「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a colored photosensitive resin composition and a pattern forming method which is excellent in developability and can be restrained the occurrence of surface reticulation after post baking, and to provide a method for manufacturing a color filter having a colored pattern free from surface reticulation, and is excellent in line width sensitivity, linearity and heat resistance, and to provide the color filter and a display device.例文帳に追加

現像性が良好で且つポストベーク後の表面レチキュレーションの発生を抑制し得る着色感光性樹脂組成物及びパターン形成方法、並びに、表面レチキュレーションがなく、線幅感度、直線性及び耐熱性に優れた着色パターンを有するカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new radiation sensitive resin composition that has a sufficient pattern form even on a substrate having a step even when an antireflective film is not formed on the substrate using a thin film, forms a resist film with a small pattern variation width, has sufficient sensitivity, and has high focal latitude and exposure latitude.例文帳に追加

薄膜で基板上に反射防止膜を形成していない場合であっても、段差のある基板上であっても、良好なパターン形状を有し、パターン変動幅の小さいレジスト膜を形成可能であり、かつ、良好な感度を有し、焦点余裕度及び露光余裕度にも優れた新規な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The two Bragg grating patterns 12, 13 include the first Bragg grating pattern 12 formed on both-side walls of a core of an optical waveguide as horizontal irregularities, and the second Bragg grating pattern 13 having a projection structure and/or a recess structure formed on the center of a width direction of the core 10 and the upper part of a vertical direction.例文帳に追加

二通りのブラッググレーティングパターン１２，１３は、水平方向の凹凸として光導波路のコアの両側壁に形成された第一のブラッググレーティングパターン１２と、コア１０の幅方向中央かつ垂直方向上部に形成された突起状の構造および／または溝状の構造１３からなる第２のブラッググレーティングパターンからなることもできる。 - 特許庁

To provide a filter for a display, which includes an electromagnetic shield material ensuring low electric resistance even when the line width of a pattern is made narrower, preventing an image from being whitened by external light and image light and preventing reduction in image contrast when the convex-pattern-layer-formed side of the electromagnetic shield material is directed toward the display panel; and to provide an image display device using the filter.例文帳に追加

パターンの線幅をより一層微細化しても低い電気抵抗とすることができ、電磁波シールド材の凸状パターン層形成側をディスプレイパネルに向けて設置したときに、外光及び画像光による画像の白化、画像コントラストの低下が防止できる電磁波シールド材を含むディスプレイ用フィルタ及びこれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A control method or a control apparatus is provided to the wireless network wherein a plurality of wireless stations each including an antenna capable of forming beams having both a sector pattern with a prescribed beam width and an omnidirectional beam pattern are provided and wireless communication is executed between a sender wireless station and a destination wireless station among the plurality of wireless stations.例文帳に追加

それぞれ所定のビーム幅を有するセクタパターンと無指向性のビームパターンの双方のビームを形成できるアンテナをそれぞれ含む複数の無線局を備え、上記複数の無線局のうちの発信元無線局と宛先無線局との間で複数ホップで無線通信を行う無線ネットワークのための制御方法又は制御装置である。 - 特許庁

In the motor 10, speed reduction gears 19 comprising planetary gears are provided between the rotating body 14 of the motor and the rotation axis 16, a conductive pattern 21 having its width periodically changing is formed on the surface orthogonal to the rotation axis 16 of the rotating body 14 of the motor, and the rotation angle detection sensor 22 is provided opposite to the conductive pattern 21.例文帳に追加

モータの回転体１４と回転軸１６との間に、遊星ギアから成る減速ギア１９が設けられ、モータの回転体１４の回転軸１６と直交する表面に、幅が周期的に変化する導体パターン２１が形成され、この導体パターン２１に対向して、回転角度検出センサ２２が設けられているモータ１０を構成する。 - 特許庁

To provide an imaging recipe generating apparatus and a method thereof in an SEM and the like having reduced a generation period by automatic generation of an imaging recipe for evaluating pattern shape through analysis using a CAD image converted from the CAD data, by measuring each kind of size value such as wiring width of pattern from the observed image.例文帳に追加

ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

The adhesive seal capable of coloring is provided with an adhesive layer outer peripheral edges of which are formed by being fitted to an outer peripheral shape of a desired pattern, a colorant supporting layer formed on the adhesive layer and a contour line which is formed on a surface of the colorant supporting layer, defines contour lines of the pattern and has desired thickness and desired width.例文帳に追加

ぬり絵可能な粘着シールは、外周縁が所望の図柄の外周形状に合わせて形成された粘着層と、該粘着層の上に形成された着色材支持層と、該着色材支持層の表面に形成されていて図柄の輪郭を画成する輪郭線であって、所望の厚さ及び所望の幅を有する輪郭線とを備え - 特許庁

To provide a dye-containing negative curable composition excellent in temporal stability after prepared and showing a small variation in pattern line width due to variation in exposure energy, a color filter excellent in hue and resolution and having a good pattern profile, and a method for producing a color filter by which the above color filter can be produced with high productivity (high cost performance).例文帳に追加

組成物作成後の経時安定性に優れ、かつ露光量変動によるパターン線幅変動の割合が小さい染料含有ネガ型硬化性組成物、並びに、色相及び解像力に優れ、パターン形状が良好なカラーフィルタ及び該カラーフィルタを高い生産性（高いコストパフォーマンス）にて作製し得るカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A photoresist pattern 35 is formed so that an aperture width of an aperture 35K is gradually narrowed as the aperture approaches a seed layer 12 by exposing a photoresist film to light while a reflection suppressing layer 31 is formed in an area F1 to perform patterning and then a precursor magnetic pole partial layer 13AZ is formed in the aperture 35K of the photoresist pattern 35.例文帳に追加

領域Ｆ１に反射抑制層３１を形成した状態においてフォトレジスト膜を露光してパターニングすることにより、開口３５Ｋの開口幅がシード層１２に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン３５を形成したのち、そのフォトレジストパターン３５の開口３５Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of an imprint roll for a double-width roll type nanoimprint apparatus for manufacturing, in the state enlarged to much larger area than an original edition, a structure having a minute pattern below the wave length (380 nm) of a visible light.例文帳に追加

可視光の波長（３８０ｎｍ）以下の微小パタンを有する構造体を、原版よりもはるかに大面積に拡大されている状態で製造する、広幅のロール式ナノインプリント装置用のインプリントロールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of controlling the line width of a resist pattern, which is formed on a multilayered film, with higher accuracy without much influenced by a variation in the thickness of layers composing the multilayered film formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された多層膜の各々の膜の膜厚の変動に大きく影響されることなく、多層膜上に形成されるレジストパターンの線幅の制御性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The concavo-convex pattern formed on the master support, by forming the width W1 in the direction of the track pitch (the direction of arrow Y) of the protrusion 11 in order for it to become smaller than a track pitch P, is formed in order for the whole circumference of the convex portion not to be surrounded by the protrusion.例文帳に追加

マスター担体に形成される凹凸パターンにおいて、凸部１１のトラックピッチ方向（矢印Ｙ方向）の幅Ｗ１をトラックピッチＰよりも小さく形成することにより全周囲を凸部で囲まれた凹部を形成しないようにする。 - 特許庁

To provide an OPC(optical proximity correction) mask producing method by which the dispersion of line width of a pattern practically formed on a wafer is suppressed by performing simulation faithfully reflecting the influence of space dependency, an OPC mask and a chip.例文帳に追加

スペース依存性の影響を忠実に反映したシュミレーションを行なうことにより、実際にウェハ上に形成されるパターンの線幅のばらつきを抑制することができるＯＰＣマスクの製作方法およびＯＰＣマスクならびにチップを提供する。 - 特許庁

In a local interconnection type element having open bit line cell arrangement where a pattern interval of 1F is formed by an element having minimum line width of 1F, a hard mask is formed on each conductive layer and an insulation spacer is formed on the sidewall thereof.例文帳に追加

１Ｆの最小線幅を有する素子でパターン間隔を１Ｆに形成したオープンビットラインセル配列されたローカルインターコネクション方式の素子において、それぞれの導電層上にハードマスクを形成しその側壁に絶縁スペーサを形成する。 - 特許庁

Thereby, the ring type cylindrical lens 61 condenses the light 35 diffused from each light emitting diode 53 toward the center part in width direction, and forms an irradiation pattern 31 of ring shape around the inspection object arranged on a conveyor belt 12.例文帳に追加

これにより、リング型シリンドリカルレンズ６１は、各発光ダイオード５３から拡散された光３５を幅方向中央部へ向けて集光し、ベルトコンベヤー１２上に配置された検査対象物の周囲部にリング状の照射パターン３１を形成する。 - 特許庁

Then because an adhesiveness in the transfer layer 19 corresponding to the exothermic region is lowered by the heat and the transfer layer 19 is selectively transferred, a fine transfer layer pattern can be finely formed even though a width of the laser beam is not precisely controlled.例文帳に追加

そして，発熱領域に相当する転写層１９が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。 - 特許庁

To provide a conductive resin composition for electromagnetic wave shielding material for plasma display panel which can form a pattern of fine line width with high accuracy, and can reveal excellent electromagnetic wave shielding performance even if the particle size of conductive fine particles is small.例文帳に追加

微細な線幅のパターンを高精度で容易に形成することができ、かつ、導電性微粒子の粒径が小さくとも優れた電磁波シールド性を発現し得るプラズマディスプレイパネル用電磁波シールド材用導電性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

A protective film 1 having the width and the length not less than the diameter of a wheel W and an adhesive 12 on a back side thereof can be obtained by feeding a roll 10, and being irradiated with laser beams B in a predetermined pattern by a laser beam irradiation machine 2, and cut.例文帳に追加

ホイールＷの直径以上の幅と長さを持ち裏面に粘着剤１２を有する保護フィルム１は、ロール１０が送り出されてレーザー照射機２によりレーザービームＢが所定のパターンで照射されて切断されることで得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an arrangement structure capable of high density patterning with ultra-fine width and interval by utilizing a pattern of expressible size in a resolution limit of a photolithographic process, and to provide a patterning method of the semiconductor element.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Concretely saying, a width of an overlapping region generated when scanned is brought into 50 μm or less, when exposing a resist pattern on a TFT substrate, by conducting a plurality of scans with an exposure light a plurality of times, by a direct drawing exposure machine.例文帳に追加

具体的には、直描露光機で複数回の露光光を複数回走査することで、ＴＦＴ基板上のレジストパターンを露光する際に、走査する際に生じる露光領域の重複領域幅を５０μｍ以下にすることで実現できる。 - 特許庁

To provide a jointing apparatus which can perform high reliable jointing without occurrence of bridging even if the quantity of solder that is previously supplied to the junction of a work, isn't controlled strictly and the width of connection terminals or a pattern of the work is narrow and small.例文帳に追加

ワークの接合部に予め供給された半田量を厳密に管理せずとも、またワークの接合端子あるいはパターンの幅が狭小であってもブリッジが発生せず、信頼性の高い接合を行うことができる接合装置を提供する。 - 特許庁

By forming the notches 17a and 17b, a grid pattern is formed, and a plurality of square divided surfaces 13b, what is called cross-cut divided surfaces 13b, are formed in the width direction (direction C) and the circumferential direction (direction D).例文帳に追加

従って、これらの切り目１７ａと１７ｂの形成によって、格子模様が形成され、正方形状の分割面１３ｂ、いわゆるクロスカット状の分割面１３ｂが幅方向（Ｃ方向）及び円周方向（Ｄ方向）に複数形成されている。 - 特許庁

To provide an organic developing process method and an organic developing process device capable of stabilizing a fine line width in a circuit pattern and improving throughput without using a rinsing liquid and without being influenced by a time difference in an organic developing process.例文帳に追加

リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。 - 特許庁

The vernier 1 for checking the position and the width of a sealing material 11 for sealing a liquid crystal is provided in the inner part of wiring with a negative pattern and its shape is formed so that a scale part and a figure part transmit light and the other parts do not transmit light.例文帳に追加

液晶を封止するためのシール材１１の位置、幅をチェックするバーニヤ１をネガパターンで配線内部に設け、形状は目盛りと数字の部分は光が透過するように形成され、その他の領域は不透明となっている。 - 特許庁

To accurately calculate a coordinate position of each line and a pixel position of a liquid crystal panel even when an uneven width occurs between frames in shrinkage, expansion, or the like of a picked-up image (a signal image) obtained from frame sampling of a display pattern.例文帳に追加

表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。 - 特許庁

At least one thin-film resistor exhibiting zigzag patterns 100 is formed by folding, a plurality of times, straight line patterns each having a prescribed pattern width, on the surface of the wavelength conversion element 10 in a way as not to overlap one another.例文帳に追加

波長変換素子１０の表面に、所定のパターン幅を有する直線パターンを、互に重ならないように複数回折り曲げた葛折状のパターン１００を呈する薄膜抵抗が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of forming a solid circuit on a solid substrate 1 features drawing of a pattern of a solid circuit using a condenser lens 12 and a wide band laser beam 11 of wavelength band width of 50 nm or more.例文帳に追加

立体基板１上に立体回路を形成する方法であって、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring pattern on a substrate capable of having a fine space between each wiring by making the space of the wiring as close as possible even in the case that the wiring with the width of a start point different from that of an end point is formed in parallel so as to adjoin each other.例文帳に追加

基材上に始点と終点との幅が異なる配線を隣り合うように並列形成する場合でも、各配線を可及的近接させて微細な間隔を有する配線パターンを形成可能な方法を提供すること。 - 特許庁

When a pattern width control is started, patterns of n-types of sizes are formed on the transfer belt 5; and the image detection sensors irradiate a first batch with a beam (S11), then decides whether the specular reflection component of a detected waveform has reached a threshold (S12).例文帳に追加

パターン幅制御が開始されると、転写ベルト５上にｎ種類のサイズのパターンを形成し、画像検知センサにより１番目のバッチにビームを照射し（Ｓ１１）、検出波形の正反射成分はしきい値に達しているかを判断する（Ｓ１２）。 - 特許庁

By making the pattern width of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of 6μm, the resistance value of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive element R1-R4 changes according to the angle differences of impressed magnetic fields.例文帳に追加

このように、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のパターン幅を６μｍとすることにより、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、加えられる磁場（磁界）の角度の違いにより抵抗値がそれぞれ変化する。 - 特許庁

To provide a method of generating an exposure pattern that reduces the total number of drawing figures by changing a rectangles containing transverse lines to a one containing no transverse lines in consideration of an angle and a width through the use of two parameters to improve throughput while maintaining accuracy.例文帳に追加

２つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供する。 - 特許庁

Further, the conductive film 2 includes a concave-convex pattern 5 that is formed on the surface of the base 1 symmetrically with respect to the center of the aperture 2a in the direction minimizing the width of the aperture 2a and has a predetermined period.例文帳に追加

さらに、導電性膜２が、開口部２ａの開口幅が最小となる方向において開口部２ａの中心に対して対称となるように基体１側の表面に形成された所定周期の凹凸パターン５を有する構成とする。 - 特許庁

In the first corrected data generation process (step S40), according to a first correction rule, first corrected data are generated, by adding first correction pattern data for making the end part of the first wiring thick, at least in the width direction to the first wiring data.例文帳に追加

第１補正後データ生成工程（ステップＳ４０）では、第１の補正ルールに従って、第１配線データに、第１配線の端部を少なくとも幅方向に太らせるための第１の補正パターンデータを付加して第１補正後データを生成する。 - 特許庁

The quality evaluating means 34 has a real-time measuring mode 34b carrying out margin measurement to obtained data whenever a waveform data obtaining portion 21 obtains data of the minimum number required for indicating the eye pattern of predetermined time width.例文帳に追加

この品質評価手段３４は、波形データ取得部２１で所定時間幅のアイパターンの表示に最低限必要な数のデータが取得される毎に、その取得したデータに対するマージン測定を行うリアルタイム測定モード３４ｂを有している。 - 特許庁

The pixel of the imaging element 43 is smaller than a leaf width, an end face position is described on the imaging element 43 as in (c) in the figure, a pattern image is analyzed by image processing, and the displacement of the leaf block 27, that is the absolute position, is calculated.例文帳に追加

撮像素子４３の画素はリーフ幅より小さいものであり、撮像素子４３上に端面位置が図４の（ｃ）のように描出され、パターン画像を画像処理により解析して、リーフブロック２７の変位、つまり絶対位置を算出する。 - 特許庁

An irradiation pattern can include irradiation spots and a non-irradiation area, each irradiation spot is enabled to cover a relatively small part of a data layer flat surface, and the depth and width of the microhologram (12) to be recorded can be controlled.例文帳に追加

照射パターンは、照射スポット及び非照射領域を含むことができ、各々の照射スポットがデータ層平面の相対的に小さい部分をカバーし得るようにして、記録されるマイクロ・ホログラム（１２）の深さ広がりの制御を可能にする。 - 特許庁

Bonding pads of the semiconductor substrate correspond to IC chips having center pads, the bonding pads are widened almost at right angles to the array of the bonding pads and in the direction reverse to adjacent bonding pad, and wiring is carried out with a wide pattern width at the widened parts.例文帳に追加

センターパッドを持つＩＣチップに対応した半導体パッケージ基板のボンディングパットで、ボンディングパットをボンディングパットの列に対し、ほぼ直角方向に、且つ隣り合うボンディングパット反対方向に広げ、広がった部分のパターン幅を広く配線する。 - 特許庁

To further reduce the arranging intervals of a plurality of lead patterns 12, which are composed of land sections 12a and lead pattern main bodies 12b are arranged on a flexible wiring board at prescribed intervals in the width direction of a flexible insulating film base 11.例文帳に追加

ランド部（１２ａ）及びリードパターン本体（１２ｂ）からなるリードパターン（１２）が可撓性絶縁フィルムベース（１１）の幅方向に各々所定間隔おいて複数本配列されてなるフレキシブル配線基板において、リードパターン（１２）の更なる狭ピッチ化を図る。 - 特許庁

A thick pattern 6 having a thick rugged part traversing the palm, having a slightly broad lateral row width and made of densely knit stiff cotton yarn and a coarse thick part having a lace-like appearance is formed at the upper part of the palm.例文帳に追加

手の平の上部に横に一列の幅が少し広目の手の平を横断する硬目の綿糸を硬目に編んだ厚く凹凸部とザラつきのある見た目にはレース生地の厚い部分のように見える厚い模様６を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Dummy patterns 4 with areas at least similar to or smaller than a pad area and wider than a wiring width are formed at predetermined intervals in the middle in the direction of drawing out a wiring pattern 3 which is drawn through a space formed between pads 2.例文帳に追加

パッド２間に形成されるスペースを利用して引き出される配線パターン３の引き出し方向の中途部に、少なくともパッド面積と同等若しくはそれ以下で配線幅より拡幅したダミーパターン４が所定間隔ごとに形成されている。 - 特許庁

To provide a light proximity effect correcting device for a semiconductor production process, capable of performing the sufficient light proximity effect correction even under various conditions in the size and shape of a design pattern and the space width and positioning relationship between the design patterns.例文帳に追加

設計パターンの大きさ・形状や、設計パターン同士のスペース幅や位置関係が多様な状況下においても、十分な光近接効果補正を行うことのできる、半導体製造プロセスの光近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

In the inspection method, when a defect where the measured width is larger than the size of a pixel is not detected, the blightness level of the circuit pattern or the spatial component is analyzed, more in detail, to detect a defect corresponding to an open circuit, a short circuit or a remaining copper foil.例文帳に追加

本発明の検査方法は、画素単位で映像データを獲得し、回路パターン又は空間成分の幅を測定する方向と垂直方向に測定して、測定された幅が基準幅より大きな場合の不良であると、ショートと検出する。 - 特許庁

Second etching treatment is then performed using a second mask pattern 12 for the etching removal of a wide face with an outline 13 in a position away from the structure side face 20 farther from the width of the groove 10.例文帳に追加

次いで前記第１のエッチング処理により形成される溝１０の幅より構造体側面２０から離れた位置に輪郭１３を備えた広い面をエッチング除去するための第２マスクパターン１２を用いて第２のエッチング処理を行う。 - 特許庁