「static cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this way, the static electricity charged on the liquid sample is discharged, therefore, a correct density value is measured without changing the oscillation cycle of the glass cell due to static electricity.例文帳に追加

このように、測定対象の液体試料に帯電した静電気が放電されるので、静電気によってガラスセルの振動周期が変化することなく、正しい密度値を測定することができる。 - 特許庁

As the result of observation, for example, when one bacterium (cell) self-traveling markedly in a static bacterium (cell) group is observed, the test concentration is judged as a medicine nonsensitivity concentration.例文帳に追加

この結果、例えば、静止した細菌（細胞）集団中に際だって自走する１個の細菌（細胞）が観察された場合、当該被験濃度を薬剤非感受性濃度として判断する。 - 特許庁

The memory cell, whose storage element is an electromagnetic element, is a static writing-and-reading memory which stores data until the data are deleted.例文帳に追加

前記メモリーセルは、電磁気素子を記憶素子とする消去されるまではデータを記憶しているスタティック書き込み読み出しメモリーセルである。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a memory cell capable of improving a static noise margin (SNM) when a reading/writing operation.例文帳に追加

読み出し及び書き込み動作時におけるスタティックノイズマージン（ＳＮＭ）を改善できるメモリセルを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which reduces leakage current and contains a static type memory cell, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

リーク電流を低減することのできる、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the article is loaded on the load cell 2, a stopper 18 is brought into contact with the load cell 2 at a slightly lower position than the unloaded position, and after finish of article supply, the load cell 2 is displaced to the static load position at slower speed than vibration speed of the load cell 2, and thereafter the stopper 18 is put into the noncontact state with the load cell 2.例文帳に追加

物品がロードセル２に載荷されているとき、ストッパ１８が前記無荷重位置よりも僅かに下方の位置でロードセル２に接触し、物品の供給終了後に、ロードセル２の振動速度よりも遅い速度で静止荷重位置までロードセル２を変位させ、その後にロードセル２と非接触状態になる。 - 特許庁

This load measuring means can function as a load cell for well measuring static load or quasi-static load, and can also function as a force detection stand for accurately detecting dynamic load at a time of high speed deformation.例文帳に追加

この荷重計測手段は、静的荷重ないし準静的荷重を良好に計測するロードセルとして機能し得ると共に、高速変形時の動的荷重を精度良く検出する検力台としても機能する。 - 特許庁

In this method for manufacturing an integrated thin-film solar cell, a scribing process of forming a groove on a thin film on a substrate includes at least a static removal process executed by a static neutralization means.例文帳に追加

本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の薄膜に溝を形成するスクライブ工程が、静電気中和手段により行う静電気除去処理を少なくとも含むことを特徴とする。 - 特許庁

A static magnetic field generating means (12) which gives a static magnetic field and an electromagnetic wave generating means which gives electromagnetic wave are provided in a fuel cell stack (10) which generates power by introducing an anode gas and a cathode gas.例文帳に追加

アノードガス及びカソードガスを導入して発電する燃料電池スタック(10)において、静磁場を付与する静磁場発生手段(12)と、電磁波を付与する電磁波発生手段とを備えて、前記課題の解決手段とする。 - 特許庁

A coefficient μof static friction between the solar cell module and resin support structure is reduced to 0.15 or below by the slide layer, or it is preferable that a coefficient μ of static friction between the solar cell module and/or resin support structure, and the slide layer is 0.15 or below.例文帳に追加

前記滑り層により、前記太陽電池モジュールと前記樹脂製支持構造体との静止摩擦係数μが０．１５以下にされてなる、または、前記太陽電池モジュールおよび／または前記樹脂製支持構造体と前記滑り層との静止摩擦係数μが０．１５以下であることが好ましい。 - 特許庁

To photograph an ecological function of a live cell temporally changing in response to a stimulus from the outside, as a high quality of static images.例文帳に追加

本発明は、外部からの刺激に応じて経時的に変化する生細胞等の生態機能を、高画質な静止画像として撮影すること。 - 特許庁

To suppress an increase in subthreshold voltage and a reduction in voltage margin accompanying a low-voltage operation of a static memory cell composed of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタから成るスタティックメモリセルの低電圧動作に伴うサブスレッショルド電流の増加と電圧マージンなどの低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a static type semiconductor memory where a standby current is suppressed and replacement for relieving can be performed even if a fault occurs in the memory cell.例文帳に追加

欠陥メモリセルが発生しても、スタンバイ電流を抑制して置換救済が可能なスタティック型の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To increase variation rate of bit line amplitude by reducing interference between bit lines at the time of read-out of memory cell data in a static type semiconductor memory.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置においてメモリセルデータ読出時のビット線間干渉を低減し、ビット線振幅の変化速度を高速化する。 - 特許庁

To perform evaluation of asymmetry of operation of transistors constituting a SRAM memory cell without calculating a static noise margin in a short time easily.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルを構成するトランジスタ動作の非対称性の評価を、スタティックノイズマージンを算出することなく、短時間でかつ容易に行う。 - 特許庁

A semiconductor memory device (31) includes a static type memory cell (MC), word lines (WL1 to WLm), and bit lines (BL1,/BL1 to BLn,/BLn).例文帳に追加

半導体記憶装置（３１）は、スタティック型のメモリセル（ＭＣ）と、ワード線（ＷＬ１〜ＷＬｍ）と、ビット線（ＢＬ１，／ＢＬ１〜ＢＬｎ，／ＢＬｎ）とを含む。 - 特許庁

The data storage circuit includes at least one static latch circuit and a plurality of dynamic latch circuits when setting 2^k threshold voltage (k is a natural number equal to 3 or more) in each memory cell in the memory cell array.例文帳に追加

データ記憶回路は、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは３以上の自然数）の閾値電圧を設定する場合、少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路を有している。 - 特許庁

To attain high speed reading in by preventing data reading from being impossible at the time of composing an SRAM(static random access memory) circuit by a four-transistor memory cell.例文帳に追加

４ＴｒメモリセルでＳＲＡＭ回路を構成時に、データの読み出し不能を未然に防止し、高速な読み出しを可能にしたＳＲＡＭ回路の提供。 - 特許庁

Through combination with conventional static label-free cell assays, the full spectrum of a drug compound can be studied, and used in its pharmacology acting on living cells.例文帳に追加

従来の静的無標識細胞分析との組合せによって、広範囲の薬物化合物の研究、生体細胞に作用する薬理学に使用。 - 特許庁

To provide a SRAM(static RAM) in which an error of a cell ratio based on dispersion of manufacturing is compensated, data holding operation is stable, and write-in operation and recovery operation are fast.例文帳に追加

製造ばらつきに基づくセルレシオの誤差を補償し、データ保持動作が安定で書込み動作及びリカバリー動作が早いＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To detect minute defect existing in a PMOS load transistor of an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell without extremely increasing circuit area and at high speed.例文帳に追加

回路面積を極端に増大させることなく、かつ高速に、ＳＲＡＭメモリセルのＰＭＯＳ負荷トランジスタに存在する微小欠陥を検出すること。 - 特許庁

The device has a memory cell array having a plurality of CMOS static type memory cells provided at the intersections of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加

複数のワード線と複数の相補ビット線の交差部に設けられた複数のＣＭＯＳスタティック型メモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

To suppress a cell destruction caused by static electricity along a dividing line concerning a liquid crystal display(LCD) device bisecting a scanning area and driving them.例文帳に追加

走査領域を２つに分けてして駆動する液晶表示装置において、静電気によって分割ラインに沿って発生する素子破壊を抑制する。 - 特許庁

The cells are cultured by adding static pressure caused by a centrifugal force provided by rotating a cell incubator under a regulated condition of temperature and atmospheric gas.例文帳に追加

温度と雰囲気ガスが制御された条件下で細胞培養器を回転することによって遠心力による静水圧を付加して培養する。 - 特許庁

To control a bending deformation of a center shaft to prevent the damage caused by the direct contact of a cell with a static pressure shoe for pressurization in a press roll.例文帳に追加

プレスロールに関し、センタシャフトの撓み変形を抑制してセルと加圧用静圧シューとの直接の接触による損傷を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a SRAM (Static Random Access Memory) cell capable of performing reading and writing operations simultaneously without collision while reducing a size of cell, by providing a dual port SRAM cell constituted of six transistors.例文帳に追加

６個のトランジスタから構成されたデュアルポートＳＲＡＭセルを提供することによって、セルのサイズを縮小しながらも読み出しと書き込みが衝突なし同時に可能にしたＳＲＡＭ(Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ)セルを提供すること。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of shortening the time from the start to the power generation of the fuel cell system, without supplying air to a burner with a blower having high static pressure and high flow rate.例文帳に追加

高静圧かつ大流量の送風機を用いてバーナに空気を供給することなく、燃料電池システムの起動から発電までの時間を短縮することができる燃料電池システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To properly estimate the plateau stress at a required dynamic strain speed higher than a static strain speed due to a static compression test with respect to a porous metal having a closed cell structure, without performing a compression test at the dynamic strain speed.例文帳に追加

クローズドセル構造のポーラス金属について、静的圧縮試験による静的ひずみ速度よりも速い所要の動的ひずみ速度でのプラトー応力を、該動的ひずみ速度での圧縮試験を行うことなく適正に予測できるようにすること。 - 特許庁

This device is provided with a low potential supply circuit SUPG shifting a power source potential or a ground potential of a memory cell array MARY1 in a static operation mode such as a read-write mode or the like.例文帳に追加

リード・ライトモードなどの静的動作モードにおいてメモリセルアレイＭＡＲＹ１の電源電位または接地電位をシフトさせる低電位供給回路ＳＵＰＧを備える。 - 特許庁

To provide an image display device having a mechanism of preventing malfunction and damage of a driver and a circuit board caused by static charges generated in a display cell.例文帳に追加

表示セルで発生した静電気によるドライバ及び回路基板の誤動作および損傷を防ぐ機構を有する画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a two-layer liquid crystal display device capable of preventing alignment of a liquid crystal of an interfering cell from being disturbed by static electricity, and exhibiting favorable liquid crystal display.例文帳に追加

静電気による干渉セルの液晶の配向の乱れを防止し、良好な液晶表示を行うことのできる二層型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a pair of transfer transistors T1, T2 of a static memory cell, one and the other of source and drain are connected to complementary input/output nodes ND1, ND2 of latch and to bit lines in pairs individually.例文帳に追加

スタティックメモリセルの一対の転送トランジスタは、ソース・ドレインの一方および他方をラッチの相補の入出力ノードと一対のビット線とにそれぞれ接続している。 - 特許庁

Since the terminal part is coated with the conductive coating agent, a discharge state is always formed and invasion of static electricity from the terminal part into a cell can be prevented.例文帳に追加

この導電性コート剤を被覆するようにしたので、常時放電状態を形成し、端子部分からの静電気のセル内への侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide contacts of P well and N well and, suitably, a low cost SRAM (static random access memory) cell having a P+ a diffusion intersection section to ground.例文帳に追加

ＰウェルおよびＮウェルのコンタクトおよび好ましくはグランドへのＰ＋拡散交差部を有する低コストＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）セルを提供すること - 特許庁

A path delay information generation part 1 performs static timing analysis based on cell delay information 14 and design circuit information 15 to generate path delay information 17.例文帳に追加

パス遅延情報生成部１は、セルの遅延情報１４と設計回路情報１５とに基づいて静的タイミング解析を行ってパス遅延情報１７を生成する。 - 特許庁

To prevent a gate insulating film from being contaminated when a contact which connects a cell and a gate of a semiconductor integrated circuit device, specially, a static type semiconductor storage device is formed and to sufficiently reduce the cell area.例文帳に追加

半導体集積回路装置、特にスタティック型半導体記憶装置においてセルとゲートとを接続するコンタクトの形成時のゲート絶縁膜の汚染を防止できるようにし、また、セル面積を十分に縮小できるようにする。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing an integrated thin-film solar cell efficiently removing static generated in a scribing process, and manufacturing the integrated thin-film solar cell with an excellent yield.例文帳に追加

スクライブ工程で生じる静電気を効率よく除去することができ、優れた収率で集積型薄膜太陽電池を製造することができる集積型薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent the productivity and reliability of a liquid crystal cell from being degraded and the display appearance of the liquid crystal cell from being impaired by suppressing generation of fine dust or generation of fine discharge due to high voltage static electricity in the manufacturing of a liquid crystal alignment layer.例文帳に追加

液晶配向膜の製造において微細な埃の発生や高圧静電気による微細放電の発生をなくし、液晶セルの生産性や信頼性が低下したり液晶セルの表示の外観が損なわれたりすることを防ぐ。 - 特許庁

The hardening cell, wherein parts of steel are hardened by circulating the gas through a surrounding wall 23 sealed, has at least one static aspirator (Venturi nozzle) 26 for circulating the gas, and is controlled for a gas pressure in a gas inlet of this static aspirator to be larger than an atmospheric pressure.例文帳に追加

密閉した囲壁２３内のガス循環によって鋼鉄部品を硬化させるセルにおいて、前記セルはガスを循環させるための少なくとも一つの静アスピレータ（ベンチュリノズル）２６を有し、この静アスピレータの吸気口のガスの圧力は大気圧よりも大きいように設定されている硬化用セル。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

Basic characteristic value of a cell when not taking the variation in characteristic values into consideration and the transistor dimension constituting the cell, for example, a variation coefficient of the cell characteristic value corresponding to gate width are read from a memory, and static timing analysis is performed to the LSI using the read variation coefficient and basic characteristic value.例文帳に追加

特性値のばらつきを考慮しない場合のセルの基本特性値と、セルを構成するトランジスタの寸法、例えばゲート幅に対応したセル特性値のばらつき係数とをメモリから読み出し、読み出したばらつき係数と基本特性値とを用いて、ＬＳＩに対する静的タイミング解析を実行する。 - 特許庁

To reduce power consumption of a static RAM by reducing variation of potentials of bit lines 21a, 21b of a true side or a complementary side in write of data in a memory cell 55.例文帳に追加

メモリーセル５５においてデータ書込み時のトゥルー側又はコンプリメント側ビット線２１ａ，２１ｂの電位の変化分を減少させ、スタティック型ＲＡＭの消費電力を低減する。 - 特許庁

To improve the transparency of a power generation cell, to largely improve the degree of freedom of selecting design of an electronic equipment, and to protect the electronic equipment from an external environment such as static electricity genertated in the human body.例文帳に追加

光発電セルの透明性を向上し、電子機器のデザイン選択の自由度を大幅に向上させ、人体に発生する静電気等の外的環境から前記電子機器を守る。 - 特許庁

A cylindrical static type mixing device is formed by providing pentagonal cell bodies each having different shape and engaging direction in a main body divided into 2 in the vertical direction against the horizontal axis.例文帳に追加

形状及び係着向きの異なるそれぞれのペンタゴンセル体を水平軸方向に対して垂直方向に二分割される本体ケース内に設けた円筒形状の静止型混合装置。 - 特許庁

The semiconductor memory including a static type memory cell is provided with an inter-layer insulation layer 16 having a hole 30b on a surface and a capacitor 31.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置であって、表面に孔３０ｂを有する層間絶縁層１６と、キャパシタ３１とを備えている。 - 特許庁