「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The cross-sectional structure of the heater wiring 50 has a level difference arranged such that the pattern width of the first conductive wiring layer 51b is wider than that of the second conductive wiring layer 52b and the third conductive wiring layer 53b.例文帳に追加

また、第１の導電性配線層５１ｂのパターン幅が、第２の導電性配線層５２ｂ及び第３の導電性配線層５３ｂのパターン幅よりも広く構成された段差を備えた断面構造を有している。 - 特許庁

The target 10 has a parallel width-nonconductive section 11 at a central section, two conductive patterns 12 are disposed in parallel on both sides of the section 11, and electrical inspection terminals 13 are provided at upper/lower positions of each pattern 12.例文帳に追加

ターゲット１０は中央部に平行幅の非導電部１１を有し、非導電部１１の両側に２つの導電パターン１２を平行に配置して、それぞれの導電パターン１２の上下位置に電気検査用の端子１３を設ける。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which improves LWR, development defects and DOF and is adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＬＷＲ、現像欠陥及びＤＯＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合した感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the contllability of the line width of a resist pattern, to suppress occurrence of microbubbles on the interface between the resist and developer, and to decrease developing defects.例文帳に追加

レジストパターニングの線幅制御性が高く、かつ、レジストと現像液の界面におけるマイクロバブルの発生を抑制し、現像欠陥の低減が可能である露光塗布現像装置、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an MOS transistor which can increase a gate width of the MOS transistor and can restrain excess etching of a gate insulating film in dry etching process for pattern formation of a gate wiring.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置であって、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を増加でき、且つ、ゲート配線をパターニング形成するドライエッチング工程に際して、ゲート絶縁膜の過剰なエッチングを抑制可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A servo pattern is constituted of plural patterns arranged on both sides of a track central line while shifting in the track direction, and respective patterns A, B are constituted so that respectively two kinds of phase state patterns 11, 12, 13, 14 are arranged in the track width direction.例文帳に追加

サーボパターンをトラック中心線の両側にトラック方向にずらして配置した複数のパターンで構成し、各パターンＡ，Ｂはそれぞれ２種類の位相状態のパターン１１，１２；１３，１４をトラック幅方向に並べて構成する。 - 特許庁

The operation part receives data of the icon from the main body side via a communication means 10 and writes each data of the icons such as width, height, the number of colors and icon pattern into a memory area of the RAM reserved in a RAM30R5 for each icon to manage.例文帳に追加

アイコンに関するデータを通信手段１０を介して本体側から受信する操作部では、アイコン毎にＲＡＭ３OR５に確保したＲＡＭのメモリ領域に、アイコンの幅、高さ、色数、アイコンパターンの各データを書き込み、管理する。 - 特許庁

A test pattern whereby a shift amount of an ink hitting position between back-and-forth scans at each position in the main scanning direction of a printing paper P can be obtained is formed for the entire width of the main scanning direction in a printing region on the printing paper P.例文帳に追加

プリントペーパＰの主走査方向各位置における往復走査間のインク着弾位置のずれ量が得られるテストパターンを、プリントペーパＰ上のプリント領域における主走査方向の全幅に亘って作成する。 - 特許庁

The effective coating pattern width of the coating material in the atomized and diffused state is controlled by the air after the collision (hitting) to deposit the coating material in thus controlled state to an object face S to be coated set ahead of the coating material atomization head 41.例文帳に追加

霧化拡散状態にある塗料の有効塗装パターン幅を上記衝突後のエアによりコントロールし、当該コントロール状態の霧化塗料を塗料霧化頭４１の先方にある被塗装面Ｓに付着させる。 - 特許庁

Then, a latent image 110 is formed at the photopolymer film 107 on the metal wiring 106 by the exposure of ultraviolet ray 109 by use of a photomask 108 having a pattern, the width of which is narrower than that of the metal wiring 106 and which penetrates through light.例文帳に追加

次に、金属配線１０６よりも幅が狭く、光を透過するパターンを有するフォトマスク１０８を用い、紫外線１０９を露光し、金属配線１０６上の感光性樹脂膜１０７に潜像１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a copper foil peeling method of a printed wiring board capable of improving accuracy of a peel strength test, and improving efficiency of a measuring work, by peeling off with a fixed width, a copper foil pattern for the peel strength test.例文帳に追加

ピール強度試験用の銅はくパターンを一定幅で引き剥がすことによりピール強度試験の精度の向上と測定作業の効率向上を実現できるプリント配線板の銅はく引き剥がし方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can secure a gate width as designed even when a relative positional deviation occurs between a field region and each mask forming a gate pattern, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device.例文帳に追加

フィールド領域とゲートパターンを形成する各マスクに相対的位置ずれが生じても、ゲート幅を設計通りに確保できるゲート形状を備えた半導体装置及びそれを用いた半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, using the resist pattern as a mask, the conductive film and the mixing film are etched to form a gate electrode having a conductive film 15a and to leave the mixing film 20x on the side surfaces in the gate width direction of the gate electrode.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとして、導電膜及びミキシング膜をエッチングし、導電膜１５ａを有するゲート電極を形成すると共に、ゲート電極のゲート幅方向の側面の上に、ミキシング膜２０ｘを残存させる。 - 特許庁

A spacing between a barrier plate 7 and the bus alignment mark 50 is changed by varying the width of the bus alignment mark 50 in each cell, and variations in spacings among the barrier plate 7, the bus electrode 12 and a discharge electrode 11 are assessed by pattern recognition.例文帳に追加

セル毎にバスアライメントマーク５０の幅を変えることによって、隔壁７とバスアライメントマーク５０の間隔を変化させ、隔壁７と、バス電極１２ひいては放電電極１１との距離のばらつきをパターンに認識で評価する。 - 特許庁

To provide a technique capable of finding precisely and speedily an electric resonance frequency of each wiring pattern, as to the wiring patterns with the wiring width varied in a midway or having a component mounted pad.例文帳に追加

配線幅が途中で変化したり、部品搭載パッドが有ったりする配線パターンにおける電気的な共振周波数を各々の配線パターンについて精度良く、かつ、スピーディに求めることが出来る技術を提供することである。 - 特許庁

Each tatami mat has width-adjusting joint strips 4 respectively made of an elastic foaming resin, foaming rubber or the like and also has the length as same as that of the tatami mat; and each joint strip has a design pattern such as tatami edge, carpet, board or the like on both the top and rear facings.例文帳に追加

畳縁の長さ方向と同じ長さの裏表両面に畳縁、絨毯、カーペット、板材、等の模様を施した、弾力性の有る樹脂発泡体及びゴム発泡体等の幅調節材４を設けたものである。 - 特許庁

Stress from a squeegee of a seal plate is relaxed and physical twisting of meshes constituting the seal plate becomes extremely small to suppress the variation in print precision, especially the line width of the seal pattern 2, in the liquid crystal panel to an extremely small value.例文帳に追加

シール版のスキージからの応力を緩和でき、シール版を構成するメッシュの物理的なねじれが極力少なくなり、液晶パネル内のシールパターン２の印刷精度、特に線幅のばらつきが非常に小さく抑えられる。 - 特許庁

To provide dielectric paste capable of preventing irregular reflection at a dielectric layer due to exposure at forming of a barrier rib pattern, and a method of manufacturing a PDP (Plasma Display Panel) rear-face plate with a small barrier rib width and with high definition using the dielectric paste.例文帳に追加

隔壁パターンを形成する際の露光による誘電体層での乱反射を防止できる誘電体ペースト、および該誘電体ペーストを用いた隔壁幅の小さく高精細なＰＤＰ背面板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case that the start pattern cannot be detected within a period of reception window width T1, the reception window is closed after a period T1, and a period TL until the reception window is opened to receive a next signal is decreased by a period ΔTL.例文帳に追加

受信窓幅Ｔ１時間内でスタートパターンを検出できなかった場合は、Ｔ１時間で受信窓を閉じ、次に信号を受信するために受信窓を開けるまでの時間ＴＬをΔＴＬ時間だけ短くする。 - 特許庁

Right angle or acute angle corner parts are eliminated from the zigzag folding-back parts or both end parts of the width of a pattern, heat stress is dispersed and becomes small, and the effect of heat on the holding member is suppressed and suppresses the occurrence of cracks in the holding member.例文帳に追加

九十九折りの折り返し部やパターンの幅の両端部に直角や鋭角なる角部がなくなり、熱応力が分散して小さくなり、保持部材への熱の影響を抑制して、保持部材のクラック発生を抑える。 - 特許庁

Then candidates having an enough width D for the dimension measurement are selected from the candidates [1] to [5], and further, a candidate closest as possible to the dimension measurement part (center line) designated in the pattern before the OPC process is selected.例文帳に追加

次いで、候補［１］〜［５］の中から寸法測定を行うのに十分な幅Ｄを備えた候補を選別し、更にＯＰＣ処理前のパターンで指定した寸法測定箇所（中心線）からなるべく近い位置の候補を選別する。 - 特許庁

To provide a spacer for a liquid crystal display device, which has excellent heat resistance and in which a minute spacer pattern whose accuracy of cell gap width can be made high can be formed and to provide a liquid crystal display device using the spacer and having a high voltage holding ratio of a liquid crystal.例文帳に追加

セルギャップ幅の精度が高く微細なスペーサーパターンを形成でき、耐熱性に優れる液晶表示装置用スペーサー、及び、当該スペーサーを使用し、液晶の電圧保持率の高い液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

In each display area S, the planting data X such as the ridge width A, the root distance B, the ridge distance C, and the ridge height D corresponding to the designation of a planting crop are displayed in a pattern with an actual size of the crop name.例文帳に追加

各表示域Ｓに植え付け作物における上記呼称に応じた畦幅Ａ、株間Ｂ、条間Ｃ、及び、畦高Ｄ等の植え付けデータＸを実物大寸法にて作物名の絵柄によって表示している。 - 特許庁

To provide a printing plate which can minimize a difference in the width of a printing paste printed in stripes in a printing start position and a printing end position, when a striped printing pattern is printed.例文帳に追加

この発明は、ストライプ状の印刷パターンを印刷する際の、印刷スタート位置と印刷終了位置における印刷されたストライプ状の印刷ペーストの幅の差を最小にできる印刷版を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a low-cost information recording medium in which the width of the row of mark to be formed becomes constant without coming up to an information pattern even if recording is made in a heat mode with a simple recording method and a reproduction error rate can be reduced.例文帳に追加

単純な記録方式でヒートモードによる記録を行っても、形成されるマーク列の幅が情報パターンに寄らず一定となり、再生エラーレートを低減させることが可能で安価な情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a projection aligner capable of selecting an optimum illumination system by the direction and line width, etc., of a pattern shape, and performing the projection alignment of a high resolution and suitable for manufacturing a semiconductor element, and to provide a method for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

パターン形状の方向や線幅等により最適な照明系を選択して高解像力の投影露光が可能な半導体素子の製造に好適な投影露光装置及び半導体素子の製造方法を得ること。 - 特許庁

An end part of a light shielding zone on a photomask is placed in a seam part; and the distance 27R from the end part of the light shielding zone to an end of a mask pattern is equal to or larger than a value determined by adding the sum of absolute positional shifts of the respective photomasks and an absolute value of the diffracted light width.例文帳に追加

フォトマスク上の遮光帯の端部は継ぎ部に位置し、遮光帯の端部からマスクパターンの端までの間隔２７Ｒは、各フォトマスク位置ズレの絶対値の和に、回折光幅の絶対値を加算した値以上。 - 特許庁

A part made of a material and having a pattern, a color, and a shape which differ from those of a basic member in most parts of a tread 1 is provided as a mark 2 showing the optimum walking position in the direction of width on the right and left sides of the tread 1 on a step face of each tread 1 on the stairs.例文帳に追加

階段の各踏み板１の踏み面に踏み板１の左右幅方向における最適歩行位置を示す目印２として踏み板１の大部分の基材とは異なる材料、柄、色、形状等の部分を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate on which conductor patterns causing no disconnection or short circuit, particularly, a portion for connecting end portions of respective conductor pattern layers, can be formed with a required thickness and line width and favorable location accuracy.例文帳に追加

断線やショ—トを生じることのない導電体パタ—ン、特に導電体パ夕—ン各層の端部接続部を所望の厚みおよび線幅にかつ位置精度よく形成することができる多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a projection aligner and a method for fabricating a semiconductor element suitable for fabrication of such a semiconductor element as high resolution projection alignment is ensured by selecting an optimal illumination system depending on the direction, line width, and the like, of a pattern shape.例文帳に追加

パターン形状の方向や線幅等により最適な照明系を選択して高解像力の投影露光が可能な半導体素子の製造に好適な投影露光装置及び半導体素子の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a ceramic package which is easy to be manufactured, makes narrow the width of a recessed groove having a conductor pattern is capable of high-density wiring, improves the dimension accuracy of the recessed groove and does not cause position deviation, and is capable of lateral conduction.例文帳に追加

側面導通が可能なセラミックパッケージであって、製造が容易であり、導体パターンを備えた凹溝の幅が狭く、高密度配線が可能であり、また、凹溝の寸法精度が高く位置ズレも示さないセラミックパッケージを提供すること。 - 特許庁

By overlapping the source wiring metal of a MOS transistor with a gate electrode and varying the amount of overlapping with the gate electrode of the wiring metal in the channel width direction by a pattern design value, Vth multiplying realized, without increase in the number of processes.例文帳に追加

MOSトランジスターのソ−ス配線金属をゲート電極にオーバラップさせ、かつそのチャネル幅方向の配線金属のゲート電極へのオーバラップ量をパターン設計値で可変することにより工程増なくマルチVth化を実現する。 - 特許庁

A 2nd coordinate transforming part 5 can further transform the coordinates of the pattern coordinate system transformed in the part 4 into coordinates within an image area due to a simple residue operation based on the height and width of the image.例文帳に追加

さらに第２の座標変換部５によって、第１の座標変換部４において変換されたパターン座標系の座標を、画像の高さおよび幅に基づく簡単な剰余演算によって画像の領域内の座標に変換できる。 - 特許庁

A nitride film is arranged to overlap the source and gate electrodes of a MOS transistor, and the amount of the nitride film overlapping the gate electrode in its channel width direction is made variable by a pattern design value, thus realizing finer multi-Vth making.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスターのソ−スとゲート電極にオーバラップするように窒化膜を配し、かつそのチャネル幅方向の窒化膜のゲート電極へのオーバラップ量をパターン設計値で可変することによりきめ細かなマルチＶｔｈ化を実現する。 - 特許庁

To provide a projection optical system which can obtain pattern images of a desired line width over an effective image formation area without being substantially affected by scattered lights caused by the surface roughness, etc. of a refraction face or reflection face, for example.例文帳に追加

たとえば屈折面や反射面の表面粗さなどに起因する散乱光の影響を実質的に受けることなく、有効結像領域の全体に亘って所望線幅のパターン像を得ることのできる投影光学系。 - 特許庁

The pattern width W1 of the coil conductor patterns 12 to 15 provided on the high-permeability sheets 3 to 6 is set larger than that W2 of the coil conductor patterns 16 to 19 provided on the low-permeability sheets 8 to 11.例文帳に追加

高透磁率磁性体シート３〜６に設けたコイル導体パターン１２〜１５のパターン幅Ｗ１は、低透磁率磁性体シート８〜１１に設けたコイル導体パターン１６〜１９のパターン幅Ｗ２より大きくなるように設定している。 - 特許庁

To form a pattern of a core so as not to increase thickness of plating in both end parts in a width direction of a belt-shaped work by concentration of a current to the core in these parts when electroplating a surface of the core provided on the belt-shaped work.例文帳に追加

帯状ワークに設けられたコアの表面に電解メッキを施す際に、帯状ワークの幅方向の両端部でコアに電流が集中してその部分のメッキが厚くならないように、コアのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a signal transport substrate that is electromagnetically shielded to obtain a much higher degree of freedom when designing a trace pattern or trace width of a signal line and to obtain a much higher degree of freedom also when adjusting a characteristic impedance.例文帳に追加

信号線のトレースパターンやトレース幅などの設計に、より一層の自由度が得られると共に、特性インピーダンスの調整の上でもより一層の自由度が得られる電磁シールドされた信号伝達基板を提供する。 - 特許庁

The detection unit includes a marking unit disposed on the travelling surface of the road and including a pattern periodically changing in optical characteristics in the width direction of the road; a line sensor unit for capturing a one-dimensional image having an eyesight of a line shape extending in the width direction; and a counting unit for detecting the number of vehicles travelling in parallel by using the one-dimensional image.例文帳に追加

並走検出部は、道路の走行面に設けられ光学的な特性が道路の幅方向に周期的に変化するパターンを含むマーキング部と、幅方向に延長する線状の視野を有する一次元画像を取得するラインセンサ部と、一次元画像を用いて並走している車両の数を検出する計数部とを備える。 - 特許庁

A toner concentration measuring part 102 calculates the concentration control parameter of light emitting time and light emitting current corresponding to toner adhesive amount based on the rate of reflected light (space width between lines) at a part where the toner does not exist in the read signal of the halftone pattern by a sensor unit 26 and light (line width) attenuated by scattering at a part where the toner exists.例文帳に追加

トナー濃度測定部１０２は、センサユニット２６によるハーフトーンパターンの読取信号におけるトナーがない部分の反射光（線間の空き幅）とトナーがある部分の散乱により減衰した光（線幅）の割合に基づいて、トナー付着量に対応した発光時間や発光電流などの濃度制御パラメータを算出する。 - 特許庁

A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure.例文帳に追加

前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

By setting an electrode width of a central part A1 of a conductor pattern 122 constituting an unbalanced side resonance electrode narrower than an electrode width other than the central part, the position of a resonance point, which may be generated near a double wave, is shifted to a high frequency side without affecting such resonance point of a signal frequency to be passed, as a fundamental wave.例文帳に追加

不平衡側共振電極を構成する導体パターン122の中央部Ａ１の電極幅を中央部以外の電極幅よりも細く設定することにより、基本波となる通過対象信号周波数の共振点に影響を与えることなく、２倍波付近に生ずる共振点の位置を高周波側にシフトさせる。 - 特許庁

In the transmission lines plurally divided, the relationship between the gap Pout between externally adjacent conductor patterns and the gap Pin between internally adjacent conductor patterns and the relationship between the width Wout of an outer conductor pattern and the width Win of an inner conductor patter are properly adjusted, and the band property of the transmission line is suitably set.例文帳に追加

複数に分岐された伝送路において、外側で隣接する導体パターン間のギャップＰｏｕｔと内側で隣接する導体パターン間のギャップＰｉｎとの関係、及び外側の導体パターンの幅Ｗｏｕｔと内側の導体パターンの幅Ｗｉｎとの関係が適切に調整されて、伝送路の帯域特性が好適に設定される。 - 特許庁

And a ball directed into the first passage is discharged from a first outlet 14 of large width to the outside of the member 1, while a ball directed into the second passage passes through a second outlet 23 of small width and is then discharged from the outlet 14 so as to be directed into a special pattern start port 33 at high probability.例文帳に追加

なお、第１通路に振り分けられた遊技球は、広幅な第１排出口14から遊技部材１の外部へ排出されるようになっており、第２通路に振り分けられた遊技球は、狭幅な第２排出口23を通過後に第１排出口14から排出され、高い確率で特別図柄始動口33に入賞するようになっている。 - 特許庁

Information of position relation in the direction of track width of a reproducing head for the guard band can be obtained by detecting this discrimination pattern by a reproducing device, then, by utilizing this information for tracking control correcting position relation in the direction of track width between the reproducing head and the unit, tracking control can be satisfactorily performed.例文帳に追加

再生装置にて、この識別パターンを検出することによって、ガードバンドに対する再生ヘッドのトラック幅方向での位置関係の情報を得ることができ、この情報を、再生ヘッドとユニットとのトラック幅方向での位置関係を補正するトラッキング制御に利用することによって、トラッキング制御を良好に行うことができる。 - 特許庁