「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Along the scribe line on a semiconductor wafer 360, a groove 363 is formed using a cutter blade 201 thicker than the width of a test pattern 362 on the semiconductor wafer and then the inside of the groove 363 is cut by means of a thinner cutter blade 202.例文帳に追加

半導体ウエハ３６０におけるスクライブラインに沿って、まず、半導体ウエハ上のテストパターン３６２の幅よりも厚い刃厚を有する切断刃２０１を用いて凹溝３６３を形成し、次に、この凹溝３６３内を、薄い刃厚を有する切断刃２０２によって切り込み、切断する。 - 特許庁

Thus, it is realized to form the deep source/drain regions prior to the shallow source/drain regions, and to control an overlap of the impurities ion-implanted into the shallow source/drain regions created through the gate pattern line width gradually reducing with the second spacer for offsetting.例文帳に追加

これにより、深いソース/ドレーン領域を浅いソース/ドレーン領域より先に形成することと同時に前記オフセット用第２スペーサにより次第に縮まるゲートパターン線幅により発生する浅いソース/ドレーン領域にイオン注入される不純物の重畳を抑制できる。 - 特許庁

In the thin-film solar cell module having a conductive metal oxide layer, a photoelectric conversion layer, and a back electrode on a translucent insulating substrate, the finger electrode of a preset pattern of a narrow line width for reducing the resistance loss of the conductive metal oxide layer is provided.例文帳に追加

透光性絶縁基板上に、導電性金属酸化物層と、光電変換層及び裏面電極とを有する薄膜系太陽電池モジュールにおいて、導電性金属酸化物層の抵抗損を低減する、線幅の細く予め設定したパターンのフィンガー電極が設けられる。 - 特許庁

A moving vector detecting part 24 detects moving vectors in the respective areas of the image on the basis of these frame image data and car speed data and a moving vector processing part 25 evaluates the pattern of the moving vector on a reference horizontal line and finds a distance and road width up to the wall surface of a road end.例文帳に追加

移動ベクトル検出部２４では、これらのフレーム画像データと車速データに基づき画像の各領域の移動ベクトルを検出し、移動ベクトル処理部２５では、基準水平ライン上の移動ベクトルのパターンを評価して、道路端の壁面までの距離と道幅を求める。 - 特許庁

The stationary electrodes 21 of the conductor pattern 20 are set nearly equal to each other in width and arranged nearly at a constant interval, parts of the resistor 30 located above the stationary electrodes 21 are set uniform in thickness, and the resistor 30 is restrained from varying in resistance so as to be kept stable in resistance.例文帳に追加

導体パターン２０の各固定電極２１を、それぞれの幅を略等しくし、かつ略等間隔に配置し、それぞれの固定電極２１部分で抵抗体３０の膜厚を均等化して、抵抗体３０の抵抗値変動を抑制して安定した抵抗値を得る。 - 特許庁

The display part 10B has parallel linear lines 55 and 55 printed in a predetermined distance size to interpose the part 54 between both sides of the part 54 and a release display pattern 56 repeatedly printed at a predetermined pitch L1 at the outsides of the lines 55 and 55 in its width direction.例文帳に追加

この切り込み表示部１０Ｂは、切り込み部５４の両側に該切り込み部５４を挟むように所定距離寸法で印刷される平行な直線５５、５５と、各直線５５、５５の幅方向外側に所定ピッチＬ１で繰り返し印刷される剥離表示パターン５６とから構成されている。 - 特許庁

The pattern edge of a discharge inactive membrane 22 is formed at a position near the bus-bar portion b side or at the position at a distance of 50 μm or more from the electrode part fb, and the line width of the portion of the address electrode W facing the membrane 22 is narrower than the portion of the electrode YG facing the electrode part fp.例文帳に追加

放電不活性膜２２のパターンエッジは、母線部ｂ側に近い位置か、電極部ｆｐから５０μｍ以上の距離を隔てた位置に設けられ、アドレス電極Ｗの膜２２に対面する部分の線幅は、電極ＹＧの電極部ｆｐに対面する部分よりも細い。 - 特許庁

At least one of rubber property of a top tread at the rear wheel side and a tread pattern changes in the tire width direction, and an outside shoulder part 7 develops a high frictional force on the road surface having the low friction coefficient and an inside shoulder part 8 develops the high frictional force on the road surface having the high friction coefficient.例文帳に追加

後輪側トップトレッドのゴム物性及びトレッドパターンの少なくとも一方がタイヤ幅方向で変化し、外側ショルダー部７が、低摩擦係数の路面で高い摩擦力を発現するとともに、内側ショルダー部８が、高摩擦係数の路面で高い摩擦力を発現する。 - 特許庁

The gate driving module is connected with gate driving signal input lines (253 etc.), and gate driving signal by-pass lines (254 etc.), and it is made possible to easily inspect whether or not the gate driving signals are effective by providing either or both of the lines with a pattern having a width larger than each line.例文帳に追加

ゲート駆動モジュールにはゲート駆動信号入力線（２５３等）及びゲート駆動信号バイパス線（２５４等）が接続されており、これらの一方あるいは両方に各線より大きな幅寸法のパターンを設けゲート駆動信号の有効可否を容易に検査することができるようにした。 - 特許庁

The encoder structure 3 is arranged on the rotation body 2 so that a plurality of matching members 5 having the same cycle and form may contact annually each other using the matching members 5 constituting at least one cycle of cyclic changes of the width dimension of the conductor pattern.例文帳に追加

そして、エンコーダ構造３は、導体パターンの幅寸法の周期的な変化の少なくとも１周期分以上を構成する相部材５を用いて、同一の周期及び形状を有する複数個の相部材５を、環状かつ互いに接触するように、回転体２に配置した構成とする。 - 特許庁

A pattern of electromagnetic wave shielding ink comprising two or more ink lines each of which has a width of L and crosses with each other to form a mesh is provided on one surface of the film base material to form the electromagnetic wave shielding member, and the intersections of the ink lines are each 1.2 to 3 times as thick as the ink line.例文帳に追加

電磁波遮蔽性インキからなるメッシュ等の２本以上の線幅Ｌのラインが交差するパターンがフィルム基材の一面上に配設された、電磁波遮蔽性を有する電磁波シールド用の部材であって、ライン交点部分の膜厚がライン部分の１. ２倍〜３倍である。 - 特許庁

To raise a controllability of a line width of a pattern, while reducing a developing defect, in case of forming a protective film of a water repellent property on a substrate an which a resist film is formed, and performing a development processing to the substrate after forming a liquid layer on a front surface of the protective film and carrying out an oil immersion exposure.例文帳に追加

レジスト膜が形成された基板の上に撥水性の保護膜を形成し、その表面に液層を形成して液浸露光した後の基板に現像処理を行うにあたって、現像欠陥を低減させると共にパターンの線幅の制御性を向上させること。 - 特許庁

A referential pattern of black ink has slits (margins ejecting no black ink) each having a recording position shifted by one dot in a range of ±5 dots width, and lines of cyan are recorded accumulatively at positions shifted by one dot from respective slits.例文帳に追加

パターンを、基準となるブラックインクのパターンが、図６に示すように、１ドット幅づつその記録位置がずれたスリット（ブラックインクを吐出しない余白）を±５ドット幅の範囲で有するものとし、シアンのラインをそれぞれのスリットに対して累積的に１ドットづつずらした位置に記録するようなパターンとする。 - 特許庁

A folded section 513 is formed in the terminal 512 of the flexible board 500, wherein the folded section is ridge-folded to be folded along the width direction of the flexible board 500, the direction being oriented at substantially a right angle relative to the extension direction of a wiring pattern (conductive part) 510 formed on a lower surface 500A of the flexible board 500.例文帳に追加

フレキシブル基板５００の端子部５１２には、このフレキシブル基板５００の下面５００Ａに形成されている配線パターン（導電部）５１０の延長方向に対して略直角な、フレキシブル基板５００の幅方向に沿って山折して屈折させた屈折部５１３が形成されている。 - 特許庁

To prevent adverse effect on the product quality by preventing the line width of a conductive convex pattern layer formed by the "drawing primer system intaglio printing method" from becoming thicker when the print speed is increased in order to highly reconcile the electromagnetic wave shielding performance and the optical transparency of an electromagnetic wave shielding material.例文帳に追加

電磁波遮蔽材の電磁波遮蔽性能と光透過性を高度に両立させる為に、「引抜プラマイ方式凹版印刷法」で形成した導電性凸状パターン層の線幅が印刷速度を高速化した時に太るのを防いで製品品質への悪影響を防ぐ。 - 特許庁

At the surface 20a of the base material 20 in the edge portion area, a groove 21 whose width gradually becomes wide from a deepest portion 21a toward the surface 20a of the base material 20 is formed, and in the groove 21, a conductive layer 22 is embedded to configure the wiring pattern 16.例文帳に追加

縁部領域における基材２０の表面２０ａには、最深部２１ａから前記基材２０の表面２０ａにかけて徐々に幅が広がる溝２１が形成されており、前記溝２１内に導電層２２が埋め込まれて前記配線パターン１６が構成されている。 - 特許庁

To avoid an adverse influence on product quality even if the line width of a conductive convex pattern layer formed by a draw-out primer intaglio printing method becomes thick when its printing speed is made extremely high in order to make the electromagnetic wave shielding performance highly compatible with light permeability of an electromagnetic wave shielding material.例文帳に追加

電磁波遮蔽材の電磁波遮蔽性能と光透過性を高度に両立させる為に、「引抜プラマイ方式凹版印刷法」で形成した導電性凸状パターン層の線幅が印刷速度を高速化した時に太っても、製品品質への悪影響を防ぐ。 - 特許庁

A device 201 for correcting a defect is provided, including a laser 32 that emits a laser beam having a pulse width in the order of femtoseconds, and a correcting part correcting a defective part of a pattern formed on a surface of a film substrate 26 having a plane perpendicular to the optical axis (Z axis) of the laser beam.例文帳に追加

欠陥修正装置２０１は、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を出射するレーザ３２と、レーザ光の光軸（Ｚ軸）が直交する面を有するフィルム基板２６の面の上に形成されたパターンの欠陥部を修正する修正部と、を備える。 - 特許庁

The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a crystal vibrator having discharge protection functions (231, 251) for discharging electrostatic charges into air through discharge projections by a static electricity discharge reaction in order to prevent a narrow-width circuit of an electrode pattern on a crystal vibrator (20) from being damaged by the static electricity discharge reaction.例文帳に追加

水晶振動子（２０）の電極パターンの幅の狭い回路が静電気の放電反応により損傷されることを回避するために、静電気の放電反応により放電突起を介して空気中に静電荷を放電する放電保護機能（２３１、２５１）を有する水晶振動子を提供する。 - 特許庁

The non-contact type alignment measuring device of a vehicle wheel is provided with a laser light source 4 for radiating the laser beam of a prescribed geometrical pattern to a wheel side face and a laser beam controlling means 6 for controlling the width of the beam for irradiating only the prescribed range of the wheel side face with the laser beam.例文帳に追加

非接触式の車両ホイールのアライメント測定装置において、ホイール側面に向けて所定の幾何パターンのレーザビームを放射するレーザ光源４と、レーザビームがホイール側面の所定範囲にのみ照射されるようにビームの幅を制御するレーザビーム制御手段６を具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of surely connecting the divided patterns together, lessening a width change in a line at a joint between the transferred patterns, when the divided patterns are formed on a mask and then transferred to a resist for the formation of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

分割されたパターンをマスク上に形成し、レジストに転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、分割されたパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition prevented from occurrence of change of the line width of a resist pattern by PED and that of T forms and that of stationary waves even on a substrate high in reflectance and high in resolution and useful as a chemically sensitizable resist.例文帳に追加

ＰＥＤによりレジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、反射率の高い基板上でも定在波を発生することがなく、解像性能に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist polymer capable of obtaining a resist composition which excels in a pattern shape, resistance to dry etching, line width stability against the change in heating temperature after exposure and the like and has sufficient sensitivity and an excellent image resolving degree, and a resist monomer for obtaining the polymer.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、露光後の加熱温度の変化に対する線幅安定性等に優れ、十分な感度を有し、解像度にも優れるレジスト組成物を得ることができるレジスト用重合体、および該重合体を得るためのレジスト用単量体を提供する。 - 特許庁

A coating layer of a coating sheet, which has the almost same width as that of a collector and an opening part having an optional pattern, is formed on the collector of a longitudinal metal foil, and the active material layer is applied to the entire surface on the collector a part of which is coated with the coating layer.例文帳に追加

長尺状の金属箔からなる集電体上に、前記集電体と略同一幅を有し、任意のパターンの開口部を有する被覆シートよりなる被覆層を形成し、該被覆層によって一部が被覆された前記集電体上全面に、活物質層を塗設する。 - 特許庁

To solve the problem that word line and data line ends are short-circuited or broken at boundary parts between a memory array and a sub-word driver or a sense amplifier due to interference of diffracted light generated at a pattern end part when a fine word line and a data line having a line width less than a wavelength are patterned in a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決する。 - 特許庁

Furthermore, because the center rib 18 in the center side in the width direction of a tread 12 and the shoulder blocks 34 in the shoulder side are point-symmetrical on the right and left of the tire equatorial plane CL, the pattern of the total tread becomes generally point-symmetrical, and therefore the difference between the right and left in performance can be inhibited.例文帳に追加

また、トレッド１２の幅方向中央側のセンターリブ１８、及びショルダー側のショルダーブロック３４は、タイヤ赤道面ＣＬの左右で各々点対称の関係としているので、トレッド全体としては略点対称のパターンとなるため、左右の性能差を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition, which ensures improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device and has an effect of improving the margin for exposure (particularly a margin for exposure of isolated lines), that is, ensures small changes in the line width of isolated lines when light exposure is varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に露光マージン（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In the metal powder for a dust core, the average crystal grain diameter (d/μm) of gas atomizing metal powder having an Si content of 4 to 7mass%, and the balance Fe and the half value width (w/deg) in an X-ray analysis pattern satisfy the numerical inequality of 10.3×w-0.067×d≤1.5.例文帳に追加

Ｓｉ量が４〜７ｍａｓｓ％、残部Ｆｅからなるガスアトマイズ金属粉末の平均結晶粒径（ｄ／μｍ）とＸ線解折パターンにおける半値幅（ｗ／ｄｅｇ）が、１０．３×ｗ−０．０６７×ｄ≦１．５の数式を満足することを特徴とする圧粉コア用金属粉末。 - 特許庁

The control means may be configured to determine whether the pattern rises or falls from the line profile generated based upon the difference between the signal detected by the first electron detection means and the signal detected by the second electron detection means, and to measure a line width of a line.例文帳に追加

制御手段は、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 - 特許庁

A different wafer temperature within the surface of the wafer mounted on the plasma etching device is induced according to a shape value (a width or the like) distrubution within the wafer surface, during etching by plasma the film of the wafer to be etched by measuring the shape value of the resist pattern to be the mask within the wafer surface.例文帳に追加

マスクとなるレジストパターンの形状値（幅など）のウエハ面内分布を測定し、そのウエハをプラズマで被エッチング膜をエッチングする際に、そのウエハ面内の形状値分布に応じて、プラズマエッチング装置に載置されたウエハの面内に異なるウエハ温度を生じるようにする。 - 特許庁

To provide an exposure method, and exposure apparatus, a method of manufacturing a device, and a device, where a pattern having a line width larger than resolution limit is transferred in desired contrast to secure desired resolution when a projection optical system clearing in midsection and a phase shift mask are used.例文帳に追加

本発明は、中抜けのある投影光学系と位相シフトマスクを使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, etc., as a chemical amplification type resist, capable of avoiding a change of the line width of a resist pattern due to a change of the time elapsed from exposure to post-exposure heating and having superior process stability.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、ドライエッチング耐性、感度、解像度等に優れるとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変動を回避でき、優れたプロセス安定性を示す感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the photomask, a stripe part S1 of the light-shielding pattern, having a small window width is affected less by flare light, so that the hollow size of side surface 11A of a protrusion part 11 of a transparent substrate 1 is enlarged, and thereby the canceling due to interference of oblique incident light is reduced.例文帳に追加

このフォトマスクによれば、窓幅が小さい遮光パターンのストライプ部Ｓ１では、フレア光の影響が小さいから、透明基板１の凸部１１の側面１１Ａが窪んでいる寸法を大きくすることによって、斜め入射光の干渉による打ち消し合いを少なくする。 - 特許庁

Every time when changing the performance of the game or changing a duty ratio of the previous PWM control, a CPU of a performance control board 80 controls the pulse width modulation of the respective LEDs by a performance pattern corresponding to data transmitted from the performance control board.例文帳に追加

演出制御基板８０のＣＰＵは、各ＬＥＤについて、遊技の演出を変えるとき毎に、或いは前ＰＷＭ制御のデューティ比を変える毎に、演出制御基板から送られてきたデータに対応させた演出用パターンで各ＬＥＤをパルス幅変調制御する。 - 特許庁

To provide a device for controlling a cut position of a belt-like body and a method therefor which can automatically perform the manual adjustment of a cut position and the manual adjustment of a sensor detecting position in a paper width direction according to a pattern, which are performed by an operator when starting print.例文帳に追加

印刷開始時にオペレータが行っている断裁位置の手動調整及び絵柄による紙幅方向のセンサ検出位置の手動調整を自動で行うことができる帯状体断裁位置制御装置及び帯状体断裁位置制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple flaw inspection device, capable of inspecting flaws of a substrate, without shortening the wavelength of an illumination light source, even when the line width of the repeated pattern on the substrate is fine enough to exceed the lower light value (lower limiting value, based on the wavelength of the illumination light source) in the conventional device.例文帳に追加

基板上の繰り返しパターンの線幅が従来装置における下限値（照明光源の波長に基づく下限値）を超えて微細な場合でも、照明光源の波長を短くすることなく基板の欠陥検査を行える簡易な欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

Two rows of color ink layers 17A, 17B are formed on the transfer film 16 for color filter by applying the color ink on a film substrate 17 with two application heads 36A, 36B juxtaposed in the width direction corresponding to color filter pattern regions 12A, 12B, 12C, 12D on a substrate 12.例文帳に追加

カラーフィルタ用転写フィルム１６は、基板１２上のカラーフィルタパターン領域１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄに対応して幅方向に並列された２つの塗布用ヘッド３６Ａ、３６Ｂにより、フィルム基材１７上に、カラーインクを塗布し、２列のカラーインク層１７Ａ、１７Ｂが形成されている。 - 特許庁

When in the process of arranging a via 4, a clearance 5 around the via 4 is divided into a clearance region continued by a predetermined number (6), the via 4 is arranged so that a power supply system pattern 6 of the width for one pitch is arranged continuously between the adjacent clearance regions.例文帳に追加

ビア４を配置する工程の際に、ビア４の周囲のクリアランス５を予め決められた個数（６個）で連続させたクリアランス領域に区分し、隣り合うクリアランス領域間に１ピッチ分の幅の電源系パターン６が連続して配置されるようにビア４を配置する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the lead frame wherein the thin metal bar formed with a resist film is dipped in an etchant to form a prescribed pattern, a lead frame base material 11 which has finished with etching process is passed between rollers 15 and 16 which are located opposite to each other to crush the end parts in the width direction of the material.例文帳に追加

レジスト膜が形成された薄板金属条材をエッチング液に浸漬して所定のパターンを形成するリードフレームの製造方法において、エッチング処理が完了したリードフレーム基材１１を、対向配置されたローラ１５、１６の間を通過させて、その幅方向端部を押し潰す。 - 特許庁

The mask has a quartz-made transparent substrate Q and an absorber layer AB where a pattern is formed of, for example, chromium or chromium oxide, wherein the thickness (t) of the absorber layer AB is larger than the wavelength λ of a projection beam PB and three to four times as large as the width (b) of the absorber layer.例文帳に追加

石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備えるマスクにおいて、吸収体層ＡＢの厚さｔを投影ビームＰＢの波長λよりも大きく、吸収体層の幅ｂの３倍又は４倍以下とする。 - 特許庁

A light-shielding film 2 is formed on the surface of a substrate 1, and opening patterns 2a for light transmission each of the pattern consisting of two openings running in parallel with mutually fixed interval and substantially the same line width, are formed in the film 2, so as to be isolated with each other.例文帳に追加

基板１の表面に遮光膜２が形成されており、この遮光膜２には、２本組の光透過用開口パターン２ａが実質的に同一の線幅で互いに間隔を持って並走し、かつ他の光透過用開口パターン２ａから孤立するように形成されている。 - 特許庁

Since the broad rear part 122 is formed between the tip part 121 and the flare part 123 to decrease the magnetic reluctance, the magnetic reluctance can be prevented from increasing, even if the flare part 123 forming portion reflecting a large quantity of light is kept away from ABS 76 and the accuracy of a pattern of the tip width is improved.例文帳に追加

先端部１２１とフレア部１２３との間に幅広後部１２２を設けて磁気抵抗を低下させるようにしたので、大量の光が反射するフレア部１２３形成部分を、ＡＢＳ７６から遠ざけて先端幅のパターン精度を向上させても、磁気抵抗の増加を防止できる。 - 特許庁

When an exposure process is carried out, for instance the blur of the energy beam in the X direction is set smaller than that in the Y direction, the wafer is adjusted in position so as to make the direction of the gate line width coincident with the X direction in the exposure system and loaded into the exposure device, and a gate pattern is exposed.例文帳に追加

露光にあたり、例えばエネルギービームのぼけ量について、Ｘ方向のぼけ量を小さくＹ方向のぼけ量を大きく設定し、露光装置内でゲート線幅方向とＸ方向が合うようにウェハの向きを調整して搬入し、ゲートパターンを露光する。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁