「phosphorus source」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide facilities and a method for recovering phosphorus from waste, which increases the contact probability of a phosphorus compound contained in the waste with carbon supplied from a carbon source.例文帳に追加

廃棄物中に含まれる燐化合物と炭素源から供給される炭素との接触確率を高めることを可能とする廃棄物から燐を回収する設備及び方法を提供すること。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask.例文帳に追加

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。 - 特許庁

A base oil having a lubrication viscosity, a hydroxy substituted dithiocarbamate, an organic molybdenum compound and, optionally, a phosphorus source are incorporated into a lubricant composition.例文帳に追加

潤滑剤組成物に潤滑粘度の基油、ヒドロキシ置換ジチオカルバメート、有機モリブデン化合物および場合により燐源を含める。 - 特許庁

The phosphate fertilizer is manufactured by using a carbide of an organic waste as a phosphorus source and subjecting the carbide to heat-treatment.例文帳に追加

有機性廃棄物の炭化物をリン源として、これを熱処理することによりリン酸質肥料を製造する。 - 特許庁

Phosphorus is introduced as the donor into the channel region 104 in a lower concentration than in the source 102 and the drain 103.例文帳に追加

ここで、チャネル領域１０４には、ソース１０２及びドレイン１０３より低い濃度で、リンがドナーとして導入されている。 - 特許庁

Thereafter, a contact plug 16 formed of a phosphorus-doped polycrystalline silicon film is formed to the source-drain contact aperture.例文帳に追加

その後、リンドープ多結晶シリコン膜からなるコンタクトプラグ１６をソース・ドレインコンタクト開口部に形成する。 - 特許庁

The Me-aluminophosphate is manufactured by contacting a mixture containing at least a phosphorus source, an aluminum source and an Me source with gaseous water in a chamber.例文帳に追加

少なくともリン源、アルミニウム源及びＭｅ源を含む混合物を、容器内でガス状の水と接触させてＭｅ−アルミノフォスフェートを製造することにより上記課題を解決した。 - 特許庁

(1) A dry gel comprising a mixture composed of (i) a zinc oxide source, (ii) an aluminum oxide source, and (iii) a phosphorus oxide source is held at 90 to 200°C in the presence of steam and triethyl amine.例文帳に追加

（１）（ｉ）酸化亜鉛源、(ii）酸化アルミニウム源、及び（iii）酸化リン源との混合物からなるドライゲルを、水蒸気及びトリエチルアミンの存在下で９０〜２００℃の温度に保持する。 - 特許庁

The method of manufacturing the active material of the present invention includes a preparation step of mixing lithium source, vanadium source, phosphorus source, and water to prepare a mixture, and a calcination step of calcinating the mixture.例文帳に追加

本発明に係る活物質の製造方法は、リチウム源、バナジウム源、リン源及び水を混合して、混合物を調製する調製工程と、混合物を焼成する焼成工程と、を備える。 - 特許庁

(3) The dry gel comprising the mixture composed of (i) the zinc oxide source, (ii) the aluminum oxide source and (iii) the phosphorus oxide source is held at 90 to 200°C in the presence of steam and tripropyl amine.例文帳に追加

（３）（ｉ）酸化亜鉛源、(ii）酸化アルミニウム源、及び（iii）酸化リン源との混合物からなるドライゲルを、水蒸気及びトリプロピルアミンの存在下で９０〜２００℃の温度に保持する。 - 特許庁

(2) The dry gel comprising the mixture composed of (i) the zinc oxide source, (ii) the aluminum oxide source, (iii) the phosphorus oxide source, and (iv) the triethyl amine is held at 90 to 200°C in the presence of the steam.例文帳に追加

（２）（ｉ）酸化亜鉛源、(ii）酸化アルミニウム源、（iii）酸化リン源、及び（iv）トリエチルアミンとの混合物からなるドライゲルを、水蒸気の存在下で９０〜２００℃の温度に保持する。 - 特許庁

A TFT is characterized by that the TFT has a boron-containing lightly doped region adjacent to a channel region and a phosphorus and boron- containing source or drain region adjacent to the lightly doped region and the concentration of the above boron being contained in the above source or drain region is higher than that of the phosphorus contained in the above source or drain region.例文帳に追加

チャネル領域に隣接したボロンを含む低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域に隣接した燐およびボロンを含むソース領域またはドレイン領域と、を有し、前記ソース領域または前記ドレイン領域に含まれる前記ボロンの濃度は前記燐の濃度よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁

This method for accelerating the propagation of the microorganisms belonging to the genus Cycloclasticus is characterized by adding an iron source or three substances as the iron source, a nitrogen source and a phosphorus source to a medium or an environment where the microorganisms belonging to the genus Cycloclasticus exist.例文帳に追加

サイクロクラスティカス属に属する微生物の存在する培地又は環境に鉄源、あるいは鉄源、窒素源、リン源の三者の添加を行うことを特徴とするサイクロクラスティカス属に属する微生物の増殖促進法。 - 特許庁

To solve the following problem: when a source region of a high-concentration impurity is formed by implanting phosphorus into a source region, only a surface of the source region undergoes enhanced oxidation to cause formation of a step between surfaces of a well region and of the source region, resulting in an increase in channel resistance.例文帳に追加

ソース領域を燐注入によって高濃度不純物のソース領域を形成すると、ソース領域表面のみ増速酸化され、ウェル領域とソース領域表面との間に段差を生じるため、チャネル抵抗が増大する。 - 特許庁

A modifier for a lithium-ion battery of the present invention is a transparent solution formed by mixing a phosphorus source containing a phosphoric acid group, a trivalent aluminum source, and a metal oxide in a liquid-phase solvent.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池の改質剤は、リン酸基を含むリン源と、三価のアルミニウム源と、金属酸化物とを液相溶剤で混合することによって形成された透明な溶液である。 - 特許庁

The first source/drain region 126 has a junction depth which is specified by phosphorus and is larger than the junction depth of the second source/drain region 146.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域１２６において、リンによりジャンクション深さが規定され、当該ジャンクション深さが第２のソースドレイン領域１４６のジャンクション深さよりも深い。 - 特許庁

To provide an entirely new composition containing a nitrogen source, a carbon source, vitamins, a mineral, phosphorus and the like, and derived from rice bran by extracting components contained in the rice bran as an essence.例文帳に追加

米糠に含まれる成分をエキスとして抽出することで、窒素源、炭素源、ビタミン、無機質、リン等を含む、米糠由来の全く新規な醗酵促進効果を持つ組成物を得る事が目的である。 - 特許庁

The modifier layer is made by mixing a source of phosphorus containing a phosphate group, a source of trivalent aluminum and a metal oxide in a liquid phase solvent, coating at least one side of the porous membrane with the mixture, and drying the coating.例文帳に追加

前記改質剤層は、リン酸基を含むリン源、三価のアルミニウム源及び金属酸化物を液相溶剤で混合して、前記多孔膜の少なくとも一つの表面に被覆されて、乾燥して形成される。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorus ions in order to form a source-drain region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成した後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。 - 特許庁

METHOD FOR ESTIMATING QUALITY OF INFLOW SEWAGE BY ELUTING PHOSPHORUS FROM ACTIVATED SLUDGE, NUTRITIONAL SOURCE ADDITION UNIT IN ADVANCED SEWAGE TREATMENT SYSTEM AND ADVANCED SEWAGE TREATMENT SYSTEM例文帳に追加

活性汚泥中からのりん溶出による流入下水の水質推定方法、下水高度処理装置における栄養源添加装置、及び下水高度処理装置 - 特許庁

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed.例文帳に追加

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。 - 特許庁

An impurity raw solution containing organic phosphorus compound as a conductivity type determining impurity and a solvent is applied on a semiconductor substrate 1, and a liquid impurity source layer 2 is formed and dried.例文帳に追加

半導体基板１上に導電型決定用不純物として有機リン化合物と溶媒とを含有する不純物減溶液を塗布して液状不純物源層２を形成し、これを乾燥させる。 - 特許庁

An outer edge part of a gate electrode is spaced at least about 0.5 μm apart from a source-drain region or the like wherein phosphorus as a gettering element is implanted for preventing segregation of nickel in an area near an outer edge part of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の外縁部を、ゲッタリング元素としての燐が注入されたソース・ドレイン領域等から少なくとも約０．５μｍ離隔するようにして、ゲート電極の外縁部近傍に於けるニッケルの偏析を防止する。 - 特許庁

An insulating gate semiconductor device is made of silicon carbide, and a sacrificial layer 14 having an equal concentration profile of phosphorus is formed at least on the well region 3 and the surface of the source region 4.例文帳に追加

炭化珪素からなる絶縁ゲート半導体装置であって、少なくともウェル領域３、ソース領域４の表面に、等しい燐の濃度プロファイルを持つ犠牲層１４を形成する。 - 特許庁

In this state, a heat treatment is performed, whereby phosphorus is diffused extending over from the parts 7 to the parts of the surface of the substrate 1 and a shallow junction of source and drain diffused regions 5 are formed.例文帳に追加

この状態で、熱処理を行うことにより、ライズドソース・ドレイン部７から基板１の表面にリンを拡散させ、浅い接合のソース・ドレイン拡散領域５を形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting device comprising a combination of a stimulation source for generating light with 350 to 415 nm and a phosphorus, and having a high color rendering property and a high light emission intensity.例文帳に追加

３５０−４１５ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせ、演色性が高く、かつ、発光強度の高い発光装置を提供する。 - 特許庁

A nitrogen compd. and a phosphorus compd. are added thereto, and these chloroethylene compounds are decomposed by the microorganism deposited on the activated carbon packed in a biological activated-carbon tank 25 by using the secondary by-product as a carbon source.例文帳に追加

窒素化合物および燐化合物を添加し、生物活性炭槽25に充填した活性炭に担持する微生物が第２次副生成物を炭素源として分解する。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus for lakes and marshes which has a simple structure, efficiently adsorbs phosphorus which comes to a nutrient source for harmful organism such as water-boom and, at the same time, oxidatively decomposes the harmful organism itself such as water-bloom.例文帳に追加

簡単な構造であって効率よくアオコなどの有害生物の栄養源となるリンを吸着すると共にアオコなどの有害生物自体を酸化分解する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device is constituted in a structure that a semiconductor manufacturing device main body 100 has a treating chamber 11 for using a diffusion furnace and the like, a POCl3 (phosphorus oxychloride) and the like and a liquid source of the acid series.例文帳に追加

半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、ＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを使用する処理チャンバ１１を有する。 - 特許庁

In the method for synthesizing crystalline aluminum phosphate hydrate from a liquid mixture containing 1 part by mol of a phosphorus source and 0.8-1.8 parts by mol of an aluminum source, heating is carried out by irradiation with microwaves.例文帳に追加

１モル部のリン源と０．８〜１．８モル部のアルミニウム源とを含有する液状混合物から結晶性リン酸アルミニウム水和物を合成する方法であって、マイクロ波照射により加熱することを特徴とする結晶性リン酸アルミニウム水和物の合成方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the active material includes a process of forming an intermediate containing phosphorus and vanadium with a specific surface area of 0.1 m^2/g or more and less than 25 m^2/g by heating a phosphate source, a vanadium source and water, and a process of heating the intermediate, water-soluble lithium salt and water.例文帳に追加

本発明に係る活物質の製造方法は、リン酸源、バナジウム源及び水を加熱して、リン及びバナジウムを含み、比表面積が０．１ｍ^２／ｇ以上であり２５ｍ^２／ｇ未満である中間体を形成する工程と、中間体、水溶性のリチウム塩及び水を加熱する工程と、を備える。 - 特許庁

The method comprises pre-culturing the algae body of prasinophyte of marine microalgae, adding to the prasinophyte cultivation algae, as nutrient salts, a nitrogen source and/or a phosphorus source such as monohydrogen dipotassium phosphate to cultivate, and growing up to produce both of DHA and EPA from the prasinophyte grown-up algae.例文帳に追加

海洋性微細藻類のプラシノ藻の藻体を前培養した後、該プラシノ培養藻体に栄養塩としての窒素源および／又はリン酸一水素二カリウム等のリン源を添加・培養して生育させ、該プラシノ生育藻体からＤＨＡ及びＥＰＡの双方を生産する方法。 - 特許庁

To provide a phosphorous diffusing source which essentially cannot form an impurity for silicon, can avoid deformation or the like of even a thin shape by adding a phosphorus component to a silicon nitride porous material which is stable upon heating to use as a diffusion source, can eliminate the need of a reoxidation step, and can be recycled.例文帳に追加

本質的にシリコンに対して不純物とならず、加熱時に安定な窒化ケイ素質多孔体にリン分を添加して拡散源とすることにより、薄い形状でも変形等を生じず、再酸化工程も不要であり、さらにリサイクル使用も可能なリン拡散源を提供する。 - 特許庁

A dephosphorize-refining agent containing ≥80 mass% converter slag generated with decarburize-refining in the converter is added into the molten iron and also, the dephosphorization of the molten iron is applied by supplying oxygen source into the molten iron, the high phosphorus having ≥5 mass% P_2O_5 concentration in the slag is obtained by absorbing the phosphorus in the molten iron into the dephosphorize-refining agent.例文帳に追加

転炉における溶銑の脱炭精錬によって発生した転炉スラグを８０質量％以上含有する脱燐精錬剤を溶銑に添加するとともに酸素源を溶銑に供給して溶銑の脱燐処理を行い、溶銑中の燐を前記脱燐精錬剤に吸収させることにより、スラグ中のＰ_2 Ｏ_5 の濃度が５質量％以上である高燐を得る。 - 特許庁

The foaming fertilizer formulation comprises a solid composition containing a foaming component comprising at least a carbonate granular body and/or hydrogen carbonate granular body and a water soluble solid acid granular body, and at least one of the fertilizer components selected from a potassium source, a nitrogen source and a phosphorus source which are blended as essential components.例文帳に追加

少なくとも、炭酸塩粉粒体および／または炭酸水素塩粉粒体と水溶性固体酸粉粒体とからなる発泡成分と、必須成分として配合されるカリウム源、チッ素源およびリン源から選ばれる少なくとも１つの肥料成分とを含有する固体状組成物からなる発泡性肥料製剤により課題を解決できる。 - 特許庁

Regions 4a where nitrogen is made to be dopant are formed in positions deeper than in upper faces connected to a source electrode 10 and regions 4b, where phosphorus whose mass is larger than that of nitrogen is set as a dopant are formed in places, which are brought into contact with a source electrode in a state shallower than the regions 4b in n+-type source regions 4.例文帳に追加

ｎ^+ 型ソース領域４のうち、ソース電極１０に接続される上面より所定深さ深くなった位置に、窒素をドーパントとする領域４ａを形成し、領域４ｂよりも浅くソース電極に接触する位置に窒素よりも質量の大きなリンをドーパントとする領域４ｂを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method for the solid electrolyte containing lithium, titanium, phosphorus, and oxygen and having the lithium ion conductivity heats precursor solution including nonhydrolyzable organic titanium compounds as a titanium supply source and incinerates it without any gelation process.例文帳に追加

リチウムと、チタンと、リンと、酸素とを含んでリチウムイオン伝導性を有する固体電解質の製造方法において、チタン供給源として非加水分解性の有機チタン化合物を含む前駆体溶液を加熱して、ゲル化工程を経ずに焼成することとする。 - 特許庁

The lubricating oil composition exhibiting excellent friction stability comprises a lubricating base oil, an oil-soluble source of phosphorus, and a defined friction-improving agent based on polyalkylene polyamine having been reacted with an acylating agent which converts at least one secondary amino group into an amide.例文帳に追加

優れた摩擦安定性を有する潤滑油組成物は、潤滑油基油、リンの油溶性源及び少なくとも１つの第２級アミノ基をアミドに転化するアシル化剤と反応させた定義されたポリアルキレンポリアミンベースの摩擦改良剤を含む。 - 特許庁

The metal elements which accelerate the crystallization of amorphous silicon are effectively removed, or reduced, using a silicon film containing a XV group element such as phosphorus through a contact hole reaching the source and drain regions, to increase the productivity.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域に達するコンタクトホールを通じて、リンなどの１５族元素を含有したシリコン膜を利用することにより、非晶質シリコンの結晶化を助長する金属元素を効果的に除去あるいは低減させ、生産性の向上を図ることができる。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

The lubricating oil composition exhibiting excellent friction stability comprises a lubricating base oil, an oil-soluble source of phosphorus, and a defined friction-improving agent based on polyalkylene polyamine having been reacted with a borating agent which converts at least one secondary amino group into a corresponding boric acid ester or boric acid salt.例文帳に追加

優秀な摩擦安定性を有する潤滑油組成物は、潤滑油基油、リンの油溶性源及びボレート化剤と反応させて少なくとも１つの第２級アミノ基を対応ホウ酸エステル又はホウ酸塩に変換する定義されたポリアルキレンポリアミンベースの摩擦改良剤を含む。 - 特許庁

To improve an existing wastewater treatment process by performing sludge solubilizing treatment and forming a carbon source or a precursor substance for biological dephosphorization for the purpose of stabilizing the biological dephosphorization, achieving the recovery efficiency of phosphorus resources and reducing the discharge amount of excess sludge.例文帳に追加

汚泥の可溶化処理を行い、生物学的リン除去のための炭素源あるいはその前駆物質を生成することで、生物学的リン除去の安定化ならびにリン資源回収の効率化が図れるとともに、余剰汚泥の排出量も削減が可能となる既存廃水処理プロセスの改善を目的とする。 - 特許庁

Silicide films 8 are formed on the top face of the gate electrode 4 and the surfaces of the source electrode 6 and the drain electrode 7, and a high-concentration PSG film 9 containing phosphorus of 10 mol% or more is formed on the whole surface of the semiconductor device on the silicide films 8.例文帳に追加

ゲート電極４の上面及びソース電極６とドレイン電極７の表面にシリサイド膜８が形成され、このシリサイド膜８上の半導体装置の全面に１０ｍｏｌ％以上の燐を含む高濃度ＰＳＧ膜９が形成されている。 - 特許庁