「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The noise filter mounting substrate is for supplying direct- current power to a load circuit (20) from a power source and for separating a power line circuit from the load circuit which produces high-frequency noise in terms of high frequency.例文帳に追加

電源から負荷回路（２０）に直流電源を供給すると共に、電源ライン回路を高周波ノイズを発生する負荷回路から高周波的に分離するためのノイズフィルタ実装基板である。 - 特許庁

A leakage current prevention part 150 formed of an N-type layer is arranged in a non-doped region of the epitaxial growth layer 112 adjacent to the P-type embedded layer 114 in the substrate surface direction.例文帳に追加

Ｐ型埋め込み層１１４の基板面方向に隣接するエビタキシャル成長層１１２の非注入領域に、イオン注入によってＮ型層によるリーク電流防止部１５０を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor optical amplifier 10 with an active layer 14, which has an optical amplifying function by current injection onto a substrate 11 made of InP, the active layer 14 contains InGaAsSb.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１１上に電流注入による光増幅機能を有する活性層１４を備えた半導体光増幅器１０において、活性層１４が、ＩｎＧａＡｓＳｂを含有している。 - 特許庁

A water film is formed between the first and second conductive parts 21 and 23 by the penetration of moisture 25 from the gap between the glass substrate 11 and the sealing material 13 to produce the corrosion current.例文帳に追加

水分２５がガラス基板１１と封止材１３との隙間から侵入することで、第一の導電部２１と第二の導電部２３との間に水膜が形成され、腐食電流が発生する。 - 特許庁

A current path 16 into which impurities are introduced at a predetermined concentration is provided on a semiconductor layer 15 of the SOI substrate 12, and high concentration n-type regions 17 are formed at four corners thereof.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１２の半導体層１５に所定濃度で不純物が導入された電流経路１６が設けられ、その四方の端部に高濃度ｎ型領域１７が形成されている。 - 特許庁

The discharge resistance 2 is apart from the resin substrate 3 at a part including at least a maximum-heat generating part 20 which has the largest heating value per unit volume when the discharge current flows.例文帳に追加

放電抵抗２は、放電電流が流れた場合における単位体積あたりの発熱量が最も大きい最大発熱部２０を少なくとも含む部分が樹脂基板３と離隔している。 - 特許庁

The operating speed of the MOS transistor (P1) is automatically stabilized by compensating the drop of the current capability of the MOS transistor (P1) by dynamically changing the substrate bias of the MOS transistor (P1) correspondingly to the fluctuation of the power supply.例文帳に追加

電源変動に対応させてＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）の基板バイアスを動的に変化させ、ＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）の電流能力の低下を補償し、自動的に動作速度を安定化させる。 - 特許庁

A direct current reactive sputtering apparatus includes: a sputter source 1 including the targets 5, 6 arranged opposite to each other; and a film deposition chamber 2 that is communicated with the sputter source 1 and stores a substrate W that is an object to be treated.例文帳に追加

本発明は、対向配置されるターゲット５、６を備えるスパッタ源１と、スパッタ源１と連通され処理対象である基板Ｗが収容される成膜室２と、を備えている。 - 特許庁

To solve the following problem: an allowable current amount cannot be increased since impedance increases because of a GND through-hole, a signal through-hole, etc., formed in a power supply pattern provided in an interposer substrate of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置のインターポーザ基板内部に設けられた電源パターンに、ＧＮＤ用スルーホール、信号用スルーホール等によりに、インピーダンスが上昇するため、許容電流量を上げることができない。 - 特許庁

By the application of the prescribed OFF voltage V_L2, a hole is captured on a boundary level of the surface of a semiconductor substrate, thermal excitation electrons are hardly excited from a valence band to a conduction band and therefore a dark current is suppressed.例文帳に追加

Ｖ_Ｌ２の印加により、半導体基板表面の界面準位にホールが捕獲され、熱励起電子が価電子帯から伝導帯へ励起されにくくなり、暗電流が抑制される。 - 特許庁

When the exposure of the substrate is performed, the light source controller 50 turns on each of the semiconductor light-emitting elements 82 with supplying driving current to the multiple semiconductor light-emitting elements 82 of the light source 80.例文帳に追加

基板の露光が行われる間、光源制御装置５０は、光源８０の複数の半導体発光素子８２へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子８２を点灯させる。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A device for detecting an analyte in a sample is equipped with an active layer comprising at least a dielectric material, a source electrode, a drain electrode and a semiconducting substrate operated as a current pathway between source and drain.例文帳に追加

少なくとも誘電体材料を備えた活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソースとドレインの間で電流の通過路として動作する半導体基板とを備えた装置を提供する。 - 特許庁

Further, an MOS FET 22 is provided on the lead frame 18, and current limiting control between the lead frame 18 and the external output terminal 20 is effected by a signal from the control substrate 21.例文帳に追加

また、リードフレーム１８上には、ＭＯＳ ＦＥＴ２２が設けられ、制御基板２１からの信号によって、リードフレーム１８と外部出力端子２０との間の電流の限流制御が行われる。 - 特許庁

The lithium battery 3 has on a substrate 10 a positive electrode layer 33, a negative electrode layer 34 containing an active material comprising a Li-containing material, a solid electrolyte layer 35 interposed between both electrode layers 33, 34, and a current collector layer 31.例文帳に追加

リチウム電池3は、基材10上に、正極層33、Li含有材料からなる活物質を含む負極層34、これら両極層33,34の間に介在される固体電解質層35、集電体層31を具える。 - 特許庁

To provide an inter-block transmission/reception circuit that achieves stable signal transmission by suppressing variation of a current signal caused by variation of wiring resistance in transmission of inter-block wiring on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上のブロック間配線の伝送において、配線抵抗のばらつきによる電流信号の変動を抑えて、安定な信号伝送を実現するブロック間送受信回路を提供する。 - 特許庁

The transistors 21 for amplifying optical current generated by each photo diode of light receiving array group A 311 and group B 312 for M series are separated from the light receiving part 401 and mounted on the printed substrate 3.例文帳に追加

Ｍ系列用の受光セルアレイＡ群３１１、Ｂ群３１２の各フォトダイオードで発生する光電流を増幅するトランジスタ２１を受光部４０１から分離してプリント基板３に実装する。 - 特許庁

To provide a method for applying a voltage for electrostatic attraction capable of suppressing a leakage current to be a problem at the time of electrostatically attracting a substrate to an electrode for the electrostatic attraction by a simple method.例文帳に追加

基板を静電吸着用電極に静電吸着した際に問題となる漏れ電流を簡易な方法で抑制することが可能な静電吸着用電圧印加方法を提案する。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

Parallel electron beams ESW passing the aperture of an electron gun arranged in a measurement device are made to radiate in the shape of shower on the surface of a semiconductor wafer, and substrate current Ik is generated with this radiation.例文帳に追加

測定装置に配置された電子銃のアパーチャを通過した平行電子線ＥＳＷは、シャワー状に半導体ウエハの表面に照射され、この照射に伴って基板電流Ｉｋが発生する。 - 特許庁

The photoreceptor is produced by electrolytically treating the aluminum alloy substrate 1 in a sulfuric acid bath at ≤1.2 A/dm2 of current density and using the resulting anodic oxidation film as the UCL 2.例文帳に追加

このような感光体はアルミニウム合金基体を硫酸浴中で１．２Ａ／ｄｍ^2 以下の電流密度で電解処理して陽極酸化皮膜を形成し、これをＵＣＬとすることによって製造される。 - 特許庁

To prevent attachment of positively charged particles generated in a plasma apparatus onto a treated substrate due to falling of the particles, and to prevent damages to a plasma apparatus caused by leakage current or charge-up.例文帳に追加

プラズマ装置内に発生する正に帯電したパーティクルが処理基板上に落下して付着することを防止するとともに、リーク電流やチャージアップによるプラズマ装置へのダメージを防止する。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell which has a structure in which the electric power generated in photo-generation can be efficiently recovered through a current collecting conductor layer on the side of a second substrate and a large area can be realized advantageously.例文帳に追加

光発電により得た電力を第２基体側の集電導体層を介して効率よく回収可能で、大面積化に有利な構造の色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁

A value of Rz2-Rz1 obtained by deducting the ten-points average roughness Rz1 of the substrate 11A from the ten-points average roughness Rz2 of the negative electrode current collector 11 is made 0.2-5.1 μm or less.例文帳に追加

負極集電体１１の十点平均粗さＲｚ２から基材１１Ａの十点平均粗さＲｚ１を引いた差Ｒｚ２−Ｒｚ１の値は０．２μｍ以上５．１μｍ以下とされている。 - 特許庁

By inverting the direction of the current flowing in the electromagnet 11c to invert the force acting upon the magnet holding member 9, the rotary holding member 5 is turned so as to hold or release the substrate W.例文帳に追加

電磁石１１ｃに流れる電流の向きを反転させて磁石保持部材９に及ぼす力を反転させることによって、回動式保持部材５が基板Ｗを保持、開放するように回動する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode substrate which can modify the defectvive withstand voltage of a transistor without deteriorating the current driving capability of the transistor even while the film thickness of a gate insulating film is made thin.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の膜厚を薄くしながらもトランジスタの電流駆動能力を劣化することなく、耐圧不良を改善できる電極基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the exposure of a substrate is not performed, a light source controller 50 turns off each of semiconductor light-emitting elements 82 without supplying driving current to the multiple semiconductor light-emitting elements 82 of a light source 80.例文帳に追加

基板の露光が行われないとき、光源制御装置５０は、光源８０の複数の半導体発光素子８２へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子８２を消灯させる。 - 特許庁

In the process of forming the reflective conductive film, a direction in which the current of the semiconductor layer 12 flows is made different from a transport direction of the translucent substrate 1 by the inline sputtering device 80.例文帳に追加

そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層１２の電流が流れる方向とインラインスパッタリング装置８０での透光性基板１の搬送方向を異ならせる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element capable of preventing occurrence of cracks even if the period of a superlattice structure of a group III nitride semiconductor on a substrate is increased, while suppressing increase in leak current.例文帳に追加

リーク電流の増加を抑制しつつ、基板上のIII族窒化物半導体の超格子構造の周期数を増やした場合でもクラックの発生を抑制できる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The pulse electrolytic conditions set the ratio of the opening diameter and depth of the via holes and the conducting current density and the ratio between the conduction/downtime by the thickness or electric resistance of the conductive film formed on the substrate.例文帳に追加

パルス電解条件は、Viaホールの開口径と深さの比及び基板上に形成された導電膜の厚さあるいは電気抵抗により通電電流密度及び通電/休止時間比を設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose leakage current caused by crystal defects is small, a margin needed for the boundary of well areas is small, and having a DTMOS and a substrate bias variable transistor.例文帳に追加

結晶欠陥に起因するリーク電流が少なく、かつ、ウェル領域の境界に要するマージンが小さい、ＤＴＭＯＳ及び基板バイアス可変トランジスタを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a pMOS transistor and an nMOS transistor on the same substrate, wherein depletioning of a gate electrode is suppressed to obtain a sufficient on-current.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯＳトランジスタを同一基板上に有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極の空乏化を抑えて充分なオン電流を得ることことを目的とする。 - 特許庁

Besides, a plurality of TFD (thin film diode) elements with nonlinear current-voltage characteristics are arranged on the element substrate, and the respective TFD elements are connected to the corresponding respective pixel electrodes and the respective signal lines.例文帳に追加

そして、素子基板には、電流−電圧特性が非線形な複数のＴＦＤ素子が設けられ、各ＴＦＤ素子は対応する各画素電極及び各信号線に夫々接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of switching breakdown due to current concentration by immediately erasing holes residual in a semiconductor substrate at turn-off, while ensuring excellent on-resistance.例文帳に追加

良好なオン抵抗を確保しつつ、ターンオフ時に半導体基板中に残留する正孔を早期に消去して電流集中によるスイッチング破壊の発生を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the photovoltaic device, a rear-side electrode layer 9, a semiconductor photo-active layer 10, a transparent front-side electrode layer 5, and a current collection wiring layer 4 are formed on an insulating substrate 8.例文帳に追加

本発明の光起電力装置では、絶縁性基板８上に裏面電極層９、半導体光活性層１０、透明表面電極層５及び集電配線層４が形成される。 - 特許庁

To provide a fuse element capable of accelerating the alloying of a substrate and a deposit metal with a low melting point and quickly intercepting a circuit at the time of an excessive current, and a fusible link using the fuse element.例文帳に追加

更に基板と低融点デポジット金属との合金化が促進され、過電流時に速やかなる回路遮断が可能なヒューズエレメント及びこのヒューズエレメントを用いてなるヒュージブルリンクを提供する。 - 特許庁

To improve recovery characteristic of FWD without deterioration of current capability of IGBT in a semiconductor device in which IGBT and FWD are formed in parallel on the same substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＦＷＤとが同一基板上に並列に形成された半導体装置において、ＩＧＢＴの電流能力を低下させることなく、ＦＷＤのリカバリ特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a anti-diffusion film of a semiconductor device which can prevent the phenomenon that impurities diffuse into a semiconductor substrate, electrical resistance is made high and a leakage current is increased, and a manufacturing method of the anti-diffusion film.例文帳に追加

不純物が半導体基板内に拡散して、電気的抵抗を高くし、漏泄電流を増大させる現象を防止し得る半導体素子の拡散防止膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device on an SOI substrate for achieving both control of fluctuation in the threshold voltage of semiconductor device and elimination of reduction in current driving force.例文帳に追加

半導体装置の閾値電圧のばらつきの抑制と電流駆動力の低減の回避との両方を達成することを可能にするＳＯＩ基板上の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MISFET having higher current driving capability in a device structure using an Si_1-xGe_x layer on a silicon substrate, and further provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン基板上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を用いた素子構造において、電流駆動能力の高いＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a structure of sequentially laminating a contact layer 21B, a negative electrode current collector 21C, a metallic lithium layer 21D, and an inorganic compound layer 21E on a substrate 21A for deposition.例文帳に追加

負極２１は、成膜用基体２１Ａの上にコンタクト層２１Ｂ，負極集電体２１Ｃ，金属リチウム層２１Ｄおよび無機化合物層２１Ｅが順次積層された構造を有している。 - 特許庁

The CMOS output circuit is provided with a CMOS circuit comprising a PMOSFETP 10 and an NMOSFETN 10, formed on a semiconductor substrate, and operated by an operating current I_O.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴＰ１０と、ＮＭＯＳＦＥＴＮ１０とからなり半導体基板上に形成され、動作電流Ｉ_０により動作させるＣＭＯＳ回路を備えたＣＭＯＳ出力回路である。 - 特許庁

To provide an eddy current sensor capable of exactly detecting film thickness and the like from a very thin conductive film to a thick conductive film formed on a semiconductor substrate, for example.例文帳に追加

例えば半導体基板上に形成されるごく薄い導電性膜から比較的厚い導電性膜まで正確に膜厚等の検出を行うことができる渦電流センサを提供する。 - 特許庁

To restrain corrosion of a metal wiring layer 12 and degradation of a characteristic due to leakage current from the metal wiring layer 12 in an electrode substrate 1 having the metal wiring layer 12 and a transparent conductive layer 11.例文帳に追加

金属配線層１２と透明導電層１１を有する電極基板１において、金属配線層１２の腐食や金属配線層１２からの漏れ電流による特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

The P-type guard band layer 14 is formed so as to at least comprises the entire semiconductor substrate part below a bird's beak of an LOCOS film 12a, thus effectively preventing a leakage current.例文帳に追加

このＰ−型ガードバンド層１４は、少なくともＬＯＣＯＳ酸化膜１２ａのバーズビーク１５下の半導体基板部分を全て含むように形成されていることにより、効果的にリーク電流が防止される。 - 特許庁