「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a filter for a display, which includes an electromagnetic shield material ensuring low electric resistance even when the line width of a pattern is made narrower, preventing an image from being whitened by external light and image light and preventing reduction in image contrast when the convex-pattern-layer-formed side of the electromagnetic shield material is directed toward the display panel; and to provide an image display device using the filter.例文帳に追加

パターンの線幅をより一層微細化しても低い電気抵抗とすることができ、電磁波シールド材の凸状パターン層形成側をディスプレイパネルに向けて設置したときに、外光及び画像光による画像の白化、画像コントラストの低下が防止できる電磁波シールド材を含むディスプレイ用フィルタ及びこれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The adhesive seal capable of coloring is provided with an adhesive layer outer peripheral edges of which are formed by being fitted to an outer peripheral shape of a desired pattern, a colorant supporting layer formed on the adhesive layer and a contour line which is formed on a surface of the colorant supporting layer, defines contour lines of the pattern and has desired thickness and desired width.例文帳に追加

ぬり絵可能な粘着シールは、外周縁が所望の図柄の外周形状に合わせて形成された粘着層と、該粘着層の上に形成された着色材支持層と、該着色材支持層の表面に形成されていて図柄の輪郭を画成する輪郭線であって、所望の厚さ及び所望の幅を有する輪郭線とを備え - 特許庁

To provide a dye-containing negative curable composition excellent in temporal stability after prepared and showing a small variation in pattern line width due to variation in exposure energy, a color filter excellent in hue and resolution and having a good pattern profile, and a method for producing a color filter by which the above color filter can be produced with high productivity (high cost performance).例文帳に追加

組成物作成後の経時安定性に優れ、かつ露光量変動によるパターン線幅変動の割合が小さい染料含有ネガ型硬化性組成物、並びに、色相及び解像力に優れ、パターン形状が良好なカラーフィルタ及び該カラーフィルタを高い生産性（高いコストパフォーマンス）にて作製し得るカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A photoresist pattern 35 is formed so that an aperture width of an aperture 35K is gradually narrowed as the aperture approaches a seed layer 12 by exposing a photoresist film to light while a reflection suppressing layer 31 is formed in an area F1 to perform patterning and then a precursor magnetic pole partial layer 13AZ is formed in the aperture 35K of the photoresist pattern 35.例文帳に追加

領域Ｆ１に反射抑制層３１を形成した状態においてフォトレジスト膜を露光してパターニングすることにより、開口３５Ｋの開口幅がシード層１２に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン３５を形成したのち、そのフォトレジストパターン３５の開口３５Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する。 - 特許庁

To provide an imaging recipe generating apparatus and a method thereof in an SEM and the like having reduced a generation period by automatic generation of an imaging recipe for evaluating pattern shape through analysis using a CAD image converted from the CAD data, by measuring each kind of size value such as wiring width of pattern from the observed image.例文帳に追加

ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

A control method or a control apparatus is provided to the wireless network wherein a plurality of wireless stations each including an antenna capable of forming beams having both a sector pattern with a prescribed beam width and an omnidirectional beam pattern are provided and wireless communication is executed between a sender wireless station and a destination wireless station among the plurality of wireless stations.例文帳に追加

それぞれ所定のビーム幅を有するセクタパターンと無指向性のビームパターンの双方のビームを形成できるアンテナをそれぞれ含む複数の無線局を備え、上記複数の無線局のうちの発信元無線局と宛先無線局との間で複数ホップで無線通信を行う無線ネットワークのための制御方法又は制御装置である。 - 特許庁

In the motor 10, speed reduction gears 19 comprising planetary gears are provided between the rotating body 14 of the motor and the rotation axis 16, a conductive pattern 21 having its width periodically changing is formed on the surface orthogonal to the rotation axis 16 of the rotating body 14 of the motor, and the rotation angle detection sensor 22 is provided opposite to the conductive pattern 21.例文帳に追加

モータの回転体１４と回転軸１６との間に、遊星ギアから成る減速ギア１９が設けられ、モータの回転体１４の回転軸１６と直交する表面に、幅が周期的に変化する導体パターン２１が形成され、この導体パターン２１に対向して、回転角度検出センサ２２が設けられているモータ１０を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of further improving uniformity of a mask pattern size on the entire wafer surface and lowering variation in opening width of a contact window on the entire wafer surface when forming the contact window to improve the product yield and quality even when a higher step and a large area pattern are formed.例文帳に追加

高段差で大面積のパターンが形成される場合でも、ウェハ全面でのマスクパターン寸法の均一性をさらに向上させることができるとともに、コンタクト窓形成の際にウェハ全面でコンタクト窓の開口幅ばらつきを低減することができ、製品歩留を改善しかつ製品品質をより向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this case, a direction (a connection line direction) in which the back conductor pattern CP2 is connected is the X direction and when attention is paid to a Y direction orthogonal to (intersecting with) the X direction, the width of the back conductor pattern CP2 in the Y direction is smaller than those of the back terminals TEPa, TEPb in the Y direction.例文帳に追加

このとき、裏面導体パターンＣＰ２の接続方向（接続線方向）がＸ方向となっており、このＸ方向と直交する（交差する）Ｙ方向に着目すると、裏面導体パターンＣＰ２のＹ方向の幅は、裏面端子ＴＥＰａのＹ方向の幅や裏面端子ＴＥＰｂのＹ方向の幅よりも小さくなっている。 - 特許庁

The dummy pattern 3 is arranged while folded in a rectangular wave shape to the line width of a conventional linear pattern and then the peeling load of the dummy seal 3 per unit area of a glass is improved to obtain the large effect that a serious defect which is seal peeling is hardly caused in a process of cutting the stuck glass to a panel individual piece size.例文帳に追加

また、ダミーパターン３を従来の直線パターンの線幅で矩形波状に折り曲げて配置することにより、ガラスの単位面積当たりのダミーシール３の剥離荷重が向上し、貼り合わせガラスをパネル個片サイズに切断する工程において、シール剥離という重大欠陥を誘発しにくくなるという効果も多大と成りうる。 - 特許庁

A delay time calculation error between the timing design process 103 and the timing validation process 104 is calculated, and a minimum wiring width specified in a design rule is added, with a wide part containing the delay time calculation error, to generate a wiring pattern.例文帳に追加

タイミング設計工程１０３およびタイミング検証工程１０４間の遅延時間計算誤差を算出し、設計ルールで規定された最小配線幅に、前記遅延時間計算誤差を包含する幅広部分を加えた配線パターンを作成する。 - 特許庁

The width of the particular part (A) of a strip conductor of the wiring circuit board for mounting is reduced, wherein the strip conductor 2 is exposed to form a stripe pattern in such a way that the conductor is individually connected to the electrode E of the electronic component.例文帳に追加

電子部品の電極Ｅに対し個別に導体を接続し得るように、帯状導体２がストライプパターンをなすよう露出して形成された実装用の配線回路基板の該帯状導体に対して、特定部分（Ａ）の幅を狭くする。 - 特許庁

For this apparatus, the surface of the substrate can be tested by comparing an image image formed by the secondary electron beam with the picture image stored beforehand, or by testing the pattern line width of the patterns on the surface of the substrate, based on the secondary electron beam.例文帳に追加

この装置では、２次電子線に基づき形成される画像を予め記憶した画像と比較したり、基板表面のパターンのパターン線幅を２次電子線に基づき検査することにより、基板表面の検査をすることができる。 - 特許庁

To provide a colored curable composition for a color filter capable of maintaining line width sensitivity and discrimination (alkali dissolution rate difference) between an exposure part and an un-exposure part and forming a fine pattern having high rectangularity in a pigment concentration heightened composition.例文帳に追加

顔料濃度を高めた組成において、線幅感度と露光部及び未露光部間のディスクリミネーション（アルカリ溶解速度差）を保ち、微細で矩形性の高いパターンを形成することができるカラーフィルタ用着色硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

The packing configuration selection unit 5 refers to the packing configuration pattern of the packing configuration database 6 according to the maximum depth and width and the stacking height of the articles to be packed, and selects the optimum packing box which is not too large or not too small.例文帳に追加

また、梱包形態選定部５は、上記梱包すべき物品の最大縦横寸法および高さ重ね高さに従って、梱包形態データベース６の梱包形態パターンを参照し、大きすぎず、かつ小さすぎない最適な梱包箱を選定する。 - 特許庁

To provide a continuous annealing facility with which the development of stretcher strain and wrinkle pattern in a baking-hardened steel sheet can be prevented by eliminating uneven temperature in the width direction of a steel strip in a rapid cooling zone outlet side having a gas-jet cooling facility.例文帳に追加

ガスジェット冷却設備を有する急冷帯出側における鋼帯幅方向の温度むらを解消し、焼付け硬化性鋼板のストレッチャーストレインやしわ模様の発生を防止することができる連続焼鈍設備を提供する。 - 特許庁

The sector mold is split into a plurality of the sectional parts along a dividing line extending in a tire width direction, traversing a plurality of recessed parts surrounded by projecting strips formed in a mold face in order to form the tread pattern of an outer peripheral face of a tire.例文帳に追加

タイヤ外周面のトレッドパターンを形成するために金型面に形成された凸条によって囲まれた複数の凹部を横切るようにタイヤ幅方向に延在する分割線に沿ってセクター金型を複数の分割金型に分割する。 - 特許庁

To provide an organic developing process method and an organic developing process device capable of stabilizing a fine line width in a circuit pattern and improving throughput without using a rinsing liquid and without being influenced by a time difference in an organic developing process.例文帳に追加

リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。 - 特許庁

The vernier 1 for checking the position and the width of a sealing material 11 for sealing a liquid crystal is provided in the inner part of wiring with a negative pattern and its shape is formed so that a scale part and a figure part transmit light and the other parts do not transmit light.例文帳に追加

液晶を封止するためのシール材１１の位置、幅をチェックするバーニヤ１をネガパターンで配線内部に設け、形状は目盛りと数字の部分は光が透過するように形成され、その他の領域は不透明となっている。 - 特許庁

To provide a jointing apparatus which can perform high reliable jointing without occurrence of bridging even if the quantity of solder that is previously supplied to the junction of a work, isn't controlled strictly and the width of connection terminals or a pattern of the work is narrow and small.例文帳に追加

ワークの接合部に予め供給された半田量を厳密に管理せずとも、またワークの接合端子あるいはパターンの幅が狭小であってもブリッジが発生せず、信頼性の高い接合を行うことができる接合装置を提供する。 - 特許庁

By forming the notches 17a and 17b, a grid pattern is formed, and a plurality of square divided surfaces 13b, what is called cross-cut divided surfaces 13b, are formed in the width direction (direction C) and the circumferential direction (direction D).例文帳に追加

従って、これらの切り目１７ａと１７ｂの形成によって、格子模様が形成され、正方形状の分割面１３ｂ、いわゆるクロスカット状の分割面１３ｂが幅方向（Ｃ方向）及び円周方向（Ｄ方向）に複数形成されている。 - 特許庁

To accurately calculate a coordinate position of each line and a pixel position of a liquid crystal panel even when an uneven width occurs between frames in shrinkage, expansion, or the like of a picked-up image (a signal image) obtained from frame sampling of a display pattern.例文帳に追加

表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。 - 特許庁

Concretely saying, a width of an overlapping region generated when scanned is brought into 50 μm or less, when exposing a resist pattern on a TFT substrate, by conducting a plurality of scans with an exposure light a plurality of times, by a direct drawing exposure machine.例文帳に追加

具体的には、直描露光機で複数回の露光光を複数回走査することで、ＴＦＴ基板上のレジストパターンを露光する際に、走査する際に生じる露光領域の重複領域幅を５０μｍ以下にすることで実現できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of controlling the line width of a resist pattern, which is formed on a multilayered film, with higher accuracy without much influenced by a variation in the thickness of layers composing the multilayered film formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された多層膜の各々の膜の膜厚の変動に大きく影響されることなく、多層膜上に形成されるレジストパターンの線幅の制御性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of an imprint roll for a double-width roll type nanoimprint apparatus for manufacturing, in the state enlarged to much larger area than an original edition, a structure having a minute pattern below the wave length (380 nm) of a visible light.例文帳に追加

可視光の波長（３８０ｎｍ）以下の微小パタンを有する構造体を、原版よりもはるかに大面積に拡大されている状態で製造する、広幅のロール式ナノインプリント装置用のインプリントロールの製造方法を提供する。 - 特許庁

The pixel of the imaging element 43 is smaller than a leaf width, an end face position is described on the imaging element 43 as in (c) in the figure, a pattern image is analyzed by image processing, and the displacement of the leaf block 27, that is the absolute position, is calculated.例文帳に追加

撮像素子４３の画素はリーフ幅より小さいものであり、撮像素子４３上に端面位置が図４の（ｃ）のように描出され、パターン画像を画像処理により解析して、リーフブロック２７の変位、つまり絶対位置を算出する。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring pattern on a substrate capable of having a fine space between each wiring by making the space of the wiring as close as possible even in the case that the wiring with the width of a start point different from that of an end point is formed in parallel so as to adjoin each other.例文帳に追加

基材上に始点と終点との幅が異なる配線を隣り合うように並列形成する場合でも、各配線を可及的近接させて微細な間隔を有する配線パターンを形成可能な方法を提供すること。 - 特許庁

When a pattern width control is started, patterns of n-types of sizes are formed on the transfer belt 5; and the image detection sensors irradiate a first batch with a beam (S11), then decides whether the specular reflection component of a detected waveform has reached a threshold (S12).例文帳に追加

パターン幅制御が開始されると、転写ベルト５上にｎ種類のサイズのパターンを形成し、画像検知センサにより１番目のバッチにビームを照射し（Ｓ１１）、検出波形の正反射成分はしきい値に達しているかを判断する（Ｓ１２）。 - 特許庁

By making the pattern width of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of 6μm, the resistance value of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive element R1-R4 changes according to the angle differences of impressed magnetic fields.例文帳に追加

このように、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のパターン幅を６μｍとすることにより、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、加えられる磁場（磁界）の角度の違いにより抵抗値がそれぞれ変化する。 - 特許庁

To provide a method of generating an exposure pattern that reduces the total number of drawing figures by changing a rectangles containing transverse lines to a one containing no transverse lines in consideration of an angle and a width through the use of two parameters to improve throughput while maintaining accuracy.例文帳に追加

２つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供する。 - 特許庁

Further, the conductive film 2 includes a concave-convex pattern 5 that is formed on the surface of the base 1 symmetrically with respect to the center of the aperture 2a in the direction minimizing the width of the aperture 2a and has a predetermined period.例文帳に追加

さらに、導電性膜２が、開口部２ａの開口幅が最小となる方向において開口部２ａの中心に対して対称となるように基体１側の表面に形成された所定周期の凹凸パターン５を有する構成とする。 - 特許庁

In the first corrected data generation process (step S40), according to a first correction rule, first corrected data are generated, by adding first correction pattern data for making the end part of the first wiring thick, at least in the width direction to the first wiring data.例文帳に追加

第１補正後データ生成工程（ステップＳ４０）では、第１の補正ルールに従って、第１配線データに、第１配線の端部を少なくとも幅方向に太らせるための第１の補正パターンデータを付加して第１補正後データを生成する。 - 特許庁

Then because an adhesiveness in the transfer layer 19 corresponding to the exothermic region is lowered by the heat and the transfer layer 19 is selectively transferred, a fine transfer layer pattern can be finely formed even though a width of the laser beam is not precisely controlled.例文帳に追加

そして，発熱領域に相当する転写層１９が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。 - 特許庁

To provide a conductive resin composition for electromagnetic wave shielding material for plasma display panel which can form a pattern of fine line width with high accuracy, and can reveal excellent electromagnetic wave shielding performance even if the particle size of conductive fine particles is small.例文帳に追加

微細な線幅のパターンを高精度で容易に形成することができ、かつ、導電性微粒子の粒径が小さくとも優れた電磁波シールド性を発現し得るプラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材用導電性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an OPC(optical proximity correction) mask producing method by which the dispersion of line width of a pattern practically formed on a wafer is suppressed by performing simulation faithfully reflecting the influence of space dependency, an OPC mask and a chip.例文帳に追加

スペース依存性の影響を忠実に反映したシュミレーションを行なうことにより、実際にウェハ上に形成されるパターンの線幅のばらつきを抑制することができるＯＰＣマスクの製作方法およびＯＰＣマスクならびにチップを提供する。 - 特許庁

Thereby, the ring type cylindrical lens 61 condenses the light 35 diffused from each light emitting diode 53 toward the center part in width direction, and forms an irradiation pattern 31 of ring shape around the inspection object arranged on a conveyor belt 12.例文帳に追加

これにより、リング型シリンドリカルレンズ６１は、各発光ダイオード５３から拡散された光３５を幅方向中央部へ向けて集光し、ベルトコンベヤー１２上に配置された検査対象物の周囲部にリング状の照射パターン３１を形成する。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

At etching with the spiral coil 14, a dummy wiring pattern 16 having the same pitch width as an inner circumference is provided outside an outermost circumference 14a of the spiral coil 14, so that the thickness of a coil line at the outer circumference of the spiral coil 14 is prevented from decreasing.例文帳に追加

渦巻きコイル１４のエッチングに際して、渦巻きコイル１４の最外周部１４ａの更に外側に、内周と同じピッチ幅のダミーの配線パターン１６を設け、渦巻きコイル１４の外周のコイル線幅の減小を防止する。 - 特許庁

A space part 29 which is a space having an area of the square of the width of the inspection part 27 is provided as a reverse flow prevention structure from the waste liquid storage part 31 to the inspection part 27, downstream of the inspection part 27 of an inspection pattern constitution part 20 of the inspection object acceptor.例文帳に追加

検査対象受体の検査パターン構成部２０の検査部２７の下流側に廃液溜部３１から検査部２７への逆流防止構造として、検査部２７の幅の２乗の面積以上の空間である空間部２９を設ける。 - 特許庁

Because of this, the amount of protrusion backward from the pattern display device 32 is suppressed since the width in the front and rear direction of a display stand frame 30 is small compared with the case where the upper stage 48 and the lower stage 63 are arranged shifting to the front and rear direction.例文帳に追加

このため、表示台枠３０の前後方向の幅寸法が上ステージ４８および下ステージ６３を前後方向にずらして配置する場合に比べて小さくなるので、図柄表示器３２の後方への突出量が抑えられる。 - 特許庁

Therefore, when a length (d) of the valid region 24 held between both the terminal parts is 0.4 μm, width(w) is 0.6 μm, the fuse element can be made smaller than L/S=1.2 μm/0.8 μm of a minimum pattern rule specified in patterning ability.例文帳に追加

このため、両端部に挟まれた実効領域２４の長さｄを０．４μｍとし、その幅ｗを０．６μｍとして、パターニング実力に規定された最小パターンルールのＬ／Ｓ＝１．２μｍ／０．８μｍより小さくすることが可能になる。 - 特許庁

The concavo-convex pattern formed on the master support, by forming the width W1 in the direction of the track pitch (the direction of arrow Y) of the protrusion 11 in order for it to become smaller than a track pitch P, is formed in order for the whole circumference of the convex portion not to be surrounded by the protrusion.例文帳に追加

マスター担体に形成される凹凸パターンにおいて、凸部１１のトラックピッチ方向（矢印Ｙ方向）の幅Ｗ１をトラックピッチＰよりも小さく形成することにより全周囲を凸部で囲まれた凹部を形成しないようにする。 - 特許庁

In a local interconnection type element having open bit line cell arrangement where a pattern interval of 1F is formed by an element having minimum line width of 1F, a hard mask is formed on each conductive layer and an insulation spacer is formed on the sidewall thereof.例文帳に追加

１Ｆの最小線幅を有する素子でパターン間隔を１Ｆに形成したオープンビットラインセル配列されたローカルインターコネクション方式の素子において、それぞれの導電層上にハードマスクを形成しその側壁に絶縁スペーサを形成する。 - 特許庁

A protective film 1 having the width and the length not less than the diameter of a wheel W and an adhesive 12 on a back side thereof can be obtained by feeding a roll 10, and being irradiated with laser beams B in a predetermined pattern by a laser beam irradiation machine 2, and cut.例文帳に追加

ホイールＷの直径以上の幅と長さを持ち裏面に粘着剤１２を有する保護フィルム１は、ロール１０が送り出されてレーザー照射機２によりレーザービームＢが所定のパターンで照射されて切断されることで得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an arrangement structure capable of high density patterning with ultra-fine width and interval by utilizing a pattern of expressible size in a resolution limit of a photolithographic process, and to provide a patterning method of the semiconductor element.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。 - 特許庁