recrystallizationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 398件
The method for purifying p-cyanophenol comprises a washing or recrystallization treatment of p-cyanophenol in a water-containing organic solvent.例文帳に追加
p−シアノフェノールを、含水有機溶媒で、洗浄処理または再結晶処理することを特徴とするp−シアノフェノールの精製方法。 - 特許庁
Additionally, the SiC substrate 3 also reaches 1,900°C, and impurities are diffused at the amorphous region for recrystallization to form a single crystal.例文帳に追加
またSiC基板3も1900℃となりアモルファス化された領域では不純物が拡散しながら再結晶化し単結晶となる。 - 特許庁
The solvent used for the recrystallization is especially acetic anhydride for the method for purifying the biphenyltetracarboxylic dianhydride.例文帳に追加
また再結晶に用いる溶媒が、無水酢酸であることが3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸無水物の精製方法として好ましい。 - 特許庁
The above results supported the fact that the HCB concentration in TCPA can be reduced through recrystallization by the solvent. 例文帳に追加
以上の結果から、(1)の溶媒での再結晶により、TCPA中のHCB含有量を低減化できることが裏付けられた。 - 経済産業省
To provide a method for producing an ultra-high strength steel plate and steel pipe having excellent low temperature toughness and ≥900 MPa tensile strength by which fine-granulation of crystal grain is performed by further promoting recrystallization in γ-recrystallization zone rolling and the low temperature toughness having ≥200 J shelf-energy (Charpy energy) is obtained.例文帳に追加
γ再結晶域圧延の再結晶をより促進させることにより結晶粒の細粒化をおこない、シェルフエネルギーで200J以上の低温靱性が得られる、低温靱性に優れた引張強度が900MPa以上の超高強度鋼板及び鋼管の製造方法を提供する。 - 特許庁
To facilitate the exact arrangement of a recrystallization region (21) formed on an amorphous or polycrystalline semiconductor thin film (12), and to form an alignment mark (15) capable of being utilized in a process for manufacturing an electronic element, e.g. a thin film transistor (98), in the recrystallization region.例文帳に追加
非晶質または多結晶半導体薄膜(12)に形成される再結晶領域(21)の正確な配置を容易にし、さらにこの再結晶領域に形成される薄膜トランジスタ(98)等の電子素子の形成工程に利用可能なアライメントマーク(15)を形成する。 - 特許庁
In the production method therefor, the steel is hot-rolled so as to be finished at 700°C to a recrystallization temperature Ts, the total draft in the temperature range of the recrystallization temperature Ts or below is controlled to ≥15%, and, after the hot rolling, it is coiled in the temperature range of >500 to <850°C, and is successively subjected to forced cooling.例文帳に追加
その製造方法は、700℃以上再結晶温度Ts以下の温度域で熱間圧延を終了し、再結晶温度Ts以下の温度域での総圧下率を15%以上とし、熱間圧延後500℃超850℃未満の温度域で巻き取り、続いて強制的に冷却する。 - 特許庁
Thus, in the primary recrystallization texture after cold rolling, the {111}<112> direction generated from the vicinity of a material grain boundary increases, and as a result, the integration degree of the {110}<001> direction secondary recrystallization increases to allow the unidirectional magnetic steel sheet excellent in magnetic properties to be produced.例文帳に追加
これにより、冷延後の一次再結晶集合組織において、素材粒界近傍から発生する{111}<112>方位が増え、その結果、{110}<001>方位二次再結晶の集積度が上がり、磁気特性の優れた一方向性電磁鋼板を製造できる。 - 特許庁
The high-purity F-EC at ≤100 ppm chloride radical concentration (≤20 ppm depending on the conditions and times of recrystallization) can be obtained even from the crude F-EC in which thousands of ppm of the chloride radicals coexist in the system by recrystallization operation one to several times.例文帳に追加
本発明によれば、系内に数千ppmの塩素根が共存した粗F−ECからも、1回〜数回の再結晶操作によって、塩素根濃度が100ppm以下(再結晶の条件、回数次第で20ppm以下)の高純度F−ECを得ることができる。 - 特許庁
This method for manufacturing the grain-oriented electromagnetic steel sheet comprises separating a finish annealing step for performing both secondary recrystallization and forsterite film formation, into each of a batch annealing step for the secondary recrystallization and a batch annealing step for the forsterite film formation, and inserting a continuous annealing step between the two batch annealing steps.例文帳に追加
方向性電磁鋼板を製造するに際し、二次再結晶工程とフォルステライト被膜生成工程とをそれぞれ、二次再結晶のためのバッチ焼鈍と、フォルステライト被膜形成のためのバッチ焼鈍とに分離し、これら2回のバッチ焼鈍の間に連続焼鈍を挟む。 - 特許庁
High-purity nickel sulfate is obtained by recrystallization using the obtained solution of the mixture of nickel sulfate with cobalt sulfate, having a low chlorine concentration.例文帳に追加
そして、得られた低塩素イオン濃度の硫酸ニッケル、硫酸コバルト混合溶液を用いて再結晶法により高純度硫酸ニッケルを得る。 - 特許庁
The cold rolled sheet is subjected to a heat treatment of carrying out heating at a temperature of 250°C or higher and the TA or lower, and at a temperature lower than a ferrite recrystallization starting temperature.例文帳に追加
冷延板は、250℃以上、TA以下の温度で、かつフェライト再結晶開始温度未満の温度に加熱する熱処理を施す。 - 特許庁
The alloy sheet forms continuous recrystallization during warm plastic forming through the use of the remaining strain, thereby exhibiting high plastic deformability.例文帳に追加
この合金板材は、残存する歪みを利用して、温間塑性加工中に連続的な再結晶を生じ、高い塑性変形能を発現する。 - 特許庁
To provide a method for producing a high purity 1,1-bis-(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexane (BPTMC), simplified with processes and also without performing recrystallization.例文帳に追加
工程が簡素化され、しかも再結晶を行わずに高純度の1,1-ビス-(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン(BPTMC)を製造する方法の提供。 - 特許庁
Especially when n-heptane among the aliphatic hydrocarbon-based solvents is used, the efficiency of the recrystallization can remarkably be improved.例文帳に追加
特に、脂肪族炭化水素系の溶媒の中でもn−ヘプタンを用いることにより再結晶の効率を格段に向上することができる。 - 特許庁
Recrystallization can be carried out using regular crystal lattice at a lower layer part as nucleus by melting the surface layer part of the semiconductor layer 220.例文帳に追加
半導体層220の表層部を溶融させることにより、低層部の規則的な結晶格子を核として再結晶させることができる。 - 特許庁
Before a light emitting region is formed, the pre-stage buffer layer 2' is subjected to heat treatment for recrystallization, for forming a buffer layer 2.例文帳に追加
そして、発光領域を形成する前に、該前段バッファ層2’に対して再結晶化のための熱処理を施すことによりバッファ層2とする。 - 特許庁
The tubulized pipe from the cold-rolled steel sheet may be heated to the recrystallization temperature or higher but A_c1+50°C or lower, while being kept in 450-600°C for 100 seconds or longer.例文帳に追加
冷延鋼板を造管後、450〜600℃の範囲の保持時間を100s以上として再結晶温度以上、A_c1+50℃以下に加熱しても良い。 - 特許庁
In addition, the smoothing plating is copper plating having a carbon content not more than 18 ppm, and a recrystallization temperature not higher than 200°C.例文帳に追加
また、本発明の未処理電解銅箔の光沢面に施す平滑めっきは、カーボン量18ppm以下で、かつ再結晶温度が200℃以下の銅めっきである。 - 特許庁
To provide a method for producing a silicon carbide single crystal which is reduced in the content of inclusions, impurity elements and crystal defects, by using a sublimation-recrystallization method of silicon carbide.例文帳に追加
炭化珪素の昇華再結晶法によりインクルージョン、不純物元素、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
To facilitate the controlling of the particle shape and the particle size of a chemically combined fine particle explosive when performing the recrystallization of the chemically combined explosive using a supercritical CO_2.例文帳に追加
超臨界CO_2を用いて化合火薬類の再結晶化を行う際に化合火薬類微粒子の粒子形状および粒子径の制御を容易にする。 - 特許庁
To provide a rim material for a two wheeler for providing sufficient brilliant performance by the presence of a recrystallization structure layer, even if postprocessing such as finishing buff polishing is applied.例文帳に追加
仕上げバフ研磨等の後加工が施されても、再結晶組織層の存在によって十分な光輝性が得られる2輪車用リム材を提供する。 - 特許庁
This alloy plate utilizes the residual distortion to cause a continuous recrystallization in the warm-plastic working operation thereby to manifest a high plastic deformability.例文帳に追加
この合金板材は、残存する歪みを利用して、温間塑性加工中に連続的な再結晶を生じ、高い塑性変形能を発現する。 - 特許庁
To provide an oxidation-resistant HDDR (hydrogen occlusion and dehydrogen-recrystallization treatment) magnet powder and a bond magnet excellent in magnetic characteristic, and its producing method.例文帳に追加
磁気特性に優れた耐酸化性HDDR(水素吸蔵、脱水素再結晶処理)磁石粉末およびボンド磁石とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for stably producing a silicon carbide single crystal almost free from defects by a sublimation recrystallization method using silicon carbide as a raw material.例文帳に追加
炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって欠陥の少ない炭化珪素単結晶を安定して製造する方法を提供すること。 - 特許庁
The temperature is selected so that the chromium crystal formed during electroplating is re-crystallized to thereby obtain a bcc-type recrystallization structure.例文帳に追加
そのために、温度は、電気めっきの際に形成されるクロム結晶が再結晶化されて、それによってbcc 構造の再結晶組織が得られるように選択される。 - 特許庁
The method for producing the high-purity adduct of bisphenol S with ethylene oxide comprises purifying the adduct of bisphenol S with ethylene oxide by recrystallization in the same solvent.例文帳に追加
また同溶媒中でビスフェノールSエチレンオキシド付加物の再結晶精製を実施する高純度ビスフェノールSエチレンオキシド付加物の製造方法。 - 特許庁
To provide a titanium phthalocyanine compound which does not require complicated operations such as recrystallization, reprecipitation, sublimation purification, or the like and is suitable for electronics related materials.例文帳に追加
再結晶、再沈殿、昇華精製等の煩雑操作を必要とせずに、エレクトロニクス関連材料用に好適なチタニウムフタロシアニン化合物を提供する。 - 特許庁
To prevent a stripe, where characteristics differ from those at other parts, from being generated in the joint of a scan when manufacturing a thin-film semiconductor in a laser recrystallization system.例文帳に追加
レーザ再結晶化方式で薄膜半導体を製造する際に、スキャンの継ぎ目に特性が他の部分と異なるスジが生じないようにする。 - 特許庁
By applying recrystallization annealing to the rolled copper foil, the rolled copper foil having bending characteristics more excellent than those of the conventional one can be provided.例文帳に追加
前記の圧延銅箔に再結晶焼鈍を施すことにより、従来よりも優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を提供することができる。 - 特許庁
After that, the partially coated substrate is heated up to a higher temperature than the recrystallization temperature of the ITO layer, and the remaining part of the ITO layer is sputter-deposited.例文帳に追加
その後で、部分的にコーティングされた基板をITO層の再結晶温度よりも高い温度まで加熱して、ITO層の残部をスパッタ堆積する。 - 特許庁
HOT-ROLLED STEEL SHEET WITH SMALL IN-PLANE ANISOTROPY AFTER COLD ROLLING AND RECRYSTALLIZATION ANNEALING, COLD-ROLLED STEEL SHEET WITH SMALL IN-PLANE ANISOTROPY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加
冷延−再結晶焼鈍後の面内異方性が小さい熱延鋼板、面内異方性が小さい冷延鋼板およびそれらの製造方法 - 特許庁
Further, by applying heat treatment at a temperature between a recrystallization temperature and a melting point, the PPS film with the crystallinity of 25% or more can be formed.例文帳に追加
また、PPSフィルムを再結晶温度〜融点の温度で熱処理することにより、結晶化度が25%以上のPPSフィルムを製造することができる。 - 特許庁
The production process is characterized in that, after recrystallization annealing, cold rolling is performed at a low reduction ratio of 7 to 55%, and thereafter, low-temperature annealing is performed.例文帳に追加
そして、製造方法は、再結晶焼鈍後に7%〜55%の低加工率での冷間加工を行い、その後低温焼鈍することを特徴とする。 - 特許庁
Further a recrystallization solvent such as an organic solvent is not required, the production method decreases a waste liquid, reduces an environmental load and is economically advantageous.例文帳に追加
さらに、有機溶媒等の再結晶溶媒を必要としないため、廃液を低減でき、環境負荷の削減および経済的にも有利である。 - 特許庁
To provide a stable liquid composition for oral cavity and throat causing no menthol recrystallization without substantially using any surfactant.例文帳に追加
界面活性剤を実質的に用いることなく、メントールの再結晶が生じない安定な液状口腔、咽喉用組成物を提供することである。 - 特許庁
To provide technology for producing a Ti-contg. ferritic stainless steel sheet in which the behavior of recrystallization in hot rolling is controlled and having excellent workability.例文帳に追加
熱間圧延における再結晶の挙動を制御し、優れた加工性を有するTi含有フェライト系ステンレス鋼板の製造技術を提案する。 - 特許庁
Recrystallization is achieved, by re-growing the solid phase crystal from the amorphized area of the defective semiconductor crystal material.例文帳に追加
本発明では、再結晶化は、欠陥性半導体結晶材料の非アモルファス化領域から固相結晶を再成長させることによって達成される。 - 特許庁
Concretely, gravitational acceleration of ≥10,000 g is applied at a temperature in which the material can hold a solid phase state and which is also the recrystallization temperature thereof or above.例文帳に追加
具体的には、材料が固相状態を保つことができ、かつ再結晶温度以上の温度下で、1万g以上の重力加速度を印加する。 - 特許庁
The isomers are separated by utilizing the difference of solubilities of position isomers and stereoisomers in water, and by using a method such as a recrystallization method and an extraction method.例文帳に追加
位置異性体および立体異性体の水に対する溶解度差を利用して、再結晶法や抽出法などの方法で異性体を分離する。 - 特許庁
This method is effectively utilized as the measuring method for recrystallization temperature of high purity gold used as gold wire for electric and electronic components.例文帳に追加
本発明は、特に、電気・電子部品の結線用の金線として使用される高純度金の再結晶温度の測定方法として利用価値が高い。 - 特許庁
When the cold-rolled steel sheet is subjected to decarburization annealing then to the finish-annealing, the grain diameter in the steel sheet is measured at the temperature raising process of the finish-annealing, and the starting timing of the secondary recrystallization is detected from a change in the measured grain diameter, and after detecting the start of the secondary recrystallization, the temperature raising speed is changed to ≤20°C/hr.例文帳に追加
冷延後の鋼板に脱炭焼鈍を施し、その後仕上げ焼鈍を施すにあたり、仕上げ焼鈍の昇温過程において鋼板の粒径を測定し、測定した前記粒径の変化から二次再結晶の開始を検知し、二次再結晶の開始を検知した後、昇温速度を20℃/hr以下に変更する。 - 特許庁
The production method comprises a monoesterification process for reacting a dicarboxylic acid anhydride with an alcohol in the presence of a base catalyst to give a dicarboxylic acid monoester and a recrystallization process for isolating the dicarboxylic acid monoester by a recrystallization method without carrying out an extrusion process and a cleaning process for a reaction solution obtained by the monoesterification.例文帳に追加
ジカルボン酸無水物とアルコールとを塩基触媒の存在下で反応させてジカルボン酸モノエステルとするモノエステル化工程と、該モノエステル化工程で得られた反応液に対して抽出工程や洗浄工程を行うことなく再結晶化法によって該ジカルボン酸モノエステルを単離する再結晶工程とを備える。 - 特許庁
To provide an aluminum alloy sheet for a PP cap which can suppress a change of an earing ratio to be low even if recrystallization annealing is not performed, and also possesses proper strength.例文帳に追加
再結晶焼鈍を行わないでも耳率の変化を低く抑えることができ、かつ、適正な強度を具備するPPキャップ用アルミニウム合金板を提供する。 - 特許庁
To provide a rolled copper foil in which discoloration after annealing due to recrystallization temperature can be prevented and which has excellent strength and workability when being formed in the foil and also has small surface roughness.例文帳に追加
再結晶温度に起因する焼鈍後の変色を防止し、箔にした際の強度及び加工特性に優れ、表面粗さの小さい圧延銅箔を提供する。 - 特許庁
At this time, since the low temperature heat treatment is performed at a low temperature less than the recrystallization temperature of pure nickel, i.e., at about 600(°C), the mechanical properties of the pure nickel rolling stock are hardly changed.例文帳に追加
このとき、低温熱処理は純ニッケルの再結晶温度以下の低温、すなわち600(℃)程度の温度で施されることから、その機械的性質は殆ど変化しない。 - 特許庁
When single crystal silicon carbide is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal 1, silicon nitride powder is mixed in silicon carbide powder as a raw material 2.例文帳に追加
種結晶1を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、原料2となる炭化珪素粉末に窒化珪素粉末を混合する。 - 特許庁
To provide a method for producing ipidacrine hydrochloride hydrate (9-amino-2,3,5,6,7,8-hexahydro-1H-cyclopenate[b]quinoline monohydrochloride monohydrate) including no organic solvent used in recrystallization.例文帳に追加
再結晶で使用した有機溶媒の含まれない塩酸イピダクリン水和物(9−アミノ−2,3,5,6,7,8−ヘキサヒドロ−1H−シクロペンタ−[b]キノリン一塩酸塩一水和物)の製造方法を提供する。 - 特許庁
An optically active 1-(trifluoromethyl monosubstituted phenyl) ethylamine is made into an inorganic acid or organic acid salt, purified by recrystallization so that the compound is purified in a high optical purity.例文帳に追加
光学活性1−(トリフルオロメチルモノ置換フェニル)エチルアミン類を無機酸または有機酸の塩にして再結晶精製することにより高い光学純度に精製する。 - 特許庁
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