「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The color image data within the black boundaries in an N pixel width of the black area are modified by a substituting operation in conformity with a black pixel modification pattern, and the black pixel modification pattern substitutes some of the separate pixels in the black plane with the separate pixels in the non-black planes.例文帳に追加

ブラック画素修正パターンに従い置換操作によりブラック領域のＮ画素幅のブラック境界内のカラー画像データが修正され、ブラック画素修正パターンはブラック平面内の分離画素の一部を非ブラック平面内の分離画素と置換する。 - 特許庁

The width of a pattern in junctions 6a and 7a with the through hole in the conductor patterns 2a and 2b of the respective layers connected by the through hole is made wider than those of the conductor patterns 2a and 2b, and the pattern is formed as projecting outward from the outer edge of the conductor patterns 2a and 2b.例文帳に追加

スルーホールにより接続される各層の導体パターン２ａ、２ｂにおけるスルーホールとの接合部６ａ、７ａのパターンの幅を、導体パターン２ａ、２ｂの幅より大きく、かつ導体パターン２ａ、２ｂの外縁より外側に突出して形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of expanding the width of selectivity of a usable material, excellent in antistatic effect, having high sensitivity, and capable of efficiently forming a high-resolution fine resist pattern free of pattern defects and dislocation in a simple and easy way at a low cost.例文帳に追加

使用可能な材料の選択性の幅を広くすることができ、帯電防止効果に優れ高感度であり、パターン欠落や位置ずれ等がなく、高解像度で微細なレジストパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。 - 特許庁

21.(1) Each representation of a design which consists of a repeating surface pattern shall show the complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width to disclose adequately the design, and such representation shall be of a size not less than A5.例文帳に追加

規則21 (1) 反復平面模様から成る意匠の各表示においては，模様全体並びに意匠を適切に開示するのに十分な長さ及び幅での反復模様の部分を明示するものとし，かつ，当該表示の大きさは，A5以上でなければならない。 - 特許庁

To provide a method of forming a fine pattern having the width and the diameter of the pattern of ≤100 nm and an excellent uniformity (uniformity in surface) in an ultra-fine manufacturing process using a high energy light beam of which the wavelength is 200 nm or smaller or an electron beam.例文帳に追加

波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線を用いた極微細加工プロセスにおいて、パターン幅や径が１００ｎｍ以下でユニフォーミティー（面内均一性）などの点においても優れる微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In generating an origin signal for an encoder, having a scale 10 with an incremental pattern 12 and an origin pattern 14 formed thereon, an origin signal, of a needed position and width, is generated by means of software, based on the origin waveforms obtained from the origin patterns 14 and 34.例文帳に追加

インクリメンタルパターン１２と原点パターン１４が形成されたスケール１０を有するエンコーダの原点信号生成に際して、原点パターン１４、３４から得られる原点波形に基づいて、必要な位置及び幅の原点信号をソフトウェアで生成する。 - 特許庁

Gradation control by laser pulse width modulation(PWM) and spread dot gradation processing where gradation is spread among 4 dots are used in common and a problem can be solved by a PWM pulse pattern at a highlight is switched into a discontinuous pattern depending on a high-order bit of a threshold.例文帳に追加

レーザパルス幅変調（ＰＷＭ）による階調制御と、4つの網点間で階調を分散する分散網点階調処理を併用するとともに、閾値の上位bitの値により、ハイライトにおけるPWMパルスパターンを不連続パターンに切り替えることにより解決される。 - 特許庁

Then correction figure data to modify the figure of a correction portion to correct the optical proximity effect are created based on the design pattern data, and the obtained correction figure data are compounded in the width-corrected pattern data by using the correction portion data (S12, S14).例文帳に追加

次いで、光近接効果を補正するために補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、設計パターンデータに基づいて生成し、この補正用形状データを、補正部分データを用いて、幅補正後パターンデータに合成する（Ｓ１２及びＳ１４）。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a pattern of ≤0.8 μm width with good perpendicularity and having no dependence on baking when a resist film of ≥3.0 μm is patterned on a stepped board and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

３．０μｍ以上のレジスト被膜を段差基板上に、幅０．８μｍ以下のパターンを形成する際、垂直性のよく形成でき、ベーク処理に依存性がないポジ型ホトレジスト組成物と感光性膜付基板とレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

In the manufacturing method of a conductive pattern forming substrate, a laser beam L of extremely short pulses with the pulse width being less than 1p second is irradiated in a given pattern on a transparent conductive layer A_1, made of an organic conductor formed on at least one surface of a transparent base material A_2.例文帳に追加

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、透明基材Ａ_２の少なくとも一方の面に形成された有機導電体製の透明導電層Ａ_１に、パルス幅１ｐ秒未満の極短パルスのレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, with which the reciprocal problem between the resolution and the depth of focus can be solved and a microresist pattern be accurately formed at a sufficiently practical depth of focus than a line width which is sufficient to obtain the depth of focus.例文帳に追加

解像度と焦点深度の相反する問題を解決し、充分に焦点深度が得られる線幅よりも微細なレジストパターンを十分な実用焦点深度をもって高精度に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which is capable of making the best of a merit of a silylation process although width of a line can be precisely and uniformly controlled through a plane independently of size and density of a pattern, a method of manufacturing a semiconductor device, and a silylation device.例文帳に追加

パターンの粗密やサイズに関係なく、高精度且つ面内均一に線幅制御が可能でありながら、シリル化プロセスの利点を生かすことができるレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびシリル化装置を提供すること。 - 特許庁

The first diffraction gratings and the second diffraction gratings have each prescribed length and width, and are arrayed periodically at each prescribed interval, and marks 3 for specifying the pattern position are arranged on the peripheral parts of the pattern.例文帳に追加

前記第１の回折格子および前記第２の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク（３）が配置されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern with a desirous pattern resolution and line width roughness (LWR) using a positive resist composition suitable for multiple exposure in a multiple exposure process of exposing the same photo-resist film two or more times.例文帳に追加

本発明の目的は、同一のフォトレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネス（ＬＷＲ）が良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To easily manufacture a master pattern by creating surface shape data for securing each fine expression with image data of a limited gradation width even with respect to a surface shape of a leather model including a leather tie-dyed pattern and a stitch thread having a height far apart from each other.例文帳に追加

互いにかけ離れた高さの皮絞模様とステッチ糸を含む皮革モデルの表面形状でも、限られた階調幅の画像データで、それぞれ微細な表現が確保される表面形状データを作成してマスター型を簡便に製作可能とする。 - 特許庁

Thus, the width of the respective circuit patterns 3 or the width of an isolation groove 4 between the circuit patterns can be still kept in the same state when a single lead frame 1 is formed, and only the thickness of the circuit pattern 3 can be made large in proportion to the number of the stacked lead frames 1.例文帳に追加

こうすると、各回路パターン３の幅や回路パターン３間にある分離溝４の幅は、単独のリードフレーム１を形成したときの状態と同じまま、回路パターン３の厚さだけを、重ねあわせたリードフレーム１の枚数に比例して増加させることができる。 - 特許庁

The bulkheads 30 are arranged in line in the direction parallel to the planar face of a dye-sensitized solar cell 1, wherein the bulkheads 30 are formed in such a pattern that a wide portion 35 with larger interval width and a narrow portion 37 with smaller interval width are alternately repeated.例文帳に追加

隔壁３０は、色素増感型太陽電池１の平面と平行な方向に複数本並べて配置され、前記隔壁は、その互いの間隔の幅が広い部分である幅広部３５と、幅が狭い部分である幅狭部３７とが交互に繰り返し形成されている。 - 特許庁

A light emission film pattern 20 having a forming width Wp1 larger than the aperture width Wm1 of an aperture 7U made in the mask 7 by making use of the phenomenon that a film deposition substance emitted from the film deposition source 2 passes through the aperture 7U in the mask 7, and then, diffuses.例文帳に追加

成膜源２から放出された成膜物質がマスク７の開口７Ｕを通過したのち拡散する現象を利用して、マスク７に設けられた開口７Ｕの開口幅Ｗｍ１よりも大きな形成幅Ｗｐ１を有する発光膜パターン２０を形成することが可能になる。 - 特許庁

In a MISFETQ, although the mask 10 is used to expose a gate electrode pattern having a larger gate length Lg, similarly the mask 20 is used to expose a connecting interconnection section which has a fine interconnection width Wj and a contact section having a contact width Wp.例文帳に追加

MISFETＱにおいて、レベンソン位相シフトマスク１０は最も微細なゲート長Ｌｇを持つゲート電極のパターンを露光し、ハーフトーン位相シフトマスク２０はゲート長Ｌｇよりは大きいが同様に微細な配線幅Ｗｊを持つ接続配線部、コンタクト幅Ｗｐを持つコンタクト部を露光する。 - 特許庁

When exposure heads 30a-30d are scanned for exposure over a first scan region As1 to a fourth scan region As4, respectively, a unit pattern group SLG having a width united with each width of the drawing object region in each scan region is beforehand formed on a mask.例文帳に追加

露光ヘッド３０ａ〜３０ｄそれぞれが第１走査領域Ａｓ１から第４走査領域Ａｓ４へかけて露光走査する際、各走査領域内の描画対象領域の幅それぞれに合わせた幅を有した単位パターン群ＳＬＧを予めマスク上に形成する。 - 特許庁

The page description language interpreting section 44 calculates the width of each of the bars forming the bar code by multiplying the calculated reference value M times of each of modules of the respective bars forming the bar code pattern corresponding to each number forming the data in the bar code printing command to calculate the width of each of the bars forming the bar code.例文帳に追加

M=(600×(ｍ＋1)／120−1)×dpi／600×bp／100 そして、ページ記述言語解釈部４４は、算出した基準値Ｍをバーコード描画コマンド中のデータを構成する各数字に相当するバーコードパターンを構成する各バーのモジュール数倍することにより、バーコードを構成する各バーの幅を算出する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding material to be supplied in a roll which has less partial variations in performance of an electromagnetic wave shield and has stable performance, even if the lateral width dimension of a wound roll of a mesh pattern has a large width of about 600-1,600 mm in photographic silver-plating method, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

写真銀−メッキ法において、メッシュパターンのロール巻取り横幅寸法が約６００ｍｍ〜１６００ｍｍと幅広であっても、電磁波シールドの性能の部分的なばらつきが少なく性能の安定した、ロールで供給される電磁波シールド材及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The modulation pattern of a modulation voltage (E) outputted from the modulator (51) is adjusted so as to include a plurality of pulse components (P1, P2, P3) each having a signal width shorter than the pulse width of the optical pulse as optical pulse generating patterns (P) in a modulation cycle equivalent to the cycle of the optical pulse.例文帳に追加

変調器(51)から出力される変調電圧(E)の変調パターンは、光パルスの周期に相当する変調周期内に、光パルス生成パターン(P)として、光パルスのパルス幅よりも短い信号幅をそれぞれが有する複数のパルス成分（P1,P2,P3）を含むよう、調整されている。 - 特許庁

The tube has a welded part 10 along the axial direction and is formed with many fins 11 on the inner peripheral face in an arbitrary pattern, a skirt width (w) of the fin 11 near the welded part 10 is formed larger than the skirt width of the fin 11 at an other place.例文帳に追加

軸線方向に沿って溶接部１０を有するとともに内周面に任意パターンで多数のフィン１１が形成され、溶接部１０の近傍におけるフィン１１の裾幅Ｗが他の部分におけるフィン１１の裾幅ｗよりも大きく形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method exposes the photo-resist layer to a pattern image, develops the photo-resist being exposed by using a developer, eliminates a part of the photo-resist not being exposed, and specifies a mask that includes the mask feature with a narrower width than the width of features being processed by another method.例文帳に追加

また、この方法は、フォトレジスト層をパターン像に露出させ、現像剤を用いて露出させたフォトレジスト層を現像し、現像していないフォトレジスト部分を除去して、アルミニウム層に隣接して、別の方法で生成されるよりも狭い幅を有するマスク・フィーチャを含むマスクを規定することを含む。 - 特許庁

The length La of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a longer direction Y of the line pattern 121 is not less than four times as large as the width Da of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a direction X of the width.例文帳に追加

しかも、ライン状パターン１２１の長手方向Ｙにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の長さ寸法Ｌaが、幅方向Ｘにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の幅寸法Ｄaの４倍以上となっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transparent conductive film with improved yields without losing appearance quality by accurately forming a fine line having a line width of 50 μm or smaller without any defects, such as variations in line width and disconnection, when printing a shield pattern by a screen print method.例文帳に追加

スクリーン印刷法によりシールドパターンを印刷する際に、線幅５０μｍ以下の微細なラインを正確に、線幅のばらつきや断線といった欠陥なく形成し、外観品質を損なうことなく、且つ歩留まりよく透明導電性フィルムを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The light-emitting part 3 of each light emission pattern group 23A, 23B has an equal width in the main scanning direction and a width in the sub scanning direction made different, so that a quantity of light irradiated to a recording medium is formed with an emission area corresponding to a luminance ratio optimum for obtaining a color balance.例文帳に追加

各発光パターン群２３Ａ，２３Ｂの発光部３は、主走査方向の幅が同一寸法であり、副走査方向の幅を変えることにより、記録媒体に照射される光量がカラーバランスを取るための最適な輝度比に応じた発光面積で形成される。 - 特許庁

In this method for manufacturing an optical integrated device by the butt-joint method, a first mask 21 for etching and removing selectively a first semiconductor structure 11 that is formed early is used as a mask pattern of a smaller width L1 that the width L0 of the first layer structure 11.例文帳に追加

バットジョイント法による半導体光集積素子の製造において、先に形成した第１半導体層構造１１に対して選択的なエッチング除去を行うための第１マスク２１を、第１層構造１１の幅Ｌ０よりも狭い幅Ｌ１のマスクパターンとする。 - 特許庁

The electrode structure 10 of the parallel MOSFET circuit can secure the area (the mounting area of parts) for mounting the parts such as the other circuit for the whole area of the printed circuit board 4 and an area (the formation area of a pattern) for forming the pattern, can widen the width of the pattern, and is suitable for high density as a product.例文帳に追加

本発明の並列ＭＯＳＦＥＴ回路の電極構造１０では、プリント基板４の全領域に対して他の回路のような部品を実装するための領域（部品の実装領域）、パターンを形成する領域（パターンの形成領域）が確保できる上にパターンの幅も広くでき、製品としての高密度化に適している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a multilayer wiring substrate which uses a pattern formation method (a semi-additive method and a subtractive method) for each layer according to pattern width and pattern density of a wiring layer, by discriminating a layer with a fine wiring layer (such as a signal wiring layer) and a layer with a relatively rough layer appropriately, and to provide the multilayer wiring substrate.例文帳に追加

微細な配線層（例えば、信号配線層等）を有する層と比較的粗い配線層を有する層とに層別し、配線層のパターン幅及びパターン密度に応じて、層毎にパターン形成方法（セミアディテイブ法、ブトラクティブ法）を使い分ける多層配線基板の製造方法及び多層配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The antenna available for two resonance frequencies comprises a spiral conductor pattern 9a having portions different in conductor width and conductor spacing on a dielectric base 8, and connection points for connecting a conductor pattern formed on a board, etc. to the spiral conductor pattern 9a on other parts than a feed point 10.例文帳に追加

誘電体からなる基体８に、導体幅や導体間距離がことなる部分を有する、螺旋状の導体パターン９ａを形成し、給電点１０以外の部分に、基板などに形成された導体パターンと、前記螺旋状の導体パターン９ａを接続する接続点を設けることにより、２つの共振周波数に対応したアンテナが得られる。 - 特許庁

When a mesh pattern successively appears in a direction Z by the grid electrode 22, in the mesh pattern partially chipped in a peripheral region 43, the mesh pattern is not formed, when the width a, b of the shape of an opening 41 that is to be uniquely determined becomes smaller than a predetermined size.例文帳に追加

周縁部分４３で一部が欠けた状態で形成されている網目状のパターンにおいて、グリッド電極２２で同一の網目状のパターンをＺ方向に連続的に出現させるのであれば一義的に決まるであろう開口４１の形状の幅ａ，ｂが予め定められた大きさを下回るときは、その網目状のパターンは形成しない。 - 特許庁

The circumferential length L of a secondary transfer roller 119, the repeating interval P of a drum clearance-correcting pattern 412 to be repeatedly drawn, a maximum value p_max of sub-scanning directional width of lines included in the pattern and a minimum value g_min of sub-scanning directional clearance of adjacent lines in the pattern satisfy the relation of p_max≤|P-L|≤g_min.例文帳に追加

２次転写ローラ１１９の周長Ｌと、繰り返し描画されるドラム間隔補正用パターン４１２の繰り返し間隔Ｐと、パターンに含まれる線の副走査方向の幅の最大値ｐ_ｍａｘと、パターンにおいて隣接する線の副走査方向の間隔の最小値ｇ_ｍｉｎとが、ｐ_ｍａｘ≦｜Ｐ−Ｌ｜≦ｇ_ｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

When a pattern formed through a developing step by utilizing a photoresist composition containing a thermal acid generator is reheated, acid is generated from the thermal acid generator, as a result the photoresist composition causes a crosslinking reaction under the action of the acid and pattern width slimming due to SEM beams for CD measurement in SEM after pattern formation can be prevented.例文帳に追加

熱酸発生剤（thermal acid generator）を含むフォトレジスト組成物を利用することにより、現像工程を経て形成されたパターンを再び加熱することにより熱酸発生剤から酸が発生し、これからフォトレジスト組成物が架橋反応を引き起こし、パターン形成後ＳＥＭでＣＤ測定時にＳＥＭビームによりパターンの幅のが減少を防ぐことができる。 - 特許庁

A minute pattern resin film 22 is formed on one main surface of a key top body 36 by using a minute pattern forming resin film 20 having properties such that it retains liquid state at ordinary temperature and is cured with light to form a minute pattern (e.g., line width and line interval of 0.1 mm or less) by transfer or others followed by curing by UV irradiation.例文帳に追加

常温下で液状を保持し光を受けて硬化する性質の微細模様形成用樹脂膜２０を用い転写その他により微細模様（線幅及び線間例えば０．１ｍｍ以下）を形成し、ＵＶ光照射により硬化させた微細模様樹脂膜２２を、キートップ本体３６の一方の主表面に形成する。 - 特許庁

The pneumatic tire with a block pattern has sipes 2 that extend from one circumferential end of each block 1 of the block pattern in block width directions at a slant or at fixed angles to the tire axis in substantially V-shape pairs in the block 1 with one beyond the other in each pair.例文帳に追加

ブロックパターンが形成されている空気入りタイヤにおいて、ブロックパターンの各ブロック１の周方向端部から夫々タイヤ軸方向に対し一定角度で傾斜してブロック幅方向に延び、実質的にブロック内に人文字または入文字の形状を形成するサイプ２を備える。 - 特許庁

In this conductive film pattern forming method, a conducting film pattern P is formed continuous but with a change in width by a liquid droplet ejection method on a microgap type or swelling type receptor layer 2 formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に設けられた微小空隙型もしくは膨潤型の受容層２に液滴吐出法で、連続した幅の異なる部分を有する導電膜パターンＰを形成するに際して、一の幅のパターン１００を形成する工程と、一の幅のパターン１００を乾燥する工程とを備えている。 - 特許庁

A main control device 50 controls the characteristics of a laser beam LB emitted from a laser device 16 (laser resonator 16a) by using wavelength width directly reflected to the image formation performance of a pattern image as an index value, performs scanning exposure by using the laser beam and generates a pattern image of a reticle R.例文帳に追加

主制御装置５０により、パターン像の結像性能に直接反映される波長幅を指標値として、レーザ装置１６（レーザ共振器１６ａ）から射出されるレーザビームＬＢの特性が制御され、そのレーザビームを用いて走査露光が行われ、レチクルＲのパターンの像が生成される。 - 特許庁

A printing device 50 enlarges unit image data indicating unit images being the configuring elements of a background pattern developed in a dot matrix to the width direction and/or feeding direction of a receipt 61, and generates background pattern data by carrying out dot thinning-out processing.例文帳に追加

印刷装置５０において、ドットマトリクス状に展開された背景パターンの構成要素となる単位画像を表す単位画像データを、レシート６１の幅方向および／または送り方向に拡大すると共に、ドットの間引き処理を行うことによって背景パターンデータを生成する。 - 特許庁

When a thickness of the magnetic thin film 10 is T, a line width of the zigzagging pattern is W, and a length of the pattern is L, T is within a range of one to five μm, and L/(W×T) is within 10 to 400×106m-1 or more preferably within 28 to 100×106m-1.例文帳に追加

そして、磁性薄膜１０の厚さをＴ、つづら折り状パターンの線幅をＷ、パターンの長さをＬとして、Ｔが１〜５μｍの範囲内にあり、Ｌ／（Ｗ×Ｔ）が１０〜４００×１０^6ｍ^-1の範囲内、より好ましくは２８〜１００×１０^6ｍ^-1の範囲内とされる。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable not only to a normal dry process but also to an immersion process for a line width of 45 nm or less and improved in the DOF, pattern collapse and iso/dense bias, and to provide a resist film and a pattern forming method each using the composition.例文帳に追加

通常のドライプロセスに加え、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した、ＤＯＦ、パターン倒れ、及び疎密依存性が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that is satisfactory with respect to high sensitivity, high resolution of a dense pattern and an isolated line, sufficient exposure latitude, proper line width roughness, proper bridge margin and high resolution of isolated space, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

高感度、密集パターンおよび孤立ラインの高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、良好なブリッジマージン、孤立スペースの高解像性を同時に満足する感活性光線または感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The coated water stream may be a flat pattern, the flat patterns of the main water stream and the coated water stream may be a pattern extending in a width direction as forwarding in the jetting direction, and a jetting angle of the coated water stream may be substantially the same as the angle of the main water stream or larger than the angle.例文帳に追加

前記被覆水流はフラットパターンであってもよく、主水流及び被覆水流のフラットパターンは、噴射方向に進むにつれて幅方向に拡がるパターン形状であり、被覆水流の噴射角度が、主水流の前記角度と略同じか、又は前記角度よりも大きくてもよい。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding material with a pattern line width further miniaturized to prevent moire even if a contrast improving layer is also used when the material for a front filter for display is used where electric resistance is low irrespective of the miniaturization, and the scumming of a pattern opening is prevented.例文帳に追加

ディスプレイ用前面フィルタに用いるときにコントラスト向上層を併用してもモアレが出ないよう、パターンの線幅をより一層微細化した電磁波シールド材であって、そのように細線化しても低い電気抵抗であり、かつパターン開口部の地汚れが防止された電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁