「semiconductor process equipment」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device achieving a device process having a high precision, and to provide plasma treatment equipment used for the manufacturing method.例文帳に追加

高精度なデバイスプロセスを実現する半導体装置の製造方法、およびそれに用いるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an equipment authentication part for authenticating second electronic equipment using authentication information obtained from the second electronic equipment different from the first electronic equipment having the semiconductor device, a first storage part for storing authentication process information including the authentication result by the equipment authentication part, and an authentication analysis part for analyzing the authentication result by the equipment authentication part.例文帳に追加

半導体装置は、当該半導体装置を有する第１の電子機器とは別の第２の電子機器から得られた認証情報を用いて、第２の電子機器を認証する機器認証部と、機器認証部による認証結果を含む認証経過情報を記憶する第１の記憶部と、前記認証経過情報を参照して、前記機器認証部による認証結果を分析する認証分析部と、を備える。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor exposure equipment can also be adapted to a variable process constitution system by obtaining corresponding information that makes the process associated with a job as a process execution unit.例文帳に追加

更に、処理の実行単位であるジョブにプロセスを関連させて対応情報を持つことによって、プロセス構成が可変のシステムにも対応する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser equipment which will not cause performance or reliability of equipment to deteriorate by phenomenon where the solder irradiated with laser at operation scatters, without causing the productivity to decrease in the manufacturing process of a submount and the mounting process of a semiconductor laser.例文帳に追加

サブマウントの製造工程や半導体レーザのマウント工程での生産性を低下させることなく、動作時にレーザが照射された半田が飛散して装置の性能や信頼性を悪化させない半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment for an annealing process, which can prevent warping even when the diameter of a semiconductor substrate is enlarged, and shorten the time for carrying-in and-out the semiconductor substrate by solving the difficulties thereof.例文帳に追加

半導体基板が大口径化されても反りを防止でき、半導体基板の搬入及び搬出の困難さを解決して時間を短縮できる熱処理工程用の半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor chip peeling equipment for peeling a semiconductor chip which is stuck on a base mount sheet and divided into an individual chip, from the base mount sheet in a manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a method for peeling.例文帳に追加

半導体装置の製造過程において、基台シート上に貼り付けられた個片化された半導体チップを基台シートから剥離するための半導体チップ剥離装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat-treating equipment, a heat-treating method and a manufacturing method of a semiconductor device in which reduction of life time of minority carrier in a wafer during the whole heat treatment process is avoided, a hydrogen treatment process is omitted from the manufacturing process of a semiconductor device, and a temperature of hydrogen treatment can be lowered.例文帳に追加

本発明は、全熱処理工程中においてウェハー中の少数キャリアのライフタイムの劣化を回避して、半導体装置の製造工程から水素処理工程を省いたり水素処理の低温化ができる熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置製造方法を得る。 - 特許庁

The state of contamination before treatment in the treatment process to be diagnosed is obtained for every wafer, so that possibility that the semiconductor manufacturing equipment is contaminated is judged exactly to a process flow of semiconductor which contains a treatment process for treating only some specified wafers.例文帳に追加

ウエハ毎に診断対象の処理工程での処理前の汚染状態を求めるため、ある特定のウエハのみを処理する処理工程を含む半導体のプロセスフローに対しても半導体製造装置が汚染されるか否かを正確に判断できる。 - 特許庁

To provide die bonder equipment that reduces process time, and to provide a method for adhering a semiconductor chip which uses the equipment.例文帳に追加

サブマテリアルの反り発生を防ぎ、工程時間を短縮することができるダイボンダー設備及びこれを用いた半導体チップ付着方法を提供する。 - 特許庁

To realize energy saving and low temperature heating of thermal treatment equipment and to improve an objective material, by selectively heating the objective material to be heated in the wiring process of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

本発明は半導体製造工程の配線工程において、加熱すべき対象材料を選択的に加熱することにより熱処理装置の省エネルギ化及び低温加熱を達成し、対象材料を改質することを課題とする。 - 特許庁

The gas exhaust port of the process chamber of semiconductor manufacturing equipment is made of an electrically conductive member, and charged particles within the process chamber can be removed by applying negative voltage to the electrically conductive member.例文帳に追加

半導体製造装置の処理室のガス排気口を導電性部材で形成し、この導電性部材に負電圧を印加することで、処理室内の帯電したパーティクルを除去することを特徴とする。 - 特許庁

To optimize conditions in real time in plating that is executed in a process for manufacturing electronic parts, particularly semiconductor devices, with respect to plating equipment and a plating method, and to contribute to process shortening and reliability improvement.例文帳に追加

めっき装置及びめっき方法に関し、電子部品、特に、半導体装置を製造するプロセスで実施されるめっきに於ける条件をリアルタイムで最適化できるようにし、工程の短縮や信頼性の向上に寄与しようとする。 - 特許庁

To provide a lead frame for semiconductor device by which Pb liberalization, dry process making, a suppression in natural erosion are realized simultaneously without changing conventional production equipment in an assembling process.例文帳に追加

組立工程において従来の生産設備を変更することなく、Ｐｂフリー化、ドライプロセス化及び自然腐食の抑制を同時に実現することが可能な半導体装置用リードフレームを提供する。 - 特許庁

The method is constituted so that it may include a process of putting the equipment surface in the semiconductor material processing chamber into contact with an atmosphere including a proton donor, and causing it to react with the porogen deposited on the equipment surface, and a process of putting the equipment surface into contact with an atmosphere including a fluorine donor, and causing it to react with a thin film deposited on the equipment surface.例文帳に追加

半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁

HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF Al CONTAINING NITRIDE, PROCESS FOR FABRICATING Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびＡｌ含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにＡｌ含有窒化物半導体基板 - 特許庁

To provide a semiconductor package and electronic equipment which raise the workability in a manufacturing process, suppress the degradation of package material, possess high reliability, and achieve the miniaturization of a semiconductor package is attained by facilitating the routing of wiring.例文帳に追加

配線の引き回しを容易にして半導体パッケージの小型化を図り、高い信頼性を有し、パッケージ材料の劣化を防止し、製造工程での作業を向上させる半導体パッケージおよび電子機器を提供する。 - 特許庁

CLEANING EQUIPMENT, POLISHING SYSTEM EMPLOYING IT, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE POLISHING SYSTEM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED BY THE METHOD例文帳に追加

洗浄装置、この洗浄装置を用いた研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの方法により製造される半導体デバイス - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element using a multi-chamber system having etching equipment for semiconductor element manufacturing, which has advantages such as higher wafer transfer speed by disposing multiple process chambers serially in multiple layers.例文帳に追加

多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a building, the second floor and the fourth floor are formed as a process floor for arranging semiconductor manufacturing equipment, and the first floor and the third floor are formed as a utility floor for arranging a machine for assisting to produce a semiconductor.例文帳に追加

建物は２階と４階とが半導体の製造設備を設置するプロセスフロアとして形成され、１階と３階とが半導体の生産を補助するための機械を設置するユーティリティフロアとして形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor which can improve a uniformity of a plated film surface when applied to a film forming process for a substrate with a large diameter, and to provide an equipment for manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

大口径基板のメッキ形成工程に適用して面内メッキ均一性を向上することが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

The OHT conveyance truck 17 transfers the carriers 18 between the carrying-in/out ports 26 and semiconductor production equipment, and moves along an in-process track 13 to convey the carriers 18 between the carrying-in/out ports 26 and the semiconductor production equipment.例文帳に追加

ＯＨＴ搬送台車１７は、搬入出ポート２６及び半導体製造装置との間でキャリア１８の受け渡しを行うとともに、工程内軌道１３に沿って移動して搬入出ポート２６と半導体製造装置との間でキャリア１８を搬送する。 - 特許庁

The manufacturing method for this compound semiconductor equipment comprises a process of letting silica of 1×10^16 cm^-3 to 8×10^17 cm^-3 contained in a first semiconductor layer 25 composed of p-type nitride compound or a first semiconductor layer 26 composed of i-type nitride compound, each of which contains magnesium, and then process to etch the first semiconductor layers 25 and 26.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６に１×１０^16ｃｍ^-3〜８×１０^17ｃｍ^-3の珪素を含有させる工程と、その後、第１半導体層２５、２６をエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 having a plurality of semiconductor chips 2 in which circuit patterns are formed is transferred to manufacturing equipment of a package process by guiding penetrating holes 4 which are arranged at two parts in a region except the semiconductor chips 2 and set.例文帳に追加

回路パターンが作り込まれた複数の半導体チップ２を有する半導体ウエハ１を、半導体チップ２以外の領域に２ヶ所設けられた貫通孔４をガイドすることによって、パッケージ・プロセスの製造装置に搬送し、設置するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which both rearranged wiring and connections formed as projecting electrodes can be formed in a simple manufacturing process, and to provide a semiconductor device manufactured by the method and a circuit board and electronic equipment equipped with the semiconductor device.例文帳に追加

簡略な製造プロセスで再配置配線と突起状の電極としての接続部を共に形成することができる半導体装置の製造方法及び当該方法で製造される半導体装置並びに当該半導体装置を備える回路基板及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the effect of shadowing or attaining fining process of the implanted region of a semiconductor substrate by delaying a deterioration speed of a stencil mask disclosed herein, and to provide semiconductor manufacturing equipment and the stencil mask.例文帳に追加

本発明ステンシルマスクの劣化速度を遅らせ、シャドーイングの影響の抑制又は半導体基板の注入領域の微細加工が可能な半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びステンシルマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

A method of forming a high dielectric film by means of semiconductor process equipment comprises the steps of positioning a semiconductor substrate in a chamber in the process equipment, forming a tantalum component containing film on the substrate, and converting the tantalum component containing film into a tantalum nitride oxide film by processing it in the reaction gas.例文帳に追加

本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problem that, in a manufacturing process for a semiconductor wafer wherein only an element forming part is made thinner and an initial thickness of a semiconductor substrate is left in the peripheral part, a thick peripheral part remains in a final process, so that a conventional dicing device for dividing a semiconductor chip of the element forming part cannot be used, and that a new equipment investment is required.例文帳に追加

素子形成部のみ薄化し周辺部は初期の半導体基板の厚みを残した半導体ウエハの製造工程においては、最終工程で厚い周辺部が残るため、素子形成部の半導体チップを分割する従来のダイシング装置を用いることができず、新たな設備投資が必要となる。 - 特許庁

To optimize process conditions and to supervise CMP equipment by enabling residual slurry map detection equipment to detect the state of slurries etc. adhered on wafers after CMP with high accuracy, in order to, for example, realize a semiconductor device having high-reliablility Cu interconnections.例文帳に追加

スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A thermal process for cleaning equipment surfaces having deposition of undesired silicon nitride in a semiconductor processing chamber by using a thermally activated source of pre-diluted fluorine is provided.例文帳に追加

半導体処理チャンバーにおいて、望まれていない窒化ケイ素が推積した装置表面を、熱的に活性化した、予備希釈したフッ素源を用いてクリーニングするサーマルプロセス。 - 特許庁

To provide a method of producing ultra high-purity nitrogen gas capable of producing ultra high-purity nitrogen gas suitable for semiconductor manufacturing process, in large quantities by using relatively simple equipment without using expensive adsorbent from high-purity nitrogen gas obtained by an air liquefying separation method.例文帳に追加

空気液化分離方法で得られた高純度窒素ガスから、高価な吸着剤を用いず、比較的簡単な設備を用いて、半導体製造プロセスに適した超高純度窒素ガスを多量に製造すること。 - 特許庁

To provide a process chamber for semiconductor production equipment that prevents engraving of an inside of the chamber due to ions and particle induction caused by the engraving by coating a predetermined protective layer on an inside of the chamber.例文帳に追加

チャンバ内部を所定保護層にコーティングすることによって、イオン等によるチャンバ内部の食刻及びこれによる粒子誘発を未然に防止することができる半導体製造設備用プロセスチャンバを提供する。 - 特許庁

To provide a system with which software is provided simply and securably from a software providing device 21 to controllers C1-C4 for performing a process regarding semiconductor equipment H1-H4 via a communication line 3 using the software.例文帳に追加

ソフトウエアを用いて半導体製造装置Ｈ１〜Ｈ４に関する処理を行うコントローラＣ１〜Ｃ４へソフトウエア提供装置２１から通信回線３を介してソフトウエアを簡易に安全に提供するシステムを提供する。 - 特許庁

To provide prober equipment realizing stabilized electrical measurement by suppressing variation in the probe height of a probe card, and to provide its probe height measuring method and a process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

プローブカードの探針の高さばらつきを抑制し、安定した電気的測定を実現するプローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an manufacturing apparatus, an exhaust gas cleaning equipment, or a manufacturing facility which are capable of preventing an electrostatic charge caused from a powder of ammonium chloride and of high safety in a process of a semiconductor of gallium nitride film by a HVPE method.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法による窒化ガリウム膜半導体のプロセスにおいて、塩化アンモニウム粉末による静電気の帯電を防止することが可能な安全性が高い製造装置、排ガス浄化装置、あるいは製造設備を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor device production equipment that covers leakage appropriately for performing the process by sealing spaces between respective chambers in a multiple manner, even if the leakage occurs at a minus side.例文帳に追加

各チェンバー間を多重にシーリングすることによって一側からリークが発生した場合でもこれを適切に補完して工程を実施できる半導体素子製造設備を提供する。 - 特許庁

To provide a method of separating and purifying gas and equipment therefore which enable recovery of a highly added value gas such as krypton or xenon used as an atmospheric gas for semiconductor manufacturing apparatus through a PSA(pressure swing adsorption) process.例文帳に追加

半導体製造装置等の雰囲気ガスとして使用されるクリプトンやキセノン等の高付加価値ガスをＰＳＡプロセスによって効率よく回収できるガスの分離精製方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide the substrate for a package of at least one semiconductor element, and a method for manufacturing the substrate for making it unnecessary to provide the surplus mounting process of heat dissipation equipment.例文帳に追加

熱放散装置の余分な実装プロセスを必要としない、少なくとも１つの半導体素子のパッケージ用基板、およびその基板の作製方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a change of a polishing rate caused by a change of the state of a polishing machine is estimated by using a model formula based on an equipment parameter during a polishing process to calculate a polishing time of a film to be polished.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、研磨装置状態の変化による研磨レートの変化を研磨処理時の設備パラメータからモデル式を用いて予測し、被研磨膜の研磨時間を算出する。 - 特許庁

To provide a device and a method for monitoring process exhaust gas and a semiconductor producing device equipped with such monitoring equipment, with which an exhaust gas component quantity during a treatment can be monitored and the treatment can be immediately reflected therewith.例文帳に追加

本発明は、処理中の排気ガス成分量をモニタして、即座に処理に反映することのできるプロセス排気ガスモニタ装置及び方法、及びそのようなモニタ装置を備えた半導体製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To properly perform quality control, based on the number or density of defects in a semiconductor manufacturing process by using a plurality of sets of inspection equipment which have different inspection sensitivity.例文帳に追加

検査感度が異なる複数の検査装置を用いて、半導体製造プロセスにおける欠陥数あるいは欠陥密度による品質管理を正しく行う。 - 特許庁

To provide novel process and equipment for fabricating a semiconductor device without using plasma as a means for removing a high resistance layer on the bottom of a via before a barrier metal is deposited on a low dielectric constant insulating film having a void.例文帳に追加

空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an exhaust gas trapping apparatus and an exhaust gas trapping method capable of efficiently cooling exhaust gas produced in a manufacturing process of semiconductor elements and preventing the degradation of the working rate of equipment by lengthening a maintenance period.例文帳に追加

半導体素子の製造工程において生じる排ガスを効率よく冷却することができ、メンテナンス周期を長くすることにより、設備の稼動率の低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing semiconductor device that can form minute contact holes with a narrow pitch, relax the requirement (high NA) for exposure equipment and minimize a chip area.例文帳に追加

微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかる。 - 特許庁

To provide a printing method by which the screen separation is controlled in screen process printing, a printing device, a wiring board and a manufacturing method therefor, a semiconductor device and a manufacturing method therefor, a circuit board and electronic equipment.例文帳に追加

スクリーン印刷において版離れの制御を行える印刷方法、印刷装置、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a substrate in which burrs occurring on the element forming surface of a substrate through probe test can be removed, and to provide a process for producing a semiconductor device and equipment for cleaning a substrate.例文帳に追加

プローブ検査によって基板の素子形成面にカエリが生じた場合でも、このカエリを除去することができる基板清浄方法及び半導体装置の製造方法、並びに基板清浄装置を提供する。 - 特許庁