「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

The deodorizing layer 72, disposed on the other outer surface, or the opposing side of the disinfecting layer 71, includes a second component for deodorization which is different from the first component and a second binder for bonding the second component which is different from the first binder.例文帳に追加

脱臭層７２は、除菌層７１とは反対側の外表面に設けられ、第１成分とは異なる成分である脱臭用の第２成分と、第２成分を接着し第１バインダーとは異なる第２バインダーとを含む。 - 特許庁

Also, the second insulating layer 8 has a second opening 8a for exposing the upper surface of the wiring 6 on the wiring 6, and a third metal layer 7 is formed in a region exposed from the second opening 8a in the wiring 6.例文帳に追加

また、第２の絶縁層８は配線６上に配線６上面を露出させる第２開口部８ａを有し、配線６のうち、第２開口部８ａから露出した領域上には第３の金属層７が形成されている。 - 特許庁

The second layer is formed by applying a second coating liquid using steam as a carrier to the surface of the first layer, the second coating liquid comprising at least one (B) selected from the group consisting of a water-soluble polymer, an inorganic colloid, an inorganic salt and an acid.例文帳に追加

第二層は、第一層の上に、水溶性高分子化合物、無機コロイド、無機塩及び酸よりなる群から選択される少なくとも１種（Ｂ）を含有する第二塗布液をキャリアーとして、水蒸気を用いて塗布して形成する。 - 特許庁

The laminated organic solar cell comprises a first photoelectrical conversion layer 2 provided between a first electrode 1 and a second electrode 3, and a second photoelectrical conversion layer 4 provided between the second electrode 3 and a third electrode 5.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極３の間に第１の光電変換層２を備えると共に、第２の電極３と第３の電極５の間に第２の光電変換層４を備えた積層型有機太陽電池に関する。 - 特許庁

The multilayer structure includes a plurality of second layers including nitride semiconductor containing Al and a first layer including nitride semiconductor provided between the plurality of second layers and having a lower Al composition ratio than that in the second layer.例文帳に追加

多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。 - 特許庁

Also, in a second recording and reproducing layer 6, lands 10 are formed on a lamination surface of a second recording and reproducing layer substrate 3, and second recording tracks 12 are formed by depositing a reflection film 11 on the surface of the lands 10.例文帳に追加

また、第２の記録再生層６は、第２の記録再生層基板３の張り合わせ面にランド１０を形成し、その表面に反射膜１１を形成することで、第２の記録トラック１２が形成されてなるものである。 - 特許庁

The first switching element Q1 is electrically connected between a first data line 24A and a first intermediate conductive layer 541, and the second switching element Q2 is electrically connected between a second data line 24B and a second intermediate conductive layer 542.例文帳に追加

第１スイッチング素子Ｑ1は、第１データ線２４Aと第１中間導電層５４１との間に電気的に介在し、第２スイッチング素子Ｑ2は、第２データ線２４Bと第２中間導電層５４２との間に電気的に介在する。 - 特許庁

A first core side insulating layer 33 is formed on the first main surface 12 of core and the first main surface 102 of chip, and a second core side insulating layer 34 is formed on the second main surface 13 of core and the second main surface 103 of chip.例文帳に追加

コア第１主面１２及びチップ第１主面１０２の上に第１コア側絶縁層３３が形成され、コア第２主面１３及びチップ第２主面１０３の上に第２コア側絶縁層３４が形成される。 - 特許庁

A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。 - 特許庁

The light-emitting element includes: an electron transport layer; a hole transport layer that opposes the electron transport layer and is provided separately; a luminous layer having a layer made of semiconductor fine particles clamped between the electron transport layer and the hole transport layer; a first electrode connected to the electron transport layer electrically; and a second electrode connected to the hole transport layer electrically.例文帳に追加

発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に電気的に接続された第２の電極とを備える。 - 特許庁

The free layer 25 has a first soft magnetic layer 41 arranged to be located adjacently to the one surface of the tunnel barrier layer 24, a high polarizability layer 42 arranged at the opposite side in the tunnel barrier layer 24 in the first soft magnetic layer 41, and a second soft magnetic layer 43 arranged at the opposite side to the first soft magnetic layer 41 in this high polarizability layer 42.例文帳に追加

自由層２５は、トンネルバリア層２４における一方の面に接して隣接するように配置された第１の軟磁性層４１と、この第１の軟磁性層４１におけるトンネルバリア層２４とは反対側に配置された高分極率層４２と、この高分極率層４２における第１の軟磁性層４１とは反対側に配置された第２の軟磁性層４３とを有している。 - 特許庁

The silver halide photosensitive material includes a red-sensitive silver halide emulsion layer, a first intermediate layer, a green-sensitive silver halide emulsion layer, a second intermediate layer and a blue-sensitive silver halide emulsion layer in this order on a support body, and the first intermediate layer contains a chelating agent.例文帳に追加

支持体上に、順に、赤感性ハロゲン化銀乳剤層、第一中間層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層、第二中間層および青感性ハロゲン化銀乳剤層を有し、第一中間層がキレート化剤を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁

An organic layer in which at least a hole transport layer 14 and an organic luminous layer (electron transporting luminous layer) 15 are laminated is formed between a first electrode 12 and a second electrode 16, and the organic layer is connected to the first electrode 12 via an opening of an insulating layer 13.例文帳に追加

第１の電極１２と第２の電極１６との間に、少なくともホール輸送層１４と有機発光層（電子輸送性発光層）１５とが積層された有機層が形成され、その有機層を絶縁層１３の開口部を介して第１の電極１２に接続させる。 - 特許庁

The external electrode 5 has an underlying metal layer 5a which closely contacts with the base body 2 and electrically connected with the leading terminals 4a, a first plated metal layer 5b to protect the underlying metal layer, and a second plated metal layer 5c to improve solder wettability with the first plated metal layer to protect the underlying metal layer 5a.例文帳に追加

この外部電極５は、電子部品素体２に密着し引出端部４ａと電気的に接続する下地金属層５ａと、該下地金属層５ａを保護する第一のメッキ金属層５ｂと半田濡れ性を向上させる第二のメッキ金属層５ｃとを有する。 - 特許庁

The treated tooth cloth 6 for this toothed belt 1 is composed of a first layer 9 comprising rubber impregnated in canvas, a second rubber layer 10 formed on the surface side of the first layer, and a third rubber layer 11 formed on the back side of the first layer, and adhered to a belt main body rubber layer 3.例文帳に追加

歯付ベルト１の処理歯布６がゴムを原帆布に含浸させた第１層９と、第１層の表面側に形成された第２ゴム層１０と、該第１層の裏面側に形成され前記ベルト本体ゴム層３に接着される第３ゴム層１１とで構成される。 - 特許庁

The fuel electrode layer is a porous layer composed of a first layer 11b1 (near side to the electrolyte layer) made of fine-particles of Ni and YSZ and a second layer 11b2 (far side from the electrolyte layer) made of fine-particles of Ni, YSZ, and zircon (ZrSiO_4).例文帳に追加

燃料極層は、Ｎｉ及びＹＳＺの微細粒子からなる第１層１１ｂ１（電解質層に近い側）と、Ｎｉ、ＹＳＺ、及びジルコン（ＺｒＳｉＯ_４）の微細な粒子からなる第２層１１ｂ２（電解質層から遠い側）とから構成される多孔質層である。 - 特許庁

Even when a single or a plurality of conductive devices 106 is contained in the first layer 104 by forming the layer 104 as an insulating layer, the oxidation of the interfaces between the layer 104 and devices 106 is removed by continuously performing plasma treatment on the interfaces, and then, the second layer 108 is deposited on the layer 104.例文帳に追加

第１の層１０４を絶縁層として、その中に配置された単一または複数の導電性材料デバイス１０６を含む場合も、両者の間のインタフェースに連続のプラズマ処理を行って酸化を除去し、その上に第2の層１０８を堆積する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate is subjected to texture processing and the seed layer is formed by sequentially layering a first seed layer comprising Cr and Ti, a second seed layer comprising Ni and Cr and a third seed layer comprising Ni and Nb.例文帳に追加

ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板にテクスチャ加工を施し、シード層は、ＣｒとＴｉからなる第１シード層、ＮｉとＣｒからなる第２シード層、ＮｉとＮｂからなる第３シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

A first additional barrier layer of ZnMgSe having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the p-type clad layer so as to prevent an overflow of electrons, and a second additional barrier layer having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the n-type clad layer so as to prevent the overflow of holes.例文帳に追加

活性層とｐ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＭｇＳｅ第１追加障壁層を追加して電子オーバーフローを防ぎ、活性層とｎ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＳＳｅ第２追加障壁層を追加して正孔オーバーフローを防ぐ。 - 特許庁

A semiconductor laser 30 has a structure A including an active layer 36 and a second conductivity type semiconductor layer 37 becoming a clad layer, and a structure B including a first conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer 31 which becomes a clad layer on a high resistance semiconductor substrate 20.例文帳に追加

半導体レーザ３０は、高抵抗半導体基板２０上のクラッド層となる第１導電型半導体層３１の上に、活性層３６及びクラッド層となる第２導電型半導体層３７を含む構造部Ａと、第１導電型の半導体層を含む構造部Ｂとを有する。 - 特許庁

A luminescent thyristor L includes a distribution Bragg reflection layer 81 and a semiconductor layer 60 (a structure of a p-type first semiconductor layer 82, an n-type second semiconductor layer 83, a p-type third semiconductor layer 84, and an n-type fourth semiconductor layer 85 laminated in sequence) on a p-type substrate 80.例文帳に追加

発光サイリスタＬは、ｐ型の基板８０上に、分布ブラッグ反射層８１と半導体層６０（ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層された構造）とを備えている。 - 特許庁

Alternatively, a collector having a first layer having pores and a second layer arranged on the first layer and provided with a porosity lower than that of the first layer is arranged, and interface resistance with the active material layer is lowered, while the physical binding force with the active material layer is increased.例文帳に追加

または、空隙を有する第１層と、この第１層に設けられ、第１層よりも空隙率が小さい第２層とを有する集電体を備えており、活物質層との界面抵抗が小さくなっていると共に、活物質層との物理的な結着力が強化されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes high frequency wiring 102 formed in a multi-layer wiring layer on a semiconductor substrate and dummy metal 104 formed in a second wiring layer 122b between the semiconductor substrate in the multi-layer wiring layer and a layer with the high frequency wiring 102 thereon.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板上の多層配線層中に設けられた高周波配線１０２と、多層配線層中の半導体基板と高周波配線１０２が設けられた層との間の第２の配線層１２２ｂに設けられたダミーメタル１０４とを含む。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

A segment SG1 constituting the TMR element 50 includes: a first laminate 20 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21; and a second laminate 30 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。 - 特許庁

On the MEMS structure 1, a first etching groove 7a penetrating an electric conductor lower layer 2, an insulator lower layer 3, and an electric conductor middle layer 4; and a second etching groove 7b penetrating an electric conductor upper layer 6, an insulator upper layer 5, and the electric conductor middle layer 4 are formed.例文帳に追加

ＭＥＭＳ構造体１には、導電体下層２と絶縁体下層３と導電体中間層４を貫通する第１エッチング溝７ａと、導電体上層６と絶縁体上層５と導電体中間層４を貫通する第２エッチング溝７ｂが形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a second n-type GaN layer 107, a multilayer quantum well layer 108 consisting of In_xGa_1-xN and GaN, a p-type GaN layer 109, and a p-type GaN contact layer 110 are sequentially grown epitaxially on the first n-type GaN layer 105 from the opening of the mask layer 106.例文帳に追加

次に第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に、マスク層１０６の開口部から第二のｎ型ＧａＮ層１０７、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮとＧａＮからなる多層量子井戸層１０８、ｐ型ＧａＮ層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A stopper layer 12 (first dielectric layer) and a dielectric layer 13 (second dielectric layer) acting as an element forming layer are provided in this order on a substrate 11 having an opening 15, and a high-frequency element 14 (inductor) is provided on the dielectric layer 13 in a position opposing the opening 15.例文帳に追加

開口１５を有する基板１１上に、ストッパ層１２（第１誘電体層）および素子形成層としての誘電体層１３（第２誘電体層）がこの順に設けられ、誘電体層１３上の開口１５に対向する位置に高周波素子１４（インダクタ）を有する。 - 特許庁

An upper dielectric layer 12, an interface layer 13, a recording layer 14, a lower dielectric layer 15 and a reflection layer 16 are sequentially layered from an incident direction of recording and reproducing light on a first substrate 11 and a second substrate 18 is provided thereon via a protective layer 17.例文帳に追加

第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a magnetic layer, the protective layer and a lubricant layer on a substrate in this order from the substrate side, the protective layer has a first protective layer composed of diamond-like carbon and a second protective layer containing a silicon-containing compound in this order from the substrate side.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は、基板上に、磁性層、保護層、及び潤滑剤層を、前記基板側からこの順に有してなり、前記保護層が、ダイヤモンドライクカーボンからなる第１保護層と、ケイ素含有化合物を含む第２保護層とを、前記基板側からこの順に有している。 - 特許庁

An objective lens 22 focuses the first light directed toward the side of a reflection layer 28 within a recording layer 26 and the second light passing through the recording layer 26 to be reflected by the reflection layer 28 and directed toward the side opposite to the reflection layer 28 within the recording layer 26, at the same position.例文帳に追加

対物レンズ２２は、記録層２６内を反射層２８の側へ向かう第一の光と、記録層２６を透過して反射層２８で反射され、記録層２６内を反射層２８と反対の側へ向かう第二の光とを、互いに対向させて同一位置に集光する。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure.例文帳に追加

半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。 - 特許庁

This head is provided with an auxiliary magnetic pole layer 21 as a first magnetic section, a main pole layer 24 as a second magnetic section formed apart from the auxiliary magnetic pole layer 21, and a coil layer for supplying a recording magnetic field formed in a spacing between the auxiliary magnetic pole layer 21 and the main pole layer 24.例文帳に追加

第１の磁性部である補助磁極層２１と、前記補助磁極層２１から間隔を空けて形成された第２の磁性部である主磁極層２４とが設けられ、前記補助磁極層２１と主磁極層２４との間隔内に記録磁界を与えるコイル層が設けられている。 - 特許庁

A green-color filter layer 20G having the highest rate in the total sum of the area occupying the imaging region is formed of double layers of a first green-color filter layer 21a as the lowest layer in the color filter layer 20 and a second green-color filter layer 21b as the highest layer.例文帳に追加

撮像領域に占める面積の総和の割合が最も多い色である緑色フィルタ層２０Ｇはカラーフィルタ層２０における最下層である第１緑色フィルタ層２１ａと最上層である第２緑色フィルタ層２１ｂとの２層から形成されている。 - 特許庁

A laminated structure with a first SiGe layer 14 is formed on a buried insulating layer 21 through a laminating method, thereafter a second SiGe layer 41 higher in germanium content than the first SiGe layer 14 is formed on the first SiGe layer 14, and a silicon layer 42 is formed thereon.例文帳に追加

貼り合わせ方により、埋め込み絶縁層２１上に第１のＳｉＧｅ層１４を有する積層構造体を作製し、その後、第１のＳｉＧｅ層１４上にそれよりゲルマニウム濃度が高い第２のＳｉＧｅ層４１を形成し、その上にシリコン層４２を形成する。 - 特許庁

The laminated body provided with at least the adhesive layer and the sealant layer in this order on the base material, is characterized by that the adhesive layer has a two-layer constitution successively providing the first adhesive layer consisting of an amine-containing polymer and the second adhesive layer consisting of an isocyanate compound in this order.例文帳に追加

基材上に少なくとも接着層とシーラント層をこの順序で設けてなる積層体であって、接着層は、アミン含有ポリマーからなる第１接着層とイソシアネート化合物からなる第２接着層とを順設してなる二層構成であることを特徴とする。 - 特許庁

The first and second titanium oxide layers 3 and 5 are disposed on both sides of the half mirror layer 4, whereby the adhesion of the lens 2 with the half mirror layer 4 and the adhesion of the half mirror layer 4 with the defogging coat layer 6 can be enhanced, and the defogging coat layer 6 can be formed on the half mirror layer 4.例文帳に追加

第１および第２の酸化チタン層3,5をハーフミラー層4の両側に配置することにより、樹脂製のレンズ2とハーフミラー層4との密着性、ハーフミラー層4と防曇コート層6との密着性を高めることができ、ハーフミラー層4の上に防曇コート層6を形成することが可能になる。 - 特許庁

An insulating layer is made of the first insulating layer and the second insulating layer which is stacked on the first insulating layer and is lower in etching speed than the first insulating layer, and even in a light etching process for a surface oxide film, the topside of an isolation wall projects from the top end of the storage node layer.例文帳に追加

絶縁層を、第１絶縁層と、第１絶縁層上に積層された第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層から形成し、表面酸化膜のライトエッチング工程後においても、分離壁の上面がストレージノード層の上端より突出した構造とする。 - 特許庁

The superconductive tape wire rod 11 is fabricated by forming a first intermediate layer 13, a second intermediate layer 14, a superconductive layer 15, and a protection layer 16 in order on one side of a substrate 12 by vapor deposition, and adhering a stabilizing layer 17 by solder 18 on the surface of the protection layer 16.例文帳に追加

基板１２の片面に第１中間層１３、第２中間層１４、超電導層１５及び保護層１６を順次蒸着により形成し、保護層１６の表面にハンダ１８により安定化層１７を接着して、超電導テープ線材１１を作製する。 - 特許庁

For example, the organic electric field light emitting device is constituted by stacking a transparent electrode 12 (positive electrode), a hole injection layer 14, a hole transport layer 16 (second organic compound layer), an intermediate layer 18A, a light emitting layer 20 (first organic compound layer), and a back electrode 24 (negative electrode) in order on a transparent insulator substrate 10.例文帳に追加

例えば、透明絶縁体基板１０上に、透明電極１２（陽極）、正孔注入層１４、正孔輸送層１６（第２有機化合物層）、中間層１８Ａ、発光層２０（第１有機化合物層）、及び背面電極２４（陰極）が順次積層されて構成させる。 - 特許庁

The decorative material is constituted by successively laminating a lower layer 1 comprising a backer layer, a pattern layer 3 and/or primer layers 2 and 4, an intermediate layer 5 comprising a polyolefinic resin or a polyester resin, if necessary, a second intermediate layer 7 comprising an ionomer resin, and an upper layer 8 comprising an ionomer resin.例文帳に追加

バッカー層からなる下層１、絵柄層３及び／又はプライマー層２、４、ポリオレフィン樹脂又はポリエステル樹脂からなる中間層５、必要に応じてアイオノマー樹脂からなる第二中間層７、及びアイオノマー樹脂からなる上層８が順次積層された化粧材である。 - 特許庁

The solar cell is also provided with a compound layer 20 containing a group Ia element and Al in at least one interlayer selected from among the interlayers between the substrate 11 and the first conductive layer 13, between the first conductive layer 13 and the light absorbing layer 14, and between the light absorbing layer 14 and the second conductive layer 17.例文帳に追加

基板１１と第１の導電層１３との間、第１の導電層１３と光吸収層１４との間、および光吸収層１４と第２の導電層１７との間から選ばれる少なくとも１つの層間に、Ｉａ族元素とＡｌとを含む化合物層２０を備える。 - 特許庁

The element isolation insulating layer is divided into a first region (element isolation insulating layer 5 of a high-speed circuit block) reaching the buried insulating layer 3 from the surface of the semiconductor layer 4 and a second region (element isolation insulating layer 6 of a low- speed circuit block) which does not reach the embedded insulating layer 3.例文帳に追加

素子分離絶縁層は、半導体層４の表面から埋込絶縁層３に達した第１領域（高速回路ブロックの素子分離絶縁層５）と、埋込絶縁層３に達していない第２領域（低速回路ブロックの素子分離絶縁層６）とに区分されている。 - 特許庁

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁