「semiconductor sample」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

After depositing a metal onto the surface of a semiconductor crystal which is to become come a sample, an electron beam is irradiated on the crystal surface to precipitate the metal on the crystal defect surface, thereby making it clear, and then the crystal defect is detected.例文帳に追加

試料となる半導体結晶表面に金属を付着させた後、前記結晶表面に電子線を照射して、前記金属を結晶欠陥表面に析出顕在化させ、結晶欠陥の検出を行う。 - 特許庁

C-V measurement is performed using a C-V measuring apparatus 10, while irradiating a semiconductor sample 15 with a single-wavelength light 18 produced by spectral diffraction of the light from a white light source, and the level of a deep trap is evaluated from the measurement result.例文帳に追加

白色光源からの光を分光した単一波長光１８を半導体試料１５に照射しつつ、Ｃ−Ｖ測定装置１０を用いてＣ−Ｖ測定を行い、その測定結果から深いトラップ準位を評価する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device allowing observation by an electron microscope to be rapidly carried out by correctly detecting a foreign substance in a film without causing LMIS pollution; a sample processing method; and a semiconductor inspection device.例文帳に追加

ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

Since the output signals of the plurality of semiconductor detection elements are added, and the measuring sample area is enlarged, and also a background noise is removed by this device, the energy of the α-rays can be analyzed highly accurately, while a measuring time is shortened.例文帳に追加

複数の半導体検出素子の出力信号を加算し測定試料面積を拡大するとともに、バックグラウンドノイズも除去するので、測定時間を短縮しつつ、α線のエネルギーをより高精度に分析できる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring current, capable of measuring minute current which flows in a measurement sample such as a semiconductor substrate or the like under a probe irradiation such as an electron beam or the like, over a wide frequency band with low noises.例文帳に追加

電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。 - 特許庁

In different ridges or valleys in an absorption spectrum of a substance in a sample, at each of at least two wavelengths, semiconductor lasers 4 and 5 to emit an intermediate infrared laser beam 10.例文帳に追加

各々がサンプル内の物質の吸収スペクトルにおける異なった山あるいは谷において、少なくとも２つの個々の波長において、中間赤外線レーザー光１０を放出するための半導体レーザー４，５を有している。 - 特許庁

A semiconductor laser diode 11 is housed in a detecting part main body 10, and the inside of sample water is irradiated with laser light 12 emitted from the diode 11 transmitted through a transmission window 15 coated with a titanium dioxide coating film 14.例文帳に追加

検出部本体１０の内部には、半導体レーザーダイオード１１を収納し、このダイオード１１から発光されたレーザー光１２を、二酸化チタンコーティング膜１４が被覆された透過窓１５を透過させて試料水中に照射する。 - 特許庁

To sample quickly a slice specimen processed for analyzing by observation, instrumental analysis or the like by means of TEM or STEM, a foreign matter or a defect existing on the surface of a semiconductor wafer or the like or inside thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体ウェハ等の表面や内部にある異物や欠陥などをＴＥＭもしくはＳＴＥＭで観察や分析など解析するために加工された薄片試料を迅速に採取することに関する。 - 特許庁

To provide an inspection device and an inspection method can prevent irradiation of an electron beam to non-inspection zones even if a sample has mixed non-inspection zones during inspection of patterns of a semiconductor wafer and inspect desired inspection zones.例文帳に追加

半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for quantitatively measuring the surface potential distribution of a solid, especially a semiconductor with high space dissolving capacity using a scanning type tunnel microscope by solving the conventional technical problem that the distance between a probe and the surface of a sample and the thickness of the depleted layer of the surface of the sample are unclear and the measurement in the depleted layer region is difficult, and an apparatus therefor.例文帳に追加

探針／試料表面距離が不明、試料表面の空乏層 厚が不明、空乏層領域での計測が困難、という従来技術の問題点を解決し、固体表面、特に半導体表面の表面電位分布を、走査型トンネル顕微鏡を用いて高い空間分解能で定量的に計測する方法とそのための装置を提供する。 - 特許庁

The ion beam machining system, where the focused ion beam 2 is radiated onto the semiconductor device 9 to be machined in its predetermined region, while preventing charge-up with the electron shower 19 supplied from an electron shower gun 20 comprises a controllable power supply 21 for applying a bias to the sample stage 10 and an ammeter 22 for detecting the sample current, without being affected by the electron shower 19.例文帳に追加

集束されたイオンビーム２を半導体装置９上に照射し、電子シャワー銃２０から供給される電子シャワー１９によりチャージアップを防止しつつ、所定の領域を加工するイオンビーム加工装置において、調整電源２１により試料ステージ１０にバイアス印加を行い、電子シャワー１９による影響を受けずに電流計２２で試料電流を検出する。 - 特許庁

To quickly and precisely measure a wide range of average film thickness, shape, and physical characteristics of a sample for a polarization analyzer, a method of detecting abnormality by polarization analysis, a method of manufacturing a magnetic recording medium, and a method of manufacturing a semiconductor wafer.例文帳に追加

偏光解析装置、偏光解析による異常検出方法、磁気記録媒体の製造方法、及び、半導体ウェーハの製造方法に関し、試料の広範囲の平均的な膜厚、形状、物理特性を短時間、かつ精度よく計測する。 - 特許庁

The α-ray measuring apparatus 100 includes an elevator 5 allowing the distance between a sample under measurement 2 and a charged particle incident surface of a semiconductor detector 1 to be regulated, a position sensor 5a, a control unit 13, and an α-ray radiation nuclide analyzer 40.例文帳に追加

α線測定装置１００は、測定試料２と半導体検出器１の荷電粒子入射面との間の距離を調節可能な昇降機５、位置センサ５ａ、制御ユニット１３、α線放出核種分析装置４０を備える。 - 特許庁

Also, the physical phenomenon or the chemical phenomenon to be a detection object is the potential of each part of the biological sample, and at least one or more amplifier circuits and signal processing circuits 3 are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

また、前記検出対象となる物理現象または化学現象が、前記生体試料各部の電位であるとともに、前記半導体基板１に、少なくとも１以上の増幅回路／および信号処理回路３を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A trace of laser (group) on a standard sample which is a semiconductor substrate formed the trace of laser (group) thereon is detected optically as a pseudo defect on a scattering light image, and the detected pseudo defect is used as an evaluation reference to perform the evaluation.例文帳に追加

表面にレーザー痕（群）が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕（群）を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 - 特許庁

To provide a sample table that maintains smoothness of a contact face by lapping and stably holds a semiconductor wafer by forming the contact face into a substantially concave shape, and to provide a microwave plasma processing apparatus with the same.例文帳に追加

ラッピング加工によって接触面の平滑性を保ち、かつ接触面を略凹形状にすることによって、半導体ウエハを安定的に保持することができる試料台及び該試料台を備えたマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for surface defect detection and its device which can quantitatively measure a defect in atom size generated on the surface and interface of a sample in a manufacturing process for semiconductor devices or the like in real time with high precision.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセス等において試料の表面および界面に発生する原子サイズの欠陥を実時間で、且つ高精度で定量測定することのできる、新しい表面欠陥検出方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck unit that can be continuously used for conveying and fixing samples in atmospheric pressure - a vacuum without generating any discharge short-circuiting in a semiconductor-manufacturing apparatus having a sample-machining process under a reduced pressure.例文帳に追加

減圧下での試料加工プロセスを持つ半導体製造装置において、放電短絡を起こすことなく大気圧から真空中まで連続的に使用可能な試料搬送固定兼用静電チャックユニットを提供することを目的とする。 - 特許庁

In a multi probe-type sensor having a plurality of projections (probe) 2 formed by crystal growth on a semiconductor substrate 1 as a base, an amino group is fixed to surfaces of the probes 2 to have a function sensing hydrogen ion concentration (pH) in the sample.例文帳に追加

半導体基板１を下地として結晶成長させた突起（プローブ）２を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブ２の表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度（ｐＨ）に感応する機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

A light source uses a semiconductor laser 14 and the beam emitted is made oval by an optical means such as a cylindrical lens 18 or rectangular using an opening 4a to irradiate an immunochromatography test piece 8 with a sample attached thereto.例文帳に追加

光源に半導体レーザ１４を用い、射出されたビームをシリンドリカルレンズ１８などの光学的手段によって楕円形状にし、もしくは開口４ａを用いて矩形形状にして、試料が添加された免疫クロマトグラフィー試験片８に照射する。 - 特許庁

As a function of the minimum and maximum values of capacitance measured at each point and the depth on or from the topside surface 16 where each point resides, the electrically active dopant density of the semiconductor wafer or the sample 10 can be determined.例文帳に追加

各ポイントで測定された最小及び最大キャパシタンスと、各ポイントが存在する上面１６上又は上面１６からの深さとの関数として、半導体ウエハ又はサンプル１０の電気活性ドーピング密度を測定することができる。 - 特許庁

When DC test for an analog front end part 2, provided in the semiconductor integrated circuit device, is performed by a tester LT, the measurement result output from the analog circuit via an optional switch of a switching part 10 is inputted to a sample and hold circuit 11.例文帳に追加

テスタＬＴにより、半導体集積回路装置に設けられたアナログフロントエンド部２のＤＣテストが行われると、スイッチ部１０の任意のスイッチを介してアナログ回路から出力される測定結果がサンプル／ホールド回路１１に入力される。 - 特許庁

An optical pickup 14 includes a semiconductor laser 41, optical members such as a laser driving section and beam splitter 42, luminous waveform generator 203, photoelectric converter (light receiving element 310 and current voltage converter 312), sample hold section 330, and sampling pulse generator 400.例文帳に追加

半導体レーザ４１、レーザ駆動部、ビームスプリッタ４２などの光学部材、発光波形生成部２０３、光電変換部（受光素子３１０、電流電圧変換部３１２）、サンプルホールド部３３０、サンプリングパルス生成部４００を、光ピックアップ１４に配置する。 - 特許庁

When a zero gas is made to flow for cleaning after a sample gas is measured, the sensor temperature control part 24 and the ultrasonic oscillator control part 32 are controlled by a cleaning operation control part 28, the oxide semiconductor sensor is oscillated by the ultrasonic oscillator and is heated by a heater to accelerate restoration for an oxide semiconductor surface.例文帳に追加

サンプルガスを測定した後、センサセル１８に乾燥ゼロガスを流すクリーニング時に、クリーニング動作制御部２８により、センサ温度制御部２４及び超音波振動子制御部３２を制御し、酸化物半導体センサを超音波超音波振動子により振動させ、さらにヒータにより加熱し、酸化物半導体表面の回復を早める。 - 特許庁

To surely insulate a sample wherein a leakage failure has occurred before wafer burn-in without contaminating a plating tub or a plating liquid with a coating resin, in a semiconductor device subjected to wafer burn-in before a plating process and in a method for manufacturing the semiconductor device, which executes wafer burn-in before the plating process.例文帳に追加

めっき工程前にウエハーバーンインが実施された半導体装置において、また、めっき工程前にウエハーバーンインを実施する半導体装置の製造方法において、被膜樹脂によるめっき槽またはめっき液の汚染を発生させることなくウエハーバーンイン前にリーク不良が発生したサンプルを確実に絶縁させることが可能となる。 - 特許庁

To quantitatively and correctly recognize by using a sample for analysis an impact to a semiconductor device or the like given by hydrogen generated in manufacturing the semiconductor device or the like, for example various impacts by the hydrogen which are affected to a ferroelectric film, that is, a capacitor film in manufacturing an FRAM and are weak points of the ferroelectric film.例文帳に追加

半導体装置等の製造において発生する水素が、当該半導体装置等に与える影響、例えばＦＲＡＭの製造においてキャパシタ膜である強誘電体膜に及ぼされる、当該強誘電体膜の弱点である水素による様々な影響を、分析用試料を用いて定量的に正確に把握することを可能とする。 - 特許庁

To insulate a sample which a leakage failure occurs before wafer burn-in, without fail, without causing contamination of a plating bath or plating liquid with a coating resin, with regard to a semiconductor device in which wafer burn-in is performed before a plating step, and with regard to a manufacturing method of the semiconductor device in which the wafer burn-in is performed before the plating step.例文帳に追加

めっき工程前にウエハーバーンインが実施された半導体装置において、また、めっき工程前にウエハーバーンインを実施する半導体装置の製造方法において、被膜樹脂によるめっき槽またはめっき液の汚染を発生させることなくウエハーバーンイン前にリーク不良が発生したサンプルを確実に絶縁させることが可能となる。 - 特許庁

Weigh an empty measurement vessel. Pack the sample into the vessel and weigh. Record the difference as the sample weight. Place the measurement vessel on the detector, and perform the measurement for the time set in 2.2.3. Analyze the obtained spectrum according to the method described in “Gamma-ray Spectrometry using Germanium Semiconductor Detectors” of MEXT's Radiation Measurement Method Series 7 or an internationally accepted method to obtain the radioactive cesium concentration X in the sample and the standard deviation of measurement result originating in the counting error σX .例文帳に追加

予め重量を測定した測定容器に試料を充填した後に重量を測定し、重量の差をとして記録する。測定容器を検出装置に載せ、２．２．３で設定した測定時間で測定し、スペクトルを得る。スペクトルを「文部科学省編放射能測定シリーズNo.7 ゲルマニウム半導体検出器によるガンマ線スペクトロメトリー」に記載の方法、あるいは国際的に認められた方法で解析し、試料中の放射性セシウム濃度X と測定結果に伴う計数誤差による標準偏差σX を得る。 - 厚生労働省

To provide a charged particle beam device which can promptly detect defectiveness caused by variation of a semiconductor manufacturing process by maintaining the performance of the highly-controlled charged particle beam device without especially preparing a special sample and special working time.例文帳に追加

特殊な試料と特殊な作業時間を特別に用意することなく、高度に調整された荷電粒子線装置の性能を維持し続けることで、半導体製造プロセスの変動に起因した不良を直ちに発見できる荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the voltage level being stored in the second peak hold circuit 63 is not updated when only the first semiconductor laser 54 is lighted even if a circuit for switching the second peak hold circuit 63 to sample state or hold state is not provided additionally.例文帳に追加

このため、第２のピークホールド回路６３をサンプル状態あるいはホールド状態に切り換える切換回路を別途設けなくとも、第２のピークホールド回路６３に記憶される電圧値が、第１の半導体レーザ５４のみを点灯させる際にも更新されることがない。 - 特許庁

Exhaust gas from the CVD furnace 2 is bubbled into the pure water 33 in the bubbler 3, metals contained in the exhaust gas is captured as an analytic sample and the density of metals in the exhaust gas is analyzed thus determining whether a semiconductor substrate having an epitaxial layer can be used or not.例文帳に追加

ＣＶＤ炉２からの排気ガスをバブリング装置３の純水３３中にバブリングさせ、排ガス中に含まれる金属を捕捉して分析試料とし、排気ガス中の金属濃度を分析してエピタキシャル層を有する半導体基板の使用の可否を判定する。 - 特許庁

To provide a method which enables measuring impurities on the level of 10^14 atoms/cm^3 while maintaining the shape and the thickness of a semiconductor wafer without separately preparing a thick sample for measuring the impurities so as to improve the detection sensitivity.例文帳に追加

検出感度を向上させるための不純物測定用の厚い試料を別に準備することなく、半導体ウェーハ形状・厚みのままで１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３レベルの不純物を測定することが可能となる方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device DUT 640 is provided with probe light pulse and reference pulse during each repetition cycle of the electric test pattern signal applied repeatedly, for guiding the same optical path as to sample the electric waveform on the DUT.例文帳に追加

半導体集積回路デバイス（ＤＵＴ６４０）に繰り返し印加する電気的テストパターン信号の各反復サイクル期間中に、プローブ光パルスおよび基準光パルスを供給して、ＤＵＴ上の電気的波形をサンプリングするように同一光路を導く。 - 特許庁

To provide a method of controlling position by which an ultra-fine pattern can be formed in a highly reproducible state with high accuracy when an auto-alignment mechanism is unusable or the fine adjustment of a sample holder is difficult after the holder is fixed in a lithography step performed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程のリソグラフィー工程において、オートアライメント機構の使用が不可能な場合、またはサンプルホルダー固定後の微調整が困難な場合に極微細パターンを高精度で再現性良く形成できる位置制御方法を提供する。 - 特許庁

A heat treatment method irradiates emission light from a Xe flash lamp, which serves as a heat source, to a test sample having an interface of a semiconductor substrate 15 including an insulating film containing oxygen, and Si, while at least part of ultra violet rays in the emission light is removed to carry out heat treatment.例文帳に追加

加熱源となるＸｅフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とＳｉを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う。 - 特許庁

To provide an inspection system by which investigation or the like of the causes of defects of a semiconductor sample can be easily performed by making the work for observing defects detected by a SEM (scanning electron microscope)-aided appearance inspection apparatus is surely performable with the use of a review apparatus with high definition.例文帳に追加

ＳＥＭ式外観検査装置で検出した欠陥をレビュー装置で高分解能観察する作業を容易、且つ確実に行えるようにし、半導体試料の欠陥に対する原因究明等が容易に行える検査システムを提供する。 - 特許庁

A manufacturing process of an apparatus for fabricating a semiconductor device which processes a substrate to be processed mounted on a sample stand in a container comprises a step for forming a dielectric film on the upper surface of the sample stand by spraying and cleaning the dielectric film with fluid, and a step for mounting a wafer on the upper surface of the dielectric film and attracting the wafer electrostatically a plurality of times.例文帳に追加

容器の内部の試料台上に載置された被処理基板を処理する半導体デバイス製造装置の製造方法であって、前記試料台の上面に誘電体製の膜を溶射により形成した後にこの誘電体製の膜を流体を用いて洗浄する工程と、前記誘電体製の膜の上面にウエハを載せて静電吸着させる処理を複数回行う工程とを備えた。 - 特許庁

A focus adjusting condition of each place in a scanning region at the time of scanning a charged particle beam to a sample forming in a semiconductor manufacturing process is calculated beforehand, the calculated focus adjusting condition is selectively applied to a pattern formed under the same manufacturing condition as the sample with the focus adjusting condition calculated, and a device carrying out charged particle beam scanning is provided.例文帳に追加

半導体製造工程中に形成される試料に対し、荷電粒子線を走査する際の走査領域内の各個所の焦点調整条件を予め求めておき、当該求められた焦点調整条件を、前記焦点調整条件を求めた試料と同じ製造条件にて形成されたパターンに選択的に適用して、前記荷電粒子線走査を行う装置を提案する。 - 特許庁

The immersion optical device comprises an illumination optical system 20, an optical lens system 33, a stage 34 for moving a sample tray 37 mounting a semiconductor substrate 10, a water injecting/recovering device 36 for forming a layer of liquid between the optical lens system 33 and the semiconductor substrate 10, and a cleaner 38 for cleaning a region with which the liquid comes into contact with a cleaning fluid.例文帳に追加

照明光学系２０と、光学レンズ系３３と、半導体基板１０を搭載する試料台３７を移動させるためのステージ３４と、光学レンズ系３３と半導体基板１０との間に液体の層を形成するための水注入・回収器３６と、液体が接触する部位の洗浄を洗浄液によって行う洗浄機３８とを具備してなる。 - 特許庁

The sensor of a multiprobe type is provided with a plurality of probes formed by crystal growth with a semiconductor substrate 1 as a base, and is provided with a function, with the biological sample as an object, of detecting the physical phenomenon or the chemical phenomenon on the surface or in the inside.例文帳に追加

半導体基板１を下地として結晶成長させた突起（プローブ）２を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、生体試料を対象とし、その表面あるいは内部の物理現象または化学現象を検出する機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus includes a first chamber which carries out a forming of the semiconductor device film and a second chamber to crystallize with laser light, and a sample to be treated can be moved, without being exposed to the atmosphere, when transferring the substrate from the first chamber to the second chamber.例文帳に追加

本発明は、半導体膜の成膜を行う第１のチャンバーと、半導体膜をレーザー光によって結晶化するための第２のチャンバーとを有し、前記第１のチャンバーから第２のチャンバーに基板を搬送する際に、処理されるべき試料が外気に曝されることなく移動する。 - 特許庁

To provide an apparatus of measuring an energy level and a method of measuring an energy level capable of measuring difference between an energy level of a quantum dot and that of a semiconductor material and the like adjacent to the quantum dot without giving damage even if a sample has a low thermal resistance.例文帳に追加

耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To prevent performance degradation caused by change in image qual ity or deflection/distortion near both end parts of a scanned area and enable high-accuracy detection and confirmation of inspection image areas by means of a monitor 50, when conducting inspection for detects of a sample 9 such as semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ等の試料９の欠陥を電子線画像を用いて検査する際、走査領域の両端部付近の画質変化や偏向ひずみなどによる性能低下を防止し、高精度に検出し、また、検査画像領域をモニタ５０で確認できるようにすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor characteristic measuring instrument with a contact resistance measuring function, which is capable of improving the reliability of inspection by allowing measurement of contact resistance between an electrical characteristic measuring electrode of a sample and a measurement object, though having a simple configuration and being easy to operate.例文帳に追加

この発明は、簡易な構成および操作でありながら、試料の電気的特性測定電極と測定対象物との間の接触抵抗を測定でき、検査の信頼性を向上できる接触抵抗測定機能を持った半導体特性測定装置を提供する。 - 特許庁

The output terminal of the sample hold circuit 6 is connected to the input terminal of a comparator 7, the comparator 7 outputs when the voltage VM2 of the semiconductor element 4 is lower than the reference voltage Vref to turn on a thyristor 9, thereby causing a light emitting diode 10 to emit light.例文帳に追加

サンプルホールド回路６の出力端子はコンパレータ７の入力端子に接続され、コンパレータ７は被試験用半導体素子４の電圧ＶM2がこの基準電圧Ｖrefを下回った場合に出力され、サイリスタ９をオンすることによって発光ダイオード１０を発光させる。 - 特許庁