「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a reset current conducting path between a reset-lever and an overhang of a circuit substrate, without the use of conductive parts, such as metal pins, and bending of leading end of the reset-lever.例文帳に追加

金属ピンなどの導電性部品を用いないで、且つリセットレバーの先端部を曲げないで、リセットレバーと回路基板のオーバーハングとの間にリセット電流導通路を形成すること。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter increased in extracted current by optimizing structures of a transparent electrode layer on the side of a substrate, an intermediate layer, and an electrode layer on the rear surface side.例文帳に追加

基板側の透明電極層、中間層、及び裏面側の電極層の構造が最適化されることにより、取り出し電流が増大した光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a coil-type electronic component that is reduced in eddy current loss, superior in impedance characteristics, can prevent pickup failures, and has packaging stability for a circuit substrate.例文帳に追加

渦電流損失が少なく、インダクタンス特性に優れ、ピックアップ不良を防止できると共に、回路基板に対する実装安定性を有する巻線型電子部品を提供すること。 - 特許庁

A magnetic RAM 300 comprises an access transistor TR formed on a substrate, first to third resistance change elements MTJ 1-3, and first to third current impression lines CSL 1-3.例文帳に追加

基板に形成されるアクセストランジスタＴＲ、第１ないし第３抵抗変化素子ＭＴＪ１〜３及び第１ないし第３電流印加ラインＣＳＬ１〜３を備えるマグネチックＲＡＭ３００。 - 特許庁

Only the MOS transistor 2 proximate to the output terminal 44 is provided with a diffusion layer 60 for extracting a surge current, inputted to the drain 22 from the output terminal 44, into the substrate 10.例文帳に追加

出力端子４４に近接するＭＯＳトランジスタ２のみが、ドレイン２２に出力端子４４から入力されるサージ電流を基板１０内に引き抜く拡散層６０を備えている。 - 特許庁

The antenna element 2 is configured so that a patch electrode 5 and a ground electrode 6 are provided on both top and bottom surfaces of a dielectric substrate 4 respectively, and current-feed pins 7 are connected to the patch electrode 5.例文帳に追加

アンテナ素子２は、誘電体基板４の上下両面にそれぞれパッチ電極５とアース電極６を設け、パッチ電極５に給電ピン７を接続して構成されている。 - 特許庁

Moreover, when a coil conductor layer for making the pulse current flow therethrough is formed between the insulator substrate 12 and the magnet layer 14, a thin film magnetic device becomes possible to be reduced in size and thinned.例文帳に追加

また、前記パルス電流を流すためのコイル導体層を、前記絶縁体基板１２と磁石層１４の間に形成すれば、薄膜磁気デバイスの小型化・薄型化が可能となる。 - 特許庁

In the ceramic heater, in which the resistance-heating element is formed on the ceramic substrate, grooves are formed in direction of parallel to one into which the current of the resistance-heating element flows.例文帳に追加

セラミック基板上に抵抗発熱体を形成したセラミックヒータであって、抵抗発熱体の電流が流れる方向と平行に溝が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁

Thus, the current detecting unit 17 momentarily detects the occurrence of the insulation breakdown even when the insulation breakdown of the lower electrode 12 takes place during the processing of a semiconductor substrate WF wherein plasma is generated.例文帳に追加

これにより、プラズマの生成される半導体基板ＷＦの処理中において、下部電極１２の絶縁破壊が起こったとしても、瞬時に電流検知器１７が検知する。 - 特許庁

The core substrate 11 has a portion 14 in which a current supply conductor 15 is formed, and a plurality of accommodation holes 90 having the conductor formation portion 14 therebetween.例文帳に追加

コア基板１１は、電流供給用導体１５が形成された導体形成部１４と、導体形成部１４を挟んで形成された複数の収容穴９０とを有する。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter capable of preventing deterioration in characteristics due to generation of an optical leakage current without fail and easily enlarging at a low cost even when using a light-transmitting substrate.例文帳に追加

光透過性基板を用いても、光リーク電流の発生による特性低下を確実に防止するとともに、安価で容易に大型化が可能な光電変換装置を提供する。 - 特許庁

This charge pump circuit is provided with a means for biasing the substrate potential of a MOS transistor M2 for control so that a forward current may not flow substantially to a parasitic diode DP1 throughout the all process of charge operation.例文帳に追加

チャージポンプ動作の全過程を通じて、寄生ダイオードDp1に実質的に順方向電流が流れないように、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２の基板電位をバイアスする手段を設ける。 - 特許庁

To provide a highly reliable package of storing an electronic component which can be hermetically sealed efficiently with a lower welding current while protecting an insulating substrate against cracking.例文帳に追加

より低い溶接電流で効率良く気密封止が可能で、絶縁基体にクラックが発生したりすることのない、信頼性の高い電子部品収納用パッケージを提供すること。 - 特許庁

A voltage is applied between a nozzle 30 and a target substrate 60 with a direct current power source 50, and a polymer solution 20 consisting of a polymer material dispersed in a solvent is discharged from the nozzle 30.例文帳に追加

ノズル３０とターゲット基板６０との間に直流電源５０で電圧を印加し、高分子材料を溶媒に分散させた高分子液２０をノズル３０から吐出させる。 - 特許庁

In an erasing operation, a direction in which a tunnel current is caused to flow from the control gate 7 to the floating gate 5 is essentially parallel with the principal plane of a silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、消去動作の際に、制御ゲート７から浮遊ゲート５へトンネル電流を流す方向が、シリコン基板１の主表面に対して実質的に平行な方向である。 - 特許庁

A shunt part R1 connected to at least one of the wiring parts L1-L8 and shunting a current supplied to the light emitting parts S1-S8 is formed on the supporting substrate.例文帳に追加

各配線部Ｌ１〜Ｌ８の少なくとも１つと接続され、発光部Ｓ１〜Ｓ８に供給される電流を分流する分流部Ｒ１を前記支持基板上に形成してなる。 - 特許庁

To provide a substrate and a manufacturing method thereof and the like for motor control and the like and also usable with a large current, and integrally configured so as to eliminate the necessity of ferrite core fixing.例文帳に追加

大電流にも使用可能なモータ制御用等の基板であって、一体で構成され、フェライトコアの固定等も不要な基板および基板の製造方法等を提供する。 - 特許庁

Those LED packages 10 are separated into a plurality of LED package groups, for example, for every group supplied with a current of the same size, on the inspection substrate 4.例文帳に追加

また、これら複数のＬＥＤパッケージ１０は、検査用基板４上において、例えば同じ大きさの電流が流されるグループごとに、複数のＬＥＤパッケージ群に分けられる。 - 特許庁

To provide a bipolar semiconductor element capable of preventing a forward-direction voltage from rising, by preventing minority carriers from reaching a substrate even under conditions of high temperature and high current density.例文帳に追加

高温や電流密度が高い条件下でも基板へ少数キャリアが到達するのを防いで、順方向電圧の増大を防ぐことができるバイポーラ半導体素子を提供する。 - 特許庁

A p-type SiC region 11 is formed as a current blocking region at a corresponding position on an n-type SiC substrate 10 to the bottom of a p-type Ohmic electrode 21.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１０のうち、ｐ型オーミック電極２１の下部に対応する位置に電流阻止領域としてのｐ型ＳｉＣ領域１１が形成されるようにする。 - 特許庁

In manufacturing a light emitting device 100, a light emitting layer portion 24 and a current diffusion layer 7 each comprising a III-V compound semiconductor are formed on a single crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

Sugar alcohol or a metal salt is added to the reagent layer 5 provided on an insulating substrate 1 as an additive for suppressing rise with the elapse of time of the background current.例文帳に追加

絶縁性基板１上に設けられた試薬層５に、バックグラウンド電流の経時的な上昇を抑制するための添加剤として、糖アルコール、もしくは金属塩を含む構成とする。 - 特許庁

To reduce depletion layer capacity, restrain an off electric current small and realize high speed responsiveness by restraining formation of a depletion layer 13 on a surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基材１１の表面に空乏層１３が形成されるのを抑えることにより、空乏層容量を小さくし、且つオフ電流を小さく抑え、高速応答を可能とする。 - 特許庁

A circuit substrate 32 having a clock function block 21 with a function setting clock function for counting the current time and a function for setting a time schedule is contained in a clock case 31.例文帳に追加

現在時刻を計時する時計機能およびタイムスケジュールを設定する機能を有した時計機能ブロック２１を実装した回路基板３２を時計ケース３１に収納する。 - 特許庁

The anode and the cathode of the PD3 are short-circuited, and infrared light Li' which is incident from a flank of the Si substrate 31 is converted by the PD 3 into a current which is consumed by a short-circuit circuit.例文帳に追加

一方、PD3のアノードとカソードとは短絡されており、Si基板３１の側面から入射する赤外光Li'はPD3で電流に変換され、その電流は短絡回路に流れて消費される。 - 特許庁

While the substrate 101 is held, a plated layer is formed as a wiring pattern by spouting a plating solution from the downside in a state where an electric current is supplied to the film 102 by using the electrode 203.例文帳に追加

その後、電極２０３を用いてカレントフィルム１０２に電流を供給している状態で、下側からメッキ液を吹き上げることにより、配線パターンとしてのメッキ層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of depositing an dielectric film to control the generation of a low-dielectric layer to have a high-dielectric constant and the property on the low leakage current between a silicon substrate and the dielectric film.例文帳に追加

シリコンと誘電膜との間に、低誘電層の発生を抑制して高い誘電定数と低い漏れ電流の特性とを有する誘電膜を蒸着する方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of cell transistors are formed on the semiconductor substrate, are provided corresponding to magnetic tunnel junction elements, and turn into a conducted state when the current flows through the corresponding magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

複数のセルトランジスタは、半導体基板に形成され、磁気トンネル接合素子に対応して設けられ、該対応する磁気トンネル接合素子に電流を流すときに導通状態となる。 - 特許庁

To provide a thin-film superconductive wire material having high critical current density in the construction that an RE123 superconductive layer is formed on a metal tape substrate, and a production process thereof.例文帳に追加

金属テープ基板上にＲＥ１２３系の超電導層を形成する構成において高い臨界電流密度を有する薄膜超電導線材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the heating process of the silicon substrate, either a heating method by infrared rays, micro waves or electronic rays or a resistance heating method by a current is preferably employed.例文帳に追加

シリコン基板を加熱する工程においては、赤外線、マイクロ波もしくは電子線の照射による加熱方法、または、電流による抵抗加熱方法のいずれかを用いることが好ましい。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

Only the resistance of a substrate pattern and connector contact between an equipment main unit and a secondary battery (between point A and point B) that is necessarily produced is used in place of a resistor for charging current sensing.例文帳に追加

充電電流検出用抵抗の代替えに、必ず発生する装置本体〜二次電池間（Ａ点〜Ｂ点間）の基板パターン及びコネクタ接触の抵抗のみを使用する。 - 特許庁

To provide a substrate incorporating a coil which can feed a high current to a planar coil conductor while preventing malfunction of a mounted IC due to heat generated from the planar coil conductor.例文帳に追加

平面コイル導体で発生した熱に起因して搭載されるＩＣが誤動作することなく、平面コイル導体に大電流を流すことができるコイル内蔵基板を提供すること。 - 特許庁

In the light source unit, a drive chip 213 on which a plurality of LED bare chips 211 and current supply circuits are formed is mounted directly on the same side 214a of a substrate 214.例文帳に追加

光源装置において複数のＬＥＤベアチップ２１１および電流供給回路が形成された駆動チップ２１３を基板２１４の同一の面２１４ａに直接実装する。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate and an active matrix type liquid crystal display device for simultaneously suppressing a back gate effect and the fluctuation of the characteristics of a thin film transistor due to an optical leakage current.例文帳に追加

バックゲート効果及び光リーク電流による薄膜トランジスタの特性の変動を同時に抑制する、薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Spacers 5 are scattered onto a substrate 2 by a capillary air current type spacer scattering method and the spacers 5 of spherical particles having 3 μm diameter are scattered with 300 pieces/mm^2 scattering density.例文帳に追加

スペーサー５の基板２への散布は細管気流型スペーサー散布方式で行い、３００個／ｍｍ_2の散布密度で直径３μｍの球状粒子のスペーサー５を散布した。 - 特許庁

In a protective element, a low-melting point metallic body 2 is disposed among a plurality of electrodes 4, 5 formed on a base substrate 1, and a current is intercepted by fusing the metallic body 2 with low melting point.例文帳に追加

ベース基板１上に形成された複数の電極４，５間に低融点金属体２が配され、低融点金属体２の溶断により電流が遮断される保護素子である。 - 特許庁

The method for electrochemically depositing the metal has a step in which at least two electrical pulses are applied to a substrate and a step in which at least one 0 voltage or time interval (off time) of current is provided between two pulses.例文帳に追加

基板に少なくとも２つの電気パルスを印加するステップと、２つのパルス間に少なくとも１つの０電圧または電流の時間間隔（オフ時間）を設けるステップを有する。 - 特許庁

An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

Thus, a large current for welding the connector of a drawer connector provided on the side of a main body frame (substrate unit) and the terminal of a drawer connector provided on the game board side does not flow.例文帳に追加

これにより、本体枠（基板ユニット）側に設けられたドロワコネクタのコンタクトと、遊技盤側に設けられたドロワコネクタのターミナルと、が溶着するほどの大電流が流れなくなる。 - 特許庁

When conductive power is generated by trimming and adheres to the substrate 2, the trimming position is the side opposite to other resistance elements 5, 5 and a circuit element, so that current leakage can be prevented.例文帳に追加

トリミングにて導電性粉体が生じて絶縁基板２に付着しても、トリミング位置が他の抵抗素子５，５や回路素子などに対して反対側で、電流リークを防止できる。 - 特許庁

To provide a high voltage transistor enabled to reduce the maximum substrate current and to guarantee an allowable hot carrier life without causing the degradation of driving capability of transistor.例文帳に追加

トラジスタ自体の駆動能力を犠牲にすることなく、最大基板電流を低減し、かつ許容されるホットキャリア寿命の保証を可能とする高耐圧ＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁