「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(321ページ目) - Weblio英語例文検索

This decoupling capacitor unit is equipped with odd-numbered decoupling capacitors 104a and 104b mounted on a first upper metal layer 102a, and even-numbered decoupling capacitors 104c and 104d mounted on a second lower metal layer 102b.例文帳に追加

奇数番のデカップリング・コンデンサ１０４ａ、１０４ｂが上面の第１の金属層１０２ａに取り付けられ、偶数番のデカップリング・コンデンサ１０４ｃ、１０４ｄが底面の第２の金属層１０２ｂに取り付けられる複数のデカップリング・コンデンサを備える。 - 特許庁

The optical compensating element and its manufacturing method comprise a first optical anisotropic layer formed of an inorganic material, and a second optical anisotropic layer formed of a polymerization liquid crystal compound and having a means for holding a deoxidation atmosphere.例文帳に追加

支持体上に、無機材料で形成された第１の光学異方性層及び重合性液晶化合物で形成され、かつ、脱酸素雰囲気を保持する手段を有する第２の光学異方性層を備えた光学補償素子及びその製造方法。 - 特許庁

A semiconductor layer where the composition of first and second semiconductors changes in the film-thickness direction is formed on a substrate, and a pulse laser beam is applied to the semiconductor layer for ultra-high-speed crystal growth, thus forming the distortion semiconductor polycrystal.例文帳に追加

基板上に第１の半導体と第２の半導体の組成が膜厚方向に変化してなる半導体層を形成し、これにパルスレーザーを照射し超高速結晶成長をおこなうことにより、ひずみ半導体多結晶を形成する。 - 特許庁

A second layer 2 formed of a transparent resin 20 comprising an acrylic resin or a polyester resin and a brilliant agent 21 dispersed in the resin is formed on a first layer 1 formed by the powder coating of an acrylic resin or a polyester resin.例文帳に追加

アクリル樹脂又はポリエステル樹脂による粉体塗装により形成される第１層１の上に、アクリル樹脂或いはポリエステル樹脂からなる透明樹脂２０と、ここに分散する光輝剤２１から形成される第２層２を形成する。 - 特許庁

The organic electro-luminescence device has a substrate 10 and an organic electro-luminescence element X thereon which has first and second electrodes 6 and 39 and a functional layer Y containing at least an organic light emitting layer 62 held between these electrodes.例文帳に追加

基板１０上に、第１電極６と第２電極３９とこれら電極間に挟持された少なくとも有機発光層６２を含む機能層Ｙとを有した有機エレクトロルミネッセンス素子Ｘを、備えてなる有機エレクトロルミネッセンス装置である。 - 特許庁

Two-dimensional photonic crystals are formed on a slab 21 having a quantum well structure obtained by alternately laminating a first semiconductor layer 211 and a second semiconductor layer 212 having partially overlapped electron band gaps by periodically forming pores 22 therein.例文帳に追加

電子のバンドギャップの一部が重複する第１半導体層２１１と第２半導体層２１２を交互に積層して成る量子井戸構造を有するスラブ２１に、周期的に空孔２２を形成することにより２次元フォトニック結晶を形成する。 - 特許庁

This work glove made of a polyvinyl chloride has the first layer 1 of the polyvinyl chloride resin formed on the outer surface of a knit glove 4, and the second layer 2 of the polyvinyl chloride resin formed on the surface of fingertip parts and the palm part.例文帳に追加

編み手袋４の外表面に塩化ビニル樹脂の第１層１が形成され、第１層１の表面のうち、指先部分と掌部分の表面に、塩化ビニル樹脂の第２層２が形成されている塩化ビニル製作業用手袋。 - 特許庁

This is the organic EL element having a first electrode 101 and a second electrode 102, an EL layer 103, and conductive particulates 104, and the organic EL element in which the conductive particulates 104 are dispersed in the EL layer 103 is used.例文帳に追加

第１の電極１０１および第２の電極１０２、ＥＬ層１０３、導電性微粒子１０４、を有する有機ＥＬ素子であって、ＥＬ層１０３中に導電性微粒子１０４が分散されている有機ＥＬ素子を用いる。 - 特許庁

Here treatment is executed with a condition that a solid phase reacting layer is formed between the Pt film of the second electrode part and the semiconductor substrate and the solid phase reaction layer is not formed between the WSi/W film of the first electrode part and the semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、第２の電極部のＰｔ膜と半導体基板との間で固相反応層が形成され、第１の電極部のＷＳｉ／Ｗ膜と半導体基板との間では固相反応層が形成されない条件で熱処理を行う。 - 特許庁

A second spacer layer 30 is formed on at least part of the field plate 32 and on at least part of the first spacer layer 28 between the gate electrode 24 and the drain electrode 22 and between the gate electrode 24 and the source electrode 20.例文帳に追加

第２のスペーサ層３０は、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間にある第１のスペーサ層２８の少なくとも一部の上と、フィールドプレート３２の少なくとも一部の上に形成される。 - 特許庁

The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加

シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

The resin content per unit volume of the prepreg constituting either one of the second layer 2 and the third layer 3 is 25 %, and the synthetic resin content per unit volume of the prepregs forming the residual two layers is 20 %.例文帳に追加

第２層２又は第３層３の何れか一方の層を構成するプリプレグの単位体積当たりの合成樹脂の含有量が２５％であり、残りの２層を構成するプリプレグの単位体積当たりの合成樹脂の含有量が２０％である。 - 特許庁

The second sealing layer 9 applies voltage on electrodes 5a of the solar cells 5 and electrodes 6a of the circuit layer at the time of manufacturing, thereby giving an anisotropic conductive function to the conductive filler 10 and energizing both electrodes 5a and 6a.例文帳に追加

第二の封止層９は、製造時に太陽電池セル５の電極５ａと回路層６の電極６ａに電圧を印加することで導電性フィラー１０に異方導電性機能を付与し、両電極５ａ，６ａ間を通電させる。 - 特許庁

A memory device includes an organic active layer between a first electrode and a second electrode, wherein the organic active layer is formed of an electroconductive organic including a hetero atom.例文帳に追加

第１電極と第２電極間に有機活性層を含むメモリ素子であって、該有機活性層がヘテロ原子（ｈｅｔｅｒｏ ａｔｏｍ）を含む電気伝導性有機物によって形成される有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes as an oxide semiconductor layer, a layer with a multilayer structure including a first oxide semiconductor film and a second oxide semiconductor film with a larger band gap than the first oxide semiconductor film and in contact with the first oxide semiconductor film.例文帳に追加

第１の酸化物半導体膜及び、第１の酸化物半導体膜に接して第１の酸化物半導体膜よりバンドギャップが大きい第２の酸化物半導体膜の積層構造を有する層を酸化物半導体層として用いた。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。 - 特許庁

The nickel electrode for the alkaline storage battery is provided with a second electrode active material mainly made of nickel hydroxide having smaller true density on the surface layer than that of the inner layer of a first positive electrode active material made of mainly nickel hydroxide.例文帳に追加

本発明のアルカリ蓄電池用ニッケル電極は、水酸化ニッケルを主体とする第１正極活物質の表面層に内層部よりも真密度が小さい水酸化ニッケルを主体とする第２正極活物質を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

First doped semiconductor regions 18 having the same conductivity type dopant as a bottom semiconductor layer and second doped semiconductor regions 28 having an opposite conductivity type dopant are formed directly underneath a buried insulator layer 20 of the (SOI) substrate.例文帳に追加

底部半導体層と同じ導電型のドーパントを含む第１のドープされた半導体領域１８及び反対導電型のドーパントを含む第２のドープされた半導体領域２８がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層２０の直下に形成される。 - 特許庁

The ratio (the length/a width) in the major axis (the second axis) direction to a width in the minor axis (the first axis) direction of this elliptic shape, is set in a sufficient value for the free layer to hold anisotropic magnetization, and its length is less than a magnetic domain wall width in the free layer.例文帳に追加

この楕円形状の短軸（第一軸）方向の幅に対する長軸（第二軸）方向の長さの比（長さ／幅）は、フリー層が異方性磁化を保持するのに十分な値であり、その長さは、フリー層における磁区壁幅未満である。 - 特許庁

The first and the third layer 10a, 10c which are the same temperature sensitive magnetic material are designed to have the same thickness while the second layer 10b is designed to have the thickness to minimize thermal deformation due to difference in thermal expansion coefficient.例文帳に追加

同じ感温磁性材である第１の層１０ａおよび第３の層１０ｃとは、同じ厚さ寸法とし、それに対する第２の層１０ｂの厚さ寸法も、熱膨張率の違いに起因する熱変形を最小限とするべく設定する。 - 特許庁

To provide a method by which bonding between an intermediate layer for the exfoliation of a substrate of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer being separated as a self-standing substrate can be reduced and the yield in the production of a self-standing substrate of a nitride semiconductor such as GaN is improved.例文帳に追加

異種材料基板剥離のための中間層と自立基板となる第二の窒化物半導体層との結合を低減でき、ＧａＮ等の窒化物半導体自立基板の製造の歩留りを向上する方法を提供する。 - 特許庁

An original board having a ruggedness is pressed against a polymer substrate composed of two layers having at least chemical compositions different from each other and, thereby, a second layer from the surface which is hidden by the uppermost surface layer heretofore is visualized as a cross-section of a pillar part.例文帳に追加

少なくとも化学組成の互いに異なる２層からなる高分子基板に、凹凸を有する原盤を押し当てることにより、これまで最表面層によって隠されていた表面から第２番目の層がピラー部の断面として顕わになる。 - 特許庁

Then a glass plate 1 having a reinforced surface, a first resin layer 2, a solar battery cell row 3 formed by electrically connecting a plurality of solar battery cells 3a through copper foil 3b, a second resin layer 4, and the protective film 5 are laminated upon another in this order (b).例文帳に追加

表面に強化処理を施したガラス板１と、第１樹脂層２と、複数の太陽電池セル３ａを銅箔３ｂで電気的に接続させてなる太陽電池セル列３と、第２樹脂層４と、保護フィルム５とをこの順に積層する（ｂ）。 - 特許庁

As the beam passed through the transparent polymer dispersed type liquid crystal layer 41 is transmitted through a second transparent material and is absorbed in a light absorbing layer, the beam 41 does not disturb the image when a reflected light from the screen is observed.例文帳に追加

なお、透明な高分子分散型液晶層４１を通過した光束は、第２透明部材４４を透過して光吸収層４７に吸収されるので、スクリーン４からの反射光を観察する際に画像を劣化させる原因とはならない。 - 特許庁

An organic EL display element 1A comprises an approximately white color light scattering layer 7 set on a front side of an element body 11A having a first substrate 2, a positive electrode 3, an organic EL layer 4, a negative electrode 5, and a second substrate 6.例文帳に追加

有機ＥＬ表示素子１Ａは、第１の基板２と陽極３と有機ＥＬ層４と陰極５と第２の基板６とを有する素子本体１１Ａの正面側に、ほぼ白色の光散乱層７が設けられた構成となっている。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 120 is provided with a first substrate 13, a second substrate 25, a translucent conductive layer 14, a semiconductor electrode 15, a catalyst electrode 23, a current collecting conductor layer 41, a plurality of relay connectors 51 and resin protective parts 61, 62 or the like.例文帳に追加

色素増感型太陽電池１２０は、第１基体１３、第２基体２５、透光性導電層１４、半導体電極１５、触媒電極２３、集電導体層４１、複数の中継接続体５１、樹脂製保護部６１，６２等を備える。 - 特許庁

A second cover rubber 44 comprising a black rubber is arranged on an outer surface of the different color rubber layer 41, a part is ground to expose the different color rubber layer 41, and the different color part 40 comprising a white rubber is formed on the outer surface of the side wall part 3.例文帳に追加

異色ゴム層４１の外面に、黒色のゴムからなる第２のカバーゴム４４を配置し、その一部を研削して異色ゴム層４１を露出させてサイドウォール部３の外面に白色ゴムからなる異色部４０を形成する。 - 特許庁

After that, the dicing cut is applied to the wafer from the glass wafer 11 side till the bottom surface of the semiconductor wafer 1 in the photosensitive resin layer 13 and its lower layer on the scribe line 10 by a second dicing blade having fine abrasive grains and a narrow blade width to divide the groove for every chip.例文帳に追加

その後、砥粒が細かくブレード幅の狭い第２ダイシングブレードによって、スクライブライン１０上を、ガラスウェハ１１側から感光性樹脂層１３並びにその下層の半導体ウェハ１底面までダイシングカットしてチップ毎に分割する。 - 特許庁

By subjecting the structure with the mask member M1 to selective embedding epitaxial growth, a pad film 12 is formed as a first selective embedded growth layer, and subsequently a p-type anode side region 13 as a second selective embedded growth layer are formed.例文帳に追加

マスク部材Ｍ１を付けたままで、埋込選択エピタキシャル成長法により、第１の埋込選択成長層であるパッド膜１２を形成し、引き続き、第２の埋込選択成長層であるｐ型のアノード側領域１３形成する。 - 特許庁

A power semiconductor device includes a plurality of trenches 4, which is installed in a first base layer 1 of a first conductive type having an interval, in such a way to divide a main cell MR and dummy cell DR at a position separated from a collector layer 3 of a second conductive type.例文帳に追加

電力用半導体装置は、第２導電型のコレクタ層３から離間した位置で、メインセルＭＲとダミーセルＤＲとを区画するように間隔をおいて第１導電型の第１ベース層１内に配設された複数のトレンチ４を含む。 - 特許庁

The carrier member includes a base substrate 100 having a rigid substrate 110; and a release layer 300 laminated on an outermost layer of the base substrate 100 so that there are provided a first surface in contact with the base substrate 100 and second surface extended to the outside of the base substrate 100.例文帳に追加

リジッド基板１１０を含むベース基板１００、及びベース基板１００と接する第１面とベース基板１００の外側に向かう第２面を持つようにベース基板１００の最外層に積層された離型層３００を含む。 - 特許庁

In the recording and reproducing method, when the thermal decomposition temperature of the recording layer is 400°C or lower and the pit-length-modulated recording mark is to be formed in the recording layer, the second shortest signal recording pulse length in signals is changed between at the disk inner peripheral part and the outer peripheral part.例文帳に追加

記録層の熱分解温度が400 ℃以下であり、記録層にピット長変調した記録マークを形成する際に、信号中2 番目に短い信号記録パルス長をディスク内周部と外周部で変化させる記録再生方法。 - 特許庁

The one-pack type curable resin SOL1 for an intermediate layer stored in a first tank 12 is applied to the predetermined region of the steel sheet W for the car and the one-pack type curable resin SOL2 for the reinforcing material stored in a second tank 14 is applied to the resin layer on the steel sheet W.例文帳に追加

自動車用鋼板Ｗの所定の部位に、第１タンク１２に貯留された中間層用一液硬化型樹脂ＳＯＬ１を塗布した後、第２タンク１４に貯留された補強材用一液硬化型樹脂ＳＯＬ２を塗布する。 - 特許庁

Subsequently, in an ion implantation process, a first doped area is formed in the effective layer covered with the shield area, and a second doped area is formed in the effective layer covered with the extension area thus fabricating a thin film transistor having a self-alignment LDD structure.例文帳に追加

次にイオン注入工程により、遮蔽エリアに覆われた有効層内に第１ドープエリアを形成し、延伸エリアに覆われた有効層内に第２ドープエリアを形成し、セルフアライメントＬＤＤ構造を備えた薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

Next, a powder layer is formed to a surface of the underlayer coating film layer by using a second nozzle 42 while rotating a paper supply roller body 100A retained to a horizontal posture around the central axis and spraying a powder from a horizontal direction.例文帳に追加

次に、水平な姿勢に保持した給紙ローラー本体１００Ａをその中心軸線回りに回転させながら、その下地塗膜層の表面に第２ノズル４２を用いて水平方向から粉体を吹き付けて粉体層を形成する。 - 特許庁

Total sum of 0.2% strength and thickness of each of the one or more layers constituting the first wiring layer 52 is smaller than total sum of 0.2% strength and thickness of each of the one or more layers constituting the second wiring layer 56.例文帳に追加

第１配線層５２を構成する前記１又は複数の層のそれぞれの０．２％耐力と厚みの積の合計が、第２配線層５６を構成する前記１又は複数の層のそれぞれの０．２％耐力と厚みの積の合計よりも小さい。 - 特許庁

The manufacturing method gives the single-layer fine particle film wherein the film of the fine particles formed in one layer on the surface of the substrate is mutually bonded by a covalent bond with the first organic film formed on the surface of the substrate through the second organic film formed on the surfaces of the fine particles.例文帳に追加

基材表面に１層形成された微粒子の膜が微粒子表面に形成された第１の有機膜と基材表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合している単層微粒子膜を得る。 - 特許庁

A first electrode layer 115a of the p-side electrode 115 satisfies the relationships of n_EFF-n_E1≥1, d_1≥λ/(4πk_1), while a second electrode layer 115b of the p-side electrode 115 satisfies the relationships of n_EFF-n_E2<1, d_2<λ/(4πk_2).例文帳に追加

ｐ側電極１１５の第１の電極層１１５ａは、ｎ_ＥＦＦ−ｎ_Ｅ１≧１、ｄ_１≧λ／（４πｋ_１）の関係を満たし、ｐ側電極１１５の第２の電極層１１５ｂは、ｎ_ＥＦＦ−ｎ_Ｅ２＜１、ｄ_２＜λ／（４πｋ_２）の関係を満たす。 - 特許庁

The first layer 31 is constituted by adhesive with high adhering force to the EL sheet substrate (PET film)11, and the second layer 31 is constituted by adhesive provided with high adhering force to the key top material.例文帳に追加

第１層３１はＥＬシート基材（ＰＥＴフィルム）１１に対して高い接着力を有する接着剤によって構成されかつ第２層３１はキートップの材料に対して高い接着力を有する接着剤によって構成されている。 - 特許庁

In this sheet takeout device, air is nearly horizontally jetted from first nozzles A disposed near sides of a stacked layer S and second nozzles B disposed nearly above the first nozzles A in the rear of the first nozzles A to float a plurality of steel sheets P from the stacked layer S.例文帳に追加

積層Ｓの側方近接位置に配備した第１ノズルＡと、第１ノズルＡの後方やや上方位置に配備した第２ノズルＢとから略水平方向にエアを噴射し、複数枚の鋼板Ｐを積層Ｓから浮き上がらせる。 - 特許庁

At least one DCB laminate structure including first and second metal layers 3 and 5 and a ceramic layer 4 disposed between the metal layers 3 and 5 is formed on a separate layer 2 of a base 1 by heating directly up to bonding temperature.例文帳に追加

第一および第二金属層３、５と該金属層３、５の間に位置するセラミック層４とを含む少なくとも１つのＤＣＢ積層構造が、直接接合温度にまで加熱することで支持体１の分離層２上に形成される。 - 特許庁

The shading layer BM has a first shading section BMa in an effective zone and a second shading section BMb in a peripheral zone, and the second shading section BMb is formed to have a thermal resistance smaller than that of the first shading section BMa.例文帳に追加

この遮光層ＢＭは有効領域内の第１遮光部分ＢＭａと周辺領域内の第２遮光部分ＢＭｂとを有し、第１遮光部分ＢＭａよりも第２遮光部分ＢＭｂの方が熱抵抗が小さくなるように形成される。 - 特許庁

A second interlayer insulating film and first wiring, or a second wiring layer and a hard mask are formed on the surface of a silicon substrate 2, the silicon substrate 2 is conveyed to a reaction chamber S, and N_2 gas excited by microwaves is introduced to the reaction chamber S.例文帳に追加

第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。 - 特許庁

The liquid crystal retardation caused by a pre-tilt of a liquid crystal existing on both sides of a liquid crystal layer 71 is effectively canceled by first and second crystal plates provided in first and second optical compensation plates OC1 and OC2, respectively.例文帳に追加

第１光学補償板ＯＣ１に設けた第１の水晶板と、第２光学補償板ＯＣ２に設けた第２の水晶板とが、液晶層７１の両端側に存在する液晶のプレチルトに起因する液晶リタデーションを実効的にキャンセルする。 - 特許庁

The liquid crystal cell 2 is provided with a first and a second film substrates 4 and 6 arranged at a prescribed interval, a cholesteric liquid crystal 10 held between the substrates 4 and 6 and the light absorption layer 12 provided on the rear surface of the second substrate 6.例文帳に追加

液晶セル２は、互いに所定の間隔をあけて設けた第１及び第２のフィルム基板４、６と、これら基板間に挟持されたコレステリック液晶１０と、第２の基板６の背面に設けた光吸収層１２とを備える。 - 特許庁