「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(324ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical device includes: an optical waveguide adapted to guide and emit incident light; a first reflection layer disposed at one side of the optical waveguide; and a second reflection layer disposed at the other side of the optical waveguide, wherein at least one of the first and the second reflection layers is made of a material having a characteristic of negative Goos-Hanchen shift.例文帳に追加

入射された光をガイドして出射する光導波路と、光導波路の一側に形成されている第１反射層と、光導波路の他側に形成されている第２反射層と、を備え、第１反射層及び第２反射層のうち少なくとも一つは、負のグース−ヘンシェンシフト特性を表す物質からなる光素子。 - 特許庁

The solar cell includes first and second electrodes 111 and 119 spaced apart from each other, and a photoelectric conversion layer 115 which is a layer adapted to form a pn junction between the first electrode 111 and the second electrode 119 and is made up of a p-type material including an organic material and a n-type material 116 including organic nanowires.例文帳に追加

互いに離隔されるように配置される第１電極及び第２電極１１１、１１９と、前記第１電極１１１と第２電極１１９との間でｐｎ接合を形成する層であって、有機物を含むｐ型物質及び有機ナノワイヤーを含むｎ型物質１１６からなる光電変換層１１５と、を備える。 - 特許庁

Each resonator includes: an inductor constitution part including an inductor conductive layer and being long in one direction; a capacitor connection passage for electrically connecting the inductor constitution part to a capacitor; and first and second grounding connection passages for respectively connecting first and second end parts positioned at both longitudinal ends of the inductor constitution part to the grounding conductive layer.例文帳に追加

各共振器は、インダクタ用導体層を含み一方向に長いインダクタ構成部と、インダクタ構成部とキャパシタとを電気的に接続するキャパシタ用接続路と、インダクタ構成部の長手方向の両端に位置する第１および第２の端部をそれぞれグランド用導体層に接続する第１および第２のグランド接続路を有している。 - 特許庁

To improve accuracy of correcting shift of a spot of first light for recording data on a bulk layer and second light to be used for positional control when correcting the spot shift by applying the first light and the second light to an optical disk recording medium having the bulk layer and a reference surface having positional guide pieces (pit strings).例文帳に追加

バルク層と、位置案内子（ピット列）が形成された基準面とを有する光ディスク記録媒体に対し、バルク層への記録を行うための第１の光と、位置制御を行うための第２の光とを照射して、第１の光と第２の光のスポット位置ずれを補正する場合に、該スポット位置ずれの補正精度の向上を図る。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.例文帳に追加

本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁

Reflection of light by at least either the second reflecting interface 16 or the third reflecting interface 17 is so set in conditions of strengthening or weakening against a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a and a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b in shifting interference wavelengths.例文帳に追加

第２の反射界面１６および第３の反射界面１７による光の反射の少なくとも一方を、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長に対して干渉波長をずらしながら、強め合う条件および弱め合う条件に設定する。 - 特許庁

A second concave-convex structure made up of a plurality of stripe grooves 22 disposed parallel to each other is further formed on the face of the polymer liquid crystal layer 4 on which the first concave-convex structure 4a is formed, and liquid crystal molecules in the polymer liquid crystal layer 4 are oriented in the groove lengthwise direction (the lengthwise direction of the stripe grooves 22) of the second concave-convex structure.例文帳に追加

高分子液晶層４の、第１の凹凸構造４ａが形成された面には、互いに平行に配置された複数のストライプ溝２２からなる第２の凹凸構造がさらに形成されており、高分子液晶層４の液晶分子は、当該第２の凹凸構造の溝長手方向（ストライプ溝２２の長手方向）に沿って配向されている。 - 特許庁

The linear body 15 includes a center portion extending on the other surface of the substrate 11; and one end portion 15a and the other end portion 15b, that penetrate, from the other surface of the substrate 11, the substrate 11 and each of the first and second circuit pattern layer portions, and are disposed on each surface of the first and second circuit pattern layer portions.例文帳に追加

線状体１５は、基材１１の他方表面の上に延在する中央部と、基材１１の他方表面から基材１１と第１と第２の回路パターン層部分のそれぞれとを貫通して第１と第２の回路パターン層部分のそれぞれの表面上に配置された一方端部１５ａと他方端部１５ｂとを含む。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁

Since there is the second electrode pad 132 formed in the width boarder than the first electrode pad 130 between the first electrode pad 130 and a via 134, the progressive direction of the thermal stress by a reflow treatment is interrupted and the thermal stress is absorbed in the direction along the boundary surface between the first insulating layer 121 and the second insulating layer 123.例文帳に追加

第１電極パッド１３０とビア１３４との間に、第１電極パッド１３０よりも幅広に形成された第２電極パッド１３２が介在することにより、リフロー処理による熱応力の進行方向が遮断され、第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２３との境界面の沿う方向で熱応力を吸収する。 - 特許庁

Both or one of the first member 1 and the second member 2 is provided with an inflow part Fb for fuel, and a sheet-like or mat-like filter material 3 having a single-layer or multi-layer structure is interposed between the first member 1 and the second member 2 to cover the inflow part Fb from the internal space Fa side.例文帳に追加

第一部材１及び第二部材２の双方又はいずれか一方の部材には燃料の流入部分Ｆｂが形成してあると共に、第一部材１と第二部材２との間に、内部空間Ｆａ側から流入部分Ｆｂを覆うようにして、シート状又はマット状をなす単層又は多層構造を持ったろ材３が介装されている。 - 特許庁

The ceramic circuit substrate 10 is provided with the ceramic substrate 12 having opposed first surface and second surface, a wiring conductor 14 formed on the first surface of the ceramic substrate 12 wherein its principal component is tungsten or molybdenum and a copper layer 16 formed on the second surface of the ceramic substrate 12 wherein the copper layer 16 is provided with heat-resistant and impact resistant characteristics.例文帳に追加

セラミック回路基板１０は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板１２と、セラミック基板１２の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とする配線導体１４と、セラミック基板１２の第２面に形成された銅層１６を備え、銅層１６は耐熱衝撃特性を有している。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board is configured in such a way that a first rigid substrate having a surface-mounted component, a second rigid substrate having an escape portion corresponding to the position and profile of this component, and a flexible substrate formed to be longer than the first and second rigid substrates, are each integrally stacked via an insulating layer; and the component is buried in the rigid insulating layer.例文帳に追加

多層プリント配線板は、部品が表面実装された第１のリジッド基板と、この部品の位置及び外形に対応した逃げ部を有する第２のリジッド基板と、第１及び第２のリジッド基板よりも長く形成されたフレキシブル基板とが、それぞれ絶縁層を介して積層一体化され、部品がリジッドな絶縁層内に埋設されている。 - 特許庁

By this, the barrier layer, interposed between first/second copper wirings while being deposited on an insulating layer, has a profile that a nitrogen density included in its material is changed so as to be relatively low at a boundary part in-between the first copper wiring and at a boundary part in-between the second copper wiring and to be relatively high at a central part sandwiched by the boundary parts.例文帳に追加

これにより、絶縁層に被着し、第１の銅配線と第２の銅配線との間に介在するバリア層は、その材料に含有される窒素の濃度が、第１の銅配線および第２の銅配線との境界部分で相対的に低く、それらの境界部分に挟まれる中央部分で相対的に高くなるように変化するプロファイルを有する。 - 特許庁

A first sidewall 111 composed of a stress film having expandability itself is formed on a side face of a gate electrode 101, a second sidewall 112 composed of a film having small stress relative to it is formed on the first sidewall 111, and a semiconductor layer, which is, for example, an SiC layer 104 is separated from the first sidewall 111 by the second sidewall 112.例文帳に追加

ゲート電極１０１の側面に、自身は膨張性を有する応力膜からなる第１のサイドウォール１１１と、第１のサイドウォール１１１上にこれに比して応力の小さい膜からなる第２のサイドウォール１１２とが形成されており、半導体層、例えばＳｉＣ層１０４が第２のサイドウォール１１２により第１のサイドウォール１１１から離間する。 - 特許庁

When interlaminar separation of a laminated sheet having at least a structure in which a water-containing electroconductive composition layer 4 is interposed between first and second electrodes 2 and 3 is carried out, voltage is applied to a space between the first and second electrodes 2 and 3 and hydrogen is generated on an anode and the laminated sheet is released on the interface between these electrodes and the water-containing electroconductive composition layer 4.例文帳に追加

第１，第２の電極２，３間に含水導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陰極上で水素を発生させ、該電極と含水導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁

The second conductive layer 24 of the conductive particle 21 is unevenly distributed asymmetrically rightward and leftward relative to a centerline passing through a center of the resin particle 22 of the conductive particle 21, and 70 volume % or more and 100 volume % or less of the entire second conductive layer 24 exists in one region in a rightward and leftward direction relative to the centerline.例文帳に追加

導電性粒子２１における樹脂粒子２２の中心を通る中心線に対して、導電性粒子２１における第２の導電層２４は、左右非対称に偏在しており、上記中心線に対して左右方向の一方側の領域に第２の導電層２４全体の７０体積％以上、１００体積％以下が存在する。 - 特許庁

On the surface 7a of an electronic component, i.e. a multilayer piezoelectric element, a lead wire is soldered to a second electrode layer 23 on the other end side in the longitudinal direction for one of adjacent terminal electrodes 17 and soldered to a second electrode layer 23 on one end side in the longitudinal direction for the other terminal electrode 17.例文帳に追加

電子部品である積層型圧電素子の表面７ａでは、隣り合う端子電極のうち一方の端子電極１７に対しては、その長手方向における他端側の第２の電極層２３に、他方の端子電極１７に対しては、その長手方向における一端側の第２の電極層２３にリード線が半田付けされる。 - 特許庁

Acidic chemical liquid 16 for chemically neutralizing and deodorizing ammonia gas or the like contained in the malodor substance 6, is stored in an acidic chemical liquid layer part 17 of the first deodorization apparatus 2a, and alkaline chemical liquid 33 for deodorizing the acidic malodor substance 6 is stored in a second chemical liquid layer part 34 of the second deodorization apparatus 2b.例文帳に追加

さらに、第一脱臭装置２ａの酸性薬液層部１７には臭気物質６に含まれるアンモニアガス等を化学的に中和して脱臭するための酸性薬液１６が貯溜され、第二脱臭装置２ｂの第二薬液層部３４には酸性状の臭気物質６を脱臭するためのアルカリ性薬液３３が貯溜されている。 - 特許庁

During a period wherein a first electrode 503 has a negative voltage and a second electrode 504 is driven to a positive voltage, electrons are discharged from a carbon material in a phosphor layer 203 formed on a first electrode 503, and the phosphor layer 203 formed on the second electrode 504, which faces the carbon material to discharge the electrons, emits light.例文帳に追加

第１の電極５０３が負電圧で第２の電極５０４が正電圧に駆動されている期間は、第１の電極５０３上に形成された蛍光体層２０３中のカーボン材料からから電子が放出され、第２の電極５０４上に形成され、電子を放出する前記カーボン材料に対向する蛍光体層２０３が発光する。 - 特許庁

The elastic member 20 is soldered to the second conductor layer 15 and the energizing electrode terminals 16, 17 in the state of holding such deformation stress as to leave the second conductor layer 15 and at least one of the energizing electrode terminals 16, 17 even when the solder 21 is not completely melted.例文帳に追加

そして、弾性部材２０は、半田２１が完全に溶融しない状態でも変形することによって第２の導体層１５及び通電電極端子１６，１７のうち少なくとも１つの電極端子から離間する程度の応力を保持した状態で、当該第２の導体層１５及び当該通電電極端子１６，１７に半田付けされている。 - 特許庁

This method comprises: the low temperature high doped layer growing step of doping the dopant while growing a thin film at a specific first temperature; the annealing step of discontinuing the growth of the thin film to anneal the thin film at a predetermined second temperature higher than the first temperature; and the high temperature low doped layer growing step of growing the thin film at the second temperature.例文帳に追加

所定の第１温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第１温度より高い所定の第２温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第２温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。 - 特許庁

The method of forming an electronic device such as a MOS transistor and the like includes the steps of forming a plurality of semiconductor islands 31, 35 on a substrate 10, printing a first dielectric layer 60 on or over a first subset 31 of the semiconductor islands, and optionally printing a second dielectric layer 65 on or over a second subset 35 of the semiconductor islands.例文帳に追加

基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。 - 特許庁

Further, the display device has a second inter-layer insulating film 27 which is formed on the upper capacity electrode 26a and has a plurality of contact holes 31 for the upper capacity electrode 26a at one pixel, and a pixel electrode 32 which is formed on the second inter-layer insulating film 27 and connected to the upper capacity electrode 26a through the contact holes 31.例文帳に追加

さらに、上部容量電極２６ａ上に形成され、１画素において上部容量電極２６ａへのコンタクトホール３１を複数有する第２層間絶縁膜２７と、第２層間絶縁膜２７上に形成され、コンタクトホール３１によって上部容量電極２６ａと接続される画素電極３２とを備える。 - 特許庁

The second conductive layer 24 of the conductive particle 21 is unevenly distributed asymmetrically upward and downward relative to a centerline passing through a center of the resin particle 22 of the conductive particle 21, and 70 volume % or more and 100 volume % or less of the entire second conductive layer 24 exists in an upper region or a lower region relative to the centerline.例文帳に追加

導電性粒子２１における樹脂粒子２２の中心を通る中心線に対して、導電性粒子２１における第２の導電層２４は、上下非対称に偏在しており、上記中心線に対して上側の領域又は下側の領域に第２の導電層２４全体の７０体積％以上、１００体積％以下が存在する。 - 特許庁

Furthermore, the display includes a second patterned conductor disposed on the layer containing the cholesteric liquid crystal and a control means by which an electric filed applied to the cholesteric liquid crystal layer part directly changes its reflectance value into a plurality of reflectance values by applying voltage to a specified part of the first patterned conductor and the second patterned conductor.例文帳に追加

ディスプレイは更に、コレステリック液晶を含む層の上に配置されたパターニングされた第２の導体と、パターニングされた第１及び第２の導体の特定の部分に亘って電圧を印加することによりコレステリック液晶層の部分への電界がその反射率を複数の反射率へ直接的に変化させるようにする制御手段とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

Lands of the wiring board are formed on upper surfaces of a first active metal layer 5a formed in a first region positioned at a surface center portion of a via conductor 1 and a second active metal layer 5b formed in a second region positioned apart from the first region and from an outer peripheral part of the via conductor 1 to an upper surface of a ceramic substrate.例文帳に追加

配線基板のランドは、ビア導体１の表面中央部に位置する第１領域に形成される第１活性金属層５ａと、第１領域と離れているとともに、ビア導体１の外周部からセラミック基板の表面にかけて位置する第２領域に形成された第２活性金属層５ｂの表面に形成されている。 - 特許庁

There is printed on the decorative construction plate a print picture formed by laminating a first layer having a first basic image forming a picture pattern and a second layer having a second basic image forming a picture pattern under a synthetic condition based on a logical calculation such as OR, AND, NOT or the like, the synthetic condition being different between a plurality of the decorative construction plates.例文帳に追加

化粧建築板は、絵柄模様を形成する第１基本画像を有する第１レイヤーと、絵柄模様を形成する第２基本画像を有する第２レイヤーとが複数の化粧建築板間で異なる合成条件で例えばＯＲ、ＡＮＤ、ＮＯＴなどの論理演算されて重ね合わされた印刷画像が印刷されている。 - 特許庁

The solar cell element is provided with a first conduction type layer 2 formed on the light receiving surface side of a solar cell element substrate 1, a second electrode 4 for conduction type formed on the rear surface side of the solar cell element substrate 1, and a bypass electrode 5 formed so as to contact with the first conduction type layer 2 and the second electrode 4 for conduction type.例文帳に追加

太陽電池素子基板１の受光面側に形成された第１の導電型層２と、太陽電池素子基板１の裏面側に形成された第２の導電型用電極４と、第１の導電型層２および第２の導電型用電極４に接触するように形成されたバイパス電極５を有する太陽電池素子。 - 特許庁

A first insulating layer 41 made of AlN, BN, SiC or GaN and a second insulating layer 42 made of AlNOx, BNOx, SiO2 or GaNOx of which film thickness is 0 nm or more and 10 nm or less are formed between the first light emitting element 20 and the second light emitting element 30.例文帳に追加

この第１の発光素子と２０第２の発光素子３０との間には、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣまたはＧａＮを含んで構成された第１絶縁層４１と、ＡｌＮＯｘ、ＢＮＯｘ、ＳｉＯ２またはＧａＮＯｘを含んで構成されると共に膜厚が０ｎｍより大きく１０ｎｍより小さな第２絶縁層４２とが形成されている。 - 特許庁

Since each wiring layer 83 is provided between a second interlayer insulating film 84 and a first interlayer insulating film 82, the portion on each wiring layer 83 rises in a ridge structure and the portion (sections between each of wiring layers 83) on the first interlayer insulating film 82 is recessed in a furrow structure on the surface of the second interlayer insulating film 84.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８４と第１層間絶縁膜８２との間には各配線層８３が設けられているため、第２層間絶縁膜８４表面において、各配線層８３上の部分は畝状に盛り上がり、第１層間絶縁膜８２上の部分（各配線層８３間の部分）は畝合い状に窪んでいる。 - 特許庁

This organic EL display is provided with a first transparent substrate 21 and a second transparent substrate 27 which face each other at a predetermined interval, a transistor formed on the first transparent substrate 21, an anode 29 formed on the second transparent substrate 27 and electrically connected with the transistor, an organic EL layer formed on the anode 29 and a cathode 36 formed on the organic EL layer.例文帳に追加

所定間隔を隔ててお互いに向かい合うように配置される第１透明基板21及び第２透明基板27と、第１透明基板上に形成されるトランジスタと、第２透明基板上に形成され、トランジスタに電気的に接続されるアノード29と、アノード上に形成される有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に形成されるカソード36とを備えている。 - 特許庁

The image forming apparatus for forming image information and supplementary information on a photographic sensitive material having a first photosensitive layer for forming image information on the front surface and having a second photosensitive layer for forming supplementary information on the rear surface is provided with a first exposure means for forming image information and a second exposure means for forming supplementary information.例文帳に追加

表面に画像情報を形成するための第１感光層と、裏面に付帯情報を形成するための第２感光層とを有する写真感光材料に対して、画像情報及び付帯情報を形成させるための画像形成装置であって、画像情報形成用の第１露光手段と、付帯情報形成用の第２露光手段とを備える。 - 特許庁

The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.例文帳に追加

第１の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第２の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第１の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第２の不純物拡散層の不純物濃度は、第１の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

The disclosed method includes the steps of judging that a connection related to the terminal is to be at least partially canceled in one of the first and the second communication network layers, and transferring the judgement from one communication network layer wherein that judgement is made, through an interface between the first and the second communication network layers to the other communication network layer.例文帳に追加

第１及び第２通信ネットワーク層の一方においてターミナルに関連した接続の少なくとも一部分を解除すべきであると判断し、そして判断を、その判断がなされた一方の通信ネットワーク層から、第１及び第２の通信ネットワーク層間のインターフェイスを経て、他方の通信ネットワーク層へ転送するという段階を備える。 - 特許庁

The gyro includes a substrate 16 having an insulator layer; a silicon waveguide 16 formed on the insulator layer; and a resonator 18 bonded to the silicon waveguide, and constituted so that a part of the first light beam is circulated in the first reverse propagation direction, and that a part of the second light beam is circulated in the second reverse propagation direction.例文帳に追加

ジャイロは、絶縁体層を有する基板（１６）と、絶縁体層に形成されるシリコン導波管（１６）と、シリコン導波管に結合され、第１の光ビームの一部分を第１の逆向き伝搬方向に循環させ、第２の光ビームの一部分を第２の逆向き伝搬方向に循環させるように構成された共振器（１８）とを備える。 - 特許庁

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time.例文帳に追加

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 - 特許庁

The balloon transformer includes first and second ground potential layers 20, 40 formed on a silicon substrate 10, an unbalanced signal first transmission line 50 having a dielectric layer 30 interposed between the layers 20 and 40 and provided in the layer 30, and a second transmission line 60 and a third transmission line 70 vertically arranged in parallel with the layers 20 and 40.例文帳に追加

バルントランスは、シリコン基板１０上に形成された第１、第２アース電位層２０、４０と、それに挟まれた誘電体層３０を有し、誘電体層３０内部には不平衡信号第１伝送線路５０と、第２伝送線路６０および第３伝送線路７０が第１、第２アース電位層２０、４０と平行に上下に配される。 - 特許庁

The liquid crystal display device 700 comprises a liquid crystal layer arranged between two vertically aligned substrates, and first and second domain regulators for regulating the alignment of the liquid crystal layer so that liquid crystal molecules are obliquely aligned when voltage is applied and the alignment includes a plurality of first and second directions.例文帳に追加

液晶表示装置７００は、垂直配向処理された二つの基板間に配置された負の誘電率異方性を有する液晶層と、液晶層の配向を調整し、電圧を印加した時に、液晶分子が傾斜配向し、その配向は複数の第１の方向及び第２の方向を含む、第１のドメインレギュレータ及び第２のドメインレギュレータを含む。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb.例文帳に追加

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。 - 特許庁

A planar light source 1 comprises a semiconductor light-emitting element of emission wavelength 360-400 nm, a first layer where a first phosphor 80 is diffused to convert the light from the semiconductor light-emitting element into blue group light, and a second layer where a second phosphor 81 is diffused to convert the blue group light into yellow or yellow-green group light.例文帳に追加

発光波長３６０ｎｍ〜４００ｎｍの半導体発光素子と、半導体発光素子からの光を青色系の光に変換する第１の蛍光体８０を分散させた第１の層と、青色系の光を黄色ないし黄緑色系の光に変換する第２の蛍光体８１を分散させた第２の層とにより、面状光源１を構成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure.例文帳に追加

前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a plurality of first capacitor holes 52 bored in an insulating layer; DRAM cells comprising capacitive elements C formed in the first capacitor holes 52 and transistors Tr coupled to the capacitive elements C; a plurality of second capacitor holes 40 bored in the insulating layer; and fuse elements (31, 51) formed between the second capacitor holes 40.例文帳に追加

この半導体装置は、絶縁層に設けられた複数の第１キャパシタ孔５２と、第１キャパシタ孔５２に形成された容量素子Ｃと、容量素子Ｃと結合するトランジスタＴｒとからなるＤＲＡＭセルと、絶縁層に設けられた複数の第２キャパシタ孔４０と、第２キャパシタ孔４０の間に形成されるフューズ素子（３１、５１）と、を備えている。 - 特許庁

The power generation element 100 includes: a first piezoelectric elements 110 including electrodes 111 sequentially laminated on a base material 102, a first piezoelectric material layer 113, and an electrode 112; a second piezoelectric element 120 including electrodes 121 sequentially laminated on the base material 102, a second piezoelectric material layer 123, and an electrode 112; and a vibrating member 101.例文帳に追加

本発明の発電素子１００は、基材１０２上に順に積層された電極１１１、第１の圧電体層１１３および電極１１２を含む第１の圧電素子１１０と、基材１０２上に順に積層された電極１２１、第２の圧電体層１２３および電極１１２を含む第２の圧電素子１２０と、振動部材１０１とを含む。 - 特許庁