「quantum beam」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

COOLED HIGH QUANTUM EFFICIENCY PHOTO CATHODE ELECTRON BEAM SOURCE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源およびその作製方法 - 特許庁

The A component for the quantum dots is deposited thereon through a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

この上に量子ドット用の、前記Ａ成分をモレキュラービームエピタキシ（MＢE）法により堆積させる。 - 特許庁

As another structure, the quantum computer may include the quantum bit (31) formed by trapping atoms by the red-detuned laser beam.例文帳に追加

また、別の構成として、量子計算機は、赤方離調したレーザビームで原子をトラップすることにより構成された量子ビット（３１）を備えてもよい。 - 特許庁

PHOTO-DETECTING DEVICE, AND DEVICE FOR DETECTING QUANTUM WOBBLING LEVEL OF LIGHT BEAM AND WOBBLING OF LIGHT INTENSITY例文帳に追加

光検出装置、光ビ—ムの量子揺らぎレベル検出装置及び光強度ゆらぎ検出装置 - 特許庁

The regions 12a, 16a have improved conductivity by irradiating the particle beam or electromagnetic beam and function as a quantum thin line.例文帳に追加

この細線状の領域１２ａ、１６ａは、粒子線や電磁波の照射により、導電性が改善された領域であり、量子細線として機能する。 - 特許庁

A laser beam having a small emission angle is used for recording by the optical pickup device, and a laser beam having a large emission angle is used for reproduction to reduce laser quantum noise.例文帳に追加

光ピックアップ装置での記録時は放射角の小さいレーザを、再生時は放射角の大きいレーザを用い、レーザ量子ノイズを低減させる。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is an InGaAs/InAlAs quantum cascade-type, and it emits a laser beam 31 of a wavelength of 9.6μm.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子カスケード型レーザであり、波長９．６μｍのレーザ光３１を放出する。 - 特許庁

On the upstream side of a quantum dot optical amplifier 1, a polarization beam splitter 2 with one input and two outputs is provided.例文帳に追加

量子ドット光増幅器１の前段には、１入力及び２出力の偏光ビームスプリッタ２が設けられている。 - 特許庁

On the downstream side of the quantum dot optical amplifier 1, a polarization beam splitter 3 with two inputs and one output is provided.例文帳に追加

量子ドット光増幅器１の後段には、２入力及び１出力の偏光ビームスプリッタ３が設けられている。 - 特許庁

To provide an electrode for a quantum beam monitor superior in heat resistivity, radiation resistivity and secondary electron discharge characteristics.例文帳に追加

耐熱性、耐放射線性及び二次電子放出特性に優れている量子ビームモニタ用電極を提供すること。 - 特許庁

To provide a beam measurement device, a beam measurement method, and a pump/probe measurement method that use them, wherein three-dimensional measurement of quantum beams can be carried out simply and easily.例文帳に追加

量子ビームの３次元的な測定を簡便に行うことができるビーム測定装置、及びビーム測定方法、及びそれを用いたポンプ・プローブ測定方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

To provide a quantum-cascade laser having a short wavelength, a narrow beam width, and less restriction of material, and capable of performing ultrafast modulation.例文帳に追加

短波長で、狭線幅、及び、超高速変調が可能であり、材料の制約が小さな量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

The accelerating voltage, the size and the incident time of an ion beam of an ion beam scanning device are adjusted to form quantum holes having a desired diameter and depth in a semiconductor substrate.例文帳に追加

イオンビーム走査装置のイオンビームの加速電圧、大きさ及び入射時間とを調節して半導体基板に所望の直径及び深さを有するクアンタムホールを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser.例文帳に追加

量子ドットレーザにおいて、光閉込を強くし、かつビーム形状を円形に近づけることが可能な半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

ION BEAM MICROFABRICATION METHOD OF INORGANIC MULTILAYER RESIST AND SEMICONDUCTOR DEVICE, QUANTUM DEVICE, MICROMACHINE COMPONENT AND FINE STRUCTURE THEREBY例文帳に追加

無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体 - 特許庁

The superconducting quantum interference element, having the detection coil manufactured by beam machining technique in addition to the photolithographic technique, is provided.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術の他にビーム加工技術を用いて作製した検出コイルを有する超伝導量子干渉素子としたものである。 - 特許庁

To provide a cooling type high quantum efficiency photo cathode type electron beam source having high luminance with little aberration which can be used practically.例文帳に追加

高輝度で収差のほとんどない実用的に使用できる冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源を提供する。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION COMPRISING ORGANIC MOLECULE REVERSIBLY COLORED/DECOLORED BY QUANTUM BEAM IRRADIATION AND PHOTOIRRADIATION OR HEATING, AND NANO-PATTERN FORMATION METHOD例文帳に追加

量子ビーム照射と光照射又は加熱により可逆的に着色／脱色する有機分子を含んだ樹脂組成物とナノパターン形成方法 - 特許庁

When a light receiving element (a light receiving detection part) 9 receives the light of a first laser beam, an output power detection part (a characteristics detection part) 32 detects a differential quantum efficiency value (a characteristics value) regarding the first laser beam.例文帳に追加

受光素子（受光検出部）９が第一のレーザ光を受光したときに、出力パワー検出部（特性検出部）３２が当該第一のレーザ光に関する微分量子効率値（特性値）を検出する。 - 特許庁

Specially, in a vacuum state, the compound semiconductor is heated to a specified temperature and irradiated with an antimony molecular beam and an antisurfactant molecular beam to stick the antisurfactant on the compound semiconductor surface, and then the compound semiconductor surface where the antisurfactant sticks is irradiated with an antimony molecular beam and a molecular beam of an element other than antimony constituting antimony-based quantum dots to grow and form antimony-based quantum dots.例文帳に追加

とくに、真空状態において、化合物半導体を所定温度に加温し、アンチモン分子線およびアンチサーファクタント分子線を照射して、化合物半導体表面上にアンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した化合物半導体表面上に、アンチモン分子線およびアンチモン系量子ドットを構成するアンチモン以外の元素の分子線を照射してアンチモン系量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a single-electron transistor, where the size of a quantum point can be reduced to a level of a few tens of nm exceeding the limit of an electron beam lithography.例文帳に追加

電子線リソグラフィーの限界を超えて量子点のサイズを数十ｎｍの水準まで縮小することが可能な単電子トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor low-order quantum structure is used in the thin film forming the cantilever beam 11, so that the semiconductor force, detecting device possessing at a very high sensitivity, can be obtained.例文帳に追加

片持ち梁１１を構成する薄膜内に半導体低次元量子構造を用いることにより、極めて感度の高い半導体力検出装置を得ることができる。 - 特許庁

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.例文帳に追加

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁

A colored pattern of a nano scale is repeatedly written/erased by irradiating a resin film, comprised of an organic molecule reversibly colored/decolored by quantum beam irradiation and photoirradiation or heating, with quantum nano beams operable at a high speed and subsequently subjecting the resin film to photoirradiation or heating.例文帳に追加

量子ビーム照射と光照射又は加熱とで着色／脱色を可逆的に起こす有機分子からなる樹脂膜に、高速に操作可能な量子ナノビームを照射し、その後光照射又は加熱することにより、ナノスケールの着色パターンを繰り返し書込み／消去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum wire structure capable of restraining roughness of a resist mask side surface due to increase of the amount of electron beam exposure, for forming a minute resist mask.例文帳に追加

微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。 - 特許庁

This optical signal pattern discriminating device comprises a polarization beam splitter, a λ/4 plate (and -λ/4 plate), a condenser lens, and a multiple-quantum well structure plane type optical switch.例文帳に追加

この光信号パターン識別装置は、偏光ビームスプリッタ、λ／４板（および−λ／４板）、集光レンズ、および多重量子井戸構造面型光スイッチから構成されている。 - 特許庁

The electrode 1 for quantum beam monitor of this invention includes a monitor target 21 on which a plurality of ribbon shape carbon graphite thin films 210 are put with a specific interval along a direction.例文帳に追加

本発明の量子ビームモニタ用電極１は、複数のリボン状のカーボングラファイト薄膜２１０が所定間隔おきに一方向に沿って並設されたモニタターゲット２１を備えている。 - 特許庁

The neutral atoms 3 captured in the optical lattice are irradiated with laser beams 4a, 4b and the gating operation of the quantum bit is conducted by using only the interaction between the neutral atoms 3 and the laser beam.例文帳に追加

光格子に捕捉された中性原子３に対してレーザー光４ａ，４ｂを照射し、中性原子３と光との相互作用のみを用いて量子ビットのゲート操作を行う。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁

Joint use of the Super Photon ring-8GeV (SPring-8), the SPring-8 Angstrom Compact Free Electron Laser (SACLA), and the Japan Proton Accelerator Research Complex (J-PARC) are promoted to support research and development in manufacturing industries by utilizing quantum beam and photon science and technology. 例文帳に追加

大型放射光施設（SPring-8）、Ｘ線自由電子レーザー施設（SACLA)、大強度陽子加速器施設（J-PARC）の共用を促進し、光・量子科学技術を用いたものづくりに関する研究開発を支援。 - 経済産業省

This polarized ion beam generating method uses a means to irradiate the non-polarized ion beam to the target from the ion source, and extracts the elastically scattered polarized ion from the target by magnetic vibration resulting from the quantum beat of scattered ion intensity in the target.例文帳に追加

さらに、偏極イオンビーム発生方法は、イオン源から無偏極のイオンビームを標的に照射し、当該標的における散乱イオン強度の量子ビートに起因する磁気振動により、前記標的から弾性散乱された偏極イオンを取り出すことを特徴とする手段を用いた。 - 特許庁

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。 - 特許庁

To provide a monochromatic/color reflective/light-transmissive electrophoresis display device capable of suppressing the occurrence of crosstalk and performing simple matrix driving by using electret charged fine particles and charged magnetic fine particles generated by quantum beam irradiation.例文帳に追加

量子線照射によるエレクトレット性荷電微粒子、荷電磁性微粒子を用い、クロストークの発生を抑え、単純マトリックス駆動が可能なモノクロ・カラー反射・透光型電気泳動表示装置を提供する。 - 特許庁

The vicinity 205a of light exit edge of an InGaAlP multiple quantum well layer 205 sandwiched by these stable oxides has a disordered tissue and transmits laser beam.例文帳に追加

そして、これらの安定な酸化物に挟まれたＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５、つまりＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５の光出射端面近傍２０５ａは、組織が無秩序で、且つ、レーザ光を透過する。 - 特許庁

An external resonance type wavelength variable light source apparatus comprises a semiconductor laser 21 associated with an active layer 2 having a quantum well structure, and a diffraction grating 5 for diffracting the beam irradiated from the laser and feeding back the beam 3 having a selected wavelength to the laser.例文帳に追加

本発明は、量子井戸構造を有する活性層２が組込まれた半導体レーザ２１と、この半導体レーザから出射されるレーザ光を回折して選択された波長のレーザ光３を半導体レーザに帰還させる回折格子５とを備えた外部共振器型の波長可変光源装置に適用される。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁

An atom A having an electron configuration in the ground state of (ns^2)^1S_0 (n is a principal quantum number) in an electrostatic field SE is irradiated with a pulse laser beam as exciting light, so that the atom A is coherently excited to a plurality of hyperfine levels.例文帳に追加

本発明では、静電場ＳＥ内の、基底状態の電子配置が（ｎｓ^２）^１Ｓ_０（ｎは主量子数）である原子Ａへ励起光としてのパルスレーザ光が照射され、原子Ａが複数の超微細準位へコヒーレントに励起される。 - 特許庁

In this device for distributing/transmitting a quantum key, phase modulation is individually applied to two double light pulses 7, 8 appearing in two output ports 5, 6 of an asymmetrical Mach-Zehnder interferometer 2 having a transmission side, and thereafter they are integrated with each other by a polarization beam splitter 12.例文帳に追加

本発明の量子鍵配付送信装置は、送信側の持つ非対称マッハツェンダー干渉計２の２つの出力ポート５，６に現れた２つの２連光パルス７，８に対し個別に位相変調を施した後にそれらを偏光ビームスプリッター１２で統合させる。 - 特許庁

Liquid gallium metal particulates are manufactured by supplying only gallium not onto a conventional GaAs(100) substrate, but onto a GaAs(311)A substrate, and droplets thereof are irradiated with an arsenic molecular beam to be crystallized into gallium arsenide, thereby manufacturing quantum dots with small size fluctuations.例文帳に追加

従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum well structure having a well layer with high photoluminescence intensity, a semiconductor laser, and a compound semiconductor layer with the high photoluminescence intensity, and to provide a method of controlling a molecular beam epitaxy device using the photoluminescence intensity of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。 - 特許庁

Two optical fibers 10 connected to output sections of the polarization beam splitter 2 are connected to input sections of the quantum dot optical amplifier 1 in a state that both of the optical fibers 10 have an electric field whose direction being adjusted to maximize its gain, and one optical fiber 10 is twisted by 90° to the other optical fiber 10.例文帳に追加

偏光ビームスプリッタ２の出力部に接続された２本の光ファイバ１０は、量子ドット光増幅器１の入力部に、いずれも最も利得が高くなるように電界の向きを調整して接続されており、一方の光ファイバ１０は、他方の光ファイバ１０に対して９０°だけねじられている。 - 特許庁