「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(329ページ目) - Weblio英語例文検索

Then nanowires 9 of a second array are formed around each nanowire 7 of the first array by covering an insulating material layer 10 around each nanowire 7 of the first array and covering the associating droplets 6 with a p-type semiconductor material layer.例文帳に追加

次いで、第２のアレイのナノワイヤ９が、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の周囲に形成された絶縁材料層１０及び付随するドロップレット６を、ｐ型の半導体材料層で覆うことによって、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の周囲に形成される。 - 特許庁

The synthetic resin molding 4 is molded by the simultanenous injection of a first synthetic resin composition 2 into the front-surface side of an interface layer sheet 1 positioned in the substantial middle of the thickness direction, and a second synthetic resin composition 3 into the back-surface side of the interface layer sheet.例文帳に追加

厚み方向の略中間に位置する界面層シート１の表面側に第１の合成樹脂組成物２が、裏面側に第２の合成樹脂組成物３が同時に注入されて形成されることで成形された合成樹脂成形品４である。 - 特許庁

A retrieval device body 11 determines whether a selection candidate is present in a second layer 31b within an address database 31 or not in step S26, performs alarm display for a moment in step S32 when the determination result is NO, and then performs transfer to a lower layer in step S33.例文帳に追加

検索装置本体１１は、ステップＳ２６で住所データベース３１内の第２階層３１ｂに選択候補があるか否かを判定し、この判定がＮｏの場合、ステップＳ３２で警告表示を一瞬行った後、ステップＳ３３で下位階層に移行する。 - 特許庁

The dummy layer 70 for the second CMP includes: dummy first to the fourth word line conductive layers 72a to 72d which are parallel to the semiconductor substrate Ba and are laminated, and are formed in the same manner that the first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are formed; and a dummy memory protection insulating layer 74.例文帳に追加

第２ＣＭＰ用ダミー層７０は、半導体基板Ｂａに平行で且つ積層されて第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄと同層に形成されたダミー第１〜第４ワード線導電層７２ａ〜７２ｄ、ダミーメモリ保護絶縁層７４を備える。 - 特許庁

In the eye-patch, a flexible nonwoven fabric or woven fabric is laminated by a first pressure-sensitive adhesive layer on one face of a substrate sheet having a light shielding rate of at least 99.9%, and a second pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the other face of the nonwoven fabric or woven fabric.例文帳に追加

遮光率が９９．９％以上の基材シートの一面に柔軟な不織布又は織布が第１の粘着剤層により積層され、不織布又は織布の他面に第２の粘着剤層が積層されていることを特徴とするアイパッチ。 - 特許庁

While a second layer 105, that forms selective protection and is made of the photosensitive resin, is being used, the metallic conductive path and micro-via are formed in the first layer made of the insulating, photosensitive resin, and on the surface of a part exposed in the step (b) by the metal covering.例文帳に追加

ｃ）選択的な保護を形成する、感光性樹脂の第２層１０５を使用しながら、金属皮膜によって、絶縁性の感光性樹脂の第１層及び、ステップｂ）で露出した部分の表面に金属の導電路及びマイクロビアを形成する。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes: an optical semiconductor element 10 including an optical waveguide core layer 14; and first and second anode electrodes 20 and 22 lined up on an upper surface of the optical semiconductor element 10 along an extending direction of the optical waveguide core layer 14.例文帳に追加

光半導体装置は、光導波路コア層１４を含む光半導体素子１０と、光半導体素子１０の上面において光導波路コア層１４の延在方向に沿って並べて設けられた第１及び第２のアノード電極２０，２２とを備える。 - 特許庁

The gate insulation layer 12 has regions containing nitrogen at the opposite end parts thereof wherein the concentration distribution of nitrogen atoms exhibits a first peak in the vicinity of interface with the gate electrode 14 and a second peak in the vicinity of interface with the semiconductor layer 10.例文帳に追加

ゲート絶縁層１２は、両端部に窒素含有領域１２ａを有し、かつ、ゲート電極１４との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第１のピークを有し、さらに、半導体層１０との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第２のピークを有する。 - 特許庁

The solar cell module is constructed by having a porous oxide semiconductor layer 5 carrying sensitizing dyes, and comprises a first electrode functioning as a window electrode and a second electrode arranged opposed to the first electrode through an electrolyte layer at least at a part.例文帳に追加

太陽電池モジュールは、増感色素を担持させた多孔質酸化物半導体層５を有して構成され、窓極として機能する第一電極と、少なくとも一部に電解質層を介して第一電極と対向して配される第二電極とを備える。 - 特許庁

The gate electrode 18 has a first electrode layer 20 having a function as a Schottky electrode, and a second electrode layer 21 having the field plate part 21a formed by a metal material where the contact part of the insulating film 19 closely adheres to the insulating film 19.例文帳に追加

ゲート電極１８は、ショットキー電極の機能を有する第１の電極層２０と、絶縁膜１９との接触部が絶縁膜１９に密着する金属材料で構成されたフィールドプレート部２１ａを有する第２の電極層２１と、を有する。 - 特許庁

When plasma emission is monitored during dry etching and an emission wavelength derived from nitrogen is monitored, the silicon oxide nitride film in the third insulation layer 3 is eliminated and exposure of the silicon oxide nitride film in the second insulation layer 2 is detected thus ending the etching.例文帳に追加

ドライエッチング中にプラズマ発光のモニタリングを行って窒素由来の発光波長をモニタリングすることにより、第３の絶縁層３のシリコン酸窒化膜がなくなり、第２の絶縁層２のシリコン酸窒化膜が露出してきたことが検出され、エッチングを終了する。 - 特許庁

The etching device includes a first etchant supply part 211 supplying a relatively small amount of the etchant to the coating layer; and a second etchant supply part 221 disposed at the subsequent stage of the first etchant supply part 211 and supplying a relatively large amount of the etchant to the coating layer.例文帳に追加

エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。 - 特許庁

A first region having a single-crystal semiconductor layer left by performing heat treatment after implanting ions into a single-crystal semiconductor and sticking it on a substrate, and a second region having a non-single-crystal semiconductor layer are provided over the substrate.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。 - 特許庁

The elliptically polarizing plate comprises a polarizer, a first optically anisotropic layer having positive refractive index anisotropy and a tilted optical axis of the anisotropy and a second optical anisotropic layer having negative refractive index anisotropy and a tilted optical axis.例文帳に追加

偏光子、正の屈折率異方性を有し、かつ該光軸が傾斜している第１の光学異方性層、および負の屈折率異方性を有し、かつ該光軸が傾斜している第２の光学異方性層を含有することを特徴とする楕円偏光板。 - 特許庁

The force to prevent the deformation of a piezoelectric layer 70 becomes weak as compared with the constitution of a first upper electrode single layer because the Young modulus of tungsten, molybdenum, aluminum, and magnesium included in second upper electrodes 82 is small as compared with the Young modulus of iridium of first upper electrodes 81.例文帳に追加

第１上電極８１のイリジウムのヤング率と比較して、第２上電極８２に含まれるタングステン、モリブデン、アルミニウム、マグネシウムのヤング率が小さいので、第１上電極単層の構成と比較して、圧電体層７０の変形を妨げる力が弱まる。 - 特許庁

The content of the elements other than Ni and having a Goldschmidt radius larger than Ni, in the Ni alloys forming the second seed layer is larger than the content of elements other than Ni and having Goldschmidt radius larger than Ni in the Ni alloys in the first seed layer.例文帳に追加

第２のシード層を形成するＮｉ合金中、Ｎｉ以外の元素でＮｉよりゴールドシュミット半径が大きい元素の含有量は、第１のシード層中のＮｉ以外の元素でＮｉよりゴールドシュミット半径が大きい元素の含有量より多い。 - 特許庁

A hardly soluble barium compound of 0.03-0.045 mol/L is contained in at least one of a first catalyst layer containing a compound oxide of cerium/zirconium and platinum-deposited aluminum oxide and a second catalyst layer containing rhodium-deposited zirconium dioxide and aluminum oxide.例文帳に追加

セリウム／ジルコニウム複合酸化物および白金担持酸化アルミニウムを含む第１触媒層と、ロジウム担持二酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムを含む第２触媒層との少なくとも一方に０．０３〜０．０４５ｍｏｌ／Ｌの難溶性バリウム化合物が含有されている。 - 特許庁

This composite fabric contains a first cloth layer comprising intrinsically hydrophilic or made to hydrophilic polyester, acrylic or nylon raw material and a second cloth layer comprising cotton, made to hydrophilic synthetic yarn or their combination.例文帳に追加

複合布は、本来親水性であり、または親水性にされたポリエステル、アクリルまたはナイロン材料からなる第１の布層と、綿、親水性にされた合成糸またはこれらの組み合わせのような水分級吸収材料を組み込んだ第２の布層とを含む。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element having a bulk heterojunction type photoelectric conversion layer held between a first electrode and a second electrode is characterized in that the photoelectric conversion layer contains particulates bonded to at least an organic semiconductor.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極に挟まれたバルクヘテロジャンクション型の光電変換層を有する有機光電変換素子において、前記光電変換層が、少なくとも有機物半導体と結合した微粒子を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

Furthermore, between terminal electrodes 13a and 13b among first terminal electrodes, a capacity is formed through a dielectric layer 11, and between terminal electrodes 14a and 14b among second terminal electrodes, a capacity is formed through a dielectric layer 11.例文帳に追加

そして、第１の端子電極群のうち１３ａ、１３ｂの端子電極間で誘電体層１１を介して容量が形成され、かつ第２の端子電極群のうち１４ａ、１４ｂの端子電極間で誘電体層１１を介して容量が形成されている。 - 特許庁

The optical member has a laminate structure including a first resin layer having positive intrinsic birefringence and a second resin layer containing a polymer having an α,β-unsaturated monomer unit having a complex aromatic group as a constitutional unit and negative intrinsic birefringence.例文帳に追加

固有複屈折が正である第１の樹脂層と、複素芳香族基を有するα,β−不飽和単量体単位を構成単位として有する重合体を含み、固有複屈折が負である第２の樹脂層とを含む積層構造を有する光学部材とする。 - 特許庁

The second label area L2 is bonded to the side of an adhesive layer 11 of the first label area L1 so as to have a printing face positioned on the object side, and a part of the adhesive layer 11 adheres to the object to keep the printing face secret.例文帳に追加

第２のラベル領域Ｌ２は、その印字面が被着体側に位置するように第１のラベル領域Ｌ１の粘着剤層１１側に接着され、当該粘着剤層１１の一部が被着体に接着することで印字面を秘匿した状態が保たれる。 - 特許庁

The front substrate and the rear substrate are sealed at their peripheries through a sealing layer 33, and the sealing layer is formed by mixing a first metal material which is main component and at least one second material having different hardness from the first metal material.例文帳に追加

前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、この封着層は、主成分である第１金属材料と、第１金属材料と硬度の異なる少なくとも１つの第２材料とが混在して形成されている。 - 特許庁

An opening portion 114 is formed in the first and second insulation layers 110, 112 so that the thickness of the portion of semiconductor layer 108, where a channel portion 117 is formed is made smaller than the thickness of the portion of the semiconductor layer 108 where source and drain portions 122, 124, are formed.例文帳に追加

第１および第２絶縁膜１１０，１１２に，チャネル部１１７を形成する半導体層１０８の厚みがソースおよびドレイン部１２２，１２４を形成する半導体層１０８の厚みよりも薄くなるように開孔部１１４を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with a first polarization control element 27 provided to the surface opposite to the liquid crystal layer 16 of the TFT substrate 14 and a second polarization control element 28 provided to the surface opposite to the liquid crystal layer 16 of the CF substrate 15.例文帳に追加

また、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１４の液晶層１６とは反対面に設けられた第１偏光制御素子２７と、ＣＦ基板１５の液晶層１６とは反対面に設けられた第２偏光制御素子２８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer (21) on a substrate (20), a first gate electrode (25) provided on the layer (21), and a second gate electrode (28) adjacent to one side of the first gate electrode in a channel length direction and having a work function different from that of the first gate electrode.例文帳に追加

基板（２０）上の半導体層（２１）と、この上に設けられた第１のゲート電極（２５）と、該第１のゲート電極のチャネル長方向の片側に隣接し、前記第１のゲート電極とは異なる仕事関数を持つ第２のゲート電極（２８）とを備える。 - 特許庁

The first underlying metal layer 3 and the second underlying metal layer 4 formed on the pad member 1, the bump 5 formed on the underlying metal layers 3 and 4, and the underlying metal layers 3 and 4, are arranged even on the outside of the area of the bump 5.例文帳に追加

パッド部材１上に形成された第一下地用金属層３、第二下地用金属４と、下地金属層３、４上に設けられたバンプ５と、下地用金属層３、４が、バンプ５の面積を超えて、外側にも配置された構成を有している。 - 特許庁

The scintillator panel 1a is composed of the scintillator plate 101 formed by placing a corrosionproof reflective layer 101c and a scintillator layer 101b on a heat-resistant resin substrate 101a, a first protective film 102a and a second protective film 102b sealed by a sealing section 103.例文帳に追加

耐熱性樹脂基板１０１ａ上に防蝕性反射層１０１ｃ及びシンチレータ層１０１ｂを設けて成るシンチレータプレート１０１と、封止部１０３で封止される第１保護フィルム１０２ａと第２保護フィルム１０２ｂとでシンチレータパネル１ａを構成する。 - 特許庁

A p-base layer 3, an n-source layer 4, a gate electrode 11 and an emitter electrode 14a which serves as an IGBT are formed in a first region R1 on a first principal plane of an n-type semiconductor substrate 1, and a collector electrode 15 is formed on a second principal plane.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の第１主表面の第１領域Ｒ１には、ＩＧＢＴとなる、ｐベース層３、ｎソース層４、ゲート電極１１、エミッタ電極１４ａが形成され、第２主表面には、コレクタ電極１５が形成されている。 - 特許庁

The moisture permeable waterproof fabric is formed by sequentially laminating a moisture permeable waterproof membrane containing an organic pigment and/or inorganic coloring pigment as a first layer and a non-porous membrane containing an inorganic pearly pigment as a second layer on at least the one side surface of a fibrous fabric.例文帳に追加

繊維布帛の少なくとも片面に、第１層として、有機顔料及び／又は無機着色顔料を含有する透湿防水膜が、第２層として、無機パール顔料を含有する無孔質膜が順次積層されている透湿防水性布帛。 - 特許庁

A base layer made of a first hardening material with a porosity of 3,000 to 100,000 cps at 10 to 80°C and a coating layer made of a second hardening material with a porosity of not more than 200 cps at 10 to 80°C are to be provided.例文帳に追加

１０〜８０℃で粘度が３０００〜１０００００ｃｐｓである第１硬化性材料からなる基層と、その記基層の表面を被覆した、１０〜８０℃で粘度が２００ｃｐｓ以下である第２硬化性材料からなる被覆層とを備えるように構成する。 - 特許庁

The sealing material 30 has a first portion 31 placed on the surface of the overcoat layer 13 and a second portion 32, in contact with the surface of the first substrate 10 in an exposed region Ae, where overcoat layer 13 is not formed.例文帳に追加

シール材３０は、オーバーコート層１３の表面上に位置する第１の部分３１と、第１基板１０のうちオーバーコート層１３が形成されていない露出領域Ａeにて当該第１基板１０の表面に接触する第２の部分３２とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-type silicon substrate 1 (first conductivity layer), a gate electrode 5 (second conductivity layer) and a gate insulated film 4 which is formed between the p-type silicon substrate 1, and the gate electrode 5 consisting of a silicon oxide film (SiO_2 film) whereto chloride is introduced.例文帳に追加

上記半導体装置は、ｐ型シリコン基板１（第１導電層）と、ゲート電極５（第２導電層）と、ｐ型シリコン基板１とゲート電極５との間に形成され、塩素が導入されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）からなるゲート絶縁膜５とを備えている。 - 特許庁

If the thickness of the second dielectric layer is partially made thinner than the normal film thickness, the thermal condition of the recording layer is changed and the change from a crystal state to an amorphous state can not be realized by rewriting laser output in the area where the thickness is set thinner.例文帳に追加

第２誘電体層の厚さを通常の膜厚より部分的に薄くすると、薄く設定された領域では、記録層の熱的条件が変わり、書き換えのためのレーザ出力では結晶質から非晶質へ変化させることができなくなる。 - 特許庁

In a smell detection element wherein a sensitive layer 2 formed of a semiconductor based on tin oxide is provided so as to cover a noble metal wire 1, rare earth metal oxide is added to the sensitive layer 2 as a first component and gold is further added thereto as a second component.例文帳に追加

貴金属線を覆って、酸化スズを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるニオイ検知素子であって、前記感応層に、第一成分として、希土類金属酸化物を添加し、さらに、第二成分として金を添加してある。 - 特許庁

A truncated conical lower electrode 10 composed of a first lower electrode layer 10a and a second lower electrode layer 10b is provided on an Si substrate 1 provided with an n- channel MOS transistor, and a low dielectric constant film 11 is provided on the upper bottom of the lower electrode 10.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタが設けられたＳｉ基板１上に、第１の下部電極層１０ａと第２の下部電極層１０ｂとからなる円錐台状の下部電極１０を設け、下部電極１０の上底上に低誘電率膜１１を設ける。 - 特許庁

A signal charge accumulation layer or a first sensor region 221 is formed on the surface side of a semiconductor substrate 211 and a hole accumulation layer or a second sensor region 222 is formed on the upper part of the first sensor region 221, whereby an embedded photodiode 232 is formed.例文帳に追加

半導体基板２１１の表面側に信号電荷蓄積層である第１センサ領域２２１を形成し、第１センサ領域２２１の上部にホール蓄積層である第２センサ領域２２２を形成することで、埋込フォトダイオード２３２を形成する。 - 特許庁

Since it is determined whether the most inner layer 49 might be damaged based on the electric variable when the voltage is applied between the first and second electrodes, it is not necessary to determine whether the most inner layer 49 might be damaged based on an operator's subject.例文帳に追加

第１、第２の電極間に電圧を印加したときの、電気変量に基づいて最内層４９が破損したかどうかを判断するようになっているので、オペレータの主観に基づいて最内層４９が破損したかどうかを判断する必要がない。 - 特許庁

With the manufacturing method EL element of forming different kinds of luminous layers over a plurality of times by a photo lithography method on a substrate with an electrode layer formed, solvent for forming a luminous layer of a luminous layer formed after the second time is a lean solvent against the luminous layer already formed.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、電極層が形成された基体上に、種類の異なる発光層を複数回にわたりフォトリソグラフィー法により形成するＥＬ素子の製造方法において、２回目以降に形成される発光層の発光層形成用溶媒が、既に形成されている発光層に対して貧溶媒であることを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a step of providing a substrate provided with a pixel region and a circuit region located in the peripheral part of the pixel region; a step of forming a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, respectively on the pixel region and the circuit region; and a stage of increasing the lattice defect density of the first semiconductor layer surface, by selectively performing the surface treatment of the first semiconductor layer.例文帳に追加

画素領域及び前記画素領域の周辺部に位置する回路領域を備える基板を提供する段階と，前記画素領域及び前記回路領域上に第１の半導体層及び第２の半導体層を各々形成する段階と，前記第１の半導体層を選択的に表面処理して前記第１の半導体層表面の格子欠陷密度を増加させる段階と，を含む。 - 特許庁

The hard candy-containing gumi candy has the following structure: hard candies containing foaming components therein are dispersed in gumi candy having a moisture content of ≤20 wt.%; the hard candy contains maltitol and/or reduced paratinose; a coating layer containing shellac as a first layer is formed on the surface of the hard candy; and a coating layer containing maltitol and/or reduced paratinose is formed as a second layer.例文帳に追加

内部に発泡性成分を含有するハードキャンディが水分含量２０重量％以下のグミキャンディに分散されているハードキャンディ含有グミキャンディであって、前記ハードキャンディがマルチトール及び／又は還元パラチノースを含み、前記ハードキャンディの表面に第一層としてシェラックを含む被覆層があり、かつ第二層にマルチトール及び／又は還元パラチノースを含む被覆層があることを特徴とするハードキャンディ含有グミキャンディ。 - 特許庁

Since hydrogen included in the polycrystalline silicon resistance layer 14a is uniformly absorbed by the Ti films 18a and 18b, the dispersion of the resistance value of the polycrystalline silicon resistance layer 14a due to hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer 14a by a Ti system barrier metal film 26c formed on a second interlayer insulating film 24 above the polycrystalline silicon resistance layer 14a does not occur.例文帳に追加

従って、Ｔｉ膜１８ａ、１８ｂにより多結晶シリコン抵抗層１４ａに含有される水素は均一に吸収されるため、多結晶シリコン抵抗層１４ａ上方の第２層間絶縁膜２４上に形成されているＴｉ系バリヤメタル膜２６ｃによる多結晶シリコン抵抗層１４ａからの水素吸収に起因する多結晶シリコン抵抗層１４ａの抵抗値の変動は生じない。 - 特許庁

In the liquid crystal display device wherein a liquid crystal is held between a pair of substrates and spacers 24 for keeping an interval between the pair of substrates are interposed between the pair of substrates, each spacer 24 is provided with a first layer 24a layered on the substrate and a second layer 24b disposed on the first layer 24a so as to cross the first layer 24a in plane view.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置としての特徴は、一対の基板間には、液晶が保持されるとともに該一対の基板の間隔を保つためのスペーサー２４が介在された液晶表示装置であって、前記スペーサー２４は、基板の上に積層された第一層２４ａ、及び、該第一層２４ａの上に該第一層２４ａと平面視交差するように配された第二層２４ｂを備える点にある。 - 特許庁

The noncombustible inkjet sheet 1 is constituted by sequentially stacking a magnesium silicate sheet 2 of a first layer which contains 75-85 wt.% of a magnesium silicate compound, 7-12 wt.% of pulp, 2-10 wt.% of glass fibers and 3-8 wt.% of a binder, a polyvinyl chloride film 3 of a second layer as an ink acceptable coating layer and a laminate film 4 of a third layer.例文帳に追加

不燃性インクジェットシート１は、第１層の含水ケイ酸マグネシウム化合物７５重量％〜８５重量％・パルプ７重量％〜１２重量％・ガラス繊維２重量％〜１０重量％及びバインダー３重量％〜８重量％を含有するケイ酸マグネシウムシート２と、第２層のインク受容性被覆層としてのポリ塩化ビニルフィルム３と、第３層のラミネートフィルム４とを順次積層させて構成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal wiring comprises a step A for discharging a liquid conductive material from a head of a discharging device so that the conductive material is applied to a discharged surface, a step B for activating or drying the applied conductive material to obtain a first metal layer, and a step C for plating the first metal layer to obtain a second metallic layer covering the first metal layer.例文帳に追加

金属配線の製造方法は、被吐出面上に導電性材料が付与されるように、吐出装置のヘッドから液状の前記導電性材料を吐出するステップＡと、前記付与された導電性材料を活性化または乾燥させて第１の金属層を得るステップＢと、前記第１の金属層を覆う第２の金属層が得られるように、前記第１の金属層をめっきするステップＣと、を含んでいる。 - 特許庁