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pattern widthの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1835件



例文

The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.例文帳に追加

SiとOとを含み、Siに対するOの原子比xが0<x<2で表され、CuKα線を用いたX線回折パターンにおいて、Si(220)面回折ピークの半値幅をBとするとき、B<3°(2θ)である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To clearly form a cut-off line and secure the sufficient amount of light in the vicinity of the cut-off line for enhancing the distant visibility, in a vehicle headlight that carries out low-beam irradiation in a light-distribution pattern having a prescribed cut-off line, even if the right-to-left width of its reflector is small.例文帳に追加

所定のカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行う車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの左右幅が小さい場合であってもカットオフラインを明瞭に形成するとともにカットオフライン近傍部分の光量を十分に確保して遠方視認性を高める。 - 特許庁

The transparent electromagnetic wave shield member employs the mesh conductive pattern with dimensions within a range of 5 to 30μm in the line width, 0.5 to 5.0μm in the average film thickness, and 72 to 95% in the aperture rate, and has an electromagnetic wave shield effect of 40 dB or over against electromagnetic waves with 10 to 200MHz or over.例文帳に追加

網目状の導電性パターンが、線幅5〜30μm、平均膜厚0.5〜5.0μm、開口率72〜95%の範囲内にあり、10〜200MHzの電磁波に対して40dB以上の電磁波シールド効果を有する透光性電磁波シールド部材。 - 特許庁

To provide a defect inspection method discovering early a VA pattern formation defective substrate by detecting a partial VA deficiency of VA having a line width of 5-10 μm, and improving a line production efficiency, and also to provide a defect inspection device to which the defect inspection method is adapted.例文帳に追加

線幅5μm〜10μmのVAの、部分VA欠損を検出することで、VAパターン形成不良基板を早期に発見し、ラインの生産効率を向上させることが可能な欠陥検査方法、および、この欠陥検査方法を適応した欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

例文

A signal processing part 30 detects a combination pattern of the width and length of the flaw in a flaw candidate region, the density peak value of the flaw part with respect to polarized lights different in angle and the polarity of a density integrated value based on a normal part as characteristic quantity to judge the kind of a flaw.例文帳に追加

信号処理部30は疵候補領域における疵の幅と長さ及び異なる角度の偏光についての疵部の濃度ピーク値並びに正常部を基準にした濃度積算値の極性の組み合わせパターンを特徴量として検出して疵の種類を判定する。 - 特許庁


例文

The frame synchronous detecting circuit composed of a frame synchronous pattern detecting circuit 41, a reception-side frame counter 42, and a state transition decision circuit 43 is provided with an in-device phase frame counter 51, and generates a receive frame enable signal 52 having a pulse width of '2δ+α' (nsec) around in-device FP 54.例文帳に追加

フレーム同期パタン検出回路41、受信側フレームカウンタ42および状態遷移判定回路43からなるフレーム同期検出回路に、装置内位相フレームカウンタ51を設け、装置内FP54を中心に“2δ+α”[nsec]のパルス幅の受信フレームイネーブル信号52を生成させる。 - 特許庁

In producing a structure 19 of rectangular cross section by dry-etching a region with a wide etching width, first etching treatment is performed using a first mask pattern 1 for forming a fine groove 10 with an outline coinciding with the side face 20 of the structure 19.例文帳に追加

広いエッチング幅を持つ領域をドライエッチングして断面矩形の構造体19を作製するに際して、最初に前記構造体19の側面20に一致する輪郭を備えている細い溝10を形成するための第1マスクパターン1を用いて第1のエッチング処理を行う。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を2回行うことで解決できる - 特許庁

To provide a headlight for a vehicle arranged so that a low beam projection is conducted with a light distribution pattern having a horizontal and an oblique cutoff line, capable of heightening a long-range visibility by securing the photo-quantity of a hot zone sufficiently even in the case the vertical width of its reflector is small.例文帳に追加

水平および斜めカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行うように構成された車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの上下幅が小さい場合であってもホットゾーンの光量を十分に確保して自車線側の遠方視認性を高める。 - 特許庁

例文

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

P型半導体基板1上に、ゲート酸化膜4及びゲート電極膜5を形成後、ゲート電極5aよりもパターン幅を拡げて形成された第1マスク手段6aをマスクとして、高濃度のN型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域7を形成する。 - 特許庁

例文

The mask pattern 10 is divided into two areas: a center area extended along the center line; and a peripheral area 12 with a constant width W surrounding the center area.例文帳に追加

マスクパターン10は、その中心線上に伸びる中央領域と、この中央領域の周囲を一定の幅Wで取り囲む周辺領域12との二つの領域に分割され、中央領域は更に、中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形の複数の単位領域11に分割される。 - 特許庁

The size of a crystallite measured by a Hall method from the integration width of each diffraction peak acquired from an X-ray diffraction pattern is larger than 600 Å and less than 800 Å in the cathode active substance for the lithium secondary battery.例文帳に追加

前記正極活物質において、X線回折パタ−ンから得られる各回折ピ−クの積分幅からHall法によって測定した結晶子の大きさが600Åより大きく、800Å未満であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質である。 - 特許庁

To provide a pachinko game machine capable of allowing a player to enjoy a game more by preparing a plurality of lighting modes of an LED with respect to at least one first fluctuation pattern signal and controlling the LED in any of the lighting mode so as to expand the width of the performance of the game.例文帳に追加

少なくとも、一つの第1変動パターン信号に対してLEDの点灯態様を複数用意し、いずれか一つの点灯態様でLEDを制御させて、遊技の演出の幅を広げることにより、遊技者の興趣を高めることができるパチンコ機を提供すること。 - 特許庁

In a method for manufacturing the tuning fork type quartz oscillator using the photolithography technique, etching pattern width of a crystal orientation side that causes etching residue of a tuning fork branch part of the tuning fork type quartz oscillator is uniformly set to perform etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた音叉型水晶振動子の製造方法において、音叉型水晶振動子の音叉枝部のエッチング残りを生じる結晶方位側のエッチングパターン幅を均一に設定しエッチングする事を特徴とする音叉型水晶振動子の製造方法とする。 - 特許庁

A photomask 1 comprises a pillar mask base substance 2 made of materials passing exposure light and with at least the circumference partially built in a form of circular arc and a fine pattern 3 whose opening width smaller than the wavelength of the exposure light produced at the circular arc of the circumference of the mask substrate 2.例文帳に追加

フォトマスク1は、露光光を透過する材料で形成されて少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体2と、マスク基体2の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターン3とを具備する。 - 特許庁

The optical proximity effect related to width is corrected by parallelly sliding a first outline 12 forming a corner 13 to the outside and parallelly sliding a second outline 11 forming the corner 13 to the inside in a layout pattern 10 in the design stage of the inside of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターン10において、角13を形成する第1の外郭線12を外側に平行にスライドさせ、かつ角13を形成する第2の外郭線11を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an inversion structure, with which belt width variation in inversion regions is suppressed even when an angle between a longitudinal direction of the inversion region and the y-axis direction gets large, in a periodically polarization inversion structure comprising the inversion regions with a fan out shape or the like arranged in a radial pattern.例文帳に追加

ファンアウト形状のような反転領域が放射状に配置される周期的分極反転構造において、該反転領域の長手方向とY軸方向とのなす角度が大きくなっても、該領域の帯幅の変化を抑制し得る、反転構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁

With the pattern of the oxide film as a mask, the exposed section of the face (100) of the silicon substrate 41 is etched through liquid-phase etching to form an inverted trapezoid groove 42, which has an inclination of 54.74° with respect to the face (100) of the silicon substrate 41 and having the same width as that of a semiconductor laser element 5.例文帳に追加

酸化膜のパターンをマスクにして液相エッチングによりシリコン基板の(100)面の露出部をエッチングして、シリコン基板41の(100)面に対して角度が54.74度傾いた傾斜面を有し、半導体レーザ素子5の幅と一致する逆台形状の溝42を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter by which a pixel pattern of a color filter can be formed with high definition, in particular, a black image can be efficiently formed with extremely little variance of the line width by improving exposure performance without causing an increase in the cost of an apparatus or decrease in an exposure speed.例文帳に追加

装置のコストアップや、露光速度の低下を招くことなく、露光性能を向上させることにより、カラーフィルタの画素パターンを高精細に、特にブラック画像の線幅ばらつきを極めて少なく、かつ効率よく形成可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tire regeneration method using a precured tread capable of sufficiently and smoothly discharge the whole of the air in pattern grooves to the outside of an envelope even in a case that the precured tread laminated to the periphery of a base tire has grooves extending in its width direction on its surface.例文帳に追加

台タイヤの周りに貼り合わせたプレキュアトレッドがその表面に、それの幅方向に延びる溝を有している場合であっても、パターン溝内の空気の全てを十分に、かつ円滑にエンベロップの外側に排出することができる、プレキュアトレッドを用いたタイヤの更生方法を提供する。 - 特許庁

In a region directly above the gate electrode 1 lying between first layer metals (1AL) 4 and 5, a metal dummy pattern 6 having width W (<L) in the first direction D1 is arranged while extending in the second direction D2 orthogonal to the longitudinal direction of the gate (current flow direction).例文帳に追加

第1層メタル(1AL)4,5で挟まれたゲート電極1の直上方領域に、第1方向D1に関する幅W(<L)を有し且つゲート長方向(電流の流れる方向)に直交する第2方向D2に延在するメタルダミーパターン6が、配設されている。 - 特許庁

To improve an yield and productivity in a display device of a large screen and high precision, which requires an expensive bus flexible film for mounting COG, by lowering the resistance value of specific wiring so as to avoid requiring of the film and so as to dispense with increasing of the film thickness and pattern width of a wiring path.例文帳に追加

大画面・高精細の表示装置ではCOG実装時に高価なバスフレキフィルムが必要であるが特定の配線の抵抗値を下げることができれば回避可能であり、配線路の膜厚やパターン幅を増大する必要性も無くなり、歩留と生産性が向上する。 - 特許庁

Since the irradiation of the observation object with the deep ultraviolet light is stopped when the line width of the pattern provided at the prescribed position of the observation object attains the limiting value, the observation object is prevented from being damaged equal to or above the limiting value.例文帳に追加

本発明によれば、観察対象の所定の位置に設けられたパターンの線幅が所定の制限値に達した場合に、観察対象への深紫外光の照射を停止するので、観察対象が制限値以上に損傷を受けることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a chemically amplifying resist having excellent sensitivity even at a low PEB (post exposure baking) temperature, highly balanced lithographic performances such as LWR (line width roughness) and DOF (depth of focus), and sufficient etching durability, and to provide a pattern forming method, a polymer and a compound of the composition.例文帳に追加

PEB温度が低温であっても、感度等に優れ、LWR、DOF等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element in which a luminous pattern of fine line width can be formed in any shape, and improvement of manufacturing efficiency and reduction of manufacturing cost can be made by forming easily a layer of uniform thickness, and a manufacturing method of the organic electroluminescence element.例文帳に追加

微細な線幅の発光パターンを任意の形状に形成可能であり、しかも層厚が均一な層を容易に形成して生産効率の向上や、製造コストの低減が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a masking tape suitably usable for masking the non-plated portions in making a plating treatment of a lead frame metallic plate or the like mounted on an electronic part, having both high elastic modulus and dimensional accuracy of the substrate layer and presenting high application accuracy even with narrow wiring pattern width.例文帳に追加

電子部品に設けられているリードフレーム金属板等をメッキ処理する際の非メッキ部分のマスキング用として好適に用いることのできる、基材層の弾性率、寸法精度が高く、配線パターンの幅が狭くとも貼り付け精度に優れるマスキングテープを提供する。 - 特許庁

The diffraction optical element 201 has a relief pattern formed on a surface of thereof, wherein a fine periodic structure 203 having a pitch shorter than the minimum wavelength of working wavelengths is formed on the relief pattern 202, and by changing parameters such as pitch, width and height (or depth) of the fine periodic structure 203, the wavelength dependency of effective refractive index in the fine periodic structure 203 is adjusted.例文帳に追加

本発明は、表面にレリーフパターンが形成されている回折光学素子201において、前記レリーフパターン202上に、使用する波長の最小波長よりも短いピッチを有する微細周期構造203を形成し、該微細周期構造203のピッチ、幅、高さ(または深さ)などのパラメータを変えることにより微細周期構造203における有効屈折率の波長依存性を調整する。 - 特許庁

A center decoration 12 comprises an opening 11 for exposing a pattern display device 6, a performance operation device 39 arranged on one side in a left-to-right width direction of the opening 11 for moving a performance member 43 onto a game ball stage S, and a transparent panel 31 for shielding the front part of the opening 11 and the performance member 43.例文帳に追加

センター飾り12は、図柄表示装置6を露出させる開口11と、開口11の左右幅方向の一側に配置されて演出部材43を遊技球ステージS上に移動させる演出作動装置39と、開口11及び演出部材43の前方を遮蔽する透明パネル31とを備える。 - 特許庁

To prevent the position of a via contact from deviating with repeat to metal wiring, even if deviation of alignment occurs in a mask pattern for forming a via hole in the case of designing the wiring width of the metal wiring and the diameter of the via hole which is connected with the upper surface of that metal wiring into the same dimension.例文帳に追加

金属配線の配線幅と、該金属配線の上面と接続されるビアホールの径とが同一寸法に設計される半導体装置の製造方法において、ビアホールを形成するためのマスクパターンにアライメントずれが発生しても、ビアコンタクトが金属配線に対して位置ずれしないようにする。 - 特許庁

The color filter substrate 100 is fabricated by forming the black matrix 21a on the transparent substrate 11 by using the exposure mask having a corrected pattern width of the black matrix adjacent to a specified position, and further by forming coloring color filter layers 30 composed of a red color filter 31R, a green color filter 31G, and a blue color filter 31B.例文帳に追加

特定部位に隣接するブラックマトリクスのパターン幅を補正した露光マスクを用いて透明基板11上にブラックマトリクス21aを形成し、さらに赤色カラーフィルタ31R、緑色カラーフィルタ31G及び緑色カラーフィルタ31Bからなる着色カラーフィルタ層30を形成してカラーフィルタ基板100を作製する。 - 特許庁

Each FPC 4a-4c is composed of an insulating film 3, a copper foil 2 being laminated in specified width and thickness, for example, based on the current value of an applied current, into the so-called flat pattern roughly all over the one side of the insulating film 3, connector terminals 7 and 9 welded to the copper foils 2, and a cover lay film 8.例文帳に追加

各FPC4a〜4dは、絶縁フィルム3と、例えば通電する電流の電流値に基づき所定の幅及び厚さで絶縁フィルム3の一方の面のほぼ全面に、いわゆるベタパターンでラミネートされた銅箔2と、銅箔2に溶接により接続された接続端子7,9と、カバーレイフィルム8とから構成される。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a pressing plate 42 for pressing the body to be exposed, an image recognition part 54 for observing a first alignment mark formed on the body to be exposed and a second alignment mark formed on the circuit pattern mask, and a first moving part 43 for simultaneously moving the pressing plate and the image recognition part in the prescribed width direction of the body to be exposed.例文帳に追加

被露光体を押さえる押さえ板42と、被露光体に形成された第1アライメントマークと回路パターンマスクに形成された第2アライメントマークとを観察するための画像認識部54と、押さえ板と画像認識部とを被露光体の所定幅方向に同時に移動させる第1移動部43とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing system for improving the manufacturing yield of a semiconductor by drastically making uniform the thickness distribution of a photoresist film on a wafer, for reducing the deviation of the line width of a pattern, and efficiently suppressing the contamination of the wafer in a housing by dust or the like.例文帳に追加

ウェハ上のフォトレジスト膜の厚さ分布が格段に均一になってパターンの線幅の偏差が減少し、しかも塵埃等によるハウジング内におけるウェハの汚染を効率よく抑制することによって、半導体の製造収率を向上させることができる半導体ウェハプロセッシングシステムを提供すること。 - 特許庁

InGaAs is selectively etched by wet etching using phosphoric acid and hydrogen peroxide in aqueous solution to pattern an n-InGaAs layer 102 to form a source contact layer (a first semiconductor layer) 112, and a side part of a channel layer 114 is etched to form a channel layer 114a whose width is narrowed.例文帳に追加

リン酸および過酸化水素水を用いたウェットエッチングにより選択的にInGaAsをエッチングすることで、n−InGaAs層102をパターニングしてソースコンタクト層(第1半導体層)112を形成するとともに、チャネル層114の側部をエッチングして幅が狭くされたチャネル層114aを形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition that can be preferably used in an ultra-micro lithography process such as manufacture of an ultra LSI and a high-capacity microchip and the other photo-fabrication and is superior in line width roughness, and further in resolution and defocusing latitude in contact hole pattern formation and superior in exposure margin.例文帳に追加

超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

The pattern width (L1) of a formed reference patch and a detection time (A) when reading the reference patch when assuming that an LED head 40 and a joint default position completely coincide with each other, are compared to specify the amount of discrepancy in a main scanning direction of one LED head 40 and an image position detector 64.例文帳に追加

形成した基準パッチのパターン幅(L1)と、LEDヘッド40とつなぎ目デフォルト位置とが完全に一致していると仮定した場合に基準パッチを読取ったときの検出時間(A)と、を比較して、一つのLEDヘッド40と画像位置検出器64との主走査方向のずれ量を特定する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method.例文帳に追加

本発明は、高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 - 特許庁

To provide a simply structured substrate exposure apparatus capable of reducing variations in a gap between a substrate to be exposed and a photomask, at a proximity exposure without having to prepare special peripheral equipment for correcting the deflection, thereby attaining reduction in the variations in the line width and the film thickness of a pattern formed on the substrate to be exposed.例文帳に追加

構造が単純であり、撓み補正に特別な周辺機材を準備することなく、被露光基板とフォトマスクとの近接露光時のギャップのバラツキを低減させ、それにより被露光基板に形成されるパターンの線幅、膜厚バラツキの低減を図ることを可能とする基板露光装置を提供する。 - 特許庁

In the color image forming apparatus, the toner image of each color pattern for determination is configured such that the toner images of a plurality of thin-width patterns, whose dimensions in a sub-scanning direction are smaller than a diameter of a spot of light radiated from an optical sensor, are arranged along the sub-scanning direction at intervals smaller than the diameter of the spot.例文帳に追加

カラー画像形成装置において、各色の判定用パターンのトナー画像は光センサから照射された光のスポットの径よりも副走査方向の寸法が小さい複数の細幅パターンのトナー画像を、上記スポットの径よりも小さい間隔で副走査方向に沿って並べた構成を有する。 - 特許庁

A distance X between the light shielding patterns 4 is set to 0<X≤a×L2/(L2+L1) or 0<X≤a×L2/(L2-L1) on the basis of thickness L1 of a transparent layer 6 that is a distance between the parallactic image 3 and the light shielding pattern 4, an observation distance L2 and pixel width (a) of the parallactic image 3.例文帳に追加

また、視差画像3と遮光パターン4との間の距離となる透明層6の厚さL1及び観察距離L2並びに視差画像3の画素幅aに基づいて、遮光パターン4のパターン間距離Xが0<X≦a・L2/(L2+L1)又は0<X≦a・L2/(L2−L1)に設定されている。 - 特許庁

A distance X between the light shielding patterns 4 is set to 0<X≤a×L2/(L2+L1) or 0<X≤a×L3/(L3-L1) on the basis of thickness L1 of the transparent medium 2 that is a distance between the parallactic image 3 and the light shielding pattern 4, an observation distance L2 and image width (a) of the parallactic image 3.例文帳に追加

また、視差画像3と遮光パターン4との間の距離となる透明媒体2の厚さL1及び観察距離L2並びに視差画像3の画像幅aに基づいて、遮光パターン4のパターン間距離Xが0<X≦a・L2/(L2+L1)又は0<X≦a・L3/(L3−L1)に設定されている。 - 特許庁

If the focus plane is not present within the focus tolerance ΔF, factors such as a line width, a line figure and a space between lines are corrected in a portion of a design pattern corresponding to the specified portion and in a portion where the focus plane is out of the focus tolerance ΔF, so as to increase the focus tolerance ΔF.例文帳に追加

フォーカス面がフォーカス裕度ΔF内に入っていなかった場合には、フォーカス裕度ΔFが増加するように、設計パターンのうち特定部分に対応する部分であって、かつフォーカス面がフォーカス裕度ΔF内に入らなかった部分の配線幅や、配線形状、配線間のスペースなどを修正する。 - 特許庁

To provide: a magnetic tape capable of precisely rerecording and reproducing data; a servo pattern recording apparatus for the magnetic tape; a magnetic tape apparatus capable of detecting deformation (expansion/contraction in width and longitudinal directions) information of the magnetic tape and tilt information of the magnetic tape; a method of producing the magnetic tape; and a method of recording data on the magnetic tape.例文帳に追加

正確にデータを記録、再生することが可能な磁気テープ、該磁気テープのサーボパターン記録装置、及び該磁気テープの変形(幅と長手方向の伸縮)情報や磁気テープの傾き情報を検出することを可能とする磁気テープ装置、該磁気テープの製造方法及び該磁気テープにデータを記録する方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a circuit pattern on the surface of the circuit board by removing the unnecessary part of a metallic thin film formed on the surface of the board with the pulsed laser beam and plating the metallic thin film, the unnecessary part of the metallic thin film is removed by changing the pulse width of the pulsed laser beam in accordance with the scanning speed of the laser beam.例文帳に追加

基板表面に形成した金属薄膜の不要部分をパルス状レーザで除去し、この後、金属薄膜上にめっきを施して回路パターンを作成するにあたり、パルス状レーザの走査速度に応じて該パルス状レーザのパルス幅を変化させて金属薄膜の不要部分の除去を行う。 - 特許庁

To supply a construction method in which laminating-bonding is easily performed even a circuit board having a high-density and fine wiring pattern, and a build-up circuit board, by resolving connection failure caused by dimensional position accuracy generated by connection between circuit boards in the case of building up, even when a wiring width is narrow and wiring density increases on a substrate.例文帳に追加

配線幅が細くなり、基板上の配線密度がアップしても、ビルドアップの際の回路基板間の接続で発生する寸法位置精度から生じる接続不良を解消し、高密度微細な配線パターンを持つ回路基板でも容易に積層貼りあわせが可能である工法とビルドアップ回路基板を供給する。 - 特許庁

The adhesive sheet 10 for pattern transfer includes a substrate 11 and an adhesive layer 12 laminated on one surface side of the substrate, in which the substrate has a peeling processing layer 11a composed of a projection section having a height of 5-200 μm and a width of 10-1,000 μm on the other surface side.例文帳に追加

基材11と、該基材の一面側に積層された粘着剤層12とを備えたパターン転写用粘着シート10であって、前記基材は、他面側表面に高さ5〜200μm及び幅10〜1000μmの凸部による剥離処理層11aを有することを特徴とするパターン転写用粘着シート。 - 特許庁

The image forming apparatus equipped with a developing device 4 for developing an electrostatic latent image formed on an image carrier 1 to a sensible image by a two-component toner is equipped with a control means 11 which creates a force consumption pattern over the entire width of the image carrier during exchanging of a toner bottle due to a toner end and executes the control to perform toner recovery operation.例文帳に追加

像担持体1上に形成される静電潜像を二成分トナーにより顕像化する現像装置4を備えた画像形成装置において、トナーエンドによるトナーボトル交換時に像担持体全幅に強制消費パターンを作成し、トナーリカバリ動作を行う制御を実行する制御手段11を備えた。 - 特許庁

This pneumatic tire having an annular rib continuing in the tire circumferential direction in the outer surface of a sidewall part is characterized in that the annular rib is formed by continuously disposing two types or more pattern units in which, at least, one of the tire-radial width or a radial position is different, in the tire circumferential direction.例文帳に追加

サイドウォール部の外表面にタイヤ周方向に連続する環状リブを設けた空気入りタイヤであって、該環状リブは、タイヤ半径方向の幅、または半径方向の位置の少なくとも1つが異なる2種以上の模様単位を、タイヤ周方向に連続して配置することにより形成したことを特徴とする。 - 特許庁

Instead of the control method for performing an ineffective conversion of the power factor to output a pulse signal of the generator output voltage proportional to the deviation, a pulse according to the pulse width pattern decided by the power factor deviation can be output as a control signal of the generator output voltage, to make the power factor variation in the generator nearly constant.例文帳に追加

力率を無効電力換算しその偏差に比例した発電機出力電圧のパルス信号を出す制御方法ではなく、力率偏差によって、決められたパルス幅パターンによるパルスを発電機出力電圧の制御信号として出すことにより、力率の変化量をほぼ一定に出来る。 - 特許庁

例文

Thus the wings 10b are opened by doing the opening movement of the wings 10b while the Robochan being the character is fostering the pattern fluctuation, consequently it is possible to provide the pachinko game machine widening the width of game amusement and enhancing the amusement by combining the two functions such that one game influences the other game.例文帳に追加

これにより、キャラクタであるロボちゃんが図柄変動を盛り上げつつ、羽根10bの開放動作を行いことで羽根10bが開放し、以って、2つの機能を融合させ、一方の遊技が他方の遊技に影響を与えることで遊技性の幅を広げ興趣を増したパチンコ遊技機を提供することができる。 - 特許庁




  
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