「semiconductor sample」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain high detection sensitivity even if the state of a sample is various in the inspection of a sample having a pattern formed thereto such as a semiconductor wafer or the like.例文帳に追加

本発明は、半導体ウェハなどのパターンが形成された試料の検査において、試料の状態が多様であっても、高い検出感度を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a shape monitoring apparatus for monitoring, within a short period of time, a shape of sample having fine pattern such as a semiconductor device with less amount of damage applied to the sample.例文帳に追加

半導体装置のような微細なパターンを有する試料の形状を短時間で観察でき、試料に与えるダメージが小さい形状観察装置を提供する。 - 特許庁

A heater 3 and a Peltier element 4 are arranged around a semiconductor sensor 2 for gas analysis, and a sample gas is measured at two different temperatures by the semiconductor sensor 2.例文帳に追加

ガス分析用の半導体センサ２の周囲にヒータ３、ペルチェ素子４を配置して、２つの異なる温度で半導体センサ２によりサンプルガスを測定する。 - 特許庁

The sample chuck 2 supporting the semiconductor sample 13 is provided with an upper side layer 6 formed of a semiconductor material and having a holding face 18 holding the sample, and a lower side layer 4 formed of a conductive material and laminated on the contrary side to the holding face of the upper side layer.例文帳に追加

半導体サンプル１３を支持するサンプルチャック２は、半導体材料から形成されかつ前記サンプルを保持する保持面１８を有する上側層６と、導電材料から形成されかつ前記上側層の前記保持面とは反対側に積層された下側層４とを備えている。 - 特許庁

To provide a sample stage for a focused ion beam processing device, using an easy method for inexpensively making a plane-observed semiconductor thin sample, and to provide a method using the same for making the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。 - 特許庁

The testing method of semiconductor device comprises a steps of forming an electrode 10 on the main surface of a semiconductor test sample, cutting out a semiconductor test sample, exposing the cross-section of the semiconductor test sample, and obtaining carrier distribution within the cross-section by scanning the cross-section with a probe 14 of the scanning probe microscope while the predetermined potential is applied to the electrode 10.例文帳に追加

半導体試料の主面上に電極１０を形成する工程と、半導体試料を切断し、該半導体試料の断面を露出させる工程と、前記電極１０に所定電位を与えながら、走査型プローブ顕微鏡のプローブ１４で上記断面を走査することにより、該断面内におけるキャリア分布を得ることを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 特許庁

To quickly and accurately obtain evaluation results of the crystallinity of a silicon semiconductor thin film without destroying a sample.例文帳に追加

試料を破壊することなく、迅速かつ正確にシリコン半導体薄膜の結晶性の評価結果を得ること。 - 特許庁

CONTAMINATION QUANTITY AND CONTAMINATION-DENSITY MEASURING METHODS OF SEMICONDUCTOR WAFER, AND PRODUCTION OF LOCALLY CONTAMINATED SAMPLE例文帳に追加

半導体ウェハの汚染量測定方法および汚染密度測定方法並びに局部汚染試料の作製方法 - 特許庁

MICROSCOPE DEVICE, APPEARANCE INSPECTION DEVICE, SEMICONDUCTOR APPEARANCE INSPECTION DEVICE, AND SAMPLE ILLUMINATION METHOD IN MICROSCOPE DEVICE例文帳に追加

顕微鏡装置、外観検査装置、半導体外観検査装置及び顕微鏡装置における試料照明方法 - 特許庁

When the sample gas to be measured is introduced, an organic membrane semiconductor performs a first measurement on an odor signal.例文帳に追加

測定対象のサンプルガスを導入すると、有機薄膜半導体はニオイ信号の第１の測定を行なう。 - 特許庁

The focused ion beams are emitted to make the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 - 特許庁

To provide a method and device for producing a sample for separating or separately preparing a minute sample including a desired specific region from a sample such as a semiconductor wafer and an electronic part like a device without tilting a sample stage for the purpose of minute region analysis, observation, or measurement.例文帳に追加

試料ステージを傾斜することなく、半導体ウエーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a sample preparing method and device for microregion assay, observation or measurement of a minute sample by separating or separating/preparing the minute sample containing a desired specific region from samples of electronic components such as semiconductor wafer and device, etc. without inclining the sample stage.例文帳に追加

試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。 - 特許庁

The resistivity measuring device for measuring the resistivity of the semiconductor sample 22 generating the electromotive force upon receiving light irradiates light from a light source 21 to the semiconductor sample 22 and detects the electromotive force generated by the semiconductor sample 22 between two exploring needles b, c of a probe 15 with four exploring needles for output to a voltage measurement unit 17.例文帳に追加

受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。 - 特許庁

The semiconductor wafer or a sample 10 having a substrate 12 of a semiconducting material is tested by compressing a dielectric 14 between three electrically conductive contacts 6 and the top surface 16 of the substrate 12 of the semiconductor wafer or the sample 10.例文帳に追加

半導体材料の基板１２を有する半導体ウエハまたはサンプル１０は、３つの導電性接触子６と半導体ウエハまたはサンプル１０の基板１２の上面１６との間の誘電体１４の圧縮により検査される。 - 特許庁

To provide a simple-structure, low-cost and excellent-operability inspection device for a sample and a method, suitable to inspect the sample such as a semiconductor element in a production process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における半導体素子等の試料の検査を行うために好適な装置および方法であって、構造が簡単で廉価で操作性が良好な試料の検査装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide the simple life time measurement method of a semiconductor wafer for accurately measuring a life time value in a required sample substrate nearly without being affected by the life time value of a semiconductor sample surface, and at the same time for simultaneously treating and measuring a plurality of semiconductor wafers.例文帳に追加

半導体試料表面のライフタイム値の影響をほとんど受けることなく、必要とする試料基板中のライフタイム値を精度よく測定することが可能で、かつ簡便で同時に複数枚の処理及び測定が可能な半導体ウェーハのライフタイム測定方法。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR TREATING CHARGE BEAM AND FAILURE ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR AND/OR IN-VACUUM EVALUATION DEVICE OF SAMPLE例文帳に追加

荷電ビーム処理装置およびその方法、半導体の不良解析方法並びに試料の真空内評価装置 - 特許庁

A second semiconductor switch 235a is connected to the pixel element, and a sample pixel signal is transferred to a second storage capacitor C3.例文帳に追加

第２半導体スイッチ（２３５ａ）も画素エレメントに接続され、サンプル画素信号を第２蓄積コンデンサ（Ｃ３）に転送する。 - 特許庁

To relax restriction to sample structure which can be evaluated, by simply evaluating distortion occurring at a wurtzite semiconductor film.例文帳に追加

ウルツ鉱型半導体膜に生じる歪を簡便に評価し、評価可能な試料構造に対する制約を緩和する。 - 特許庁

A calibration curve is preliminarily obtd. by measuring the resistance at plural sample temps. with a sampling semiconductor wafer 20.例文帳に追加

予めサンプル用の半導体ウェーハ２０で、複数のサンプル温度による抵抗値を測定して検量線を求める。 - 特許庁

The sample chuck 2 has a basic structure body 4 made of conductive metal and a semiconductor layer 6 forming the holding surface 18.例文帳に追加

サンプルチャック２は、導電金属による基礎構造体４、保持面１８を形成する半導体層６を有する。 - 特許庁

To provide the creating method of a sample for easily and efficiently specifying the fault part of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の不良箇所を簡単に効率よく特定できる試料の作成方法を提供すること。 - 特許庁

When the sample semiconductor is silicon, its band gap is 1.12 [eV], and thereby λ=1.107 [μm] is calculated.例文帳に追加

試料たる半導体がシリコンである場合、そのバンドギャップは１．１２［ｅＶ］であるので、λ＝１．１０７［μｍ］と算出される。 - 特許庁

After this, the sample gas is introduced over the organic membrane semiconductor again to perform a second measurement on the odor signal.例文帳に追加

この後、前記サンプルガスを再度前記有機薄膜半導体上に導入し、ニオイ信号の第２の測定を行なう。 - 特許庁

To provide a sample preparing device and sample preparing method capable of sampling a minute foreign substance adhering to a semiconductor device surface and accurately observing and analyzing it.例文帳に追加

半導体装置表面に付着している微小異物を採取し、精度の良い観察、分析を行うことができる試料作製装置および試料作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scanning magnetic microscope capable of accurately estimating crystal conditions or the like of a sample by irradiating a sample such as a semiconductor material with an electron beam while being scanned.例文帳に追加

電子ビームを走査させながら半導体材料などの試料に照射させ、試料の結晶状況などの評価を精度良く行ない得る走査型磁気顕微鏡を提供する。 - 特許庁

To prevent exposure of the sample surface caused by scattering of a part of light emitted from a semiconductor laser for shape measurement, and by irradiation of the surface of a sample having photosensitivity.例文帳に追加

形状測定用の半導体レーザから出射した光の一部が散乱し、感光性を有する試料の表面に照射されて試料表面が感光されてしまうのを防止する。 - 特許庁

An FA HOST 101 combines these EQ data at the manufacturing time of a semiconductor device and the actually measured data from a finished product of the semiconductor device into a sample package.例文帳に追加

ＦＡ ＨＯＳＴ１０１は半導体装置製造時におけるこれらのＥＱデータと該半導体装置完成品における実測データをサンプルのパッケージとする。 - 特許庁

To provide a DLTS sample structure, a DLTS measuring method, and a semiconductor device for detecting an impurity coming into a semiconductor layer during a process.例文帳に追加

プロセス中に半導体層中に混入された不純物を検出することができるＤＬＴＳサンプル構造、ＤＬＴＳ測定方法および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To eliminate a partial etching residue of a metal film and a barrier film while a semiconductor film is left alone, by allowing a sample temperature to be a specified value when etching with plasma a metal film of a multi-layer film which comprises a metal film, a barrier film, and a semiconductor film.例文帳に追加

半導体素子の配線やゲート電極に用いられる金属と多結晶シリコンの多層膜を高精度、高選択に加工する方法を提供する。 - 特許庁

A sample 100 is prepared, on which a plurality of semiconductor columns 10a to 10e including a plurality of n-type impurities are formed on a p-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板２に複数個のｎ型の不純物を含む複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅが形成されている試料１００を用意する。 - 特許庁

A sample 10, in which a semiconductor layer composed of a III nitride compound semiconductor is formed on a substrate, is placed on a pedestal 22 set up in a reaction tube 21.例文帳に追加

基板の上にＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなる半導体層が形成された試料１０を反応管２１の内部に配設された載置台２２の上に載置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer test method and a semiconductor wafer tester which can compensate the unevenness of electric characteristics on a holding surface of a sample chuck.例文帳に追加

サンプルチャックの保持面における電気的特性のばらつきを補償することができる半導体ウェハ試験方法および半導体ウェハ試験装置を提供すること。 - 特許庁

The cutting die for the tape for the semiconductor package includes the die 3 supporting a sample 4, and a punch 1 for cutting the sample supported on the die, with the cutting plane of the punch having a predetermined shear angle relative to the cut plane of the sample.例文帳に追加

半導体パッケージ用テープの切断金型は、試料４を支持するダイ３及びこのダイに支持されている試料を切断するポンチ１とを具備し、前記ポンチの切断面は、前記試料の切断面に対して所定のシャー角を有している。 - 特許庁

To provide a sample for observing a semiconductor wafer surface crystal defect, with which accurate position of the crystal defect in the semiconductor wafer surface is decided, when a surface defect is observed with laser beam, etc., and to provide a method for manufacturing the sample.例文帳に追加

表層欠陥をレーザ光等で観察する際、半導体ウェーハ表層にある結晶欠陥の正確な位置を決定できる半導体ウェーハ表層結晶欠陥観察用試料とこの試料の作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring the distortions of the thin-film semiconductor crystal layer in a sample having a distorted thin-film semiconductor crystal layer and a supporting layer supporting the thin-film semiconductor crystal layer.例文帳に追加

歪みを有する薄膜半導体結晶層と前記薄膜半導体結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜半導体結晶層の歪みを測定する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for measuring distortion of a thin-film semiconductor crystal layer in a sample having the thin-film semiconductor crystal layer with distortion and a support layer that supports the thin-film semiconductor crystal layer.例文帳に追加

歪みを有する薄膜半導体結晶層と前記薄膜半導体結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜半導体結晶層の歪みを測定する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To enable relative comparison of the states of depletion layers of a diffused region, at each different sample structure for each observation of a semiconductor sample by making a voltage condition which is actually applied to a region of the surface of the sample constant, when observing the state of the depletion layer of the diffused region of the sample using an SCM.例文帳に追加

半導体試料の拡散領域の空乏層の状態をSCM により観察する際、試料表面部の拡散領域に実際に印加される電圧条件を一定化し、試料の観察毎、異なる試料構造毎の拡散領域の空乏層の状態を相対的に比較することを可能にする。 - 特許庁

To provide a sample preparation method and its device in which only a sample piece containing a desired specified region from a semiconductor wafer and a device chip is sampled (extracted) and is mounted on a sample stage of analysis and measurement device without going through a process of sample preparation by manual work requiring experience, skill, and time.例文帳に追加

半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an energy dispersion type semiconductor X-ray detector that can detect a desired characterized X-ray with accuracy, by avoiding the bad influence of a system peak generated when an electron beam projected to a sample collides with a lower pole piece positioned below the sample after passing through the sample when the sample has a thin film-like shape.例文帳に追加

試料が薄膜状であるとき、この試料に対して照射される電子線が当該試料を透過してその下方に位置する下部ポールピースに衝突して生ずるシステムピークの悪影響を受けないようにして、所望の特性Ｘ線を精度よく検出することのできるＸ線検出器を提供すること。 - 特許庁

To provide a sample contamination method which creates samples formed by evenly contaminating semiconductor devices on a substrate.例文帳に追加

基板上の半導体デバイスを均一に汚染した試料を作成できる試料汚染方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a shape measuring apparatus and a shape measuring method suited for measuring an edge profile of a thin sample such as a semiconductor wafer or the like.例文帳に追加

半導体ウェーハ等の薄片試料のエッジプロファイルの測定に適した形状測定装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To judge whether a silicon wafer of a semiconductor device sample generates an Erratic phenomenon easily or not.例文帳に追加

半導体デバイス試料を成すシリコンウエハがＥｒｒａｔｉｃ現象が起こりやすいものか否かを判断できるようにする。 - 特許庁

The intensity of the reflected wave from the semiconductor thin film 12 is measured by arranging a sample 13 so that the base material 11 may come into contact with the sample stand 14, irradiating the semiconductor thin film 12 with exciting light, and irradiating a range where the semiconductor thin film 12 is irradiated with the exciting light, with a microwave of a specific wavelength.例文帳に追加

本発明は、試料台１４に基材１１が接するよう試料１３を配置し、半導体薄膜１２に励起光を照射し、特定波長のマイクロ波を励起光が照射された半導体薄膜１２の範囲に照射し、半導体薄膜１２からの反射波の強度を測定する。 - 特許庁