「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation sensitive resin composition prevented from occurrence of change of the line width of a resist pattern by PED and that of T forms and that of stationary waves even on a substrate high in reflectance and high in resolution and useful as a chemically sensitizable resist.例文帳に追加

ＰＥＤによりレジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、反射率の高い基板上でも定在波を発生することがなく、解像性能に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist polymer capable of obtaining a resist composition which excels in a pattern shape, resistance to dry etching, line width stability against the change in heating temperature after exposure and the like and has sufficient sensitivity and an excellent image resolving degree, and a resist monomer for obtaining the polymer.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、露光後の加熱温度の変化に対する線幅安定性等に優れ、十分な感度を有し、解像度にも優れるレジスト組成物を得ることができるレジスト用重合体、および該重合体を得るためのレジスト用単量体を提供する。 - 特許庁

A coating layer of a coating sheet, which has the almost same width as that of a collector and an opening part having an optional pattern, is formed on the collector of a longitudinal metal foil, and the active material layer is applied to the entire surface on the collector a part of which is coated with the coating layer.例文帳に追加

長尺状の金属箔からなる集電体上に、前記集電体と略同一幅を有し、任意のパターンの開口部を有する被覆シートよりなる被覆層を形成し、該被覆層によって一部が被覆された前記集電体上全面に、活物質層を塗設する。 - 特許庁

To solve the problem that word line and data line ends are short-circuited or broken at boundary parts between a memory array and a sub-word driver or a sense amplifier due to interference of diffracted light generated at a pattern end part when a fine word line and a data line having a line width less than a wavelength are patterned in a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決する。 - 特許庁

Furthermore, because the center rib 18 in the center side in the width direction of a tread 12 and the shoulder blocks 34 in the shoulder side are point-symmetrical on the right and left of the tire equatorial plane CL, the pattern of the total tread becomes generally point-symmetrical, and therefore the difference between the right and left in performance can be inhibited.例文帳に追加

また、トレッド１２の幅方向中央側のセンターリブ１８、及びショルダー側のショルダーブロック３４は、タイヤ赤道面ＣＬの左右で各々点対称の関係としているので、トレッド全体としては略点対称のパターンとなるため、左右の性能差を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition, which ensures improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device and has an effect of improving the margin for exposure (particularly a margin for exposure of isolated lines), that is, ensures small changes in the line width of isolated lines when light exposure is varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に露光マージン（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The size of a crystallite measured by a Hall method from the integration width of each diffraction peak acquired from an X-ray diffraction pattern is larger than 600 Å and less than 800 Å in the cathode active substance for the lithium secondary battery.例文帳に追加

前記正極活物質において、Ｘ線回折パタ−ンから得られる各回折ピ−クの積分幅からＨａｌｌ法によって測定した結晶子の大きさが600Åより大きく、800Å未満であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質である。 - 特許庁

The optical proximity effect related to width is corrected by parallelly sliding a first outline 12 forming a corner 13 to the outside and parallelly sliding a second outline 11 forming the corner 13 to the inside in a layout pattern 10 in the design stage of the inside of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターン１０において、角１３を形成する第１の外郭線１２を外側に平行にスライドさせ、かつ角１３を形成する第２の外郭線１１を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正する。 - 特許庁

To provide a pachinko game machine capable of allowing a player to enjoy a game more by preparing a plurality of lighting modes of an LED with respect to at least one first fluctuation pattern signal and controlling the LED in any of the lighting mode so as to expand the width of the performance of the game.例文帳に追加

少なくとも、一つの第１変動パターン信号に対してＬＥＤの点灯態様を複数用意し、いずれか一つの点灯態様でＬＥＤを制御させて、遊技の演出の幅を広げることにより、遊技者の興趣を高めることができるパチンコ機を提供すること。 - 特許庁

In a method for manufacturing the tuning fork type quartz oscillator using the photolithography technique, etching pattern width of a crystal orientation side that causes etching residue of a tuning fork branch part of the tuning fork type quartz oscillator is uniformly set to perform etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた音叉型水晶振動子の製造方法において、音叉型水晶振動子の音叉枝部のエッチング残りを生じる結晶方位側のエッチングパターン幅を均一に設定しエッチングする事を特徴とする音叉型水晶振動子の製造方法とする。 - 特許庁

A photomask 1 comprises a pillar mask base substance 2 made of materials passing exposure light and with at least the circumference partially built in a form of circular arc and a fine pattern 3 whose opening width smaller than the wavelength of the exposure light produced at the circular arc of the circumference of the mask substrate 2.例文帳に追加

フォトマスク１は、露光光を透過する材料で形成されて少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体２と、マスク基体２の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターン３とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an inversion structure, with which belt width variation in inversion regions is suppressed even when an angle between a longitudinal direction of the inversion region and the y-axis direction gets large, in a periodically polarization inversion structure comprising the inversion regions with a fan out shape or the like arranged in a radial pattern.例文帳に追加

ファンアウト形状のような反転領域が放射状に配置される周期的分極反転構造において、該反転領域の長手方向とＹ軸方向とのなす角度が大きくなっても、該領域の帯幅の変化を抑制し得る、反転構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁

With the pattern of the oxide film as a mask, the exposed section of the face (100) of the silicon substrate 41 is etched through liquid-phase etching to form an inverted trapezoid groove 42, which has an inclination of 54.74° with respect to the face (100) of the silicon substrate 41 and having the same width as that of a semiconductor laser element 5.例文帳に追加

酸化膜のパターンをマスクにして液相エッチングによりシリコン基板の（１００）面の露出部をエッチングして、シリコン基板４１の（１００）面に対して角度が５４．７４度傾いた傾斜面を有し、半導体レーザ素子５の幅と一致する逆台形状の溝４２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter by which a pixel pattern of a color filter can be formed with high definition, in particular, a black image can be efficiently formed with extremely little variance of the line width by improving exposure performance without causing an increase in the cost of an apparatus or decrease in an exposure speed.例文帳に追加

装置のコストアップや、露光速度の低下を招くことなく、露光性能を向上させることにより、カラーフィルタの画素パターンを高精細に、特にブラック画像の線幅ばらつきを極めて少なく、かつ効率よく形成可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tire regeneration method using a precured tread capable of sufficiently and smoothly discharge the whole of the air in pattern grooves to the outside of an envelope even in a case that the precured tread laminated to the periphery of a base tire has grooves extending in its width direction on its surface.例文帳に追加

台タイヤの周りに貼り合わせたプレキュアトレッドがその表面に、それの幅方向に延びる溝を有している場合であっても、パターン溝内の空気の全てを十分に、かつ円滑にエンベロップの外側に排出することができる、プレキュアトレッドを用いたタイヤの更生方法を提供する。 - 特許庁

In a region directly above the gate electrode 1 lying between first layer metals (1AL) 4 and 5, a metal dummy pattern 6 having width W (<L) in the first direction D1 is arranged while extending in the second direction D2 orthogonal to the longitudinal direction of the gate (current flow direction).例文帳に追加

第１層メタル（１ＡＬ）４，５で挟まれたゲート電極１の直上方領域に、第１方向Ｄ１に関する幅Ｗ（＜Ｌ）を有し且つゲート長方向（電流の流れる方向）に直交する第２方向Ｄ２に延在するメタルダミーパターン６が、配設されている。 - 特許庁

To improve an yield and productivity in a display device of a large screen and high precision, which requires an expensive bus flexible film for mounting COG, by lowering the resistance value of specific wiring so as to avoid requiring of the film and so as to dispense with increasing of the film thickness and pattern width of a wiring path.例文帳に追加

大画面・高精細の表示装置ではＣＯＧ実装時に高価なバスフレキフィルムが必要であるが特定の配線の抵抗値を下げることができれば回避可能であり、配線路の膜厚やパターン幅を増大する必要性も無くなり、歩留と生産性が向上する。 - 特許庁

Since the irradiation of the observation object with the deep ultraviolet light is stopped when the line width of the pattern provided at the prescribed position of the observation object attains the limiting value, the observation object is prevented from being damaged equal to or above the limiting value.例文帳に追加

本発明によれば、観察対象の所定の位置に設けられたパターンの線幅が所定の制限値に達した場合に、観察対象への深紫外光の照射を停止するので、観察対象が制限値以上に損傷を受けることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a chemically amplifying resist having excellent sensitivity even at a low PEB (post exposure baking) temperature, highly balanced lithographic performances such as LWR (line width roughness) and DOF (depth of focus), and sufficient etching durability, and to provide a pattern forming method, a polymer and a compound of the composition.例文帳に追加

ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element in which a luminous pattern of fine line width can be formed in any shape, and improvement of manufacturing efficiency and reduction of manufacturing cost can be made by forming easily a layer of uniform thickness, and a manufacturing method of the organic electroluminescence element.例文帳に追加

微細な線幅の発光パターンを任意の形状に形成可能であり、しかも層厚が均一な層を容易に形成して生産効率の向上や、製造コストの低減が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a masking tape suitably usable for masking the non-plated portions in making a plating treatment of a lead frame metallic plate or the like mounted on an electronic part, having both high elastic modulus and dimensional accuracy of the substrate layer and presenting high application accuracy even with narrow wiring pattern width.例文帳に追加

電子部品に設けられているリードフレーム金属板等をメッキ処理する際の非メッキ部分のマスキング用として好適に用いることのできる、基材層の弾性率、寸法精度が高く、配線パターンの幅が狭くとも貼り付け精度に優れるマスキングテープを提供する。 - 特許庁

The diffraction optical element 201 has a relief pattern formed on a surface of thereof, wherein a fine periodic structure 203 having a pitch shorter than the minimum wavelength of working wavelengths is formed on the relief pattern 202, and by changing parameters such as pitch, width and height (or depth) of the fine periodic structure 203, the wavelength dependency of effective refractive index in the fine periodic structure 203 is adjusted.例文帳に追加

本発明は、表面にレリーフパターンが形成されている回折光学素子２０１において、前記レリーフパターン２０２上に、使用する波長の最小波長よりも短いピッチを有する微細周期構造２０３を形成し、該微細周期構造２０３のピッチ、幅、高さ（または深さ）などのパラメータを変えることにより微細周期構造２０３における有効屈折率の波長依存性を調整する。 - 特許庁

In the tape inspection device for inspecting the pattern 21 formed on the tape surface by the scanning of a line sensor 11, the line sensor 11 is disposed along the longitudinal direction of a tape 1, and a sensor driving means for driving and sensing the line sensor 11 in the width direction of the tape is provided.例文帳に追加

本発明のテープの検査装置は、テープ面に付されたパターン２１を、ラインセンサー１１で走査して検査するテープの検査装置において、前記ラインセンサー１１を、テープ１の長さ方向に沿って配置するとともに、前記ラインセンサー１１をテープの幅方向に駆動走査するセンサー駆動手段を備えたものである。 - 特許庁

The resin layer 4 of the resin sheet 3 with the metal foil overlaps with a surface of the flexible substrate 1 where the conductive pattern 2 is provided thereon such that the flexible substrate 1 protrudes from both ends of at least of the length and the width of the resin layer 4 of the resin sheet 3 with the metal foil.例文帳に追加

前記金属箔付き樹脂シート３の前記樹脂層４の少なくとも縦及び横のいずれかの両端から前記フレキシブル基板１がはみ出すように、前記フレキシブル基板１の前記導体パターン２が設けられた面に前記金属箔付き樹脂シート３の前記樹脂層４を重ねて積層する。 - 特許庁

With respect to the tape recording medium 1 on which the servo signals are recorded, the recorded servo signals are erased by overwriting by the erasing head 5 at predetermined timing, and a servo pattern 7 left to be erased in an oblique direction is formed in the width direction of the tape recording medium 1.例文帳に追加

サーボ信号の記録されたテープ状記録媒体１に対し、消去ヘッド５によって所定のタイミングでオーバーライトしながら記録サーボ信号を消去するとともに、消残しタイミング間隔を形成することにより、テープ状記録媒体１の幅方向に対して斜め方向に消し残されたサーボパターン７を形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition that can be preferably used in an ultra-micro lithography process such as manufacture of an ultra LSI and a high-capacity microchip and the other photo-fabrication and is superior in line width roughness, and further in resolution and defocusing latitude in contact hole pattern formation and superior in exposure margin.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

A center decoration 12 comprises an opening 11 for exposing a pattern display device 6, a performance operation device 39 arranged on one side in a left-to-right width direction of the opening 11 for moving a performance member 43 onto a game ball stage S, and a transparent panel 31 for shielding the front part of the opening 11 and the performance member 43.例文帳に追加

センター飾り１２は、図柄表示装置６を露出させる開口１１と、開口１１の左右幅方向の一側に配置されて演出部材４３を遊技球ステージＳ上に移動させる演出作動装置３９と、開口１１及び演出部材４３の前方を遮蔽する透明パネル３１とを備える。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method.例文帳に追加

本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 - 特許庁

To provide a simply structured substrate exposure apparatus capable of reducing variations in a gap between a substrate to be exposed and a photomask, at a proximity exposure without having to prepare special peripheral equipment for correcting the deflection, thereby attaining reduction in the variations in the line width and the film thickness of a pattern formed on the substrate to be exposed.例文帳に追加

構造が単純であり、撓み補正に特別な周辺機材を準備することなく、被露光基板とフォトマスクとの近接露光時のギャップのバラツキを低減させ、それにより被露光基板に形成されるパターンの線幅、膜厚バラツキの低減を図ることを可能とする基板露光装置を提供する。 - 特許庁

The pattern width (L1) of a formed reference patch and a detection time (A) when reading the reference patch when assuming that an LED head 40 and a joint default position completely coincide with each other, are compared to specify the amount of discrepancy in a main scanning direction of one LED head 40 and an image position detector 64.例文帳に追加

形成した基準パッチのパターン幅（Ｌ１）と、ＬＥＤヘッド４０とつなぎ目デフォルト位置とが完全に一致していると仮定した場合に基準パッチを読取ったときの検出時間（Ａ）と、を比較して、一つのＬＥＤヘッド４０と画像位置検出器６４との主走査方向のずれ量を特定する。 - 特許庁

In the color image forming apparatus, the toner image of each color pattern for determination is configured such that the toner images of a plurality of thin-width patterns, whose dimensions in a sub-scanning direction are smaller than a diameter of a spot of light radiated from an optical sensor, are arranged along the sub-scanning direction at intervals smaller than the diameter of the spot.例文帳に追加

カラー画像形成装置において、各色の判定用パターンのトナー画像は光センサから照射された光のスポットの径よりも副走査方向の寸法が小さい複数の細幅パターンのトナー画像を、上記スポットの径よりも小さい間隔で副走査方向に沿って並べた構成を有する。 - 特許庁

A distance X between the light shielding patterns 4 is set to 0<X≤a×L2/(L2+L1) or 0<X≤a×L2/(L2-L1) on the basis of thickness L1 of a transparent layer 6 that is a distance between the parallactic image 3 and the light shielding pattern 4, an observation distance L2 and pixel width (a) of the parallactic image 3.例文帳に追加

また、視差画像３と遮光パターン４との間の距離となる透明層６の厚さＬ１及び観察距離Ｌ２並びに視差画像３の画素幅ａに基づいて、遮光パターン４のパターン間距離Ｘが０＜Ｘ≦ａ・Ｌ２／（Ｌ２＋Ｌ１）又は０＜Ｘ≦ａ・Ｌ２／（Ｌ２−Ｌ１）に設定されている。 - 特許庁

A distance X between the light shielding patterns 4 is set to 0<X≤a×L2/(L2+L1) or 0<X≤a×L3/(L3-L1) on the basis of thickness L1 of the transparent medium 2 that is a distance between the parallactic image 3 and the light shielding pattern 4, an observation distance L2 and image width (a) of the parallactic image 3.例文帳に追加

また、視差画像３と遮光パターン４との間の距離となる透明媒体２の厚さＬ１及び観察距離Ｌ２並びに視差画像３の画像幅ａに基づいて、遮光パターン４のパターン間距離Ｘが０＜Ｘ≦ａ・Ｌ２／（Ｌ２＋Ｌ１）又は０＜Ｘ≦ａ・Ｌ３／（Ｌ３−Ｌ１）に設定されている。 - 特許庁

The split mask includes a stick body in which a deposition pattern is formed, a first clamping portion extending along the longitudinal direction of the stick body, and a second clamping portion extending along an oblique direction between the longitudinal direction and width direction of the stick body, and the assembling apparatus is used for the mask frame assembly including the split mask.例文帳に追加

蒸着用パターンが設けられたスティック本体と、スティック本体の長手方向に沿って延びた第１クランピング部と、スティック本体の長手方向と幅方向との間の斜め方向に沿って延びた第２クランピング部と、を備える分割マスク及びその分割マスクを含むマスクフレーム組立体の組立装置である。 - 特許庁

The spiral inductor includes a tabular insulating substrate and the spiral conductive patterns formed at least on one surface of a tabular insulating substrate, and the spiral conductive pattern is formed in such a manner that the width of the line differs along the longitudinal direction of the conductive line forming the spiral.例文帳に追加

本発明は、平板形状の絶縁基板と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成されるスパイラル形態の導電パターンを含み、上記導電パターンはスパイラルを成す導線の長さ方向に従って線幅が異なるように形成されることを特徴とするスパイラルインダクタを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the padding image 15c is subjected to thinning processing to find a thinned image 15d in which the line width of the line element is one pixel, and a branch point of the line element of the irregular linear pattern is detected by collating a plurality of preregistered branch patterns 30 with the thinned image 15d.例文帳に追加

更に穴埋め画像１５ｃに対して細線化処理を行って前記線要素の線幅が１画素の細線化画像１５ｄを求め、この細線化画像１５ｄに対して予め登録されている複数の分岐パターン３０を照合することにより不規則線状パターンの線要素の分岐点を検出する。 - 特許庁

Further, in the printed circuit board where one conductor layer is formed, and the RFID tag is mounted, at the portion of the printed circuit board where no wiring conductor pattern is provided, a through hole having equivalent sizes in length and width of the RFID tag is formed and the RFID tag is inserted therein.例文帳に追加

また、少なくとも１層の導体層を形成し、ＲＦＩＤタグを装着したプリント基板において、導体層による配線パターンの設けられていないプリント基板箇所にＲＦＩＤタグと同等の縦横寸法の貫通穴が設けられ、貫通穴にＲＦＩＤタグが嵌め込まれた構造である。 - 特許庁

The manufacturing process of stacked containers under this invention enables obtaining a stacked container having a large number of storage recesses 12, by cutting off, in a width direction, a synthetic resin belt-like shaped-body 1 formed with a large number of storage recesses 12 being arranged in a reticular pattern, while satisfying the specific conditions 1 and 2.例文帳に追加

本発明の積み重ね容器の製造方法においては、多数の収納凹部１２が格子状に配置されて形成された帯状の合成樹脂製成形体１を、特定の条件１及び２を満足させて幅方向に切断することにより、多数の収納凹部１２を有する積み重ね容器を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the liquid crystal display includes supplying the liquid crystal by at least one dispenser, controlling a dropping amount of the liquid crystal by matching it with a pattern width of a sealant formed on any one roll film base material and being continuously bonded by a roll laminator comprising rollers on one side or both the sides.例文帳に追加

液晶の供給を少なくとも１台のディスペンサより行い、液晶の滴下量を何れかのロールフィルム基材上に形成されたシール材のパタン幅に合わせて制御し、片側ないし両側にローラーを具備したロールラミネーターにより連続して貼合する事を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 特許庁

After a light-shielding layer and a resist layer to produce an exposure mask are formed in this order, a pattern is drawn in the resist layer by scanning with electron beams EB relatively in the Y direction with specified scanning width while relatively moving the scanning region EA in the X direction for every scanning period.例文帳に追加

露光用マスクを製造するための遮光層およびレジスト層をこの順に積層した後、所定の走査幅をもってＹ方向に相対的に走査される電子ビームＥＢの走査領域ＥＡを１走査毎にＸ方向に相対移動させながらレジスト層に描画する際に、前記走査を２サイクル以上繰り返す。 - 特許庁

The information recording medium B is constituted by stacking at least a recording layer 5 on a base 1A, which has a land 2 and a groove 3 formed alternately as a fine track pattern and is provided with a Dc clevis 4 deeper than the depth Dg of the groove 3 in the groove 3 nearby one width- directional edge part 3a of the groove 3.例文帳に追加

支持体１Ａ上に、少なくとも、記録層５が積層されてなる情報記録媒体Ｂであって、支持体１Ａは、微細トラックパターンとしてランド２とグルーブ３とが交互に形成されており、かつグルーブ３の幅方向の一端縁部３ａ近傍には、グルーブ３の深さＤｇよりも深いＤｃクレビス４が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing system for improving the manufacturing yield of a semiconductor by drastically making uniform the thickness distribution of a photoresist film on a wafer, for reducing the deviation of the line width of a pattern, and efficiently suppressing the contamination of the wafer in a housing by dust or the like.例文帳に追加

ウェハ上のフォトレジスト膜の厚さ分布が格段に均一になってパターンの線幅の偏差が減少し、しかも塵埃等によるハウジング内におけるウェハの汚染を効率よく抑制することによって、半導体の製造収率を向上させることができる半導体ウェハプロセッシングシステムを提供すること。 - 特許庁

InGaAs is selectively etched by wet etching using phosphoric acid and hydrogen peroxide in aqueous solution to pattern an n-InGaAs layer 102 to form a source contact layer (a first semiconductor layer) 112, and a side part of a channel layer 114 is etched to form a channel layer 114a whose width is narrowed.例文帳に追加

リン酸および過酸化水素水を用いたウェットエッチングにより選択的にＩｎＧａＡｓをエッチングすることで、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層１０２をパターニングしてソースコンタクト層（第１半導体層）１１２を形成するとともに、チャネル層１１４の側部をエッチングして幅が狭くされたチャネル層１１４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a paste impartion apparatus capable of suppressing the thickness at ends in the width direction of a paste pattern from being made thiner than the thickness at a center part and suppressing the thickness at the center part from being thick excessively when paste is imparted to an electronic component, and to provide a method for manufacturing the electronic component.例文帳に追加

電子部品にペーストを付与した場合において、ペーストパターンの幅方向の端部の厚みが中央部に比べて薄くなることを抑制することが可能であるとともに、中央部の厚みが厚くなりすぎることを抑制することが可能なペースト付与装置および電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a pattern width is adjusted by using a previously found correction table to correct variance in characteristic impedance caused when the work board 20 has variance in substrate thickness and variance in electric characteristic due to the plate thickness and material thickness varying with places of the substrate, and consequently the electric characteristic variance can be suppressed.例文帳に追加

従って、ワークボード２０の基板厚にばらつきを有する場合に生じる特性インピーダンスのばらつき、つまり基板の各所でばらつく板厚や材料厚に起因した電気特性のばらつきを抑制するため、予め求めた補正テーブルによりパターン幅を調整することによって、電気特性ばらつきを抑制できる。 - 特許庁