「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide suitable current driving force, respectively in p-channel and n-channel field effect transistors of a finned structure formed on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に形成されたフィン型構造のｐチャネルおよびｎチャネル電界効果トランジスタにおいてそれぞれ適する電流駆動力を得る。 - 特許庁

When the case 110 swells, the resistance of the safety element 120 changes, thereby a protection circuit substrate 130 decreases or cuts off the charge and discharge current.例文帳に追加

ケース１１０とスウェリングされると安全素子１２０の抵抗が変化することにより，保護回路基板１３０は充放電電流を減少または遮断する。 - 特許庁

To realize a determination method of a substrate adaptable to an once-disposable type biosensor and capable of excluding at least the irregularity of a background current.例文帳に追加

一回使い捨てタイプのバイオセンサに適用可能であって、少なくともバックグラウンド電流のバラツキを排除できる基質の定量方法を提供すること。 - 特許庁

The electric power supply 41 is arranged on the substrate holder 5a so that a plurality of electrical components 43 that control the lighting current of the LED 23 are mounted on a power board 42.例文帳に追加

電源装置41を、ＬＥＤ23の点灯電流を制御する複数の電気部品43を電源基板42に実装して形成して、基板収容部5aに配設する。 - 特許庁

To provide an image reader which can deter an improper current from flowing to a substrate and is reducible in manufacturing cost.例文帳に追加

基板に不当な電流が流れることを抑制することができ、かつ製造コストの低減化をも図ることができる画像読み取り装置を提供する。 - 特許庁

The substrate bias control circuit 9 has a noise sensing circuit 12 for detecting noise occurring on the connected circuit block 11, and a current control circuit 13 for controlling the substrate bias voltage of the connected circuit block 11 by inputting/outputting a current to/from the substrate terminal of the connected block 11 in response to an output signal from the circuit 12.例文帳に追加

基板バイアス制御回路９は、接続された回路ブロック１１に発生したノイズを検知するノイズ検知回路１２と、ノイズ検知回路１２の出力信号に応じて接続された回路ブロック１１の基板端子に対して電流を入出力することにより、接続された回路ブロック１１の基板バイアス電圧を制御する電流制御回路１３とを有している。 - 特許庁

To provide such a technology that can apply flash irradiation in a state where the temperature gradient of substrate surface is relieved, in a heat treatment apparatus and a heat treatment method by which an air current is formed around the substrate and assist heating and flash irradiation are applied to the substrate.例文帳に追加

基板の周辺に気流を形成しつつ、当該基板に対してアシスト加熱および閃光照射を行う熱処理装置または熱処理方法において、基板表面の温度勾配を緩和した状態で閃光照射を行うことができる技術を提供する。 - 特許庁

This semiconductor light emitting element is provided with a semiconductor substrate 11, a semiconductor light emitting layer 12 formed on the substrate 11, and a pair of electrodes 13 and 14 which are formed on the substrate 11 and cause the layer 12 to emit light by supplying an electric current to the layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１と、前記半導体基板上に形成された半導体発光層１２と、半導体基板上に形成され、半導体発光層に電流を供給してこの半導体発光層から発光させる１対の電極１３、１４とを備えている。 - 特許庁

A double-sided copper foil substrate 3 where copper foil layers are formed on both surfaces of a base material uses a translucent resin as a base material, the LEDs 6 are loaded on a primary surface of the substrate, and the circuit patterns 4c, 4d for supplying current to the LEDs are formed on the primary surface of the substrate.例文帳に追加

光透過性樹脂を基材として、当該基材の両面に銅箔層が形成された両面銅箔基板３が用いられ、前記基板の第１の面には、ＬＥＤ６が搭載されると共に、当該ＬＥＤに対する電流供給用の回路パターン４ｃ，４ｄが形成される。 - 特許庁

A signal corresponding to the light quantity incident from the rear surface of the semiconductor substrate is outputted by voltage or current, and the protective layer composed of two layers is provided to the rear surface of the semiconductor substrate so that discoloration of the rear surface of the semiconductor substrate is prevented and utilization efficiency of light can be improved.例文帳に追加

半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面に２層からなる保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 - 特許庁

A Schottky diode 1 includes a substrate 2, a channel layer 3 composed of a nitride system chemical compound semiconductor formed on the substrate 2, an anode electrode 4 and a cathode electrode 5 forming the end of a current path of the semiconductor device, and a dummy electrode 11 electrically connected to the substrate 2.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、基板２と、基板２上に形成され窒化物系化合物半導体から構成されたチャネル層３と、半導体素子の電流路の端部を構成するアノード電極４及びカソード電極５と、基板２と電気的に接続されたダミー電極１１と、を備えている。 - 特許庁

The plating apparatus has a plurality of plating tanks 414a, 414b and 414c, and the plated film is formed on a surface of a substrate sequentially in different plating tanks, while a single plating power source 416 passes an electric current between the substrate and an anode of the plating tank in which the substrate has been stored.例文帳に追加

複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 - 特許庁

To provide a substrate for a light-emitting element which can manufacture the light-emitting element of a group III polarity on both faces of a monocrystal substrate of a nitride semiconductor, and to provide a light-emitting device which has the substrate, reduces an amount of current injection per element, and increases a brightness without increasing a size of one element.例文帳に追加

窒化物半導体の単結晶基板の両面に、III族極性の発光素子を作製することが可能な発光素子用基板、およびそれを具備し、１素子当たりの電流注入量を低下させ、また1素子のサイズを大きくすること無く高輝度化した発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI-MOSFET operating as a high driving current low parasitic capacitance with a low substrate bias coefficient by varying the substrate depletion layer capacitance when a variable threshold voltage CMOSFET is realized and the threshold voltage is increased by a high substrate bias coefficient during standby.例文帳に追加

閾値電圧可変ＣＭＯＳＦＥＴを実現する際、基板空乏層容量を変化させ、動作時に、低い基板バイアス係数で高駆動電流かつ低寄生容量のデバイスとして動作し、待機時に、高い基板バイアス係数により、閾値電圧を高くするＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate that can reduce problems, such as occurrence of uneven peel of passivation film or watermark and impurity adsorption onto a Si substrate, thereby effectively preventing occurrence of white scratch defects due to dark current when making a solid state imaging device with the substrate.例文帳に追加

表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びＳｉ基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a specific time elapses, the stirring mechanism 16 stirs the atmosphere around the substrate 90, thus canceling the residence of an air current formed on the surface of the substrate 90, and stirring and eliminating the atmosphere, where the gas constituent concentration of the chemical liquid is high, from the atmosphere around the substrate 90.例文帳に追加

所定の時間が経過した後、攪拌機構１６が基板９０の周辺雰囲気を攪拌することにより、基板９０の表面に形成される気流の滞留を解消し、基板９０の周辺雰囲気から薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を攪拌除去する。 - 特許庁

To provide such a layout that local electro-current constriction on a substrate caused by an electromagnetic field from a bus bar in power conversion equipment in which bus bars are disposed so that they are overlapped with part of the substrate as viewed from a direction perpendicular to the substrate mounted with a semiconductor switching element.例文帳に追加

半導体スイッチング素子が搭載される基板に対して垂直方向から見て基板の一部と重なるようにバスバーが配置された電力変換装置において、バスバーからの電磁界による基板上での局所的な電流集中を防止するような配置レイアウトを提供する。 - 特許庁

The current collector for the bipolar secondary battery includes a substrate made of a polymer material and conductive carbon dispersed in the substrate, and the content of the conductive carbon is 1-40 pts.mass to the mass of the substrate, and a porosity is ≤10%.例文帳に追加

本発明の双極型二次電池用集電体は、高分子材料からなる基材と、前記基材に分散された導電性カーボンとを含み、前記導電性カーボンの含有量が、前記基材の質量に対して、１質量部以上４０質量部未満であり、空孔率が１０％以下である。 - 特許庁

Contamination evaluation is executed to the semiconductor substrate on the way of manufacturing in the manufacturing line of the semiconductor device, and if the substrate current value does not satisfy a condition specified by a proceeding step working process, an optimum cleaning process purposing the removal of the adsorbed substances on the substrate surface is applied.例文帳に追加

また、半導体装置の製造ラインにおいて製造途中の半導体基板に対して汚染評価を実施し、基板電流値が後段階作業工程の定める条件を満たさない場合は基板表面吸着物質の除去を目的とする最適な洗浄工程を実施する。 - 特許庁

While forming a sealed space 1 inside the substrate, the protecting case 4 is functioned as a heat sink for thermally contacting an outer peripheral part inside the substrate and creating a temperature gradient, with which a temperature is high at a central part on the inner surface of the substrate and the temperature becomes low toward the periphery when the hot air current is received.例文帳に追加

保護ケース４は基板内側に密封空間１を形成すると共に基板内側の外周部に熱的に接触し、熱気流を受けた際に基板内面の中央部の温度が高く周囲に行くほど温度が低下する温度勾配を作り出すヒートシンクして機能する。 - 特許庁

A first optical sensor (an optical sensor 12 for measuring external light illuminance) for measuring the external light illuminance and a second optical sensor (an optical sensor 13 for measuring a background current) for measuring the background current are installed on the array substrate 2.例文帳に追加

アレイ基板２上に、外光照度を計測する第１の光センサ（外光照度計測用光センサ１２）と、バックグラウンド電流を計測する第２の光センサ（バックグラウンド電流計測用光センサ１３）が設置されている。 - 特許庁

An n-AlGaInP clad layer 204, an active layer 206, a p-AlGaInP clad layer 208 and a p-AlGaAs current diffusion layer 210 are sequentially laminated on an n-GaAs substrate 202 so as to have a current constriction mesa structure.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２０２上に、順次、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、活性層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０８、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０が電流狭窄メサ構造に積層される。 - 特許庁

Due to the formation of the oxidation product 34, the leakage current 30 becomes difficult to flow along the crystal defect 32, and the leakage current 30 flowing between a compound semiconductor substrate 6 and a metal film 2 can be reduced.例文帳に追加

酸化物３４が形成されることによって、リーク電流３０が結晶欠陥３２に沿って流れにくくなり、化合物半導体基板６と金属膜２の間に流れるリーク電流３０を低下させることができる。 - 特許庁

If the p-type SiC region 11 is thus formed as a current blocking region on the n-type SiC substrate 10, a current blocking region can be formed by e.g. ion implantation without using the epitaxial growth process.例文帳に追加

このように、ｎ型ＳｉＣ基板１０に電流阻止領域としてのｐ型ＳｉＣ領域１１を形成すれば、エピタキシャル成長工程によらずに、例えばイオン注入によって電流阻止領域を形成することができる。 - 特許庁

A DC stress is applied to a transistor under maximum substrate current conditions or maximum gate current conditions and as a result, a coefficient H and an exponent (m) are corrected in accordance with the voltage acceleration coefficient and the life of obtained data (S2a).例文帳に追加

基板電流モデル，ゲート電流モデルなどによる実験と、シミュレーションのモデル式の作成とを行なった後、ＤＣストレス印加実験を行ない、実験データに基づいてホットキャリア寿命パラメータであるＨ，ｍを補正する。 - 特許庁

To provide a liquid-treating device which prevents an air current, as much as possible, from having an influence on the flow of an emitted gas or emitted liquid, the air current being generated below a susceptor which horizontally holds a substrate and rotates; to provide a liquid-treating method.例文帳に追加

基板を水平に保持して回転する基板保持体の下方において発生する気流が、排気や排液の流れに与える影響を極力低減できる液処理装置および液処理方法を提供する。 - 特許庁

The energy device has a sheet-like battery cell 20 in which at least a positive electrode current collector 27, a negative electrode current collector 23, electrode active materials 26, 24, and an electrolyte 25 are laminated, and a substrate 10 alternately laminated in a plurality of times.例文帳に追加

少なくとも、正極集電体２７、負極集電体２３、電極活物質２６，２４、及び電解質２５が積層されたシート状の電池セル２０と、基板１０とが交互に複数回積層されたエネルギーデバイスである。 - 特許庁

To automatically control the beam current of an electron beam irradiated from a filament to a constant value, and to control the beam current to the constant value without stopping a production line in a TFT array substrate inspection device incorporated in the production line.例文帳に追加

フィラメントから照射される電子ビームのビーム電流を自動で一定値に制御し、また、生産ラインに組み込まれたＴＦＴアレイ基板検査装置において、ビーム電流の一定値制御を、生産ラインを停止することなく行う。 - 特許庁

A second current collecting electrode 72 installed on the other surface of the substrate 4 and a through hole conductor 41 connecting the second current collecting electrode 72 and the catalyst layer 51 may be installed like a dye-sensitized solar cell 203.例文帳に追加

また、色素増感型太陽電池２０３のように、基板４の他面に設けられた第２集電電極７２及び第２集電電極７２と触媒層５１とを接続するスルーホール導体４１を有していてもよい。 - 特許庁

Thereby, even if a fine leak current less than sub-threshold current flows, such a discrepancy that the internal voltage becomes too low because a potential difference between the source and substrate becomes too large can be improved.例文帳に追加

こうして、サブスレショルド電流以下の微小リーク電流が流れる場合でも、ソースと基板との間の電位差が大きくなりすぎて、内部電圧が下がりすぎるといった不具合を改善することが可能な構成となっている。 - 特許庁

An electronic device is provided with pixel structure in which an FET for switching 201 and an FET for current control 202 are formed on a single crystal semiconductor substrate 11, and an EL element 203 is connected electrically to the FET for current control 202.例文帳に追加

単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。 - 特許庁

An NMOS transistor (N2) forward biases the substrate (back gate) of the MOS transistor (P1) by generating a current (I2) which changes in accordance with the degree of the fluctuation of the power-supply voltage, and converting the current (I2) into a voltage by means of a resistor (R3).例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）は、電源電圧の変動の程度に応じて変化する電流（Ｉ２）を生成し、その電流（Ｉ２）を抵抗（Ｒ３）により電圧に変換し、ＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）の基板（バックゲート）をフォワードバイアスする。 - 特許庁

Furthermore, the device 18 acquires a reference data that shows a relationship between film thickness and substrate current in a reference sample, takes the reference data into consideration, and calculates the film thickness of the thin film on the basis of the corrected board current value.例文帳に追加

膜厚測定装置１８は、標準試料における膜厚と基板電流との関係を示す参照データを取得し、参照データを考慮して、補正された基板電流値から測定対象の薄膜の膜厚を算出する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring current, capable of measuring minute current which flows in a measurement sample such as a semiconductor substrate or the like under a probe irradiation such as an electron beam or the like, over a wide frequency band with low noises.例文帳に追加

電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a pixel structure in which an FET for switching 201 and an FET for current control 202 are formed on a single crystal semiconductor substrate 11 and an EL(electroluminescent) element 203 is connected electrically to the FET for current control 202.例文帳に追加

単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。 - 特許庁

When the signal line O6 is a negative voltage, the gate of the first N channel enhancement MOS transistor Qn 63 becomes a negative voltage, such that a substrate current does not flow and hardly becomes shallow and current consumption is reduced as well.例文帳に追加

ここで、信号線Ｏ６が負の電圧であるとき、第１のＮチャネル型エンハンスメントＭＯＳトランジスタＱｎ６３のゲートが負の電圧になることにより、基板電流が流れず基板電圧は浅くなりにくく消費電流も少ない。 - 特許庁

To obtain a low-threshold current and a low-operation current by sufficiently increasing the reflectivity of an end mirror, even if employing an epitaxial growing substrate composed of silicon to a semiconductor laser structure composed of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体からなる半導体レーザ構造に、シリコンからなるエピタキシャル成長用基板を用いたとしても、端面ミラーの反射率を十分に大きくして、低しきい値電流及び低動作電流を実現できるようにする。 - 特許庁

This limiting current type oxygen sensor having a desired output current value is manufactured by selecting a negative plate 3 having a prescribed area at the manufacturing time against a fixed positive plate 1 and the porous oxygen gas rate determiner substrate 4.例文帳に追加

一定の陽極板１及び多孔質酸素ガス律速体基板４に対し、製造時には、所定面積の陰極板３を選択することによって、所望の出力電流値を有する限界電流式酸素センサを製造する。 - 特許庁

To prevent a current from an analog circuit and a current from a digital circuit from being mixed through a substrate, and to reduce noise to an analog signal in a semiconductor chip where the analog and digital circuits are mixedly mounted.例文帳に追加

アナログ回路とデジタル回路とを混載した半導体チップにおいて、アナログ回路からの電流とデジタル回路からの電流とがサブストレートを通じて混在する不都合を防止し、アナログ信号に対するノイズを低減できるようにする。 - 特許庁

An MI(magnetic impedance) element 12 is mounted on one side of a plane substrate 10 having the center part through which a signal wire 30 wherein the direct current which is a detection object flows penetrates roughly vertically, so that the magnetic field detection direction runs along the surface of the substrate 10, and a coil for alternating-current bias magnetic field application is mounted enclosing the element.例文帳に追加

検知対象の直流電流が流れる信号線３０が中央部を略垂直に貫通する平面基板１０の片面に、ＭＩ（磁気インピーダンス）素子１２がその磁界検知方向が基板１０の表面に沿うように実装され、これを包囲するように交流バイアス磁界印加用のコイルが実装される。 - 特許庁

This substrate is characterized by having an element whose output signal is changed according to the time during which a current is supplied and the operation environment temperature, a detection part for detecting an output signal of the element, and a circuit for supplying the element with the current while the substrate is operated.例文帳に追加

本発明の基板は、 電流が供給されている時間と使用している環境の温度とによって、出力信号が変化する素子と、該素子の該出力信号を検出するための検出部と、基板が動作している間、該素子に電流を供給する回路とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The vacuum processing device 11 is provided with: a rotary shaft 14 of rotating a substrate supporting stand 13 arranged at the inside of a vacuum chamber 12; and a current collector 17 for feeding required electric power to the substrate supporting stand 13, wherein the current collector 17 is arranged at the inside of the rotary shaft 14.例文帳に追加

本発明に係る真空処理装置１１は、真空チャンバ１２の内部に配置された基板支持台１３を回転させる回転軸１４と、基板支持台１３に対して所要電力を供給するための集電装置１７とを備え、集電装置１７は、回転軸１４の内部に配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

The array substrate for liquid crystal display and its manufacturing method and the liquid crystal display equipped with the substrate improve the imaging quality through the minimization of optical leakage current by removing optical loss utilizing a shielding film (Shielding Metal) for reducing the optical leakage current.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法、これを具備した液晶表示装置は、光漏洩電流を減少させることができる遮断膜（Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ Ｍｅｔａｌ）を利用して光損失を除去することで、光漏洩電流を最小化して画質を向上させることができる。 - 特許庁

The vertical disposition of a p bus bar 150 and an n bus bar 160 disposed so that they are overlapped with each other is determined with consideration made so that an angle θ0 formed by the passing current In of the bus bar closer to the substrate and the current I1 whose bus bar parallel component is largest among the currents on the substrate is within a range of 90° to 270°.例文帳に追加

重ね合わせて配置されるＰバスバー１５０およびＮバスバ１６０の上下は、基板に近い側のバスバーの通過電流Ｉｎと、基板上の電流のうちバスバー平行成分が最大である電流Ｉ１との成す角度θ０が９０°から２７０°の範囲となるように考慮して決定される。 - 特許庁

Specifically, the process for producing a metal substrate with a multilayer film comprises immersing the metal substrate in an aqueous bismuth compound solution (A) and applying an electric current between the metal substrate and an electrode to thereby form a coating film (F1) on the metal substrate; and then applying a coating composition (B) on the coating film (F1) to form a coating film (F2).例文帳に追加

具体的には、金属基材を、ビスマス化合物の水溶液（Ａ）に浸漬し、金属基材と電極間に通電することによって、該金属基材上に皮膜（Ｆ１）を形成し、次いで、該皮膜（Ｆ１）上に、塗料（Ｂ）を塗装して塗膜（Ｆ２）を形成することを特徴とする複層皮膜を有する金属基材の製造方法である。 - 特許庁