「static cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The second power supply cell has a time constant circuit which turns the first MOS on temporarily in response to positive static electricity of the second power supply pad, and a unidirectional element which feeds a current toward the second power supply pad.例文帳に追加

第２電源セルは、第２電源パッドの正静電気に応答して第１ＭＯＳを一時的にオンにさせる時定数回路、第２電源パッドに向かう電流を流す一方向性素子を有する。 - 特許庁

(2) The method of manufacturing the fuel cell electrode, wherein the structure of the electrode is changed in the thickness direction by multiple coating of the electrode material powder 12P and 15P on the film 1 by static electricity.例文帳に追加

（２）静電気による電極材料粉末１２Ｐ、１５Ｐの膜１１上への塗布を複数回実行し、電極の構成を厚さ方向に変化させる燃料電池電極の製造方法。 - 特許庁

To provide a static cell which can decrease a parasitic capacitance of a bit line, etc., to improve its operational speed, and can suppress a drop in a voltage induced in a grounding line to improve its low voltage characteristics.例文帳に追加

ビット線などの寄生容量を減少させてセルの動作速度を向上させ、また、接地ラインに誘起される電圧降下を抑制して低電圧特性を改善させられるスタティックセルを提供する。 - 特許庁

To make a battery pack usable, for example, even when applying to a battery pack of lithium ion secondary cell, and one of field effect transistors is broken by static charge.例文帳に追加

本発明は、バッテリパックに関し、例えばリチウムイオン二次電池によるバッテリパックに適用して、一部の電界効果型トランジスタが静電気等により破壊した場合でも、使用することができるようにする。 - 特許庁

In this application, when the separator for fuel cell is molded by pressing an upper die 4 and a lower die 2, static electricity is applied to the cavity from an static electricity generation part 18 formed on a side face 13a of a punch 13 or the bottom part of an escape hole 17 formed in the punch 13 until a time immediately before pressing them at the latest.例文帳に追加

本発明では、上型４と下型２を加圧して燃料電池セル用セパレータを成形する際、少なくとも加圧直前までにキャビティーに、パンチ１３の側面１３ａまたはパンチ１３に形成された逃げ穴１７の底部に設けた静電気発生部１８より静電気を印加させる。 - 特許庁

The polymer electrolyte fuel cell having high reliability, which prevents the flooding, is so constituted that the static pressure in the exit manifolds 16 and 18 is lowered than static pressure in entrance manifolds 15 and 17 for fuel gas or oxidation gas to exhaust the generated water in the state of gas through the conduit channel 14.例文帳に追加

燃料ガスまたは酸化ガスの入口マニホールド１５，１７の静圧より出口マニホールド１６，１８の静圧を低くして構成したことにより、生成した水をガスの状態で流路溝１４を流して排出することにより、フラッディングを防止して信頼性を高めた固体高分子型燃料電池とすることが出来る。 - 特許庁

Further, the growth substrate means is provided for maximizing the production of the cell product by capable of providing the maximum surface area for the cell adhesion, and providing sufficient oxygen and nutrition to the cells intermittently and periodically by acting as an oxidizing device, a depth filter and a static mixer without causing the cell death.例文帳に追加

さらに、本発明は、細胞付着のための最大の表面積を提供することができ、酸素化装置、デプスフィルター、およびスタティックミキサーとして働いて、細胞死を生じさせることなく細胞に十分な酸素および栄養分を間欠的かつ周期的に提供することにより、細胞生成物の生成を最大にする、生育基質手段を教示する。 - 特許庁

The technique comprises using a cell culture carrier comprising a substrate having a surface 45° or smaller in static water contact angle and an organic thin film laminated peelably on the surface of the substrate and having cell adhesiveness, and a shape-retaining sheet having sufficient mechanical strength and cell adhesiveness.例文帳に追加

静的水接触角が４５°以下である表面を有する基材と、該基材表面上に剥離可能に積層された、細胞接着性を有する有機薄膜とを備えることを特徴とする細胞培養担体と、十分な強度を有し且つ細胞接着性である形状保持用シートとを用いることにより上記課題を解決することができる。 - 特許庁

In a memory device having a static memory cell wherein a first conductive transistor is formed in a second conductive well and a second conductive transistor is formed in a first conductive well, the second conductive well and the first conductive well are separated every number of the memory cell.例文帳に追加

第２導電型のウエルに第１導電型のトランジスタが形成され、第１導電型のウエルに第２導電型のトランジスタが形成されるスタティック型メモリセルを有するメモリ装置において、第２導電型のウエル及び第１導電型のウエルをメモリセル数毎に分離する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device 1 is equipped with; a SRAM (Static RAM) cell array 11 in which a plurality of memory cells each of which consists of CMOSFETs are arranged in matrix; and power source lines VL1 and GL1, etc., which are provided every one bit column , such as one bit column of the SRAM cell array 11.例文帳に追加

半導体集積回路装置１は、ＣＭＯＳＦＥＴから構成される複数のメモリセルが格子状に配置されたＳＲＡＭセルアレイ１１と、ＳＲＡＭセルアレイ１１の１ビット列等の１ビット列ごとに設けられた電源線ＶＬ１、ＧＬ１等を備えている。 - 特許庁

A liquid sample is introduced into a glass cell 1 through a sample introducing tube 8a, a metal joint 7a and cell introducing piping 6a, and an earth wire is contacted to the metal joint 7a or 7b, thereby static electricity charged on a liquid sample is discharged.例文帳に追加

試料導入チューブ８ａ、金属継ぎ手７ａ、セル導入配管６ａを通じてガラスセル１内に液体試料を導入するとともに、金属継ぎ手７ａまたは７ｂにアース線を接触させることにより、液体試料に帯電している静電気を放電させる。 - 特許庁

Since '1' is input in a second measurement mode, when the third output data in a third measurement mode are '1', the internal cell is determined to be normally operated at the lowest guaranteed operating voltage even if the data output I/O cell are influenced by static electricity or the like.例文帳に追加

第２の測定モードでは、「１」を入力したので、第３の測定モードでの第３の出力データが「１」であれば、データ出力用Ｉ／Ｏセルが静電気などによる影響を受けていたとしても、内部セルは最低保証動作電圧で正しく動作していると判断できる。 - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁

The method includes a step (100) for generating all or part of dynamic cell identifiers or dynamic location area codes from the static cell identifiers or the static location area codes by means of a masking module (11) integrated in equipment belonging to the architecture of a network under consideration, thereby disabling geographical conversion of a mobile terminal (1) for an outside service other than services authenticated by an operator.例文帳に追加

前記方法は、モバイル端末（１）に関して、検討中のネットワークのアーキテクチャに属する装置において統合されるマスキングモジュール（１１）の手段により、静的セル識別子または静的ロケーションエリアコードから、動的セル識別子または動的ロケーションエリアコードの全てまたは一部を生成するステップ（１００）を具備することによって、オペレーターによって認証されたサービス以外の外部サービスに対して地理的変換を不可能にする。 - 特許庁

Characteristic measurement is performed relative to one frame image, such as a cell area in a static image, the peripheral length, the longitudinal or lateral length of a circumscribed rectangle, the number of holes, a hole area, or complexity from a true circle.例文帳に追加

また、一のフレーム画像について、その静止画像中の細胞の面積、周囲長、外接する長方形の縦もしくは横の長さ、穴数、穴面積、真円からの複雑度などの特徴計測がなされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and an operation method thereof for reducing influence of variation in transistor characteristics, securing a margin for data writing operation, and stably operating a static memory cell at a low voltage.例文帳に追加

トランジスタ特性バラツキの影響を低減し、かつデータ書き込み動作マージンを確保するができ、スタティックメモリセルを低電圧で安定動作させることが可能な半導体記憶装置およびその動作方法を提供する。 - 特許庁

The standard particles are made to flow in the flow cell 100 to detect passing of the particles by a laser beam 14, and a flash lamp 1 is illuminated based thereon to image-pick up a static image by a TV camera 8 and to conduct image processing based thereon.例文帳に追加

標準粒子をフローセル１００に流しレーザ光束１４により粒子の通過を検出し、それに基づいてフラッシュランプ１を発光して粒子の静止画像をＴＶカメラ８で撮像し画像処理する。 - 特許庁

To provide a stacked polarizing film which hardly generates static electricity even in peeling a protection film and sticking it to a liquid crystal cell, and which has an antistatic function for preventing a defect such as a luminescent spot or the like on display.例文帳に追加

保護フィルムを剥離して液晶セルに貼合した場合でも、静電気の発生が少なく、また、表示に輝点等の欠点を生じない帯電防止機能を有する積層偏光フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a battery pack of which breakage of a unit cell, a circuit board, wiring or the like due to static electricity is restrained effectively while securing insulation between a ground and an outer package case of a circuit at stationary time.例文帳に追加

定常時における回路のグランドと外装ケースとの間の絶縁を確保しながら、静電気による素電池、回路基板および配線などの破壊が効果的に抑制されるパック電池を提供する。 - 特許庁

The breaking of the cell wall of the microorganism is accelerated by passing the sludge and gas for stirring through a static mixer 3 in which a plurality of resistors 23, 24 are arranged to stir to give the mechanical damage to the cell wall of the microorganism and heating the sludge passed through the inside with a heater 26 provided on the outer circumference of a casing 20.例文帳に追加

複数の抵抗体２３・２４が配設された静止型混合器３に汚泥と撹拌用気体とを流通させて攪拌することで微生物の細胞壁に物理的に損傷を加えると共に、ケーシング２０の外周に設けたヒータ２６で、内部を流通する汚泥を加熱して微生物の細胞壁破壊を促進する。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.例文帳に追加

書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

For the easiness of packing in a cell space and a measure against the static electricity of the crushed foamed material which is a problem in terms of uniform packing and work efficiency, an antistatic agent of a surfactant is mixed/ sprayed in/to the crushed foamed material.例文帳に追加

セル空間に対する充填のしやすさと、均一な充填と作業性で問題となる発泡粉砕物の静電気対策には、発泡粉砕物に界面活性剤系の帯電防止剤を混合又は吹付けする。 - 特許庁

To provide an apparatus for drying a solar cell substrate capable of preventing adherence of a dust to the substrate by eliminating static electricity generated at the substrate by destaticizing means during a drying step of drying the substrate.例文帳に追加

太陽電池基板に発生した静電気は太陽電池基板を乾燥する乾燥工程中に除電手段によって静電気が除去され，太陽電池基板への埃の付着を防止できる太陽電池基板の乾燥装置を提供することにある。 - 特許庁

Then, the power consumption calculating means calculates the first power consumption and the second power consumption on the basis of the enable rate of the clock gating cell and the ratio of a dynamic power component and a static power component of the power consumption on the clock line.例文帳に追加

ここで、消費電力算出手段は、クロックゲーティングセルのイネーブル率と、クロック線上における消費電力のダイナミック電力成分とスタティック電力成分との比率と、に基づいて、第１及び第２の消費電力を算出する。 - 特許庁

To properly estimate the plateau stress when the dimension of a required test piece is different from that of a standard test piece with respect to a porous metal having a closed cell structure, without performing the static compression test in the dimension of the required test piece.例文帳に追加

クローズドセル構造のポーラス金属について標準試験片寸法とは異なる所要試験片寸法の場合でのプラトー応力を、該所要試験片寸法での静的圧縮試験を行うことなく適正に予測できるようにすること。 - 特許庁

The capacitor 31 is provided with a lower electrode layer 14b electrically connected to a storage node 51 held at the potential of stored data in the static type memory cell and an upper electrode layer 20 facing the lower electrode layer 14b across a dielectric layer 19.例文帳に追加

キャパシタ３１は、スタティック型メモリセルの記憶データの電位に保持される記憶ノード５１に電気的に接続される下部電極層１４ｂと、下部電極層１４ｂと誘電体層１９を挟んで対向する上部電極層２０とを有している。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which can reduce a memory cell area effectively while ensuring a margin for mask misregistration or the like in the formation of a gate wiring and a contact hole or the like.例文帳に追加

ゲート配線やコンタクトホール等の形成の際のマスクずれ等に対するマージンを確保しながら、メモリセル面積を効率的に縮小することが可能なＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を提供する。 - 特許庁

A data storage circuit is connected to the bit line, and when threshold voltage of 2^k pieces (k: natural number) are set to respective memory cells in the memory cell array, the data storage circuit has at least one static latch circuit storing write-in data and a plurality of dynamic latch circuits.例文帳に追加

データ記憶回路は、ビット線に接続され、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは自然数）の閾値電圧を設定する場合、書き込みデータを記憶する少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路とを有している。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

The present invention provides the cell culture substrate constituted of a fiber structure consisting of a fiber having 0.01-1 μm average fiber diameter and mainly composed of a polylactic acid fiber having ≥100,000 weight-average molecular weight and the method for producing the fiber structure by static spinning.例文帳に追加

平均繊維径が０．０１〜１μｍの繊維よりなり、かつ主として重量平均分子量１０万以上のポリ乳酸繊維よりなる繊維構造体で構成される細胞培養基材と静電紡糸により該繊維構造体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device that prevents incorrect display of a liquid crystal display panel due to static charge, while the occurrence of dust is suppressed, when the liquid crystal display panel and a cell case are installed on a circuit board by use of a frame made of a metal.例文帳に追加

金属製のフレームを用いて液晶表示パネルおよびセルケースを回路基板に組み付ける際に、ゴミの発生を抑制しながら静電気の帯電による液晶表示パネルの誤表示などを防ぐことが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a static semiconductor storage device capable of preventing malfunction of a semiconductor storage device by ensuring the margin between a power source voltage level of data latched by a memory cell which is to be caused by high resistance of a ground voltage line in the case of low voltage operation and a ground voltage level.例文帳に追加

低電圧の動作時に接地電圧ラインの高抵抗によるメモリセルにラッチされたデータの電源電圧レベルと接地電圧レベル間のマージンを確保して、半導体メモリ装置の誤動作を防止し得るスタチック半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The fuel cell system comprises a cooling system capable of adjusting temperature in the system by circulating the cooling medium; and a pressure adjustment means 5 for adjusting static pressure in at least cooling medium.例文帳に追加

冷却媒体を循環させることによりシステムの温度を調整可能な冷却系を備える燃料電池システムであって、少なくとも前記冷却媒体の静圧を調節する圧力調節手段５を備える燃料電池システムにより上記課題を解決する。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) includes a P-channel MOS transistor 1 having a comparatively high conduction resistance value which is connected between a one end of a memory cell power source wiring MVL and a line of power source potential VDD', the power source wiring MVL being provided for each row and connected to a power source node of corresponding row.例文帳に追加

このＳＲＡＭは、各行に対応して設けられて対応の行のメモリセル電源配線ＭＶＬの一方端と電源電位ＶＤＤ′のラインとの間に接続され、比較的高い導通抵抗値を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタ１を備える。 - 特許庁

To obtain a culture container used for cell culture, tissue culture, bacterial culture or the like inhibiting a small culture piece which is usable as a specimen by directly culturing the cell or the like on its surface and staining or the like at once, moving from a normally locating well to a neighboring well or attaching to a cover of the container by static electricity in carrying the culture piece in the culture container.例文帳に追加

細胞培養、組織培養、細菌培養などに用いられる培養容器において、その表面に直接細胞等を培養し、そのまま染色等を行い、標本としうる培養用小片に関して培養用器中に入れての輸送時、培養用小片が本来収まるべきウェルかわ隣のウェルに移動すしたり静電気により培養器のカバーに付着することを防ぐ。 - 特許庁

To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加

第１の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with: a SRAM (Static Random Access Memory) cell 10 provided with first and second driving transistors N3, N4 which constitute a pair of inverters; and a circuit 11 for applying a voltage lower or higher than a grounding voltage to one end of current routes of the first and second driving transistors.例文帳に追加

半導体記憶装置は、一対のインバータを構成する第１、第２駆動トランジスタＮ３、Ｎ４を備えたＳＲＡＭセル１０と、前記第１、第２駆動トランジスタの電流経路の一端に接地電圧よりも低いかまたは高い値の電圧を印加する回路１１とを具備する。 - 特許庁

A fuel feeding system 10, for example, has a dispenser 16 which fills a high pressure hydrogen to a fuel tank 14 mounted on an automobile 12 driven by a fuel cell, and the grounding device 18 for eliminating static electricity charged on a body 12a of the automobile 12.例文帳に追加

燃料供給システム１０は、例えば、燃料電池で駆動される自動車１２に搭載された燃料タンク１４に高圧水素を充填するディスペンサ装置１６と、自動車１２のボディー１２ａに帯電された静電気を除去するアース装置１８とを有する。 - 特許庁

A lid is provided with conductive layers circularly surrounding liquid holes each corresponding to each cell, and the conductive layers are each integrally structured in a direction of electric connection to be connected with a negative electrode terminal, so that static electricity is absorbed through the conductive layer to have breakage due to ignition prevented.例文帳に追加

蓋に、セル毎に対応する液口を有し、液口の周囲を環状に囲む導電層を設け、導電層はセルの電気的接続方向へ一体に構成され負極端子に接続されることで、静電気を導電層を介して吸収し、引火による破損を防止する。 - 特許庁

In the write dummy bit, one of levels is inputted to the first dummy line by a drive MOSFET corresponding to a write signal input for the static type memory cell, signal change of the second dummy line pre-charged to the other level is sensed and output.例文帳に追加

上記書き込みダミービットは、上記スタティック型メモリセルへの書き込み信号入力に対応して駆動ＭＯＳＦＥＴにより一方のレベルが上記第１ダミー線に入力され、他方のレベルにプリチャージされた上記第２ダミー線の信号変化をセンスして出力させる。 - 特許庁

To provide a static eliminator of high performance which is small-sized and light weighted, which is mounted on posts and the top plate of a workbench of a cell production system, and in which ionized air reaches even from a distant place such as the posts and the top plate of the workbench to an object to be destaticized.例文帳に追加

小型かつ軽量であり、セル生産方式の作業台の支柱や天板にも取り付けられ、しかも、該作業台の支柱や天板などの離れた場所からでもイオン化空気が除電対象物に届く高性能な静電気除去装置を提供すること。 - 特許庁

The sub-decode signal line functions as a conductive line for shielding static electricity for the ground line, a potential of the ground line is raised by capacity coupling with the other signal lines, electric charges are flowed out from a memory cell of the non-selection sub-word line, and deterioration of the refresh property is prevented.例文帳に追加

サブデコード信号線が、接地線に対する静電遮蔽用の導電線として機能し、接地線の電位が他の信号線との間の容量結合により上昇して、非選択サブサード線のメモリセルから電荷が流出してリフレッシュ特性が劣化するのを防止する。 - 特許庁

To provide a sealing device which is capable of obtaining sufficient static electricity to surely electrostatically chuck an upper substrate by an ultraviolet-transmissive sheet and is capable of hardening a sealant without attenuation of transmission of ultraviolet light, with respect to manufacturing of a cell structure of a liquid crystal panel or the like.例文帳に追加

液晶パネルなどのセル構造体の製造において、紫外線透過シートによる上基板の静電チャックを確実に行うことができる十分な静電気が得られるとともに、紫外線の透過が減衰しないようにしてシール材を硬化させることのできる封止装置となるようにする。 - 特許庁

A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.例文帳に追加

メモリアレイの相補ビット線に対応した第１ダミー線と第２ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第１ダミー線と第２ダミー線との間に接続された複数の第１ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁

When activating a word line 30 in afterward reading, since the bit line pair 31, 32 are put in a state that the potentials become an intermediate voltage lower than the power source voltage, the current driving capability of the access transistors 11, 21 are virtually reduced and a static noise margin of a memory cell 10 increases.例文帳に追加

その後の読み出しにおいてワード線３０を活性化する際、ビット線対３１，３２は電源電圧よりも低い中間電位となった状態のため、アクセストランジスタ１１，２１の電流駆動能力が見かけの上で下がり、メモリセル１０のスタティックノイズマージンが大きくなる。 - 特許庁