「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The heating device 22 heats a gas cell 21 in which gas-like alkali metal atoms are enclosed, and has a substrate 221 and heaters 222a, 222b, 222c and 222d which generate heat when supplied with electric current and which are disposed on the substrate 221.例文帳に追加

本発明の加熱装置２２は、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセル２１を加熱する装置であって、基板２２１と、基板２２１上に設けられ、通電により発熱する発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄとを有する。 - 特許庁

The digital protection controller is formed by mounting a semiconductor circuit performing protective control operation of a power system by receiving the current/voltage data of the power system on a main CPU substrate 2 or an FD-CPU substrate 3.例文帳に追加

本発明のディジタル保護制御装置は、電力系統の電流・電圧データを入力して電力系統の保護制御演算を実行する半導体回路を主ＣＰＵ基板２やＦＤ−ＣＰＵ基板３等に実装して形成される。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device having a substrate structure in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a window material 3 is irradiated with radiation in a state in which a CdTe substrate 2s is biased, radiation is made to emit on the semiconductor substrate 2s through the window material 3, and a radiation detection current flows between terminals 7c and 7b.例文帳に追加

ＣｄＴｅ基板２ｓにバイアスが与えられた状態で、窓材３に放射線が照射されると、放射線は窓材３を介して半導体基板２ｓに入射し、放射線検出電流として端子７ｃと端子７ｂとの間を流れる。 - 特許庁

The concentration distribution measuring device 10 comprises an insulating substrate 16, a sensor section 18 that is disposed on the insulating substrate 16 and has an amorphous silicon layer 21, and a light source 13 disposed so that the sensor section 18 is irradiated with a probe light of alternating current.例文帳に追加

濃度分布測定装置１０は、絶縁性基板１６と、絶縁性基板１６上に設けられ、且つ、アモルファスシリコン層２１を有するセンサ部１８と、センサ部１８に交流のプローブ光を照射するように設けられた光源部１３と、を備える。 - 特許庁

Then p-type InAsP current blocking layers 2 are formed to fill up the recessed sections of the diffraction grating surface by introducing the substrate 1 into an atmosphere containing a gas containing an element that becomes a p-type impurity, and raising the temperature of the substrate 1 up to 600°C.例文帳に追加

次に、基板を、ｐ型の不純物となる元素を含む気体を含む雰囲気中に導入して６００℃まで昇温することにより、ｐ型ＩｎＡｓＰからなる，回折格子面を埋めるｐ型電流阻止層２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a leakage current flowing at the interface between a silicon layer and an embedded layer cannot be generated due to the potential difference between the silicon layer and a support substrate in an offset-type transistor being formed on an SOI substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したオフセット型トランジスタであって、シリコン層と支持基板との電位差によって、シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The vacuum device includes: a first substrate 1 having a cathode electrode with an emitter formed thereon; a second substrate 2 having an anode electrode; and a getter box 3 having a current-carrying type getter 12 housed therein for keeping a space in the vacuum device in a vacuum condition.例文帳に追加

真空装置は、エミッタが形成されたカソード電極を有する第１基板１と、アノード電極を有する第２基板２と、真空装置内の空間を真空に維持するための、通電型ゲッター１２が収納されたゲッターボックス３とを備える。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

To provide a susceptor and an equipment provided with the susceptor for gas phase thin film growth that can decrease contamination of a semiconductor substrate caused by flowing up of gas current including impurity such as metal when thin film is grown on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜を形成する際、金属等の不純物を含んだガス気流の舞い上がりによる半導体基板の汚染を低減することができるサセプタおよびそれを配備した気相薄膜成長装置を提供する。 - 特許庁

A corresponding mounting head 34 further mounts a jig chip component thereon and the substrate recognition camera 35 of the same working head recognizes the positional relation between the current correct substrate recognition camera 35 and the mounting head 34 by recognizing the jig chip component.例文帳に追加

この上に、これに対応する搭載ヘッド３４が治具チップ部品を載置し、この治具チップ部品を、同一作業ヘッドの基板認識用カメラ３５が認識して、現在の正しい基板認識用カメラ３５と搭載ヘッド３４間の位置関係を認識する。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cells 1, 201 each include a first substrate 13, a second substrate 20, a translucent conductive layer 14, a semiconductor electrode 15, a catalyst electrode 23, a current collecting conductor 42, a plurality of relay connectors 51, a resin protection part 121, and the like.例文帳に追加

色素増感型太陽電池１，２０１は、第１基体１３、第２基体２０、透光性導電層１４、半導体電極１５、触媒電極２３、集電導体４２、複数の中継接続体５１、樹脂製保護部１２１等を備える。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 120 is provided with a first substrate 13, a second substrate 25, a translucent conductive layer 14, a semiconductor electrode 15, a catalyst electrode 23, a current collecting conductor layer 41, a plurality of relay connectors 51 and resin protective parts 61, 62 or the like.例文帳に追加

色素増感型太陽電池１２０は、第１基体１３、第２基体２５、透光性導電層１４、半導体電極１５、触媒電極２３、集電導体層４１、複数の中継接続体５１、樹脂製保護部６１，６２等を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is high breakdown voltage MOSFET, formed on an SOI substrate and which will not cause leakage current to flow in the boundary face of a low concentration region and an implanted oxidized film by the potential difference of the low concentration region and a support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、低濃度領域と支持基板との電位差によって、低濃度領域と埋め込み酸化膜の境界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method of depositing the metallic layer containing metal on the substrate surface has a process step of immersing the substrate in a first solution which contains a depolarizing agent and in which the metal ions do not substantially exist and a process step of immersing the substrate into a second solution containing the metal ions described above while passing an electric current between the substrate and an anode.例文帳に追加

基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、前記基板を、復極剤を含み、かつ、実質的に前記金属イオンが存在しない第一溶液に浸す工程と、その後に、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオンを含有する第二溶液に浸す工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A planar image detecting device 10 (electrostatic recording body) formed on a thin sheet glass substrate 5 and for recording radiograph information as an electrostatic latent image and generating a current corresponding to the electrostatic latent image by scanning the reading surface with the reading light made incident from the glass substrate side, is supported by a glass base 6 which is thicker than the glass substrate 5 from the glass substrate 5 side.例文帳に追加

薄板状のガラス基板５上に形成された、放射線画像情報を静電潜像として記録し、該ガラス基板側から入射された読取光で読取面を走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生する平面状の画像検出器１０（静電記録体）を、ガラス基板５側から該ガラス基板５よりも厚いガラス基台６で支持する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for irradiating a substrate 12 being processed with charged particles 13 through a stencil mask 11 having an opening disposed oppositely to the substrate 12 being processed, wherein the potential difference between the stencil mask 11 and the substrate 12 being processed is regulated depending on the level of a current flowing between the substrate 12 being processed and the ground.例文帳に追加

被処理基板１２に対して対向して配置された、開口部を有するステンシルマスク１１を介して、前記被処理基板１２に荷電粒子１３を照射する工程において、前記被処理基板１２とグランドの間を流れる電流値に応じて、前記ステンシルマスク１１と前記被処理基板１２との電位差を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A positive electrode active material layer 2 and a positive electrode current collector layer 4 are laminated at one face of an electrolyte film 1 including lithium ion conductive glass ceramics as a supporting substrate, and a negative electrode active material layer 3 and a negative electrode current collector layer 5 are laminated at the other face.例文帳に追加

支持基材としてのリチウムイオン伝導性ガラスセラミックスを含む電解質フィルム１の一方の面に正極活物質層２、正極集電体層４が積層され、他方の面に負極活物質層３、負極集電体層５が積層された。 - 特許庁

To efficiently manufacture on the same semiconductor substrate a high breakdown voltage LOCOS offset transistor with a structure having no off leakage current by providing no LDD region and a regular low breakdown voltage transistor with a structure having no off leakage current by providing an LDD region.例文帳に追加

ＬＤＤ領域を設けないでオフリーク電流をなくした構成の高耐圧のＬＯＣＯＳオフセットトランジスタとＬＤＤ領域を設けてオフリーク電流をなくした構成の通常の低耐圧トランジスタを同一半導体基板上に効率的に製造すること。 - 特許庁

The energy gap of the current diffusion layer 16 is made larger than that of the active layer 14 while the GaP substrate 12 and the InGaP current diffusion layer 16 at the top layer are made transparent to the radiation light from the InAlGaP active layer 14, for raised light-emission efficiency.例文帳に追加

また、電流拡散層１６のエネルギーギャプを、活性層１４のエネルギーギャプよりも大きくして、ＧaＰ基板１１と最上層のＩnＧaＰ電流拡散層１６とをＩnＡlＧaＰ活性層１４からの放射光に対して透明にして発光効率を高める。 - 特許庁

In an region facing the sense region in a second principal plane side of the semiconductor substrate, only a collector region (p+) is provided where current proportional to current which flows through an IGBT element flows between the collector region and an emitter region (n+) provided in the first principal plane side.例文帳に追加

半導体基板の第２主面側の、センス領域との対向領域には、第１主面側に設けたエミッタ領域（ｎ＋）との間で、ＩＧＢＴ素子に流れる電流に比例した電流が流れるコレクタ領域（ｐ＋）のみが設けられている。 - 特許庁

This organic EL element has a first electrode 20, an organic compound layer 22 and a second electrode 24, all provided in a luminescent area on a substrate, with a current supplied from a source of current to the organic compound layer 22 via the first and second electrodes 20, 24.例文帳に追加

発光領域において基板上には第１電極２０、有機化合物層２２、第２電極と２４を備え、第１及び第２電極２０、２４を介して有機化合物層２２に電流源からの電流を供給する有機ＥＬ素子である。 - 特許庁

The power semiconductor module 11A comprises an electrode 48 where the primary principal surface is connected and the main current flows, an electrode 60 where the secondary principal surface is connected and the main current flows, a semiconductor substrate, a capacitor 46, and a resin 70 sealing the electrodes 48 and 60.例文帳に追加

パワー半導体モジュール１１Ａは、第１の主面に接合され、主電流が流れる電極４８と、第２の主面に接合され、主電流が流れる電極６０と、半導体基板、コンデンサ４６、電極４８，６０を封止する樹脂部７０とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device to be calculated for service life, a current decreasing period between the start of application of a constant voltage to between the gate electrode and semiconductor substrate and the transition of a decrease in current flowing in the gate insulation film to an increase therein is obtained (S118).例文帳に追加

寿命算出用の半導体装置について、「ゲート電極と半導体基板間への定電圧の印加開始時からゲート絶縁膜に流れる電流が減少傾向から増加傾向に転じるまでの電流減少期間」を求める（Ｓ１１８）。 - 特許庁

A lower current route comprised of an N-type area 5, a P-type area 6 and an N-type area 7 is formed in the silicon substrate 2, and an upper current route comprised of an N-type area 8, a P-type part 9 and an N-type part 10 is formed in the silicon film 4.例文帳に追加

シリコン基板２には、Ｎ型領域５、Ｐ型領域６及びＮ型領域７からなる下側の電流経路を形成し、シリコン膜４には、Ｎ型部分８、Ｐ型部分９及びＮ型部分１０からなる上側の電流経路を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for electron source forming which is capable of suppressing a leakage current at a low level, and reducing a change in properties with time of a leakage current and efficiency, etc. in electron emission, and further substantially decreasing a variation in electron-emitting properties .例文帳に追加

電子放出素子のリーク電流を低く抑え、リーク電流や電子放出効率などの電子放出特性の経時的変化を低減することができ、電子放出特性のばらつきを大幅に低減することができる電子源形成用基板を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element which has an n-type layer, an active layer, and a p-type layer formed on a substrate is provided with a current stricture layer on the n-type layer side, and the current stricture layer is formed of p- or i-type AlxGa1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

基板上に形成されたｎ型層、活性層及びｐ型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、ｎ型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をｐ型又はｉ型のＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）とした。 - 特許庁

Relating to a TFT substrate 1, a current supply bus line 26 which supplies current to a lower electrode of an organic EL layer is formed outside a display region 10 where the organic EL layer and a drive TFT are formed, and contact holes 28 for supplying current to an upper electrode of the organic EL layer are formed in its outside.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１には有機ＥＬ層、駆動ＴＦＴ等が形成されている表示領域１０の外側に有機ＥＬ層の下部電極に電流を供給する電流供給母線２６等が形成され、その外側には有機ＥＬ層の上部電極に電流を供給するためのコンタクトホール群２８が形成されている。 - 特許庁

There is provided a power MOSFET 100 that has one main MOSFET 61 and two sense MOSFETs 62 and 63 which are formed on the same semiconductor substrate, and that has a stabilized sense ratio by selecting the sense MOSFETs 62 and 63 according to a current to be used for changing a sense ratio thereby reducing variance in a sense ratio from a low current to a large current and making the variance constant.例文帳に追加

1つのメインＭＯＳＦＥＴ６１と２つのセンスＭＯＳＦＥＴ６２、６３を同一の半導体基板に形成し、使用する電流によってセンスＭＯＳＦＥＴ６２、６３を選択してセンス比を変えることで、低電流から大電流までセンス比のばらつきが小さく一定にしてセンス比を安定化したパワーＭＯＳＦＥＴ１００を提供する。 - 特許庁

When the displacement current occurs, it reaches the support substrate 2 through a displacement current extraction layer 19 and the shielding layer 3b from virtual GND wiring 17b, in a high-potential reference circuit section HV and flows to GND wiring 17a through the shielding layer 3b and the displacement current extraction layer 19 in the low-potential reference circuit section LV.例文帳に追加

これにより、変位電流が発生した場合には、高電位基準回路部ＨＶの仮想ＧＮＤ配線１７ｂから変位電流引抜き層１９およびシールド層３ｂを通じて支持基板２に至ったのち、低電位基準回路部ＬＶのシールド層３ｂおよび変位電流引抜き層１９を通じてＧＮＤ配線１７ａに流れる。 - 特許庁

The display device has a plurality of pixel parts arranged in a matrix on a substrate and each of the pixel parts includes a display element 16, and a pixel circuit which has a driving transistor 22 supplying a driving current corresponding to a signal current to the display element, a switch 24 holding the signal current to be written to the driving transistor, and a holding capacitor Cs.例文帳に追加

表示装置は、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を有し、各画素部は、表示素子１６と、信号電流に応じた駆動電流を表示素子に供給する駆動トランジスタ２２、この駆動トランジスタに書き込まれる信号電流を保持するスイッチ２４、および保持容量Ｃｓを有した画素回路と、を含んでいる。 - 特許庁

A laser diode 54 functioning as a life decision means inputting a driving current equivalent to a driving current inputted in a control element 52 arranged on a control substrate 50 performing the driving control of a light deflector 30 is arranged, and the working time of the deflector 30 is calculated by measuring the driving current or the light quantity of the laser diode 54.例文帳に追加

光偏向器３０の駆動制御を行う制御基板５０上に配置された制御素子５２に入力される駆動電流と等価な駆動電流を入力する寿命判定手段としてのレーザダイオード５４を配置し、該レーザダイオード５４の駆動電流又は光量を測定することによって、光偏向器３０の稼動時間を算出する。 - 特許庁

To reduce defects of breakdown strength in a trench-type semiconductor device of a structure, with a trench being formed in a semiconductor substrate and a current path being provided on the sidewall of the trench and under the bottom of the trench.例文帳に追加

半導体基板上にトレンチを形成し、そのトレンチ側壁及び底部に電流経路を配設したトレンチ型半導体装置において、耐圧不良の低減を図る。 - 特許庁

To provide a small and high-efficient switching power supply unit using a metal base substrate, which can suppress a switching noise current to be leaked to an input power supply side.例文帳に追加

金属ベース基板を用いた小型、高効率のスイッチング電源装置であって、入力電源側に漏洩するスイッチングノイズ電流を抑制したスイッチング電源装置を提供する。 - 特許庁

The inductor and the substrate are roughly completely shielded by the first and second shield patterns, and at the same time, this semiconductor device can suppress the occurrence of an eddy current by the cut of the first shield pattern, too.例文帳に追加

第１、第２のシールドパターンによりインダクタと基板とはほぼ完全にシールドされ、同時に第１のシールドパターンの切り込みにより渦電流の発生をも抑制することができる。 - 特許庁

Further, with the use of ultraviolet ray laser beams, the resolution in line width is about 0.5 μm level, allowing a fine polycrystalline TFT with high current driving capacity to be formed on a large-area substrate.例文帳に追加

また、紫外線レーザビームを使用するので、線幅の解像度を０.５μｍ程度にでき、大面積基坂上に電流駆動能力が高く高精細な多結晶ＴＦＴを形成できる。 - 特許庁

To provide spiral cross-coupled inductors featuring low energy loss caused by eddy current generated in an IC substrate and a small occupied area, which have strong mutual coupling between the inductors.例文帳に追加

インダクター間に強い相互結合を有し、ＩＣ基板に生成される渦電流に起因したエネルギー損失が低く、占有面積の小さい、交差結合されたらせん状インダクターを提供する。 - 特許庁

Since the active region of the second element is formed by avoiding the border surface between the support substrate and the second semiconductor layer, the leak current is suppressed, thereby enhancing the characteristic of the device.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

To provide a metal core substrate which can reduce conventional components such as branch lines, connectors, and the like, while coping with large current specifications, and can be housed in a power supply box of irregular shape.例文帳に追加

分岐線やコネクタなどの従来の構成部品の削減ができて、しかも大電流仕様に対応でき、さらに、異形電源ボックスの中に収納可能なメタルコア基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which can suppress an increase in resistance in a current passage as well as an intense peak emerging on the side of a substrate in a vertical lateral mode.例文帳に追加

電流通路の抵抗が増加するのを抑制し、かつ、垂直横モードの基板側に強いピークが表れてしまうのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The equivalent circuit 10 of the electrostatic discharge element has an n-type MOSFET 11, an npn-type parasitic BJT 12, a current source 13, a substrate resistance 14, and a parasitic diode 15.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子の等価回路１０は、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１、ｎｐｎ型寄生ＢＪＴ１２、電流源１３、基板抵抗１４及び寄生ダイオード１５とを有している。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device which confirms, on a digital type gas pattern panel, current values of gas pressure, vacuum pressure, a solution remaining quantity, piping temperature, and a gas flow rate, and changes the setting of the gas flow rate.例文帳に追加

デジタル式ガスパターンパネル上でガス圧や真空圧、溶液残量、配管温度、ガス流量の現状値の確認、ガス流量の設定の変更が可能な基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a circuit from malfunctioning by suppressing a flow of a displacement current due to parasitic capacitance by a buried oxide film by suppressing potential interference through a support substrate.例文帳に追加

支持基板を介した電位干渉を抑制し、埋込酸化膜による寄生容量に起因する変位電流が流れることを抑制することにより、回路の誤作動を防止する。 - 特許庁

To improve carrier mobility of a CMOS device and to prevent deterioration of reliability of a memory due to leakage current when the CMOS device and a memory are formed on the same substrate.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイス等と、メモリ等とを同一基板に形成した場合において、ＣＭＯＳデバイスのキャリア移動度を向上し、且つリーク電流によりメモリの信頼性が低下するのを防止する。 - 特許庁

A current drive type device comprises a display region 6 for arranging a pixel provided with an EL element and a pixel circuit on a substrate in the form of a matrix, and the row control circuit 37 for controlling the pixel circuit in each row.例文帳に追加

基板上に、ＥＬ素子と画素回路とを備えた画素がマトリクス状に配置された表示領域６と、画素回路を列ごとに制御する列制御回路３７と、を備える。 - 特許庁