「semiconductor process equipment」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a separation method for carbon nanotubes (CNT), which is extremely industrially advantageous, in which a large amount of metal type CNT and semiconductor type CNT are efficiently separated and refined in a short time, from CNT containing both of the metal type CNT and the semiconductor type CNT with inexpensive equipment in a simple process and the scale-up is made easy.例文帳に追加

安価な設備と簡便な工程により、金属型ＣＮＴと半導体型ＣＮＴを含むＣＮＴから両者を短時間で大量に効率良く分離精製することができ、かつスケールアップも容易な工業的に極めて有利なＣＮＴの分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can make smooth the supply of slurry to between a wafer and abrasive cloth and the interaction between abrasives and the wafer surface and increase a CMP speed, and to provide a semiconductor manufacturing equipment which performs a CMP process.例文帳に追加

ウェハと研磨布の間へのスラリの供給・砥粒とウェハ表面の相互作用が円滑に行われ、ＣＭＰ速度を増大させることが可能な半導体装置の製造方法及びＣＭＰ処理を行う半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

This invention concerns handles the projection mask and masking image of the semiconductor projected on the silicone wafers. The projection mask of this process requires protection covers to keep out the particles, necessitating the opening of the covers inside the projection equipment. 例文帳に追加

この発明は、半導体焼付用の投影マスクとマスク像をシリコン基板上に投影する投影機に関する投影マスクはゴミ等の付着防止の為カバーで保護する必要があり、又カバー開閉も投影機内で自動的に行う必要がある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing equipment using plasma, that can form plasma with uniform intensity by independently controlling each of divided regions obtained by dividing one or more electrodes among a plurality of electrodes provided in a process chamber.例文帳に追加

工程チャンバの内部に設置された複数の電極の中で一つ以上の電極を分割して分割された各領域を独立的に制御することでインテンシティが均一なプラズマを形成するプラズマを利用する半導体装置製造設備を提供する。 - 特許庁

To enable use of the same vacuum system as one used in a case of normal film formation during in-situ cleaning, regarding semiconductor manufacturing equipment which executes the in-situ cleaning after a film is formed on a wafer in an insulating film forming process.例文帳に追加

本発明は絶縁膜形成工程でウエーハ上に膜を成膜した後にin-situクリーニングを実行する半導体製造装置に関し、in-situクリーニング中に、通常の成膜の場合と同じ真空系が使用できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a technique and equipment which are capable of carrying out a part mounting process of mixedly mounting semiconductor component that are mounted in a flip chip mounting manner by the use of an adhesive agent and passive parts that are suitably mounted by reflow soldering on a circuit board in a shorter time than usual.例文帳に追加

本発明は、接着剤を用いたフリップチップ実装の半導体部品等と、はんだリフロー実装が適する受動部品等が混載した回路基板の部品実装工程において、従来法より工程時間が短い工法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a package structure where a semiconductor chip and a wiring board are packaged in a smaller space through a simplified process, a manufacturing method for an electro-optical device with the package structure, the electro-optical device, and electronic equipment.例文帳に追加

半導体チップと配線基板とがより省スペースに且つ簡略化した工程で実装された実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置の製造方法および電気光学装置並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁

Radius of at least 0.1mm carries out R chamfering processing of the corners of semiconductor manufacturing equipment structural, and sharpening process to at most surface roughness Ra 1.6 μm is performed, thereby restraining concentration of electric charge in corners and preventing generation of arcing.例文帳に追加

半導体製造装置用部材の角部を半径０．１ｍｍ以上のＲ面取り加工処理し、かつ表面粗さＲａ１．６μｍ以下に研磨加工処理することで、角部における電荷の集中を抑制し、アーキングの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a testpiece analyzing method and its equipment which samples (extracts) only a testpiece strip including a desired specific region from a semiconductor wafer or a device chip and mount it on the testpiece stage of analysis/measuring apparatus without taking a testpiece making-process executed by manual operation which requires experience, skill or time duration.例文帳に追加

半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide heat treatment equipment where a comparatively small amount of displacement between a semiconductor substrate 7 and a substrate supporting ring 8 is detected when it occurs in the silicide forming process of a high melting point metal in particular, and lamp heating treatment can thus stop without normally proceeding.例文帳に追加

特に高融点金属のシリサイド化工程において半導体基板７と基板支持リング８との比較的小さい位置ずれが発生した場合にそれを検知し、ランプ加熱処理が通常に進行することなく設備停止することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

Prof "PFC gases are used in the process of manufacturing liquid crystals or semiconductors. PFC is one of the Kyoto Protocol gases that need to be reduced, so liquid crystal or semiconductor factories are equipped with PFC abatement equipment to reduce PFC emissions.例文帳に追加

"先生「また、液晶テレビの液晶などを作る時には、京都議定書で削減の対象となっている温室効果ガスのＰＦＣを使用するのですが、液晶工場では、ＰＦＣガス除害装置を設置しＰＦＣの排出を抑えています。" - 経済産業省

When hydrogen fluoride gas is introduced into the exhaust pipe 15 to clean the exhaust pipe 15 during the process of depositing silicon oxide film on the semiconductor wafer 10 using the heat treatment equipment 1, the deposition of the silicon oxide film and the removal of the reaction product adhering to the exhaust pipe 15, etc., can be performed simultaneously and the maintenance cycle of the heat treatment equipment 1 can be prolonged.例文帳に追加

そして、熱処理装置１を用いた半導体ウエハ１０へのシリコン酸化膜の形成工程中に、排気管１５内にフッ化水素ガスを導入して排気管１５を洗浄すると、シリコン酸化膜の形成と排気管１５等に付着する反応生成物の除去とが並行して実行され、熱処理装置１のメンテナンスサイクルが長くなる。 - 特許庁

There is provided plasma etching equipment in which a sprayed film is set to be a conductor, by attaching the sprayed film to the front surface of a wall with which plasma is in contact, such as the wall of a processing chamber and mixing a conductor with the material of the sprayed film in plasma processing equipment using a plasma process by use of halogen gas for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの作成に、ハロゲン系のガスによるプラズマプロセスを用いたプラズマ処理装置において、処理室内の壁等のプラズマが接触する壁の表面に溶射膜を付け、この溶射膜の材料に導体を混入することにより、溶射膜を導体としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 特許庁

To concentrate metal ions contained in a waste liquid, to reduce the amount of a harmful waste material and to efficiently and easily recover high price and useful metals by inexpensively and advantageously treating the waste liquid discharged from a semiconductor production process, a liquid crystal production process or the like, containing metal ions in low concentrations without using a large scale treating equipment or the like.例文帳に追加

半導体製造工程や液晶製造工程等から排出される金属イオン含有稀薄廃液を大規模な処理設備等を要することなく経済的有利に処理して、該廃液中の金属イオンを濃縮し、有害廃棄物量を低減すると共に、高価・有用な金属類を容易かつ効率的に回収する。 - 特許庁

To provide a suitable method and equipment for treating a waste water, particularly from a process of manufacturing a semiconductor, which renders a hardly treatable substance to promptly become treatable and treats the same to a biologically treatable product substance which can be combined with a process of bio-treatment by conducting an ozone oxidative treatment with the most suitable condition depending on substances contained in the waste water.例文帳に追加

オゾン酸化処理を廃水に含有されている物質に応じて最適な条件で行えるようにすることにより、難処理性の物質を迅速に処理可能とするとともに、生物処理が可能な生成物質へと処理して生物処理工程と組み合わせることも可能とすることのできる、とくに半導体製造工程等からの廃水の処理に好適な廃水処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from the polishing process or the like in manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like or waste water containing gallium in which waste water from a polishing process is mixed in a reservoir and with which gallium being a rate and valuable metal can be completely and efficiently collected as hydroxides in a highly concentrated state.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等の研磨工程等から排出されるガリウム含有廃水、あるいは、研磨工程の廃水が貯槽で混合されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを水酸化物として高濃縮された状態で余すことなく効率的に回収し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing equipment which can secure the uniformity of plasma density over the entire wafer to be processed by including a device which is provided in a chamber, wherein a process of manufacturing a semiconductor element by using plasma is carried out and converges the plasma by narrowing down a plasma area formed more adjacently to the processed object than the plasma area formed at the upper stage of the chamber.例文帳に追加

プラズマを用いる半導体素子の製造工程が行われるチャンバ内に設けられて、チャンバの上段に形成されるプラズマ領域よりも工程処理対象の隣接部分に形成されるプラズマ領域を狭めることによりプラズマを集束させる装置を含んで、処理対象となるウェーハの全体に亘ってプラズマ密度の均一性を確保できる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

An electrolytic plating equipment 10 takes a color picture of the plated surface of a semiconductor wafer W during cleaning with a CCD camera 27, when the semiconductor wafer W is washed using a washing nozzle 19 after electrolytic plating in an electrolytic plating process, and controls a solid support 18 and a cleaning mechanism 19 independently based on color- picture signals from the CCD camera 27.例文帳に追加

本発明の電解メッキ装置１０は、電解メッキ工程において、電解メッキ後の半導体ウエハＷを洗浄ノズル１９を用いて洗浄する際に、洗浄中の半導体ウエハＷのメッキ面の状態をＣＣＤカメラ２７を用いてカラー画像で撮像し、ＣＣＤカメラ２７からのカラー画像信号に基づいて保持体１８及び洗浄機構１９をそれぞれ制御する。 - 特許庁

To provide a method and equipment for evaluating the life time and process damage of a semiconductor substrate on the basis of the intensity of haze light by aiming at the haze light being scattering light emitted from an area in which strong scattering body does not exit when the crystal defect of a semiconductor substrate surface layer is evaluated by light scattering.例文帳に追加

半導体基板表層の結晶欠陥を光散乱で評価する際、強い散乱体が存在しない領域から発せられる散乱光であるヘイズ光に着目し、このヘイズ光の強度に基づいて半導体基板のライフタイムおよびプロセスダメージを評価する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a remover effective for removal of a photosensitive composition film containing an uncured pigment deposited at the periphery, edges, or back of a substrate or removal of a photosensitive composition containing an uncured pigment deposited at the surface of device members or equipment in a process for forming a photosensitive composition film on a glass substrate, a semiconductor wafer, or the like.例文帳に追加

ガラス基板や半導体ウエーハなどに感光性組成物皮膜を形成する工程において、基板の周辺部、縁辺部または裏面部に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物皮膜の除去、または装置部材や器具の表面に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物の除去に有効な除去液を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for step-down chopper regulator which copes with high-speed oscillation without needing an expensive process, and provides a stable step-down chopping action by widening an input voltage range and performing boot operation certainly even in a light load, and also to provide a step-down chopper regulator and electronic equipment each using it.例文帳に追加

本発明は、高価なプロセスを要することなく、高速発振に対応することができ、入力電圧範囲が広く、かつ、軽負荷時でも確実にブート動作を行うことで安定した降圧チョッピング動作を実現することが可能な降圧チョッパレギュレータ用の半導体装置、並びに、これを用いた降圧チョッパレギュレータ及び電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an etchant composition which is used for etching a metallic thin film and a metal oxide film, in a process of manufacturing electronic equipment such as a semiconductor device and a flat panel display device, has no problem with an odor of acetic acid, has superior etching performance, is easily handled and has superior practicability.例文帳に追加

半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において、金属薄膜及び金属酸化物膜をエッチングする際に用いることができる、酢酸の臭気の問題がなく、エッチング性能に優れ、また取り扱いが容易で実用性に優れている、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

A client computer 5 provided with an identification number reader 2 for reading an identification number attached to a work 1 in an in-line in each process of semiconductor manufacturing, an equipment controller 3 for collecting manufacturing conditions and identification number data of the work 1 and registering these data in a server computer 4 and a means capable of reading optional data stored in the server computer 4 is provided.例文帳に追加

半導体製造の各工程においてインラインでワーク１に付加された識別番号を読み取るための識別番号読取装置２と、ワーク１の製造条件、識別番号データを収集してこれらのデータをサーバーコンピュータ４に登録するための設備制御装置３と、サーバーコンピュータ４に蓄積された任意のデータを閲覧することができる手段とを備えているクライアントコンピュータ５を設ける。 - 特許庁

The slurry supply system for semiconductor CMP process supplies slurry 12 stored in a slurry storage tank 11 through a specified slurry supply line to a CMP equipment wherein the slurry supply line is provided with means 12 for transmitting ultrasonic wave to the slurry 12 in order to prevent unit particles of the slurry from being aggregated to secondary particles.例文帳に追加

半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムは、スラリ貯蔵タンク１１に貯蔵されたスラリ１２を所定のスラリ供給ラインを通じてＣＭＰ装備に供給する半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムにおいて、前記スラリ１２の単位粒子が二次粒子に凝集されないように前記スラリ供給ラインに設置されて前記スラリ１２に超音波を伝波する超音波伝波手段を含めてなることを特徴とする。 - 特許庁