「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The beams of diffused light radiated from the light emitting element 41 are converged by the first lens 42, to reduce the diameter of a beam spot 70 projected on the recording paper 2 to less than the length and width of the individual elements constituting a print deviating detecting pattern.例文帳に追加

発光素子４１から出射された拡散光を第１のレンズ４２によって集束させることにより、記録紙２の上に投射させるビームスポット７０の直径を印字ずれ検出パターンを構成する個々の要素の長さ寸法及び幅寸法より小さくする。 - 特許庁

To solve problems due to a difference in reflectance during formation of a nanohole pattern and problems due to a decrease in wiring reliability resulting from etching at the same time, while eliminating an increase in effective dielectric constant between wiring lines in the same wiring layer and an increase in variation in wiring width.例文帳に追加

同一配線層の配線間における実効誘電率の増大及び配線幅のばらつきの増加を解消しつつ、ナノホールパターンの形成時における反射率差に起因する課題と、エッチングによる配線信頼性低下の課題とを同時に解決できるようにする。 - 特許庁

To prevent adverse effect on the product quality by preventing the line width of a conductive convex pattern layer formed by the "drawing primer system intaglio printing method" from becoming thicker when the print speed is increased in order to highly reconcile the electromagnetic wave shielding performance and the optical transparency of an electromagnetic wave shielding material.例文帳に追加

電磁波遮蔽材の電磁波遮蔽性能と光透過性を高度に両立させる為に、「引抜プラマイ方式凹版印刷法」で形成した導電性凸状パターン層の線幅が印刷速度を高速化した時に太るのを防いで製品品質への悪影響を防ぐ。 - 特許庁

At the surface 20a of the base material 20 in the edge portion area, a groove 21 whose width gradually becomes wide from a deepest portion 21a toward the surface 20a of the base material 20 is formed, and in the groove 21, a conductive layer 22 is embedded to configure the wiring pattern 16.例文帳に追加

縁部領域における基材２０の表面２０ａには、最深部２１ａから前記基材２０の表面２０ａにかけて徐々に幅が広がる溝２１が形成されており、前記溝２１内に導電層２２が埋め込まれて前記配線パターン１６が構成されている。 - 特許庁

A folded section 513 is formed in the terminal 512 of the flexible board 500, wherein the folded section is ridge-folded to be folded along the width direction of the flexible board 500, the direction being oriented at substantially a right angle relative to the extension direction of a wiring pattern (conductive part) 510 formed on a lower surface 500A of the flexible board 500.例文帳に追加

フレキシブル基板５００の端子部５１２には、このフレキシブル基板５００の下面５００Ａに形成されている配線パターン（導電部）５１０の延長方向に対して略直角な、フレキシブル基板５００の幅方向に沿って山折して屈折させた屈折部５１３が形成されている。 - 特許庁

A device 201 for correcting a defect is provided, including a laser 32 that emits a laser beam having a pulse width in the order of femtoseconds, and a correcting part correcting a defective part of a pattern formed on a surface of a film substrate 26 having a plane perpendicular to the optical axis (Z axis) of the laser beam.例文帳に追加

欠陥修正装置２０１は、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を出射するレーザ３２と、レーザ光の光軸（Ｚ軸）が直交する面を有するフィルム基板２６の面の上に形成されたパターンの欠陥部を修正する修正部と、を備える。 - 特許庁

To avoid an adverse influence on product quality even if the line width of a conductive convex pattern layer formed by a draw-out primer intaglio printing method becomes thick when its printing speed is made extremely high in order to make the electromagnetic wave shielding performance highly compatible with light permeability of an electromagnetic wave shielding material.例文帳に追加

電磁波遮蔽材の電磁波遮蔽性能と光透過性を高度に両立させる為に、「引抜プラマイ方式凹版印刷法」で形成した導電性凸状パターン層の線幅が印刷速度を高速化した時に太っても、製品品質への悪影響を防ぐ。 - 特許庁

The plasma display member having at least two faces with at least electrode patterns formed on one base plate, has a cutting margin without any pattern formed between the faces, with a width of the cutting margin of 6 mm or larger.例文帳に追加

１枚の基板上に少なくとも電極パターンが形成された面を少なくとも２面以上有するプラズマディスプレイ用部材であって、前記面と面の間に前記のパターンが形成されていない切りシロ部分を有し、該切りシロ部分の幅が６ｍｍ以上であることを特徴とするプラズマディスプレイ用部材。 - 特許庁

Along the scribe line on a semiconductor wafer 360, a groove 363 is formed using a cutter blade 201 thicker than the width of a test pattern 362 on the semiconductor wafer and then the inside of the groove 363 is cut by means of a thinner cutter blade 202.例文帳に追加

半導体ウエハ３６０におけるスクライブラインに沿って、まず、半導体ウエハ上のテストパターン３６２の幅よりも厚い刃厚を有する切断刃２０１を用いて凹溝３６３を形成し、次に、この凹溝３６３内を、薄い刃厚を有する切断刃２０２によって切り込み、切断する。 - 特許庁

A signal processing part 30 detects a combination pattern of the width and length of the flaw in a flaw candidate region, the density peak value of the flaw part with respect to polarized lights different in angle and the polarity of a density integrated value based on a normal part as characteristic quantity to judge the kind of a flaw.例文帳に追加

信号処理部３０は疵候補領域における疵の幅と長さ及び異なる角度の偏光についての疵部の濃度ピーク値並びに正常部を基準にした濃度積算値の極性の組み合わせパターンを特徴量として検出して疵の種類を判定する。 - 特許庁

In producing a structure 19 of rectangular cross section by dry-etching a region with a wide etching width, first etching treatment is performed using a first mask pattern 1 for forming a fine groove 10 with an outline coinciding with the side face 20 of the structure 19.例文帳に追加

広いエッチング幅を持つ領域をドライエッチングして断面矩形の構造体１９を作製するに際して、最初に前記構造体１９の側面２０に一致する輪郭を備えている細い溝１０を形成するための第１マスクパターン１を用いて第１のエッチング処理を行う。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁

The frame synchronous detecting circuit composed of a frame synchronous pattern detecting circuit 41, a reception-side frame counter 42, and a state transition decision circuit 43 is provided with an in-device phase frame counter 51, and generates a receive frame enable signal 52 having a pulse width of '2δ+α' (nsec) around in-device FP 54.例文帳に追加

フレーム同期パタン検出回路４１、受信側フレームカウンタ４２および状態遷移判定回路４３からなるフレーム同期検出回路に、装置内位相フレームカウンタ５１を設け、装置内ＦＰ５４を中心に“２δ＋α”［ｎｓｅｃ］のパルス幅の受信フレームイネーブル信号５２を生成させる。 - 特許庁

To provide a headlight for a vehicle arranged so that a low beam projection is conducted with a light distribution pattern having a horizontal and an oblique cutoff line, capable of heightening a long-range visibility by securing the photo-quantity of a hot zone sufficiently even in the case the vertical width of its reflector is small.例文帳に追加

水平および斜めカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行うように構成された車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの上下幅が小さい場合であってもホットゾーンの光量を十分に確保して自車線側の遠方視認性を高める。 - 特許庁

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に、ゲート酸化膜４及びゲート電極膜５を形成後、ゲート電極５ａよりもパターン幅を拡げて形成された第１マスク手段６ａをマスクとして、高濃度のＮ型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

To provide a simple flaw inspection device, capable of inspecting flaws of a substrate, without shortening the wavelength of an illumination light source, even when the line width of the repeated pattern on the substrate is fine enough to exceed the lower light value (lower limiting value, based on the wavelength of the illumination light source) in the conventional device.例文帳に追加

基板上の繰り返しパターンの線幅が従来装置における下限値（照明光源の波長に基づく下限値）を超えて微細な場合でも、照明光源の波長を短くすることなく基板の欠陥検査を行える簡易な欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for controlling a cut position of a belt-like body and a method therefor which can automatically perform the manual adjustment of a cut position and the manual adjustment of a sensor detecting position in a paper width direction according to a pattern, which are performed by an operator when starting print.例文帳に追加

印刷開始時にオペレータが行っている断裁位置の手動調整及び絵柄による紙幅方向のセンサ検出位置の手動調整を自動で行うことができる帯状体断裁位置制御装置及び帯状体断裁位置制御方法を提供する。 - 特許庁

Two rows of color ink layers 17A, 17B are formed on the transfer film 16 for color filter by applying the color ink on a film substrate 17 with two application heads 36A, 36B juxtaposed in the width direction corresponding to color filter pattern regions 12A, 12B, 12C, 12D on a substrate 12.例文帳に追加

カラーフィルタ用転写フィルム１６は、基板１２上のカラーフィルタパターン領域１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄに対応して幅方向に並列された２つの塗布用ヘッド３６Ａ、３６Ｂにより、フィルム基材１７上に、カラーインクを塗布し、２列のカラーインク層１７Ａ、１７Ｂが形成されている。 - 特許庁

When in the process of arranging a via 4, a clearance 5 around the via 4 is divided into a clearance region continued by a predetermined number (6), the via 4 is arranged so that a power supply system pattern 6 of the width for one pitch is arranged continuously between the adjacent clearance regions.例文帳に追加

ビア４を配置する工程の際に、ビア４の周囲のクリアランス５を予め決められた個数（６個）で連続させたクリアランス領域に区分し、隣り合うクリアランス領域間に１ピッチ分の幅の電源系パターン６が連続して配置されるようにビア４を配置する。 - 特許庁

With respect to the basic edge pattern, when adjacent blocks are in the same inclination direction as that of a target block, the CPU 160 executes edge connection processing of cumulatively adding burr widths (widths of a gradient of a change in a pixel value) of the blocks with each other, calculates a blur width of the target block and determines block burr.例文帳に追加

そして、この基本エッジパターンについて、注目ブロックと隣接するブロックが同じ傾き方向であれば、これらのブロック同士のぼやけ幅（画素値の変化の勾配の幅）を累積加算するエッジ連結処理を実行して、注目ブロックのぼやけ幅を算出し、ブロックぼやけ判定を行う。 - 特許庁

When the drawing instruction does not consider the resolution (S225: NO), the printer driver executes a drawing processing by increasing the width of a line used as a drawing object or the size of a unit pattern used for fill at magnification equivalent to a ratio of the resolution of a drawing area for display to that of a drawing area for print (S235).例文帳に追加

解像度を考慮していない場合は（Ｓ２２５：ＮＯ）、表示用描画領域と印刷用描画領域との解像度比に相当する倍率で、描画対象となる線の太さないし塗りつぶしに使う単位パターンの大きさを拡大して、描画処理を実行する（Ｓ２３５）。 - 特許庁

To provide a photoresist composition having sufficient basic characteristics such as sensitivity and excellent lithographic performances represented by an MEEF (mask error enhancement factor) and LWR (line width roughness) as an indicator, to provide a method for forming a resist pattern using the photoresist composition, and to provide a polymer and a compound to be used for the resist composition.例文帳に追加

感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ及びＬＷＲを指標とするリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物の提供。 - 特許庁

To provide the joint structure of a wall surface material, which can be applied simply and in which the generation of a crack or the like in the joint of the adjacent wall surface materials can be prevented effectively even in the wall surface material having a surface pattern (a relief) composed of grooving, in which a recessed groove is formed, on its surface and having the recessed groove having narrow width.例文帳に追加

その表面に、凹溝を形成した溝彫りからなる表面模様（レリーフ）を有し、その凹溝の幅が狭い壁面材であっても、施工が簡便で、かつ隣接する壁面材の継ぎ目に亀裂等が発生するのを有効に防止し得る壁面材の継ぎ目構造を提供すること。 - 特許庁

In a resist pattern forming method being employed in a fabrication method of semiconductor device, first optical images 13a-13d having width W0 shorter than the wavelength of light are projected onto the resist surface by irradiating the resist surface formed on a substrate with light through a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において用いるレジストパターン形成方法であって、マスクを介して、基板上に形成されたレジスト表面に光を照射することにより、レジスト表面に光の波長以下の幅Ｗ０を有する第１の光学像１３ａ〜１３ｄを投影する。 - 特許庁

To provide a method which can improve the degree of production margin in a phase shift mask manufacturing process and takes the actual width and length of a linear pattern into consideration as a correcting method for photomask data for a drawing device for manufacturing a substrate digging type Levenson phase shift photomask.例文帳に追加

基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法を提供する。 - 特許庁

Thus, it is realized to form the deep source/drain regions prior to the shallow source/drain regions, and to control an overlap of the impurities ion-implanted into the shallow source/drain regions created through the gate pattern line width gradually reducing with the second spacer for offsetting.例文帳に追加

これにより、深いソース/ドレーン領域を浅いソース/ドレーン領域より先に形成することと同時に前記オフセット用第２スペーサにより次第に縮まるゲートパターン線幅により発生する浅いソース/ドレーン領域にイオン注入される不純物の重畳を抑制できる。 - 特許庁

In the thin-film solar cell module having a conductive metal oxide layer, a photoelectric conversion layer, and a back electrode on a translucent insulating substrate, the finger electrode of a preset pattern of a narrow line width for reducing the resistance loss of the conductive metal oxide layer is provided.例文帳に追加

透光性絶縁基板上に、導電性金属酸化物層と、光電変換層及び裏面電極とを有する薄膜系太陽電池モジュールにおいて、導電性金属酸化物層の抵抗損を低減する、線幅の細く予め設定したパターンのフィンガー電極が設けられる。 - 特許庁

A referential pattern of black ink has slits (margins ejecting no black ink) each having a recording position shifted by one dot in a range of ±5 dots width, and lines of cyan are recorded accumulatively at positions shifted by one dot from respective slits.例文帳に追加

パターンを、基準となるブラックインクのパターンが、図６に示すように、１ドット幅づつその記録位置がずれたスリット（ブラックインクを吐出しない余白）を±５ドット幅の範囲で有するものとし、シアンのラインをそれぞれのスリットに対して累積的に１ドットづつずらした位置に記録するようなパターンとする。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.例文帳に追加

ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおいて、Ｓｉ（２２０）面回折ピークの半値幅をＢとするとき、Ｂ＜３°（２θ）である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To clearly form a cut-off line and secure the sufficient amount of light in the vicinity of the cut-off line for enhancing the distant visibility, in a vehicle headlight that carries out low-beam irradiation in a light-distribution pattern having a prescribed cut-off line, even if the right-to-left width of its reflector is small.例文帳に追加

所定のカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行う車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの左右幅が小さい場合であってもカットオフラインを明瞭に形成するとともにカットオフライン近傍部分の光量を十分に確保して遠方視認性を高める。 - 特許庁

The transparent electromagnetic wave shield member employs the mesh conductive pattern with dimensions within a range of 5 to 30μm in the line width, 0.5 to 5.0μm in the average film thickness, and 72 to 95% in the aperture rate, and has an electromagnetic wave shield effect of 40 dB or over against electromagnetic waves with 10 to 200MHz or over.例文帳に追加

網目状の導電性パターンが、線幅５〜３０μｍ、平均膜厚０．５〜５．０μｍ、開口率７２〜９５％の範囲内にあり、１０〜２００ＭＨｚの電磁波に対して４０ｄＢ以上の電磁波シールド効果を有する透光性電磁波シールド部材。 - 特許庁

To provide a defect inspection method discovering early a VA pattern formation defective substrate by detecting a partial VA deficiency of VA having a line width of 5-10 μm, and improving a line production efficiency, and also to provide a defect inspection device to which the defect inspection method is adapted.例文帳に追加

線幅５μｍ〜１０μｍのＶＡの、部分ＶＡ欠損を検出することで、ＶＡパターン形成不良基板を早期に発見し、ラインの生産効率を向上させることが可能な欠陥検査方法、および、この欠陥検査方法を適応した欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the lead frame wherein the thin metal bar formed with a resist film is dipped in an etchant to form a prescribed pattern, a lead frame base material 11 which has finished with etching process is passed between rollers 15 and 16 which are located opposite to each other to crush the end parts in the width direction of the material.例文帳に追加

レジスト膜が形成された薄板金属条材をエッチング液に浸漬して所定のパターンを形成するリードフレームの製造方法において、エッチング処理が完了したリードフレーム基材１１を、対向配置されたローラ１５、１６の間を通過させて、その幅方向端部を押し潰す。 - 特許庁

The mask has a quartz-made transparent substrate Q and an absorber layer AB where a pattern is formed of, for example, chromium or chromium oxide, wherein the thickness (t) of the absorber layer AB is larger than the wavelength λ of a projection beam PB and three to four times as large as the width (b) of the absorber layer.例文帳に追加

石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備えるマスクにおいて、吸収体層ＡＢの厚さｔを投影ビームＰＢの波長λよりも大きく、吸収体層の幅ｂの３倍又は４倍以下とする。 - 特許庁

A light-shielding film 2 is formed on the surface of a substrate 1, and opening patterns 2a for light transmission each of the pattern consisting of two openings running in parallel with mutually fixed interval and substantially the same line width, are formed in the film 2, so as to be isolated with each other.例文帳に追加

基板１の表面に遮光膜２が形成されており、この遮光膜２には、２本組の光透過用開口パターン２ａが実質的に同一の線幅で互いに間隔を持って並走し、かつ他の光透過用開口パターン２ａから孤立するように形成されている。 - 特許庁

Since the broad rear part 122 is formed between the tip part 121 and the flare part 123 to decrease the magnetic reluctance, the magnetic reluctance can be prevented from increasing, even if the flare part 123 forming portion reflecting a large quantity of light is kept away from ABS 76 and the accuracy of a pattern of the tip width is improved.例文帳に追加

先端部１２１とフレア部１２３との間に幅広後部１２２を設けて磁気抵抗を低下させるようにしたので、大量の光が反射するフレア部１２３形成部分を、ＡＢＳ７６から遠ざけて先端幅のパターン精度を向上させても、磁気抵抗の増加を防止できる。 - 特許庁

When an exposure process is carried out, for instance the blur of the energy beam in the X direction is set smaller than that in the Y direction, the wafer is adjusted in position so as to make the direction of the gate line width coincident with the X direction in the exposure system and loaded into the exposure device, and a gate pattern is exposed.例文帳に追加

露光にあたり、例えばエネルギービームのぼけ量について、Ｘ方向のぼけ量を小さくＹ方向のぼけ量を大きく設定し、露光装置内でゲート線幅方向とＸ方向が合うようにウェハの向きを調整して搬入し、ゲートパターンを露光する。 - 特許庁

This can arrange the pair of pads 12a, 12b nearer to the end side of the board where the width of the solder resist is not sufficiently formed because pattern formation and the solder resist 11 are forbidden between the end of the board end side of the pair of pads 12a, 12b and the end 10e of the board.例文帳に追加

これにより一対のパッド１２ａ，１２ｂの板端側端部から板端１０ｅまでの間は、パターン形成およびソルダーレジスト１１が禁止されることから、一対のパッド１２ａ，１２ｂを板端側に十分なソルダーレジストの幅を形成できない板端側まで近付けて配置することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition useful as a chemically amplified resist satisfying excellent resolution, small LWR (Line Width Roughness), excellent pattern collapse resistance and excellent in non-defectiveness, and to provide a polymer usable as a resin component in the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、欠陥性にも優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物およびこの感放射線性樹脂組成物に樹脂成分として使用できる重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a photopolymerization type photosensitive phosphor paste composition using pure water as a developing solution, ensuring a low baking temperature after the formation of a fluorescent membrane and capable of easily regulating the line width and sharpness of a fluorescent membrane pattern and to provide a method for forming a fluorescent membrane using the composition.例文帳に追加

純水を現像液として使用し、蛍光膜の形成後、焼成温度が低く、且つ蛍光膜パターンの線幅及びシャープネスを容易に調節することのできる光重合型の感光性蛍光体ペースト組成物及びこれを用いた蛍光膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of environmental conditions around a substrate to affect processing when a resist pattern is formed are extracted, function models using the above environmental conditions as parameters such as a line width model CD, a film thickness model T and the like are previously formed, and these models are stored in storages 64 and 65 respectively.例文帳に追加

レジストパターンを形成する際に影響を及ぼす上記各処理における基板周囲の環境条件を複数抽出し、これらをパラメータとする関数モデル、例えば線幅モデルＣＤ、膜厚モデルＴ等を予め作成し、それぞれ格納部６４，６５に記憶しておく。 - 特許庁

The spray condition inspection apparatus photographs the cross section D of the visualized spray pattern, measures the width dimension, number, area, and center of gravity position in the cross section D, compares these various measured values with various preset reference values, and determines whether the spray condition of the transparent coating P is normal.例文帳に追加

そして、可視化した噴射パターンの断面Ｄを撮影して、その断面Ｄにおける幅寸法、数、面積、重心位置を測定し、これら各種測定値と予め設定されている各種基準値とを比較して、透明塗料Ｐの噴射状態が正常であるか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative development excellent in line width roughness (LWR), exposure latitude (EL) and depth of focus (DOF) and a pattering process using the same, in order to more stably form a high-accuracy fine pattern for manufacturing a highly-integrated and high-accuracy electronic device.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A penetrating hole 11 of a slit shape extending along the conductive pattern 2 is formed on a resin film portion between conductive patterns neighboring each other, and an electronic component connecting device area A, in which the penetrating hole 11 is formed, is formed in a shape of bellows so that it can be extended/contracted in its width-wise direction.例文帳に追加

互いに隣り合う導体パターン２の間の樹脂フィルム部分に、該導体パターン２に沿って延びるスリット状の貫通孔１１が形成され、該貫通孔１１の形成された電子部品接続装置領域Ａが、その幅方向Ｗに伸縮できるように蛇腹状に形成されている。 - 特許庁