「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, for the antenna patterns 20, 30, the width and length of each of them are differentiated from each other, and the antenna pattern are formed so that they can be overlapped when viewed from the thickness direction of the sheet substrate 10.例文帳に追加

また、アンテナパターン２０，３０についてそれぞれの幅および長さを異ならせ、シート基板１０の厚さ方向からみてアンテナパターン２０，３０が重なり合うように、アンテナパターン２０，３０を形成した。 - 特許庁

In this wafer development method, a developer is supplied to the surface of a resist film formed on a wafer, and during the development of the resist film, the line width of a pattern on the resist film is measured.例文帳に追加

ウェハの現像処理において，ウェハ上のレジスト膜の表面に現像液が供給されて，レジスト膜の現像が行われている際に，レジスト膜に形成されるパターンの線幅が測定される。 - 特許庁

The photomask has a transparent substrate (42) and a phase grating comprising a plurality of grooves with a certain pitch (P) formed in the substrate in such a way that the depth or width of each of the grooves of the phase grating carries an exposed pattern.例文帳に追加

透明基板(42)と、この基板に形成された一定ピッチ(P)の複数の溝からなる位相格子と、を備え、この位相格子の各溝の深さ又は幅が露光パターンを担うようにする。 - 特許庁

To provide a tape printing apparatus that is capable of forming and printing print images for producing a variety of good appearance labels by integrally using plural kinds of tapes different in width, ground color, ground pattern, material feel and the like.例文帳に追加

幅、地色、地模様、質感などが相異なる複数種類のテープを統合した多彩かつ見栄えの良いラベルを作成するための印刷画像を作成・印刷できるテープ印刷装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition improved in a LWR, an exposure latitude and an MEEF, and fit to a liquid immersion process, of 45 nm of line width, and to provide a pattern forming method which use the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ、露光ラチチュード、ＭＥＥＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合したポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Further, since the liquid retention part 37 is so set as to have a holding width t2 for holding a solvent 50, the solvent 50 held by the liquid retention part 37 never makes an irregular pattern.例文帳に追加

また、溶媒５０を保持する保持幅ｔ２が均一になるように液体保持部３７が設けられているので、当該液体保持部３７に保持される溶媒５０が不規則なパターンになることは無い。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The metal pattern has a line width of 15-40 μm and a line pitch of 100-400 μm, the bond layer is 0.03-2.5 μm thick, the electroless metal plating layer is 0.05-1.0 μm thick, and the electroplated metal layer is 2-15 μm thick.例文帳に追加

・ 該結合体層の膜厚が０．０３〜２．５μｍ ・ 該無電解金属メッキ層の膜厚が０．０５〜１．０μｍ ・ 該電解金属メッキ層の膜厚が２〜１５μｍ であることを特徴とする。 - 特許庁

Namely, the droplet 31 is only applied to the enlarged recess 21 having larger area to fill the groove 20 having the narrow width with the liquid 32, so the fine pattern can be easily formed on the base 2.例文帳に追加

つまり、面積の大きい拡大凹部２１に液滴３１を着弾させるだけで、幅が狭い溝２０に液体３２を充填できるため、基材２に微細なパターンを容易に形成することができる。 - 特許庁

To provide a pattern forming method with the excellent exposure latitude (EL) and focus margin (DOF) capable of reducing the line width irregularity (LWR) and residual defect, a chemically amplified resist composition and a resist film.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing unit in which the line width of a circuit pattern being formed on a substrate can be kept at a constant level by keeping a constant time elapsing before starting heat treatment after exposure processing.例文帳に追加

露光処理が行われてから加熱処理が行われるまでの時間を一定に保ち、基板上に形成される回路パターンの線幅を一定に保つことができる基板処理装置の提供。 - 特許庁

To prevent variations in the width of a wiring pattern, depending on whether the neighboring wiring patterns are dense or sparse, even though dense or sparse wiring patterns are formed on a semiconductor device surface.例文帳に追加

半導体装置の表面に形成される配線用パターンの引き回しに粗密が生じても、当該粗密により配線用パターンの幅が異なることがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser aligner for lithography that makes possible a lithography exposure of sub-micron units such as a pattern line width of 0.3 μm corresponding to a 64-bit DRAM having high integration density.例文帳に追加

高集積密度の高い６４ビットＤＲＡＭに対応するパターン線巾０．３μｍというサブミクロン単位の描画露光が可能となるリソグラフィ用レーザ露光装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁

The grain pattern formed from groove parts 2 different in depth and width is formed on the surface of the wood-like molding 1 produced by mixing fine cellulose particles and a resin and melting/molding the mixture.例文帳に追加

セルロース系微粉粒と樹脂とを混合しかつ溶融させて成形してなる木質様成形品１の表面に、深さと幅の双方が異なる複数の溝部２で構成された木目模様を形成する。 - 特許庁

To prevent generation of instability in the sealant pattern width in a narrow-frame display device having overlapped sealed sections and transfer electrode sections, especially at the corners, and improve the display quality and reliability.例文帳に追加

シール部分とトランスファ電極部を重ねて配置した狭額縁タイプ表示装置での、特にコーナー部分におけるシールパターンの幅不安定の発生を防止し、表示品質、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

The two or more flat-type spray nozzles 52 are arranged so that the straight spray pattern of each nozzle on the substrate surface be tilted at an angle of 30 to 60 degrees to the above direction of sheet width.例文帳に追加

複数個のフラット型スプレーノズル５２は、基板表面における各ノズルの直線状スプレーパターンが前記板幅方向に対して同方向へ３０〜６０度の角度で傾斜するように配置されている。 - 特許庁

The parallel parts of the parallel position exotherms are inclined only by an angle θ toward the width direction of the fixing belt and a parallelogram shaped exothermic pattern 12a which becomes the exothermic region is formed.例文帳に追加

平行配置された発熱線の平行部分は定着ベルトの幅方向に対して角度θだけ傾斜しており、発熱領域となる平行四辺形の発熱パターン１２ａが形成される。 - 特許庁

The adhesive contains the compound, and the substrate has a metallic thin film pattern having a line width of 0.01-10 μm and useful as a wire grid polarization plate, a diffraction grating, a metal-wired substrate for electronic device, etc.例文帳に追加

接着剤は、該化合物を含み、基板は、０．０１μｍ〜１０μｍの線幅の金属薄膜パターンを有し、ワイヤーグリッド偏光板、回折格子、電子デバイス用金属配線基板等に有用である。 - 特許庁

To provide a spiral pattern membrane element capable of effectively preventing adhesion from deteriorating at sealed sections while maintaining an effective membrane area without extending the coating width of an adhesive and its manufacturing method.例文帳に追加

接着剤の塗布幅を広げずに、有効膜面積を維持しながら、封止部における接着力の低下を効果的に防止することができるスパイラル型膜エレメント、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the thin film magnetic head 1 is polished along the width direction, the height-direction dimension of the first polishing pattern 31 appearing in a polished surface is continuously increased according to its polishing amount.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド１を幅方向に沿って研磨加工をおこなうと、その研磨量に応じて研磨面に表出する第１研磨パターン３１の高さ方向の寸法が連続的に増大することとなる。 - 特許庁

To make the width of products constant by optimizing edger pattern by PI operation whenever the products are manufactured by hot-rolling a material to be rolled and to improve yield by decreasing the amount of crops in this way.例文帳に追加

被圧延材を熱間圧延して製品を製造する毎に、ＰＩ演算によって、エッジャパターンを最適化して、製品の幅を一定にし、これによってクロップ量を減らして歩留まりを向上させる。 - 特許庁

By using the process solution as a rinsing solution during or after developing a patterned photoresist layer, post-development defects such as pattern collapse and line width roughness can be reduced.例文帳に追加

この処理溶液は、パターニングされたフォトレジスト層の現像の際又はその後にリンス溶液として用いられた場合に、パターンの倒壊又はライン幅の凹凸のような現像後の欠陥を低減することができる。 - 特許庁

To enhance coating workability by increasing coating width without generating color irregularity by forming a flat spray pattern uniformly mixed with coating particles having a plurality of colors sprayed at the same time.例文帳に追加

同時に噴霧される複数色の塗料粒子を均一に混在させた偏平のスプレーパターンを形成することにより、色ムラを起こすことなく、塗幅を広げて塗装作業性を向上させる。 - 特許庁

To form a pattern having a high line width accuracy by promoting chemical amplification of a resist at the time of heat-treating a substrate which is applied with the chemically-amplified resist and is exposed.例文帳に追加

化学増幅型のレジストが塗布され露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いパターンを形成できる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The longitudinal frames 20, 22 are joined with both ends in vehicle width directions of transverse frames 16A, 16B, and the strength of the entire hood inner 10B is secured by forming a substantially ladder-shaped pattern as a whole.例文帳に追加

縦骨２０、２２は横骨１６Ａ、１６Ｂの車幅方向両端と接合され、全体として略梯子型のパターンを形成することにより、フードインナ１０Ｂ全体の強度を確保している。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that is improved by overcoming the problem of development defects, provided with a superior in-plane uniformity of line width, and also superior in LWR performance, and to provide a pattern forming method using it.例文帳に追加

現像欠陥の問題が改善され、優れた線幅の面内均一性が得られ、かつ、ＬＷＲ性能にも優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The four-face opposed corrugated brushes 11 are smaller in the angle between protruding parts, than a three-face opposed corrugated brush, and the cleaning speed of a road sweeper can be enhanced when the brush diameter, the pattern width and the rotating speed are equal.例文帳に追加

この４面合せの波ブラシ１１は３面合せの波ブラシより、凸部間角度が小さく、ブラシ直径とパターン幅と回転数が同じ場合、清掃車の清掃速度を速くできる。 - 特許庁

A connector housing 10 of this waterproof joint connector is provided with two stories of rows of cavities 11 arranged in parallel in its width direction, and a bus bar 50 is engaged at each story for short-circuiting terminal fittings 20 in a prescribed pattern.例文帳に追加

コネクタハウジング１０には幅方向に複数列が並列するキャビティ１１が上下二段、設けられ、各段毎にバスバー体５０が嵌合し、端子金具２０を所定のパターンで短絡させている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of forming processed patterns of which, the depth is different from each other, and to provide a processed pattern having a U-shaped cross section of which, the depth and the width smoothly changes.例文帳に追加

少ない工程数で、深さの異なる加工パターンを一括形成する製造方法と、深さと幅とが滑らかに変化するＵ字型の断面形状を有する加工パターンとを提供する。 - 特許庁

As a result, the unevenness of the pattern of a lib formed when the libs each having different width are mixed on the substrate 9 due to the unevenness or the like of a plurality of the discharge ports is suppressed.例文帳に追加

これにより、複数の吐出口４２２の不均一性等に起因して基板９上に幅の異なるリブが混在して形成される場合に生じるリブのパターンのムラを抑制することが実現される。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of forming a cured resin layer having good adhesion to a support, and capable of forming a pattern of a desired profile by preventing the increase of line width due to storage over time.例文帳に追加

支持体への密着性が良好な硬化樹脂層を形成可能で、保管経時による線幅太りを防止して所望形状のパターン形成が可能な感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the color copying-preventive print, a color copying-preventive image in which a pattern is formed by thicknening a line width of a part of wavy lines arranged at a specific vertical feed pitch is printed.例文帳に追加

一定の縦送りピッチで並んでいる波状線の一部の線幅が太くなっていることでパターンが形成されているカラーコピー防止画像が印刷されていることを特徴とするカラーコピー防止印刷物。 - 特許庁

To provide a soap box, the width of which is reduced to make it placeable on a small washstand and easy to use, that facilitates the drying of a soap, and the side wall of which can be decorated with a pattern.例文帳に追加

石けん箱の幅を狭くしたため、狭い洗面台でも置きやすいので使用を便利にし、また、石けんの乾燥をはやくし、側壁に図柄などの施しを可能にした石けん箱の提供。 - 特許庁

Since resist images 23a and 23b around the patterned part 10' become wider by a shrunk width S at a time on the side of the patterned part, the patterned part 10' become narrower and a fine pattern can be formed.例文帳に追加

すると、パターン部１０´の周囲のレジスト像２３ａ、２３ｂはパターン部側で、シュリンクされた幅Ｓずつ太り、その結果パターン部１０´の幅が細くなり、微細なパターンを形成することができる。 - 特許庁

A stamper 1 is used to transfer a wiring pattern including a groove having a width of 30 μm or less to a resin on at least a front surface of the board 2.例文帳に追加

基板２の少なくとも表面にある樹脂に、溝幅が３０μｍ以下の溝を含む配線パターンを転写させるために用いるスタンパ１であり、前記配線パターンと凹凸が逆のパターンを備えている。 - 特許庁

In the magnetic sensor, a full-bridge circuit is constituted by collectively forming (collectively depositing) the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of a pattern width of 6 μm on a main surface 15a of a silicon substrate 15.例文帳に追加

磁気センサはパターン幅が６μｍである人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をシリコン基板１５の主面１５ａに一括形成（一括成膜）することによりフルブリッジ回路を構成した。 - 特許庁

To provide a control method and a device of a member carrying track capable of always arranging a member on a sheet in a specific arrangement pattern, even when a width variation and meandering are caused in the sheet.例文帳に追加

シートに幅変動や蛇行が生じた場合でも、常に一定の配置パターンで部材を該シート上に配置することのできる部材の搬送軌道の制御方法及び装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The dummy gate pattern 13 is cut at a predetermined position in the gate width direction in the upper part of the diffusion layer 10, and performs a high-speed operation of the MOS transistor by reducing a resistance right beneath a cut portion 13a.例文帳に追加

ダミーゲートパターン１３は、拡散層１０の上部におけるゲート幅方向の所定位置で切断され、切断部１３ａの直下で抵抗を低減して高速なＭＯＳトランジスタの動作を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide microstructure, facilitating precise formation of an oxide microstructure having a pattern with a fine width and a columnar shape with a high aspect ratio.例文帳に追加

幅が微細なパターンで、かつ、アスペクト比の高い柱状の形状を有する微細酸化物構造体を精密に形成することができる微細酸化物構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern inspection device excellent in work efficiency capable of reducing the time required in re-adjustment or the like even when a plurality of kinds of semiconductor mounting tapes different in width are inspected.例文帳に追加

テープ幅が異なる複数種類の半導体実装用テープを検査する場合であっても、再調整等にかかる時間を低減でき、作業効率に優れたパターン検査装置を提供する。 - 特許庁

To perform correlation operation, even when the minimum line width of an ABS pattern is not an integral multiple of an array interval of an ABS light-receiving element array, and enables measurement of moving distance, with high accuracy.例文帳に追加

ＡＢＳパターンの最小線幅がＡＢＳ受光素子アレイのアレイ間隔の整数倍となっていない場合でも、相関演算を行うことができ、高精度に移動距離を計測可能とする。 - 特許庁

To provide an optical recording apparatus capable of acquiring predetermined resolution even when a line width of an exposure pattern is close to a wavelength of exposed light, and reducing time necessary for exposing, and to provide its method.例文帳に追加

露光パターンの線幅が露光光の波長に近い場合であっても所定の解像度が得られかつ露光に要する時間が低減する、光学的な記録装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To easily adjust an exposure amount for each area finely set within a substrate surface, improve uniformity of a resist residual film after a development processing and suppress fluctuation in a line width and a pitch of a wiring pattern.例文帳に追加

基板面内で細かく設定したエリア毎の露光量を容易に調整し、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide a flat panel display device having an electrode pattern which can thicken the line width of a leader part 103 with a simple design regarding the electrode of the thinned leader part 103 causing disconnection.例文帳に追加

断線の原因となる細化された引出し部１０３電極について、単純な設計で引出し部１０３の線幅を太くできる電極パターンを有するフラットパネルディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor photoelectric cathode C is further has a backward mesa inclined surface area MA where the width of the other direction [01-1] of the pattern of the semiconductor layer 14 is decreased toward the electron emission layer 13.例文帳に追加

この半導体光電陰極Ｃは、電子放出層１３に向かうに従って半導体層１４のパターンの他方向［０１−１］の幅が狭くなる逆メサ斜面領域ＭＡを更に備えている。 - 特許庁