「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(326ページ目) - Weblio英語例文検索

The first synthetic resin layer 12 composed of a transparent synthetic resin colored with a color pigment, and the second synthetic resin layer 13 with shielding properties, composed of a synthetic resin and colored with a color pigment having shielding properties, are superposed together and integrally molded.例文帳に追加

色顔料により着色した透明性を有する合成樹脂からなる第１合成樹脂層12と、遮蔽性を有する色顔料により着色した遮蔽性を有する合成樹脂からなる第２合成樹脂層13とを積層し一体成形する。 - 特許庁

The constituent unit comprises a first electrode which includes a substrate and a one-dimensional nanostructure formed on the substrate, a functional layer which is formed on the substrate and surrounds the one-dimensional nanostructure, and a second electrode which is electrically insulated from the first electrode and surrounds the functional layer.例文帳に追加

該構成ユニットは、基体と該基体に形成される一次元のナノの構成を含む第一電極と、該基体に形成され、前記一次元のナノ構成を囲う機能層と、該第一電極と電気絶縁し、前記機能層を囲う第二電極と、を含む。 - 特許庁

The adhesion between the metal wiring and the interlayer film is enhanced by inserting a first insulating film 10 between the lower layer metal film 2 and the organic interlayer film 4 and a second insulating film 14 between the upper layer metal wiring 7 and the organic interlayer film 4.例文帳に追加

下層金属配線２と有機層間膜４との間に第１の絶縁膜１０を介在させ、上層金属配線７と有機層間膜４との間には第２の絶縁膜１４を介在させて金属配線と層間膜との間の密着性を高める。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask matching which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench at a first conductive semiconductor layer and epitaxially growing a second conductive semiconductor layer in it for forming a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

The display has a substrate, a first transparent conductor on a substrate, a cholesteric liquid crystal layer having a plurality of stable optical states at a plurality of ambient temperatures and a second conductor for absorbing light on the cholesteric liquid crystal layer.例文帳に追加

ディスプレイは、基板と、基板上の第１の透過性導体と、第１の透過性導体上の、複数の周囲温度で複数の安定な光学状態を有するコレステリック液晶層と、コレステリック液晶層上の、光を吸収する第２の導体とを有する。 - 特許庁

A heat transfer intermediate material is arranged on or along one surface of a flexible heat conductive sheet, or the flexible heat conductive sheet is jointed to a first layer and a second layer of the heat transfer intermediate material enclosed therein, or interposed therebetween.例文帳に追加

伝熱中間材料が、可撓性熱伝導性シートの片面上にまたはそれに沿って配設され、または、可撓性熱伝導性シートは、伝熱中間材料の第１の層および第２の層に接合され、その中に封入され、またはその間に介設される。 - 特許庁

A second semiconductor laser element 20 via an electrode 8 for a wiring and a metallic wire 35, or the like, via a pad electrode 6 are jointed on the surface of the current blocking layer 5 (a region 5b) that corresponds to the region, forming at least the adherence layer 30.例文帳に追加

そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 - 特許庁

The insulated laminating material 1 includes: a substrate 2; a first sintered layer 3 that is made of metal powder and is formed on one surface of the substrate 2; and a second sintered layer 4 that is made of mixed powder containing metal powder and is formed on the other surface of the substrate 2.例文帳に追加

絶縁積層材１は、基板２と、金属粉末からなりかつ基板２の一面に形成された第１焼結体層３と、金属粉末を含む混合粉末からなり、かつ基板２の他面に形成された第２焼結体層４とを備えている。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask registration which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench on a first conductivity type semiconductor layer and epitaxially growing a second conductivity type semiconductor layer in it to form a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

The first compound semiconductor layer is removed while irradiating the first compound semiconductor layer with light having energy between the first bandgap and the second bandgap, and the substrate is separated from the compound semiconductor laminated structure.例文帳に追加

前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。 - 特許庁

A film obtained by the polymer laminar composite comprising a first layer including a specific polyurethane polymer and a second layer including a specific polymeric thiophene and polystyrene sulfonate has a low specific electrical resistance relative to the degree of extension of the film and improved adhesion.例文帳に追加

特定のポリウレタンポリマーを含む第１層、および特定のポリマーチオフェンおよびポリスチレンスルホネートを含む第２層を含んでなるポリマー積層複合材料によって得られたフィルムは、伸長度に対する比電気抵抗が、低く、接着性が向上している。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

The thin film transistor comprises an organic thin film layer and a gate electrode which is isolated by the predetermined distance respectively from a first electrode and a second electrode which are in contact with the different surfaces of the organic thin film layer and are formed opposed with each other with the predetermined interval kept between them.例文帳に追加

有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもったゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

A second layer 12 laminated thereon comprises cloth which includes a fiber having similar strength per unit cross-sectional area to the fiber of the first layer, uses yarn having a diameter of 30 to 200 μm, is worn with 10 to 200 meshes and has an opening dimension of 50 to 800 μm.例文帳に追加

その上に積層される第二層１２は、第一層の繊維と単位断面積あたりの強度が同じ繊維からなり線径が３０〜２００μｍの糸を用いて、１０〜２００メッシュで織り上げ、開口寸法を５０〜８００μｍとしたクロスにより構成される。 - 特許庁

The cantilever beam element 20 is constituted of an insulating material furnished with low temperature conductivity and adhered between a first deflecting layer 22 and a second deflecting layer 24, and both of them are constituted of a resistant material furnished with the substantially same coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

前記片持ち梁要素２０は、低温伝導性を備えた絶縁材料から成り、第１の偏向層２２と第２の偏向層２４との間で接着されており、両者とも実質的に等しい熱膨張係数を備えた抵抗性のある材料から成る。 - 特許庁

When an independent bias voltage is applied between the second P type heavily doped layer 6 and the N type heavily doped layer 11, undesired carriers generated from other than the light receiving area can be taken out separately from the signal and the effect of undesired carriers can be suppressed.例文帳に追加

第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加することで、受光エリア外から生成する不所望のキャリアを信号とは別に取り出すことができ、不所望のキャリアによる影響を抑えることができる。 - 特許庁

The light shielding layer BM is an insulator which is provided on a position corresponding to a separation region between the second and third electrodes 24 of a surface on the side of the light emitting layer 26 of the first electrode 22, shields the irradiation light IL and the reflected light RL, and has an opening.例文帳に追加

遮光層ＢＭは、第１電極２２の発光層２６側の表面のうち第２，第３電極２４間の離間領域に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された絶縁体である。 - 特許庁

The interconnector 7 has a first layer 8-1 whose one surface is connected to the fuel electrode 3 of one cell 6, and a second layer 8-2 whose other surface is connected to the air electrode 5 of the other cell 6.例文帳に追加

インターコネクタ７は、一方のセル６の燃料極３上に一方の面を接続された第１層８−１と、第１層８−１の他方の面に一方の面を接続され、他方のセル６の空気極５に他方の面を接続された第２層８−２とを含む。 - 特許庁

At least one of the solar battery cell separation regions includes: a first separation groove extending through the first electrode layer; and a second separation groove extending through the first photoelectric conversion layer, which is filled into the first separation groove, and the interlayer.例文帳に追加

太陽電池セル分離領域の少なくとも１つは、第１の電極層を通して伸張する第１の分離溝と、第１の分離溝内に充填された第１の光電変換層及び中間層を通して伸張する第２の分離溝とを具備する。 - 特許庁

The super low-resilience dust wipe material 10 for a clean room includes a flexible base material 20, a first nano fiber layer 30 formed on one surface in the flexible base material 20, and a second nano fiber layer 40 formed on the other surface in the flexible base material 20.例文帳に追加

可撓性基材２０と、可撓性基材２０における一方の面上に形成された第１ナノ繊維層３０と、可撓性基材２０における他方の面上に形成された第２ナノ繊維層４０とを備えるクリーンルーム用の超低発塵拭き取り材１０。 - 特許庁

To provide a spiral knitting hose with the first reinforcing layer and the second reinforcing layer respectively composed of reinforcing yarns wound in the reverse direction each other and spirally.例文帳に追加

補強糸をスパイラル状に巻き付けて成る内側の第１補強層と、外側の第２補強層とを有するスパイラル編みホースにおいて、それら第１補強層と第２補強層とによる補強性能のアンバランスに基づいてホースが捩れ、耐圧性能が低下する問題を解決する。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor that enables the base width W of a ridge and the thickness d of a residual film to be set high in dimensional accuracy and a current block layer formed sandwiching in the ridge of a second clad layer to grow, and prevents generation of a void.例文帳に追加

リッジ底辺の幅Ｗおよび残し膜厚ｄを高寸法精度で形成でき、さらにリッジの側壁にも電流ブロック層が成長するとともに、ボイドの発生も抑制可能なIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The first tape layer forming the tape 10 is to be of a glass tape 11 excellent in tensile force, dimensional stability, electric insulation, nonflammability, and chemical properties, and at the same time, the second tape layer is to be of a silicone tape 12 excellent in heat resistance, electric characteristics, and adhesiveness.例文帳に追加

そして、テープ１０を形成する第一のテープ層を、引張り強さ、寸法安定性、電気絶縁性、不燃性、耐薬品性に優れるガラステープ１１とするとともに、第二のテープ層を、耐熱性、電気的性質、接着性に優れるシリコーンテープ１２とする。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has the semiconductor element 2 and a submount portion 3 where the semiconductor element 2 is mounted, and the submount portion 3 comprises the submount substrate 4, and a first coating layer 5 and a second coating layer 6 covering the top and reverse surfaces of the submount substrate 4.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体素子２と、半導体素子２を搭載するサブマウント部３とを有し、サブマウント部３は、サブマウント基板４と、サブマウント基板４の表面及び裏面に被覆された第１の被覆層５及び第２の被覆層６とからなる。 - 特許庁

A method for reducing crystal defects of a SIMOX wafer includes: a first process to destroy crystal defects by making ion injected into a silicon layer 13 from the surface of a wafer collide with crystal defects (14, 15); and a second process to recrystalize the silicon layer 13 by heating the wafer obtained in the first process.例文帳に追加

ウェーハの表面からシリコン層１３に注入したイオンを結晶欠陥（１４，１５）に衝突させて結晶欠陥を壊す第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してシリコン層１３を再結晶させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

After that, an exposed area 100B where the collector layer 110 is exposed without the electrode layer 120 formed is pressurized by a second roll 231 with a smaller diameter than the first roll 221 at a pressure of 10 N/cm or more and 20 N/cm or less.例文帳に追加

そののち、電極層１２０が形成されず集電体層１１０が露出している露出領域１００Ｂを、第１ロール２２１よりも小さい径を有する第２ロール２３１により１０Ｎ／ｃｍ以上２０Ｎ／ｃｍ以下の圧力で加圧する。 - 特許庁

In the oxidation-resistant C/C composite material, a first coating layer comprising a functionally gradient SiC coated film and a second coating layer comprising a composite coated film of a high-melting ceramic powder, fibrous SiC and B_2O_3-SiO_2 glass are formed on the surface of a C/C composite substrate in a laminated manner.例文帳に追加

Ｃ／Ｃ 複合基材面に傾斜機能組織のＳｉＣ 被膜からなる第１被覆層、高融点セラミックス粉末、繊維状ＳｉＣ 、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２ 系ガラスとの複合被膜からなる第２被覆層が積層形成された耐酸化性Ｃ／Ｃ 複合材。 - 特許庁

The second substrate 2 includes an arranged TFT 100 composed of a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed of, for example, polysilicon, for example, a silicon semiconductor layer 7, a gate dielectric layer 8 formed of an oxide film etc., and a gate electrode 9.例文帳に追加

第２の基板２には、例えばポリシリコンにより形成されるソース電極５とドレイン電極６と例えばシリコン半導体層７と酸化膜などにより形成されるゲート誘電体層８とゲート電極９とにより構成されるＴＦＴ１００を配置する。 - 特許庁

The flexible wiring board 1A includes a first wiring layer 10a including signal wiring 12, a second wiring layer 10b including a ground conductor pattern 13, and a terminal 14 electrically connected to the signal wiring 12 to make electric connection with an external conductive element.例文帳に追加

フレキシブル配線基板１Ａは、信号配線１２を含む第一配線層１０ａと、接地導体パターン１３を含む第二配線層１０ｂと、信号配線１２と電気的に接続され、外部の導電要素との電気的接続を図るための端子１４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 has an EA type optical modulator 11A in which the insulating region of an active layer 16A at a first portion 11a including the exit side end is thicker than the insulating region of the active layer 16 at a second portion 11b.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子１０は、出射側端部を含む第１の部分１１ａの活性層１６Ａの絶縁領域の厚さが、第２の部分１１ｂの活性層１６の絶縁領域の厚さより厚いＥＡ型光変調器１１Ａを備える。 - 特許庁

A plurality of opening holes respectively facing to the electron emission element are formed on a grid 24 provided between the first substrate and the second substrate, and a plurality of conductive members 30a respectively abutting on the partitioned layer of the metal back layer are vertically arranged.例文帳に追加

第１基板と第２基板との間に設けられたグリッド２４には、それぞれ電子放出素子と対向した複数の開孔が形成されているとともに、メタルバック層の分割層にそれぞれ当接した複数の導電部材３０ａが立設されている。 - 特許庁

A stable halftone display is obtained by connecting a first electrode 5 arranged on a first substrate 1 and a second electrode 7 arranged on a partition wall 6 via a resistor layer 9 and generating a uniform potential gradient inside the resistor layer 9.例文帳に追加

第1基板１に設けられた第１電極５と、隔壁６に設けられた第２電極７とを抵抗層９を介して接続し、抵抗層９内に均一な電位勾配を生じさせることにより、安定した中間調表示を得ることが出来るようにする。 - 特許庁

A first set of marks and a second set of marks for overlay measurement are formed at prescribed positions of the lower layer and upper layer, respectively, of a semiconductor chip.例文帳に追加

重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第２のマークがそれぞれ半導体チップ上の下層と上層の所定の領域に形成され、第１のマークは微細スペース６で囲われた凸状パターンで形成され第２のマークはレジストパターン８，８ａで形成される。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board improved in wiring density, and also to provide a method of manufacturing a multilayer wiring board in which a short circuit is removed even if the short circuit is produced between a first inner wiring layer and a second inner wiring layer.例文帳に追加

配線密度を向上させることが可能な多層配線板、及び第１の内層配線と第２の内層配線との短絡部を絶縁基板間に形成した場合であっても、短絡部を除去することが可能な多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second conduction layer 88 prevents any nano-tubes 100 remained on the upper surface of the first conduction layer 84 from emitting electron 98 upwards, and restricts all emitted electron 98 downwards toward an anode 80 formed on a glass panel 72.例文帳に追加

第２導電層８８は、第１導電層８４の上面上に残るいかなるナノチューブ１００も上方に電子９８を放出することを防止し、全ての放出された電子９８を底部ガラスパネル７２上に形成されるアノード８０に向かって下方に制限する。 - 特許庁

A plurality of second conductance type highly doped source drains are disposed adjacent the tops of the trenches in the upper layer and each source region extends from the upper surface down to a depth in the upper layer so as to overlap with the conductive material in the trench.例文帳に追加

複数の第２のコンダクタンス型の高度にドープされたソース領域が各トレンチの上部に隣接して上部層に配置され、各ソース領域はトレンチ内の導電性材料との間でオーバーラップするように上部層内の深さにまで上部表面から延びている。 - 特許庁

The organic EL panel 10 has an organic EL element in which an organic EL laminate 15 is formed on a substrate 11 by laminating a first electrode, an organic layer 13, and a second electrode 14 and at least the organic layer is interposed between a pair of electrodes.例文帳に追加

有機ＥＬパネル１０は、基板１１上に、第一電極１２，有機層１３，第二電極１４を積層した有機ＥＬ積層体１５を形成して、一対の電極間に少なくとも有機層を挟持してなる有機ＥＬ素子を形成している。 - 特許庁

Half-cut lines 22a and 22b for opening, first half-cut lines 32a and 32b for peeling, and second half-cut lines 35a to 35c for peeling are formed in the paper box by half cut so as not to reach the aluminum layer, thereby preventing barrier characteristics from being reduced due to the aluminum layer.例文帳に追加

紙箱に形成される開封用ハーフカット線２２ａ、ｂ、第１剥離用ハーフカット線３２ａ、ｂ、および第２剥離用ハーフカット線３５ａ〜ｃは、アルミ層まで到達しないハーフカットで形成されているので、アルミ層によるバリア特性を損なうことはない。 - 特許庁

By a structure where the first external electrode 24 and the second external electrode 32 are formed almost in parallel at the same main surface side of the dielectric layer 18 via an insulating layer 28, the capacitance density can be increased, the manufacturing process can be simplified, and ESL (equivalent series inductance) can be reduced.例文帳に追加

第１の外部電極２４と第２の外部電極３２が、誘電体層１８の同一主面側に絶縁層２８を介して略平行に形成される構成のため、容量密度の向上，製造プロセスの簡略化，ＥＳＬの低減が可能となる。 - 特許庁

The second adhesive layer 9 consists of an insulation resin layer of which a glass transition temperature is 135°C or higher, a linear expansion coefficient is 100 ppm or lower at the glass transition temperature or lower, and an elastic modulus at room temperature is 500 MPa to 2 GPa.例文帳に追加

第２の接着剤層９はガラス転移温度が１３５℃以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が１００ｐｐｍ以下であると共に、常温弾性率が５００ＭＰａ以上２ＧＰａ以下である絶縁樹脂層で構成されている。 - 特許庁

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28.例文帳に追加

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。 - 特許庁

In the sealing lid 1, there are formed cutting lines 41 which reach the boundary between the lower layer part 11 and the upper layer part 12 of the first sheet 10 in the thickness direction and radially extend in the orientation direction of the first sheet 10 and the second sheet 20.例文帳に追加

シール蓋１には、厚み方向において、第１シート１０の下層部１１と上層部１２との境界にまで到達し、前記第１シート１０及び前記第２シート２０の延伸方向において、放射状に伸びる切断線４１が形成される。 - 特許庁

A first reflecting part and a second reflecting part, which have been formed as an integral part in a conventional pointer instrument for a vehicle, are divided into two parts i.e. the reflecting layer 23 and the reflector 5, and the reflecting layer 23 is integrally formed with the dial 2.例文帳に追加

従来の車両用指針計器において一体部品として形成している第１の反射部と第２の反射部とを２部品、つまり反射層２３とリフレクタ５とに分割するとともに、反射層２３を文字盤２と一体的に形成している。 - 特許庁

In a region other than second wiring 103 and its periphery on the back of the wiring tape 1, a ground layer 104 covered with a copper-plated layer 105 is provided, and the first wiring 102A on the surface of the base 101 is connected to the external connection terminal 102B via a via hole.例文帳に追加

配線テープ１の裏面には第２配線１０３とその周囲を除く領域に、銅メッキ層１０５で覆った接地層１０４を設け基材１０１表面の第１配線１０２Ａ及び外部接続端子１０２Ｂとビア孔を介して接続する。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting device capable of raising wettability and adhesion at the time of forming of a second protective layer made of an organic material, while maintaining dampproofness of a first protective layer, and capable of preventing infiltration of moisture and oxygen into an organic light-emitting element without generating curing contraction.例文帳に追加

第一保護層が防湿性を有すると共に、有機材料からなる第二保護層の形成時における濡れ性、密着性を高め、かつ硬化収縮を起こさず、有機発光素子への水分や酸素の浸入を防止できる有機発光装置を提供する。 - 特許庁