forming method excellent in ink repellency on an upper face (exposed face opposite to a face contacting a substrate), excellent in resolution and tightness to the substrate, and capable of forming a pattern image with a line width restrained from being dispersed.例文帳に追加

上面（基板に接する面の反対側の露出面）の撥インク性に優れ、解像度及び基板との密着性に優れ、線幅ばらつきが抑えられたパターン画像を形成できる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing by melt extrusion an optical film which is uniform in thickness over the entire width of the film and has no die line, no gear mark, and no other striped pattern and in which retardation and its dispersion are small.例文帳に追加

フィルムの全幅に亘り厚み変動がなく、ダイライン、ギヤーマークやその他の縞模様がなく、リターデーションとそのバラツキも小さい、光学用に適したフィルムを溶融押出により製造する方法を提供する。 - 特許庁

A terminal electrode 7 for test is provided on the outside of each printed board 2 formed in a base material substrate 1 and the electrode 7 is electrically connected to the wiring pattern, etc., of the printed board 2 through a conductor pattern 8 provided on a narrow-width piece 3 which integrally connects the printed board 2 to the base material substrate 1.例文帳に追加

前記素材基板１のうち各プリント基板２の外側の部分に、前記テスト用端子電極７を設けて、このテスト用端子電極７を、前記プリント基板２を素材基板１に一体的に連結する細幅片３に設けた導体パターン８を介して、プリント基板２における配線パターン等に電気的に接続する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding material with a pattern line width further miniaturized to prevent moire even if a contrast improving layer is also used when the material is used for a front filter for display where electric resistance is low irrespective of the miniaturization and permeability is prevented from being deteriorated due to the scumming of a pattern opening.例文帳に追加

ディスプレイ用前面フィルタに用いるときにコントラスト向上層を併用してもモアレが出ないよう、パターンの線幅をより一層微細化した電磁波シールド材であって、そのように細線化しても低い電気抵抗であり、かつパターン開口部の地汚れによる透過率の低下がない電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁

The image pattern formation layer (image pattern forming medium) 1 divides the three images into a number of the linear bands 11 with substantially the same width respectively, extracts the linear band 11 of each image, in response to the number of the images at random, successively mutually adjoins them one by one alternately and arranges them in one row on the same face.例文帳に追加

像パターン形成層（像パターン形成媒体）１は、３種類の像のそれぞれをほぼ同一幅の多数の線状帯１１に分割し、各像の線状帯１１を像の数に応じて飛び飛びに抽出して順次１本ずつ互い違いに隣接させて同一面上に１列に配列したものである。 - 特許庁

To obtain a printer for printing a pattern onto a cloth by discharge ink of a desired color, in which an operation on a user side for switching the drive voltage or the drive pulse width in order to stabilize the discharge quantity of ink regardless of difference in the viscosity characteristics of ink is eliminated, when the pattern is printed with the same color while varying the density.例文帳に追加

布帛に絵柄等を所望の色のインクを吐出させて染色するものにおいて、同一色においても濃度を変えて染色する場合、インクの粘度特性の違いに関係なくインクの吐出量を安定させるために駆動電圧又は駆動パルス幅を切換えるユーザ側での操作を省く。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that forms a resist pattern of favorable shape that exhibits excellent resolution and reduced line width roughness (LWR), a polymeric compound that can be used as a base component of the positive resist composition, a compound that can be used in synthesizing the polymeric compound, and a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

解像性に優れ、ラインワイズラフネス（ＬＷＲ）が低減された良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の合成に利用できる化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

The pattern created by the embossed projections 6 is such a pattern in which the embossed projections 6 are aligned at small intervals in approximately length directions of the napkin 1 in the central area of the napkin 1 and the embossed projections 6 are aligned at small intervals, approximately in width directions of the napkin 1 in a back-and-forth area of the napkin 1.例文帳に追加

前記エンボス突部６，６…による模様は、例えばナプキン中央部領域において前記エンボス突部６，６…が小間隔で並ぶ列方向がナプキン１の略長手方向とされ、かつナプキン前後部領域において前記エンボス突部６，６…が小間隔で並ぶ列方向がナプキン１の略幅方向とされる。 - 特許庁

Concerning equalization of the beam width to the 20 GHz and 30 GHz signals, a feed 16 overlaps the beam pattern of 20 GHz on the beam pattern of 30 GHz and performs both transmission and receiving of signals between the satellite and the same prescribed block on the ground.例文帳に追加

２０ＧＨｚ及び３０ＧＨｚ信号に対してビーム幅を等しくすることに関して、フィード１６は、３０ＧＨｚビーム・パターン上に２０ＧＨｚビーム・パターンを重ね合わせ、衛星及び地表上の同じ所定区域間において信号の送信及び受信双方を行なうように構成することができる。 - 特許庁

In this hologram diffraction grating 30 in which a relief diffraction grating 2" is provided in a detailed pattern area in a plane where interference fringes 9" of relief hologram are formed, the diameter of a dot and line width in the detailed pattern area with the relief diffraction grating 2" provided are ≤0. 1 mm and cannot be seen at a normal observation position.例文帳に追加

レリーフホログラムのレリーフ干渉縞９”が形成されている面中の微細パターン領域にレリーフ回折格子２”が設けられてなるホログラム回折格子複合体３０であって、レリーフ回折格子２”が設けられている微細パターン領域のドット径及びライン幅が０．１ｍｍ以下であり、通常の観察位置では見えない。 - 特許庁

To obtain a stepping motor, by which a pattern display device or the like can be manufactured inexpensively, without adjusting or the like of a mounting position of a position detecting sensor, which can contribute to the reduction of manufacturing costs of a belt itself, and by which a pattern display width of an endless belt can be secured large.例文帳に追加

本発明は、位置検出センサの取付け位置の調整等もなく、安価に図柄表示装置等を製造することができるとともに、ベルト自体の製造コストの削減にも貢献することができ、さらには、無端ベルトの図柄表示幅を大きく確保することができるステッピングモータを得るにある。 - 特許庁

This method for evaluating the etching accuracy comprises forming a test pattern 2 for measuring resistance including test patterns 21-24 each with a predetermined width and a space between lines arranged in rows and columns on all over the test substrate, measuring a resistance value after etching, and assuming a finished state of a circuit pattern by converting the resistance value into the widths of the line.例文帳に追加

縦、横に配列された所定線幅および線間のテストパターン２１〜２４を含む抵抗測定用テストパターン２をテスト基板の全面にわたって形成し、エッチング後に抵抗値を測定し、その抵抗値を線幅に換算して回路パターンの仕上がり状態を想定しエッチング精度を評価する。 - 特許庁

The conductive pattern manufacturing method irradiates a laser beam L of an ultrashort pulse whose width is less than 1 picosecond in a predetermined pattern to a light-permeable conductive layer a including an ultrafine inorganic conductive fiber provided in at least one side of an insulating base material 11 via condensing means 42.例文帳に追加

本発明の導電パターンの製造方法は、絶縁性基材１１の少なくとも一方の面に設けられた、極細の無機導電繊維を含む光線透過性導電層ａに、集光手段４２を介してパルス幅１ｐ秒未満の極短パルスのレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する。 - 特許庁

To secure a sufficient amount of light for a part close to a cutoff line in a low-beam light distribution pattern and enhance a faraway visibility even if a reflector is small across its width, in a head light for a car configured to effect a low-beam irradiation in a light distribution pattern having a horizontal cutoff line and an oblique cutoff line.例文帳に追加

水平カットオフラインおよび斜めカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行うように構成された車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの左右幅が小さい場合であってもロービーム配光パターンにおけるカットオフライン近傍部分の光量を十分に確保して遠方視認性を高める。 - 特許庁

In this semiconductor acceleration sensor by the same manufacturing process as that of the leading-out electrode, an electrode thin film pattern of the same width is newly installed, so that the electrode thin film pattern layout of the flexible part region for forming the piezo resistance elements is made uniform in both the detection axial direction and the direction vertical to the detection axial direction.例文帳に追加

本発明では引き出し電極と同一の製造工程で同一幅の電極薄膜パターンを新たに設けることにより、ピエゾ抵抗素子を形成する可撓部領域の電極薄膜パターンレイアウトを検出軸方向および検出軸方向と垂直な方向の両方ともに均一化した。 - 特許庁

Therefore, photoresist is applied onto the top surface of the polycrystalline silicon layer 6 and then exposed to light for the formation of a resist pattern conforming to the resistor 22, where the top surface of the polycrystalline silicon layer 6 is flat, and the photoresist film can be set uniform in thickness, so that the influence of a standing wave effect becomes uniform, and a resist pattern can be set uniform in width.例文帳に追加

このため、多結晶シリコン層６の上面にフォトレジストを塗布させ、フォトレジストを露光して抵抗素子２２に応じたレジストパターンを形成させるが、多結晶シリコン層６の上面は平坦でフォトレジストの膜厚を均一にできるので、定在波効果の影響が均一になり、レジストパターンの幅を均一にできる。 - 特許庁

On at least one surface of a transparent base 2, the patch antenna elements 3 for blocking an electromagnetic wave of predetermined frequency are arranged two dimensionally, and the pattern of the patch antenna elements 3 is formed by using a mesh pattern composed of thin wires of conductive thin films of 10 to 80 μm in wire width so as to have the see-through property.例文帳に追加

透明基材２の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波を遮蔽するためのパッチアンテナ素子３が２次元的に配設されてなり、前記パッチアンテナ素子３のパターンは、線幅が１０〜８０μｍの導電性薄膜の細線からなるメッシュパターンを用いて、透視性を有するように形成する。 - 特許庁

To provide a curable resin composition for a column spacer from which a column spacer having a pattern width in a desired size can be formed while suppressing pattern thickening without decreasing sensitivity to irradiation light, and to provide a column spacer and a liquid crystal display element using the curable resin composition for a column spacer.例文帳に追加

照射光に対する感度を低下させることがなく、かつ、パターン太りを抑制した所望のサイズのパターン幅を有するカラムスペーサを形成することができるカラムスペーサ用硬化性樹脂組成物、該カラムスペーサ硬化性樹脂組成物を用いてなるカラムスペーサ及び液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

These monitor patterns 13a-13d are formed on both of the STI surface 11 and the active area surface 12 as a line and space pattern and an isolated pattern, and are also arrayed and formed with the edges in the width direction shifted with respect to the borderline between the STI surface 11 and the active area surface 12.例文帳に追加

これらのモニタパターン１３ａ〜１３ｄは、ＳＴＩ表面１１上と活性領域表面１２上とにそれぞれ、ラインアンドスペースパターン及び孤立パターンとして形成され、また、ＳＴＩ表面１１と活性領域表面１２との境界線に対して幅方向のエッジをずらした状態で配列形成される。 - 特許庁

A pixel pattern 8 is formed in the pixel substrate area on the substrate base material 1, a cutting area 11 having a specified width is provided along an end of the pixel substrate area to be cut, and a dummy pixel pattern 12 is formed on a substrate base material 1 in a cutting area facing a pixel substrate area across the cutting area 11.例文帳に追加

基板母材１の画素基板領域に画素パターン８を形成し、画素基板領域の切断される端部に沿って所定の幅の切断領域１１を設け、切断領域１１を隔てた画素基板領域と対向する切捨て領域の基板母材１に擬似画素パターン１２を形成する。 - 特許庁

The plasma display panel device includes: a plasma display panel; and an external light shielding sheet having a base portion where a groove is formed, and a pattern portion formed on the groove of the base portion, wherein an upper end is arranged nearer the panel than a lower end of the pattern portion among the upper end and the lower end being broader in width than the upper end.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、溝の形成されたベース部と、前記ベース部の溝上に形成されるパターン部と、を含む外光遮断シートを備え、前記パターン部は、上端と前記上端より幅の大きい下端のうち、前記上端が前記パネルにより隣接するように配置される。 - 特許庁

This sensor is constituted by a rotation body 2, an encoder structure 3 which is in a conductor pattern to be rotatably attached with the rotation body 2 and in which the width dimension of the conductor pattern changes periodically, and a sensor body 4 which has a plurality of inductance elements and is oppositely arranged with an interval to the encoder structure 3.例文帳に追加

回転体２と、この回転体２と共に回転可能に取り付けられた導体パターンからなり、この導体パターンの幅寸法が周期的に変化するエンコーダ構造３と、複数のインダクタンス素子を有し、エンコーダ構造３と間隔を有して対向配置されたセンサ本体４とから回転角度検出用センサを構成する。 - 特許庁

A mask correction pattern for narrowing an etching opening width is formed in a position in irrelevance to a sensor shape, in an etching opening part for etching the semiconductor substrate, and the etching difference within the wafer face is narrowed by regulating a size of the mask pattern toward a wafer outer circumferential part to enhance the yield and to reduce the cost.例文帳に追加

半導体基板をエッチングするマスク開口部において、センサ形状と無関係の位置にエッチング開口幅を狭めるマスク補正パターンを形成し、ウエハ外周部に向かって、マスク補正パターンのサイズを調整することにより、ウエハ面内でのエッチングレート差を縮め、歩留まりの向上及び低コスト化を図る。 - 特許庁

In a suspension substrate 1 having a base layer 6 on which a conductor circuit pattern 4 is formed such that the line width Lw and/or the space width Sw are wide in the intermediate region 10 but narrow in the opposite end regions 11, the base layer 6 is formed thick in the intermediate region 10 where the conductor circuit pattern 4 is formed and formed thin in the opposite end regions 11.例文帳に追加

中間領域１０において、ライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗがより広く形成され、また、両端領域１１において、ライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗがより狭く形成されている導体回路パターン４がベース層６上に形成されている回路付サスペンション基板１において、その導体回路パターン４が形成されるベース層６の中間領域１０をより厚く、両端領域１１をより薄く形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for forming a pattern having a large depth of focus (DOF), small line width roughness (LWR) and reduced bridge defects, in order to more stably form a high-accuracy fine pattern for manufacturing a highly integrated and accurate electronic device, and to provide a chemical amplification resist composition used in the method and a resist film formed from the chemical amplification resist composition.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。 - 特許庁

The positioning pattern 4 is formed on the surface on the side of the absorption core 22 of the top sheet 21 by printing and is utilized for specifying the attaching position of the auxiliary absorption device 9 in the longitudinal direction and width direction of the main body part 2.例文帳に追加

位置決めパターン４は、印刷によりトップシート２１の吸収コア２２側の面に形成されており、本体部２の長手方向および幅方向に対する補助吸収具９の取付位置の特定に利用される。 - 特許庁

The device adopts a variable bus-bit width in the image processing data path, can generate high precision output, regardless of the digital gain value, and is further provided with a series fixed pattern noise correction block and a digital gain processing block in the data path.例文帳に追加

画像処理データ路に可変バスビット幅を採用し、デジタル利得値にかかわらず高精度の出力を発生させることができ、さらにデータ路中に列固定パターン雑音補正ブロック及びデジタル利得処理ブロックを有する。 - 特許庁

The conducting film pattern formed in the scribe line region is made smaller than a pad pitch of an external terminal pad and greater than a lead wire width, thereby making it possible to prevent the occurrence of the short circuit between lead wires, when the conducting film is rolled up by dicing.例文帳に追加

このスクライブライン領域に形成する導電膜パターンを、外部端子パッドのパッドピッチより小さく且つリード線幅より広くする事により導電膜がダイシングにより捲れ上がってもリード線間ショートの発生を防止できる。 - 特許庁