「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(323ページ目) - Weblio英語例文検索

A supporting base plate 24 of the spacer construction has a first surface 24a contacting the first substrate, a second surface 24b facing the second substrate, and a plurality of electron beam passing holes 26 facing the electron emission sources, and covered by an insulation layer 37.例文帳に追加

スペーサ構体の支持基板２４は、第１基板に当接した第１表面２４ａ、第２基板と対向した第２表面２４ｂ、および電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有し、絶縁層３７で被覆されている。 - 特許庁

The wiring 400 is formed on an upper wiring layer positioned above the first conductive pattern 204 and second conductive pattern 224, and is positioned in a region above the first conductive pattern 204 and second conductive pattern 224.例文帳に追加

配線４００は、第１導電パターン２０４及び第２導電パターン２２４より上に位置する上層の配線層に形成されており、第１導電パターン２０４及び第２導電パターン２２４の上方に位置する領域に位置している。 - 特許庁

A first surface conductor 55 conducting with the conductor portion 57 of the first substrate 51 and the second surface conductor 36 conducting with the conductor portion 35 of the second substrate 31 are interconnected electrically through a conductor portion 62 in the adhesive layer 61.例文帳に追加

第１基板５１の導体部５７と導通する第１表面導体５５、及び、第２基板３１の導体部３５と導通する第２表面導体３６は、接着層６１内の導体部６２を介して互いに電気的に接続される。 - 特許庁

The first reference section formed on any layer among a plurality of the layers is detected by irradiating a plurality of the layers with first light transmittable through these layers and the second reference section is formed by irradiating the position on the optical axis of the first light with second light.例文帳に追加

複数の層を透過し得る第１の光を照射することにより、複数の層のいずれかの層に形成された第１の基準部を検出し、第１の光の光軸上の位置に第２の光を照射して第２の基準部を形成する。 - 特許庁

In the first and second porous insulation films 11a, 11b, a C/Si ratio of at least each upper layer thereof is ≥1.5, and the maximum diameter of holes included in at least the upper layers of the first and second porous insulation films 11a, 11b is ≤1.3 nm.例文帳に追加

第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂは、少なくとも上層のＣ／Ｓｉ比が１．５以上であり、かつ、第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂの少なくとも上層に含有される空孔の最大径が１．３ｎｍ以下である。 - 特許庁

The fluorescent bodies of the first and second conversion layers 40 and 41 are formed of a plastic scintillator in which GOS (Gadolinium Oxy-Sulfide) particles are distributed in a resin binder so that optical guide effects which are similar to those of the columnar crystal of the CsI can be obtained by the second conversion layer 41.例文帳に追加

第１及び第２変換層４０、４１の蛍光体は、樹脂バインダ中にＧＯＳ粒子を分散させたプラスチックシンチレータからなり、第２変換層４１により、ＣｓＩの柱状結晶と同様な光ガイド効果を得ることができる。 - 特許庁

After an etching process is carried out as the first resist pattern is used as a mask, the residual resist layer 3 is successively subjected to exposure, developing, and post baking again to form a second resist pattern 3b, and the oxide film 2 is etched through the second resist pattern 3b as a mask.例文帳に追加

第１レジストパターンによるエッチング処理の後、残存するレジスト層３に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで第２レジストパターン３ｂを形成し、この第２レジストパターン３ｂを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁

In the optical disk where first and second disks are bonded, and a recording pit or a recording layer is provided only in the first disk, the second disk is made of only a recycled resin martial of the kind similar to the disk substrate material of the first disk.例文帳に追加

第１のディスクと第２のディスクとを貼り合わせ、第１のディスクのみに記録ピットまたは記録層を設けた光ディスクにおいて、第２のディスクを、第１のディスクのディスク基板材料と同一種の再生樹脂材料のみによって形成する。 - 特許庁

A plurality of light emitting cells each comprising a first light emitting unit 14, an intermediate conductive layer 16, a second light emitting unit 18, and a first electrode 12 and a second electrode 20 sandwiching the light emitting units therebetween are formed and serially connected to one another on a substrate 10.例文帳に追加

第１の発光ユニット１４、中間導電層１６、第２の発光ユニット１８とこれらの発光ユニットを挟む第１の電極１２、第２の電極２０から成る発光セルを複数個設け、基板１０上で直列接続する。 - 特許庁

The second wiring 52 has a first portion 521 situated within a sealing region As covered by the sealing material 30 and a second portion 522 facing the first wiring 51 across the first insulating layer 61 in a region Aa other than the sealing region As.例文帳に追加

この第２配線５２は、シール材３０によって覆われたシール領域Ａs内に位置する第１部分５２１と、シール領域Ａs以外の領域Ａaにて第１絶縁層６１を挟んで第１配線５１と対向する第２部分５２２とを有する。 - 特許庁

A process for providing an intermediate layer 14 for preventing the first and second active energy beam curing materials from fusing together is provided after the first active energy beam curing material 10 is applied before the second active energy beam curing material 11 is applied.例文帳に追加

第一の活性エネルギー線硬化材料１０の被覆後、第二の活性エネルギー線硬化材料１１を被覆する前に、第一および第二の活性エネルギー線硬化材料同士の相溶を防止する中間層１４を設ける工程を備えた。 - 特許庁

The connection parts 43A, 43B have a substrate 48 made of electro-optic material, a connecting optical waveguide formed on the substrate 48, a second supporting substrate 2, and a second adhesion layer 1 for adhering the substrate 48 to the supporting substrate 2.例文帳に追加

接続用部品４３Ａ、４３Ｂが、電気光学材料からなる基板４８、基板４８に形成されている接続用光導波路、第二の支持基板２、および基板４８を支持基板２に接着する第二の接着層１を備える。 - 特許庁

This multilayered low temperature co-fired ceramic having constraining core (LTCC) comprises a first and second high shrinkage ceramic layers 12 and 16 and a low shrinkage ceramic layer 14 located between the first and second high shrinkage ceramic layers.例文帳に追加

拘束コアを持つ多層低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）は、第１及び第２の高収縮性セラミック層（１２、１６）とこれらの第１及び第２の高収縮性セラミック層間に配置された低収縮性セラミック層（１４）とを含む。 - 特許庁

An outer core layer is formed about the inner core, has a second outer surface and inner surface, and is formed from a second substantially homogenous composition throughout such that the surfaces have a hardness of 55 to 90 Shore C.例文帳に追加

外側コア層は内側コア層の周りに形成され、第２の外側表面および内側表面を有し、その硬度が５５ショアＣから９０ショアＣの範囲内であるように、全体にわたり実質的に均一な第２の調合から製造される。 - 特許庁

The present invention relates to an organic photoelectric converting element which has at least a photoelectric converting layer between a first electrode and a second electrode, the second electrode containing at least conductive fiber; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極間に少なくとも光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記第二の電極が、少なくとも導電性繊維を含むことを特徴とする有機光電変換素子及びその製造方法。 - 特許庁

The pump cell has a first pump electrode arranged in a measuring gas chamber, a second pump electrode arranged on the surface of the cell directed to the mixed gas, and a first solid electrolyte layer provided between the first and second pump electrodes.例文帳に追加

ポンプセルは、測定ガス室内に配置された第１のポンプ電極と、ガス混合気の方に向けられた面上の第２のポンプ電極と、これら第１のポンプ電極と第２のポンプ電極の間に設けられた第１の固体電解質層を有する。 - 特許庁

The second layer 16 includes a fine particle area 18 having first fine particles of a first average particle size and first rough particles 19 contained in the fine particle area 18 and having a second average particle size larger than the first average particle size.例文帳に追加

第２層１６は、第１平均粒径の第１微細粒子を有する微細粒子領域１８と、微細粒子領域１８に含まれその第１平均粒径よりも大きい第２平均粒径を有する第１粗大粒子１９とを含む。 - 特許庁

The protective film for a plasma display panel includes in an identical layer: a first magnesium oxide crystal in which a first dopant which forms an electron trap is doped; and a second magnesium oxide crystal in which a second dopant which forms a positive hole trap is doped.例文帳に追加

電子トラップを形成する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。 - 特許庁

A multilayer substrate incorporating first and second coils serially connected, a third coil electromagnetically coupled to the first coil and a fourth coil electromagnetically coupled to the second coil is formed by laminating an insulator layer and a conductor pattern.例文帳に追加

絶縁体層と導体パターンを積層して、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルに電磁気的に結合する第３のコイル及び、第２のコイルに電磁気的に結合する第４のコイルを内蔵した多層基板が形成される。 - 特許庁

A semiconductor structure according to an embodiment comprises: a semiconductor substrate containing a first crystal having a first lattice constant; and a multilayer epitaxial layer formed on the semiconductor substrate and containing a second crystal having a second lattice constant.例文帳に追加

実施形態の半導体構造は、第１の格子定数を具備する第１の結晶を具備する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、第２の格子定数を具備する第２の結晶を具備する多層エピタキシャル層とを具備している。 - 特許庁

In a light-emitting device, a light-emitting element is formed by a layer containing a light-emitting material held by and between a first electrode and a second electrode and one of the electrodes (the second electrode) and an auxiliary wiring are electrically connected not only in a peripheral part but also in a pixel part.例文帳に追加

発光装置は、第１の電極と第２の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子の一方の電極（第２電極）と補助配線とが、周辺部だけでなく画素部においても電気的に接続されている。 - 特許庁

The first strip 50 and the second strip 80 as reinforced materials are mutually fixed by adhesive layers 64, and a second adhesive layer 72 is arranged so as to install the cross-woven freight binding strip 50 on the internal surface of the transport container.例文帳に追加

補強材料の第１のストリップ５０及び第２のストリップ８０は互いに、接着剤層６４で固定されており、輸送コンテナの内部表面に交差織り荷物拘束ストリップ５０を取り付けるように第２の接着剤層７２が設けられる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes first and second magnetic layers L1, L2 having a relative angle of magnetization directions that changes in response to the external magnetic field, and a spacer layer 16 located between the first and second magnetic layers L1, L2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。 - 特許庁

The MISFET comprises first and second impurity-diffused regions of a second conductivity type, interposing a channel region, arranged in the surface layer of the semiconductor substrate; and a gate electrode formed on the channel region via a gate insulating film.例文帳に追加

このＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の表層部に、チャネル領域を挟んで配置された第２導電型の第１及び第２の不純物拡散領域と、チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of producing a semiconductor device disposed apart from a second insulating film by a predetermined distance on a self-alignment, and reducing a generation of leak current in an upper part of a boundary surface between the second insulating film and a single crystal layer.例文帳に追加

第２絶縁膜からセルフアラインに所定の距離だけ離して半導体素子を形成可能で、第２絶縁膜と単結晶層との界面の上部でのリーク電流の発生の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the microlens substrate is provided with a second transparent material film 200 formed by being joined with the second lens curved surfaces 500b in an upper layer from the first transparent material film 230 and having a refractive index different from that of the first transparent material film 230.例文帳に追加

更に、該第１の透明材料膜２３０より上層側に、第２のレンズ曲面５００ｂと接合されて形成されると共に、第１の透明材料膜２３０と異なる屈折率を有する第２の透明材料膜２００を備える。 - 特許庁

Charge holding portions 10A, 10B are formed on both sides of the gate electrode 13 respectively, and first and second diffusion-layer regions 17, 18 with a second conductive type are formed on regions of the semiconductor substrate 11 corresponding to the portions 10A, 10B, respectively.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側に電荷保持部１０Ａ，１０Ｂを夫々形成し、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに対応する半導体基板１１の領域に第２導電型の第１，第２の拡散層領域１７，１８を夫々形成する。 - 特許庁

The organic resin layer is formed to fill at least a part of a constricted part formed between an end part of the first bump, and a bottom surface of the second bump, and formed not to extend upward relative to the bottom surface of the second bump.例文帳に追加

有機樹脂層は、第１のバンプの先端部と第２のバンプの底面との間に形成されたくびれ部の少なくとも一部を充填するように形成され、かつ第２のバンプの底面より上方へは延出しないように形成されている。 - 特許庁

The solar battery contains a first electrode 11, a light-absorbing layer 12 formed on either surface of the first electrode 11, a second electrode 14 arranged in opposition to the first electrode 11 with the light absorbing layer 12 formed, and an electrolyte 13 buried in a space between the first electrode 11 and the second electrode 14.例文帳に追加

本発明による太陽電池は、第１電極１１と、第１電極１１のいずれか一面に形成される光吸収層１２と、光吸収層１２が形成された第１電極１１に対向して、配置される第２電極１４と、第１電極１１と第２電極１４との間の空間に埋込まれた電解質１３とを含む。 - 特許庁

In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 - 特許庁

In the multi-layer welding of an Invar alloy, a welding material containing more C and an addition of Nb is used for welding the first layer 3 or the first and second layers 3, 4 among the welding layers, while a welding material containing less C and no addition of Nb is used for welding the remaining layers 5 (each of the welding layers from the second to the last).例文帳に追加

インバー合金の多層盛り溶接を行う際、各溶接層のうち初層３又は初層３及び第２層４にはＣが多くかつＮｂが添加された溶接材料を用て溶接し、残層５（第２層以降から最終層までの各溶接層）にはＣが少なくかつＮｂが添加されていない溶接材料を用いて溶接するようにした。 - 特許庁

A first passage R1 for molding an outer sheath layer 54 is formed between a tapered inner surface 2 of a die 1 and a tapered outer surface 13 of the first nipple 11, and a second passage R2 for molding an inner sheath layer 53 is formed between a tapered inner surface 14 of the first nipple 11 and a tapered outer surface 22 of the second nipple 20.例文帳に追加

ダイ１のテーパ状内周面２と第１のニップル１１のテーパ状外周面１３間に外部シース層５４形成用の第１の流路Ｒ1が形成されると共に、第１のニップル１１のテーパ状内周面１４と第２のニップル２０のテーパ状外周面２２との間に内部シース層５３形成用の第２の流路Ｒ2が形成される。 - 特許庁

An optical film comprises: a light-transmissive base film 1 having first and second principal surfaces facing each other; a deflection element layer 2 having a plurality of deflection elements 3 disposed on the first principal surface, adjacent to each other, and extended in one direction; and a projection layer 4 disposed on the second principal surface and having a plurality of projections 5 and a plurality of optical elements 15.例文帳に追加

互いに対向する第１及び第２主面を有する透光性のベースフィルム１と、第１主面に配置され、互いに隣接して一方向に延伸する複数の偏向素子３を有する偏向素子層２と、第２主面に配置され、複数の突起５及び複数の光学要素１５を有する突起層４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a third region of a second conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer, a fourth region of the first conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer within the third region, and a gate electrode disposed on the surface of the third region between the second and the fourth region via a gate insulating film.例文帳に追加

また、半導体層の表面に形成された、第２導電型の第３領域と、第３領域内の前記半導体層の表面に形成された、第１導電型の第４領域と、第２領域と前記第４領域との間の第３領域の表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

Since the first distance h6 between a first conductive layer 28 connected electrically with the ground and serving as an earth plane and a high frequency signal line 31 is set longer than the second distance h7 between other signal line 32 and a second conductive layer 29, high impedance characteristics are attained in the high frequency signal line 31.例文帳に追加

グランドに電気的に接続されアース面となる第１の導電層２８と高周波信号配線３１との距離である第１の距離ｈ６が、他の信号配線３２と第２の導電層２９との第２の距離ｈ７より大きくなるようにしたので、当該高周波信号配線３１で高いインピーダンス特性を得ることができる。 - 特許庁

The semiconductor crystal 10 and a second substrate 30 are laminated to each other, and shock is applied from the outside in this state to separate the density region 12 of the semiconductor crystal 10 along the implanted layer 13, and an uppermost surface layer 12b of the density region 12 is transferred (peeled) onto the second substrate 30.例文帳に追加

窒化物系半導体結晶１０と第２の基板３０とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１３に沿って窒化物系半導体結晶１０の低転位密度領域１２を分離して低転位密度領域１２の表層部１２ｂを第２の基板３０上に転写（剥離）する。 - 特許庁

The method of manufacturing the radiation detector includes: an inspection first process for separately forming the scintillator crystal layer by using a container 7 and inspecting a first face α1 of the scintillator crystal layer to specify the inferior crystal; and an inspection second process for inspecting a second face α2 opposed to the first face α1 to specify the inferior crystal.例文帳に追加

本発明の放射線検出器の製造方法は、容器７を用いてシンチレータ結晶層が別個に形成され、シンチレータ結晶層の第１面α１を検査して不良結晶を特定する検査第１工程と、第１面α１と対向する第２面α２を検査して不良結晶を特定する検査第２工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a recorder with a recording ribbon take-up mechanism which can normally take up a second recording ribbon 2 when recording is carried out with the use of the second recording ribbon in which a BK layer for recording onto a recording face long along a transfer direction of a recording medium and a P layer for forming a protecting film on a short recording face are sequentially formed face by face.例文帳に追加

記録媒体の搬送方向に沿う長い記録面上への記録を行なうＢＫ層と、短い記録面上への保護膜形成を行なうＰ層とを面順次に形成した第２の記録リボン２を用いて記録をおこなうときに、正常に巻き取ることができる記録リボン巻取り機構を備えた記録装置の提供。 - 特許庁

The hair corrective tool is equipped with a first plate 1 comprised of a hard material and a second plate 2 comprised of the hard material, wherein a soft layer 3a is disposed on a surface of at least one side of the first plate 1 and a soft layer 3b is disposed on a surface of at least one side of the second plate 2.例文帳に追加

硬質材からなる第１の板体１と、硬質材からなる第２の板体２とを具備してなり、 前記第１の板体１の少なくとも一面側の表面に軟質層３ａが設けられると共に、前記第２の板体２の少なくとも一面側の表面に軟質層３ｂが設けられてなることを特徴とするヘア矯正具。 - 特許庁

In the event of power failure in a main power supply, a communication path 500 is set between a first and a second ports X-Y in a physical layer, supply of auxiliary power is received, and a supply destination of the auxiliary power is limited to the first port X and the second port Y, and a processing section 112 of the physical layer involved in the communication path 500.例文帳に追加

主電源の停電時に第１及び第２のポートＸ−Ｙ間に通信経路５００を物理レイヤにおいて設定し、前記停電時に補助電力の供給を受け、前記補助電力の供給先を第１のポートＸ、第２のポートＹ、及び通信経路５００に関わる物理レイヤの処理部１１２に限定する。 - 特許庁

When the coin C falls by its own weight from the second coin drop hole 16a, the drop direction of the coin C receives interference from an interfering body 29 varied, according to the denominations identified in the denomination identifying part, and the coin C selectively reaches either the first coin storage part 8y on the lower layer side or the second coin storage part 8x on the upper layer side.例文帳に追加

硬貨Ｃが第２の硬貨落下穴１６ａから自重で落下した場合、その硬貨Ｃの落下方向は金種識別部で識別された金種に応じて変動する干渉体２９によって干渉を受け、下層側の第１の硬貨収納部８ｙと上層側の第２の硬貨収納部８ｘとのいずれかに選択的に到達する。 - 特許庁

A first roller 16 having a surface layer formed of a transparent material and having a hollow part 25 formed therein is arranged rotatably and a second roller 17 having a surface layer formed of a transparent material is rotatably provided at the position opposed to the first roller 16 to make it possible to adjust the rotary speed ratio of the second roller 17 to the first roller 16.例文帳に追加

表面層を透明な素材で形成され、内部に中空部２５を形成された第１のローラ１６を回転可能に設置し、表面層を透明な素材で形成された第２のローラ１７を第１のローラ１６に対向する位置に回転可能に設置して、第２のローラ１７が第１のローラ１６に対して回転する速度比を調整可能にする。 - 特許庁

A first electrode 20 at the side that is irradiated with light, produced on a transparent substrate 10, and a photoelectric conversion layer 30 made of at least two types of components and a charge transport layer 40 are laminated successively in between with an area to a counter electrode (second electrode) 50, so that they serve as the first and second electrode sides, respectively, to form a light-receiving element.例文帳に追加

光が照射される側の第１電極２０が透明基板１０上に作製され、その対向電極（第２電極）５０との間に、少なくとも２種以上の成分で構成される光電変換層３０が第１電極側、電荷輸送層４０が第２電極側となるように順次積層されることで構成される受光素子。 - 特許庁

A first conducting path 31 extending in the long direction of the first laminate substrate 11 (from the front toward the back of the paper in Fig. 1) is provided on the first insulation layer 21, and a second conducting path 32 extending in the long direction of the first laminate substrate in parallel with the first conducting path 31 is provided on the second insulation layer 22.例文帳に追加

第１絶縁層２１上には、第１積層基材１１の長尺方向（図１では紙面の手前から奥に向かう方向）に延在する第１導電路３１が設け、第２絶縁層２２上には、第１積層基材の長尺方向に延在し、第１導電路３１と平行するように第２導電路３２が設ける。 - 特許庁

The organic light-emitting device 70 includes first and second substrates 1, 21 wherein at least either of the substrates is composed of a light-transmittable material, a laminate 20 wherein a first electrode layer 2, light-emitting layers 30, 31, and 32, and a second electrode layer 14 are laminated in order, and a sealing member 29 for sealing the laminate 20.例文帳に追加

本発明による有機発光装置７０は、少なくともいずれか一方が光透過可能な材料からなる第１及び第２の基板１，２１と、第１の電極層２、発光層（３０，３１，３２）及び第２の電極層１４が順次積層された積層体２０と、積層体２０を封止する封止部材２９とを備える。 - 特許庁