「semiconductor sample」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Based on a potential contrast difference of the secondary electron images obtained by the irradiation with the charged particle beams selected depending on PN property of the sample, a failure point of leakage generated due to a defect inside the semiconductor device is detected.例文帳に追加

試料のPN特性に応じて選択した荷電粒子ビーム照射によって得られた二次電子像の電位コントラスト差から、半導体装置内部の欠陥に基づくリーク不良箇所を検出する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam applying apparatus capable of reconciling high flaw detection sensitivity and high inspection speed, with respect to a sample having various characteristics in a multibeam-type semiconductor inspection device.例文帳に追加

マルチビーム型の半導体検査装置において、多様な特性を持つ試料に対して、高い欠陥検出感度と高い検査速度を両立させ得る荷電粒子線応用装置を提供する。 - 特許庁

The light emitted from a semiconductor laser diode 20 is incident on the sample 21 of a subject through a rotary deflecting plate 25 and subsequently detected by a photodetector 23 through a fixed deflecting plate 22.例文帳に追加

半導体レーザダイオード２０から出射された光は、回転偏光板２５を通過して検体試料２１に入射され、次いで固定偏光板２２を通過してフォトディテクター２３で受光される。 - 特許庁

To precisely measure non-destructively and non-contactingly an index value in a short time, which is for evaluating the crystallinity of an extremely micro area in a thin film sample comprising a semiconductor such as polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコン等の半導体からなる薄膜試料のごく微小領域の結晶性を評価するための指標値を，非破壊及び非接触で，かつ短時間及び高精度で測定できること。 - 特許庁

To acquire an SEM image of a high resolution while suppressing damage to a sample caused by electron beam irradiation accompanied by SEM imaging, regarding the acquisition of an image of a semiconductor pattern using SEM.例文帳に追加

ＳＥＭを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、ＳＥＭの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なＳＥＭ画像を取得することである。 - 特許庁

To provide an α-ray measuring device capable of performing accurate energy analysis in a short time of infinitesimal α-rays emitted from a sample by using a semiconductor detection element having excellent energy resolution.例文帳に追加

エネルギー分解能が優れている半導体検出素子を使用して、試料から放出される極微量のα線を短時間で精度良くエネルギー分析可能なα線測定装置を提供する。 - 特許庁

the multilayer semiconductor sample 31 is irradiated with UV-rays 30a having a wavelength in a range of 200-350 nm for one hour in the atmosphere at the room temperature and then heat-treated at 700°C for 30 min thus activating the p-type impurities.例文帳に追加

この半導体積層試料31に対して、大気中、室温にて波長200nm〜350nmの紫外線30ａを１時間照射し、その後700℃で30分加熱処理することによりｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

A plurality of semiconductor detectors 18 which capture fluorescent X-ray photons and which generate a plurality of electric pulses suitable for the analysis of the sample so as to correspond to the photons are arranged around a spot 26.例文帳に追加

螢光Ｘ線光子を捕捉しそれに対応して標本の分析に適した複数の電気パルスを生成する複数の半導体検出器１８をスポット２６のまわりに配置する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a quantitatively contaminated sample of a semiconductor substrate having improved reproducibility and a high level quantitative property, wherein the contamination form in actual manufacturing process is reflected.例文帳に追加

再現性良く、高い定量性を有し、実際の製造プロセスにおける汚染形態を反映させた半導体基板の定量汚染試料の作製方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for analyzing impurities on the surface of a semiconductor substrate that can calibrate the fluctuation of a measurement value for each measurement, and can improve the determination accuracy of a sample to be measured.例文帳に追加

測定ごとの測定値のばらつきを較正することができ、測定されるサンプルの定量精度を向上させることが可能な半導体基板表面の不純物の分析方法を提供すること。 - 特許庁

When the temperature of sapphire substrate in the reactive chamber 1 comes to a room temperature, the reactive chamber 1 is restored to an atmosphere using nitrogen, and a sample of nitride semiconductor thin-film deposited on the sapphire substrate is taken out.例文帳に追加

反応室１内のサファイア基板２３の温度が室温になったら、反応室１を窒素で大気に戻し、サファイア基板２３に堆積された窒化物半導体薄膜のサンプルを取り出す。 - 特許庁

An aromatic low-molecular weight nematic liquid crystal substance having mobility not smaller than 10^-4 cm^2/Vs and larger than that of the diluted sample is useful as an organic semiconductor.例文帳に追加

１０^−４ｃｍ^２／Ｖｓ以上の移動度を持ち、希釈した試料の移動度より大きいことを特徴とする芳香族低分子ネマティック液晶物質が有機半導体として有用である。 - 特許庁

To provide a design method of a semiconductor integrated circuit which enables various logic modifications after sample formation by changing the wiring layer alone without changing including the base layer.例文帳に追加

サンプル作成後に様々な論理修正を加える場合に、下地層からの変更を回避して配線層のみの変更で対処可能とする半導体集積回路の設計方法の提供することにある。 - 特許庁

The equivalent oxidation film thickness CET, maximum capacitance Cox, flatband voltage Vfb, and other property of the semiconductor wafer or the sample are measured from the measured reaction using inductive method.例文帳に追加

帰納法を利用して、この測定された反応から、半導体ウエハ又はサンプルの等価酸化膜厚ＣＥＴ、最大キャパシタンスＣｏｘ、フラットバンド電圧Ｖｆｂ及びその他の特性が測定される。 - 特許庁

To provide a measuring method of the re-coupling life time of a semiconductor wafer, which can use an ordinary measuring apparatus without a modification and can also use chemical passivation to use a sample which can be moved automatically.例文帳に追加

一般的な測定装置を改造せずに使用でき、かつ、自動移載可能な試料を使用するケミカルパッシベーションを用いた半導体ウェーハの再結合ライフタイムの測定方法を提供する。 - 特許庁

To measure the chemical composition, refractive index, thickness and volume void ratio of the membrane in a semiconductor element or the like simply and accurately at a high speed in a non-destructive manner in the non-contact state with a sample.例文帳に追加

半導体素子などに於ける膜の化学的組成、屈折率、厚さ、体積空隙率を試料に非接触且つ非破壊で簡便且つ正確に、しかも、高速に測定できるようにする。 - 特許庁

In the ionization device, a pulsating drive voltage which is a voltage value or more to generate a relaxation oscillation is applied on a semiconductor laser and laser beams having pulsating unique peak are output from the semiconductor laser, and the laser beams having the pulsating unique peak are condensed on a mixed crystal of a matrix and a sample.例文帳に追加

緩和振動が生じる電圧値以上となるパルス状の駆動電圧を半導体レーザに印加し、パルス状の特異ピークをもつレーザ光を半導体レーザから出力させ、パルス状の特異ピークをもつレーザ光を、マトリックスとサンプルとの混晶に集光する。 - 特許庁

In this sampling vessel 21 for sampling the metal impurity in semiconductor processing gas, a sample gas introducing tube 24 and a gas discharging tube 25 are arranged in the positions, in which they are not brought into contact with recovery liquid 22, in a sealed vessel 23 storing the recovery liquid 22 hydrolyzing the semiconductor processing gas.例文帳に追加

半導体プロセスガス中の金属不純物をサンプリングするためのサンプリング容器２１であって、半導体プロセスガスを加水分解させる回収液２２を収納する密封容器２３の前記回収液２２と接触しない位置に、試料ガス導入管２４と排気管２５とを設置する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for realizing stable manufacture of a precise device, by measuring a plurality of points on a sample simultaneously for realizing speedy three-dimensional shape measurement, before reflecting for the setting of working process conditions, in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

試料上の複数の点を同時に計測して高速な立体形状計測を実現し、半導体製造工程の加工プロセス条件の設定に反映させて、高精度なデバイスの安定な製造を実現することができる半導体デバイスの製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal contaminated sample that reflects an actual heavy metal contaminated state in an actual post-process of a semiconductor device to grasp with high reliability the gettering performance of a silicon wafer accompanying heavy metal contaminated in the manufacturing process of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおける重金属汚染に伴うシリコンウェーハのゲッタリング能を高い信頼性で把握することを可能にするため、現実のデバイス後工程における重金属汚染の状態を反映した金属汚染試料を作製することができる方法を提供する。 - 特許庁

To quantitatively and accurately measure the carrier concentration of a measured sample such as a semiconductor substrate by a semiconductor measuring device using a scanning capacitance microscope, and to provide a method for measuring the carrier concentration inexpensively without increasing the scale nor cost of a measurement system.例文帳に追加

走査型容量顕微鏡を用いた半導体測定装置において、半導体基板などの測定サンプルのキャリア濃度を定量的に正確に測定することができ、しかもこのようなキャリア濃度の測定を、測定システムの規模の増大やコストアップを招くことなく低コストで行う方法の提供。 - 特許庁

In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.例文帳に追加

半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁

In the pattern inspection of a semiconductor device, a basic pattern used for correcting the mounting position of a sample substrate on a supporting base is recorded previously, the positional shift of mounting is corrected using the basic pattern, the image of a pattern formed on the sample substrate mounted on the supporting base is acquired, and then the defect of the pattern is detected from the image thus acquired.例文帳に追加

半導体装置のパターン検査において、試料基板の支持台に載置する際の載置位置の補正に用いる基本パターンを予め記録し、基本パターンを用いて載置位置のずれを補正して、支持台に載置された試料基板に形成されたパターンの画像を取得し、取得された画像から、パターンの欠陥を検出する。 - 特許庁

A scribing device 10 is equipped with a table 11 for placing and holding a semiconductor wafer 1 and is further equipped with a wheel cutter 24 for forming a scribe groove 2, corresponding to the contour of each sample piece on the surface of the wafer 1 held on the table 11, and a scriber 34 for engraving an identification mark by each region of respective sample piece.例文帳に追加

スクライブ装置１０は、半導体ウェーハ１を載置し保持するテーブル１１を備え、このテーブル１１上に保持されたウェーハ１の表面に対し、各サンプル片の輪郭に対応してスクライブ溝２を形成するホイールカッター２４と、各サンプル片の領域ごとに識別記号を彫刻する罫書針３４と、を備える。 - 特許庁

To achieve an electron microscope or an X-ray analysis apparatus, and a sample analysis method for precisely and speedily performing an element analysis with high precision by X rays being generated from a sample by applying electron rays being a foreign object element inspection required for improving a manufacturing yield in a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体素子等の製造歩留まり向上のために必要な異物元素検査である電子線を照射して試料から発生するＸ線による元素分析を、高精度、高分解能、高速に実施できる電子顕微鏡またはＸ線分析装置及び試料の分析方法を実現することを目的とする。 - 特許庁

To realize a method of manufacturing a membrane sample for a scanning transmission electron microscope which is suitable for being used in the inspection of a multilayer structure in a semiconductor device and which is handled easily, and to realize an observation method for the membrane sam ple.例文帳に追加

半導体デバイスの多層構造の検査に用いて好適であり、取り扱いが容易な走査透過電子顕微鏡用薄膜試料作製方法および薄膜試料の観察方法を実現する。 - 特許庁

To provide means for reliable evaluation using a standard sample that can be used stably for an extended period, relating to a method of optically evaluating a defect of a semiconductor wafer by a copper deposition method.例文帳に追加

半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する評価方法において、長期間安定して使用可能な標準試料を用いて信頼性の高い評価を行う手段を提供すること。 - 特許庁

To provide an accurate and efficient system that measures and/or controls the mass and/or amount of contaminations in a gas sample which deteriorates the performance of an optical element used in a semiconductor processing apparatus.例文帳に追加

半導体処理装置中に使用される光学素子の性能を減少させる、ガス試料内の汚染物の質および／もしくは量を測定そして／もしくは管理する、正確で効率的なシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a thermostatic device for testing where a sample placement section is deflected less even if temperature is adjusted to an extremely low temperature or a high temperature by improving the thermostatic device for testing used for the performance test or the like of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの性能試験等に使用される試験用恒温装置を改良し、極低温や高温に温度調節しても試料配置部の撓みが少ない試験用恒温装置を提供する。 - 特許庁

To make compatible both of a high-performance classification function and a high-throughput image collection function in a defect observation device for automatically collecting and classifying defective images existing on a sample such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集かつ自動分類する欠陥観察装置において、その高性能分類機能と高スループットな画像収集機能の両立を実現する。 - 特許庁

To provide an ultralow moisture gas generating device capable of performing dehydration from the inner wall of a vacuum container and a sample without heating, and inexpensively monitoring the moisture content of a gas containing ultralow moisture in a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置において、真空容器内壁および試料からの脱水を加熱なしに行ない、また極めて水の少ないガスの水分を安価な方法でモニターする極低水分ガス生成装置を提供する。 - 特許庁

The detection efficiency required when the radioactivity in the volume sample is measured by a germanium semiconductor detector is determined by placing a standard point-like radiation source in one point (representative point) existing in the periphery of the detector.例文帳に追加

体積試料中の放射能をゲルマニウム半導体検出器によって測定する際に必要となる検出効率を、検出器周辺に存在する一点（代表点）に標準点状線源を置いて決定する。 - 特許庁

Frequency of the AC voltage/current source 30 is set to satisfy the LC resonance conditions of the inductance 20(L) and the capacitance C of an insulation film 11 provided on the surface of the semiconductor sample 10.例文帳に追加

交流電圧電流源３０の周波数は、インダクタンス２０（Ｌ）と半導体試料１０の表面に設けられる絶縁膜１１のキャパシタンスＣとのＬＣ共振条件を満足させるように設定される。 - 特許庁

To provide a stage system enabling alleviation of vibration or drift at a high level and positioning accuracy, which are required for a sample stage of a scanning electron microscope used in a field of semiconductor manufacturing.例文帳に追加

半導体製造分野で用いられる走査型電子顕微鏡の試料ステージについて要求されるような高いレベルでの振動やドリフトの低減および位置決め精度を可能とするステージ装置の提供。 - 特許庁

First electrical biases are applied to a pair of adjacent contacts 6 and a second electrical bias such as ground reference is applied to the other contact 6 whereupon an inversion layer is formed in the semiconductor wafer or sample 10.例文帳に追加

１対の隣接した接触子６に第１電気バイアスが印加され、他の接触子６に接地基準のような第２電気バイアスが印加されると、半導体ウエハまたはサンプル１０に反転層が生成される。 - 特許庁

This method comprises processes of: dividing light radiated from a white light source 109 into reference light and signal light by a beam splitter 102; emitting the signal light to a sample 107 through a Morou interferometer 105; making light reflected from the sample surface with the reference light and imaging the interference intensity occurring in the Morou interferometer 105; and applying voltage current to the semiconductor circuit chip as the sample.例文帳に追加

白色光源１０９から放射された光をビームスプリッタ１０２により参照光と信号光に分割する工程と、信号光を試料１０７にミラウ干渉計１０５を通して入射する工程と、試料表面より反射した光と参照光を干渉させてミラウ干渉計１０５に生じた干渉強度を画像化する工程と、試料である半導体回路チップに電圧電流を印加する工程とを含む。 - 特許庁

This photodetector includes a single semiconductor substrate 10 and the sample light photodiode array 7a and reference light photodiode array 7b formed on the surface of the substrate 10 and the spectra of both sample and reference lights are respectively detected by the photodiode arrays 7a, 7b and absorbancies are calculated at every wavelength from the sample light signal and reference light signal at the same time by a signal processing circuit 9.例文帳に追加

この検出器は単一の半導体基板１０とその表面に形成されたサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bとを含み、サンプル光のスペクトル及びリファレンス光のスペクトルはサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bによってそれぞれ検出され、信号処理回路９により、同一時刻におけるサンプル光信号及びリファレンス光信号から波長毎に吸光度が求められる。 - 特許庁

To provide a nondestructive evaluation method of a compound semiconductor wafer requiring no slicing of a sample other than a product sample in which dislocation density of a high level wafer having a mean dislocation density of 100/cm2 or less can be evaluated correctly without requiring a troublesome etching operation.例文帳に追加

製品とならない試料サンプルの切り出しを必要としない非破壊形式の評価方法であって、しかも、手間のかかるエッチング加工を必要とせず、さらに、平均転位密度が１００個／ｃｍ^2 以下の高水準のウエハを対象としたときに正しく転位密度の評価を行うことのできる化合物半導体ウエハの品質評価方法を提供する。 - 特許庁

Further, the apparatus measures electrical characteristics of a sample 9 without limiting a role of a signal path connected to the probe 19 to transmission of the absorption current by operating a signal switching part 22 by means of a signal switching control part 15 and by conducting the probe 19 in contact with the sample 9 and a signal wire of a semiconductor characteristic analyzer 25.例文帳に追加

また、信号切換制御部１５により信号切換部２２を動作させ、試料９に接触した探針１９と半導体特性解析装置２５の信号線を導通させることにより、探針１９に繋がる信号経路を吸収電流の伝送に限定することなく、試料９の電気的特性の測定が可能となる。 - 特許庁

The measuring method of the re-coupling life time of a semiconductor wafer based on the μ-PCD method uses a sample which is manufactured by covering iodine ethanol solution on the semiconductor wafer with teflon or the like in the shape of a transparent sheet after the iodine ethanol solution is dropped on the wafer.例文帳に追加

μ−ＰＣＤ法による半導体ウェーハの再結合ライフタイムの測定方法において、ウェーハ上にヨウ素エタノール溶液を滴下した後、半導体ウェーハ上のヨウ素エタノール溶液を透明なシート状のテフロン等によって覆って作製された試料を用いる半導体ウェーハの再結合ライフタイムの測定方法である。 - 特許庁

The measured total of the current amounts is compared with a normal value in total of current amounts measured using a nondefective sample with a normal operation confirmed preliminarily in place of the semiconductor integrated circuit 1, and the propriety of the normality of the semiconductor integrated circuit 1 is determined based on a result therein.例文帳に追加

この測定された電流量の総和を、正常に動作することが予め確認されている良品サンプルを半導体集積回路１の代わりにして測定された電流量の総和の正常値と比較し、この結果に基づき、半導体集積回路１が正常であるか否かを判定する。 - 特許庁

In the light-scattering-type particle detector for detecting particles contained in a sample fluid, forming a channel 2 through the use of a semiconductor laser 4 as a light source, a laser light La irradiated from the semiconductor laser 4 is condensed to the channel 2 by a concave mirror 5, to form a particle detecting region 8.例文帳に追加

光源として半導体レーザ４を用い、流路２を形成する試料流体中に含まれる粒子を検出する光散乱式粒子検出器において、半導体レーザ４から放射されるレーザ光Ｌａを凹面鏡５により流路２に集光させて粒子検出領域８を形成する。 - 特許庁

As the sample of the saturable absorber, (1) a nonconductive area is provided at one part of the semiconductor laser being the light source and set as the saturable absorber, (2) a thin-film layer having the saturable absorption characteristic is provided at one part of the coating film of the end face of the semiconductor laser and made the saturable absorber.例文帳に追加

可飽和吸収体の例としては、（１）光源になる半導体レーザの一部に非通電領域を設け、この非通電領域を可飽和吸収体にする、（２）半導体レーザの端面コーティング膜の一部に可飽和吸収特性を有する薄膜層を設け、この薄膜層を可飽和吸収体にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of resolving a problem that a gate oxide film is not good by removing a nitride film by only a main process without carrying out a sample process in a process to remove the nitride film remained in a cell area.例文帳に追加

セル領域に残留する窒化膜を除去する工程でサンプル工程を行わず、メイン工程のみで窒化膜を除去することにより、かかる問題点を解決することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of detecting and analyzing foreign matter on a sample such as a semiconductor board, a liquid crystal board and the like in the stage of manufacturing processes in the same apparatus which enables accurate inspection in a short time, and an apparatus using it.例文帳に追加

製造プロセス段階の半導体基板や液晶基板などの試料上の異物検出と分析を同一装置内で行い、検査時間が短く高精度な異物検査分析方法およびそれを用いた装置を提供する。 - 特許庁