「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable a Zener zapping current to be prevented from leaking out partly to a semiconductor substrate and reduced to an irreducible minimum, when Zener zapping is performed.例文帳に追加

ツェナーザッピング実行時におけるツェナーザッピング電流の一部が半導体基板側へ漏れるのを防止して、同電流を必要最低限の電流量に済ませる。 - 特許庁

At the same time, an SRAM circuit reduces the leak current by controlling a substrate bias, setting the power switch for a read amplifier or write amplifier, and shutting off the switch.例文帳に追加

同時にＳＲＡＭ回路では、基板バイアスを制御することと、リードアンプあるいはライトアンプへの電源スイッチを設け、且つそのスイッチを遮断してリーク電流を低減する。 - 特許庁

A current flowing in the extended drain is controlled by the substrate and the embedded layer with electric field effect when a voltage pinching off the extended drain therebetween is applied.例文帳に追加

該延在ドレインを流れる電流は、それらの間で延在ドレインをピンチオフする電圧が加えられたとき、電界効果により該基板及び埋設層によって制御される。 - 特許庁

To form a polycrystalline semiconductor TFT with high driving capability, and a TFT with characteristics of low leakage current and high breakdown voltage, simultaneously on the same insulator substrate.例文帳に追加

高い駆動能力を持つ多結晶半導体ＴＦＴと、低いリーク電流、高耐圧の特性を持つＴＦＴを同時に同一絶縁体基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode for easy integration with MOSFET capable of flowing a current of wanted capacity at a low resistance, even if an SOI substrate is used.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた場合であっても、ＭＯＳＦＥＴと集積化が容易で、低抵抗で所望の大きさの電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a wire which can obtain a high critical current density of practical level with high productivity by using an oriented tape substrate, and its manufacturing process.例文帳に追加

配向したテープ状基板を用いることにより、実用レベルの高い臨界電流密度を高い生産性で得ることができる、線材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gate insulation film which is formed between a substrate and a gate electrode and can suppress tunnel leakage current, even if a semiconductor chip is reduced in size.例文帳に追加

基板とゲート電極との間に形成されるゲート絶縁膜であって、半導体チップが小型化した場合にもトンネルリーク電流を抑えることができるゲート絶縁膜を得る。 - 特許庁

To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To form a boundary film of a nitrogen density as a measure against a leak current between a silicon oxide film and a silicon surface of a silicon substrate by controlling the nitrogen density between them.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板のシリコン表面との間の窒素濃度の制御を可能とし、この間にリーク電流に対応する窒素濃度の境界膜を形成する。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor layer 11 of a semiconductor substrate 10, the Hall element 20 is formed which includes a pair of contact parts 12A, 12B supplied with a constant current.例文帳に追加

半導体基板１０の半導体層１１の表面に、定電流が供給される１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂを含むホール素子２０が形成されている。 - 特許庁

Adsorbate depletion is controlled by controlling the beam current, preferably by rapidly blanking the beam and by cooling the substrate.例文帳に追加

吸着物質の枯渇は、ビーム電流を、好ましくはビームを高速ブランキングすることによって制御すること、および基板を冷却することによって制御することができる。 - 特許庁

To suppress the occurrence of excessive leak current in an electrostatic chuck using Johnson-Rahbeck force and maintain attraction characteristics, and improve desorption responsiveness in substrate.例文帳に追加

ジョンソン・ラーベック力を利用する静電チャックにおける過剰なリーク電流発生の抑制、吸着特性の長期維持、及び、基板の脱着応答性の向上を図る。 - 特許庁

Thus the crystal defects occurring around the trench 4 is formed on the SOI substrate 1 near a device, and hence preventing the generation of the leakage current.例文帳に追加

このため、ＳＯＩ基板１のトレンチ４周囲に発生する結晶欠陥がデバイス近傍に形成されることによって、リーク電流が発生することを防止することができる。 - 特許庁

In the surface emitting semiconductor element where a current constricting part is formed by lateral oxidation, a mesa part 100 is formed so that it becomes reversely tapered against a substrate 1.例文帳に追加

横方向参加により電流狭窄部が形成された面発光型半導体素子において、基板１に対して逆テーパ形状になるようにメサ部１００を形成する。 - 特許庁

To provide a load protector which protects a control substrate from an overcurrent and is suitable for preventing current supply to a load upon the generation of the overcurrent.例文帳に追加

過電流が発生した場合に、過電流から制御基板を保護するとともに負荷への電流供給を防止するのに好適な負荷保護装置を提供する。 - 特許庁

To provide a means of suppressing a leak current of a reverse-surface channel of a MOSFET formed on an SOS substrate where a thin silicon layer of ≤0.1 μm is laminated.例文帳に追加

０．１μｍ以下の薄いシリコン層を積層したＳＯＳ基板に形成したＭＯＳＦＥＴの裏面チャネルによるリーク電流を抑制する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a plastics liquid crystal panel with which the plastics liquid crystal panel can be manufactured at a low cost by using a current glass substrate process to suppress a capital investment to the minimum.例文帳に追加

現有のガラス基板プロセスを使用し設備投資を最低限に抑えて且つ低コストで製造可能なプラスチック液晶パネルの製造方法を提供することである。 - 特許庁

Or also, instead of applying current to the liquid, paper which is impregnated with the liquid and dried is used as the material of a substrate for forming a P-N junction and various semiconductor devices can be made.例文帳に追加

あるいは通電せずにこの液体を紙などに吸収乾燥させたものを基材としてＰＮ接合を形成し、各種の半導体素子を製作する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein deterioration of current supply ability caused by substrate bias effect is compensated, and deterioration of charge transfer ability is restrained.例文帳に追加

基板バイアス効果による電流供給能力の低下を補償するとともに、電荷転送能力の低下を抑制することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A vertical resonator is provided on a substrate 101, and the vertical resonator includes a first reflective layer 102 on the substrate 101, an active layer 104 provided on the first reflective layer 102, a current confinement structure provided over the active layer 104, and a second reflective layer 109 provided over the current confinement structure.例文帳に追加

基板１０１上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板１０１上の第１反射層１０２と、第１反射層１０２上に設けられた活性層１０４と、この活性層１０４の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第２反射層１０９とを含む。 - 特許庁

The display panel 1 includes: a substrate; an organic EL element 22 disposed on the substrate; a power supply line 13 which supplies a current or a voltage to the organic EL element 22; a fuse 23 which is provided between the power supply line 13 and the organic EL element 22 and can be disconnected by a current flow; and a heater which heats the fuse when the fuse 23 is disconnected.例文帳に追加

基板と、当該基板上に配置された有機ＥＬ素子２２と、有機ＥＬ素子２２に電流または電圧を供給する電源線１３と、電源線１３と有機ＥＬ素子２２との間に設けられ、電流を流すことにより切断可能なヒューズ２３と、ヒューズ２３を切断する際に当該ヒューズを加熱するヒーターとを具備する表示パネル１。 - 特許庁

A main CPU 10 transmits data for controlling a current to be applied to an LED 1 to a light quantity control substrate 20, the data being formed based on an inputted desired light quantity, then the current corresponding to the desired light quantity is allowed to flow in the LED 1 through a transistor 25 provided between the light quantity control substrate 20 and LED 1.例文帳に追加

メインＣＰＵ１０は入力された所望の光量を元に作成したＬＥＤ１に流れる電流を制御するためのデータを光量制御基板２０に送信し、光量制御基板２０とＬＥＤ１との間に設けられたトランジスタ２５を介して前記所望の光量に対応する電流をＬＥＤ１に流す。 - 特許庁

To provide an electroplating method and electroplating equipment capable of preventing the flow of a large current, such as a surge current, between a main substrate and an auxiliary substrate after the end of formation of a plating layer and well maintaining the quality of the plating layer by appropriately controlling switching and controlling output before discharging a plating solution after the plating and forming of the prescribed plating layer in particular.例文帳に追加

特に所定のメッキ層をメッキ形成した後、メッキ液を排液する前にスイッチング制御及び出力制御を適切に行うことで、メッキ層の形成終了後に主基板と補助基板間にサージ電流等の大電流が流れるのを防止し、メッキ層の品質を良好に保つことが可能な電気メッキ方法及び電気メッキ装置を提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for the lithographic printing plate which can obtain the substrate for the lithographic printing plate comprises at least an electrochemical surface roughening treatment using alternating current in a mixed aqueous solution containing hydrochloric acid and sulfuric acid and an electrochemical surface roughening treatment using alternating current in an aqueous solution containing hydrochloric acid in this order on an aluminum plate 11.例文帳に追加

アルミニウム板１１に、少なくとも、塩酸と硫酸とを含有する混合水溶液中での交流を用いた電気化学的粗面化処理、および、塩酸を含有する水溶液中での交流を用いた電気化学的粗面化処理をこの順に施して、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

The thin battery is equipped with a substrate 1, a positive electrode layer and a negative electrode layer formed on the substrate 1, an electrolyte layer performing ion conduction between both electrode layers, a positive current collector 3 electrically connected to the positive electrode layer, and a negative current collector 2 electrically connected to the negative electrode layer.例文帳に追加

本発明の薄型電池は、基板1と、基板1の上方に形成される正極層および負極層と、これら両電極層の間でイオンの伝導を行う電解質層と、正極層と電気的に接続される正極集電体3と、負極層と電気的に接続される負極集電体2とを備える薄型電池である。 - 特許庁

The power amplifier substrate 3 includes: photocouplers PC1 to PC3 for outputting a drive signal, based on a current command signal from the control substrate 6; a motor drive circuit 39 for supplying a current from the power supply 1a to the motor 2 based on the drive signal; and an alarm circuit 35 for outputting the alarm signal to stop the drive of the motor 2.例文帳に追加

パワーアンプ基板３は、制御基板６からの電流指令信号に基づいて駆動信号を出力するフォトカプラＰＣ１〜ＰＣ３と、駆動信号に基づいて電源１ａからの電流をモータ２に供給するモータ駆動回路３９と、モータ２の駆動を停止すべきアラーム信号を出力するアラーム回路３５とを備える。 - 特許庁

Since a current change is detected from the conductive film on the TFT substrate and from the projecting electrode when the clearance between them is changed by pressing, the X-coordinate can be identified from the conductive film on the TFT substrate; and the Y-coordinate can be identified from the conductive film on the counter substrate.例文帳に追加

さらに両者の間隙が押圧によって変化した場合、電流変化がＴＦＴ基板側の導電膜および、突状電極から検出されるため、Ｘ座標はＴＦＴ基板側の導電膜から、Ｙ座標は対向基板上にある突状突起を含む水平ＢＭ上の導電膜から特定できる。 - 特許庁

The superconducting film has a substrate and a superconductor layer formed on the substrate, and nano-grooves are formed on the surface of the substrate on which the superconducting layer is formed in parallel with the current flowing direction, and a planar crystal defect is introduced in the superconductor layer on the nano-groove.例文帳に追加

基板と該基板上に形成された超伝導体層とを有する超伝導膜であって、該超電導層が形成される基板表面に電流通電方向と平行にナノグルーブが形成されており、該ナノグルーブの上の該超伝導体層に面状結晶欠陥が導入されていることを特徴とする超伝導膜。 - 特許庁

This solid-state image pickup device comprises a projection 71a in a glass substrate 71 to closely attach an effective pixel area 75a of a CCD bare chip 75, bumps 74 conducting current between the CCD bare chip 75 and the wiring patterns 73 on the glass substrate 81, and a sealing mold S2 which adheres the periphery of bare chip 75 with the glass substrate 71.例文帳に追加

ＣＣＤベアチップ７５の画素有効領域７５ａとガラス基板７１とを密着させる突起部７１ａと、ＣＣＤベアチップ７５とガラス基板８１の配線パターン７３との間を導通させるバンプ７４と、ＣＣＤベアチップ７５とガラス基板７１との外周寄りを接着する封止用樹脂Ｓ２とを備えている。 - 特許庁

A coil 1 includes a first magnetic substrate 2 and a second magnetic substrate 3 opposed to each other, looped wiring 4 provided to the first magnetic substrate 2, and a core 5 that magnetic flux generated when a current flows to the looped wiring 4 passes, a closed magnetic path being formed of the core 5 and both the magnetic substrates 2 and 3.例文帳に追加

コイル１は、互いに対向した第１の磁性体基板２及び第２の磁性体基板３と、第１の磁性体基板２に設けられるループ配線４と、ループ配線４に電流が流れたときに発生する磁束が通るコア５と備え、コア５と両磁性体基板２、３とにより閉磁路を形成している。 - 特許庁

The electrooptical device is provided with: liquid crystal E filled into a gap between an element substrate 11 and a counter substrate 70; a PIN diode 31 which is formed on the element substrate 11 and detects the brightness of external environment; and a control part which controls the luminance of a backlight on the basis of a photoelectric current signal from the PIN diode 31.例文帳に追加

素子基板１１と対向基板７０との間隙に封入された液晶Ｅと、素子基板１１上に形成されて外部環境の明るさを検知するＰＩＮダイオード３１と、ＰＩＮダイオード３１からの光電流信号に基づいて、バックライトの輝度を調節する制御部とを備える。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

The bipolar plate for solid high polymer electrolyte type fuel cell has a conductive metal layer 13 formed on a conductive resin substrate 10 molded from high polymer composite material which is a mixture of thermoplastic resin and conductive material and includes each of an adhered layer 11 on the resin substrate side and a current collection layer 12 on a side separated from the resin substrate.例文帳に追加

熱可塑性樹脂と導電性材料とを混合した高分子複合材料を成形してなる導電性を有する樹脂基板１０上に、該樹脂基板側に密着層１１、上記樹脂基板から離間する側に集電層１２を各々備える導電性金属層１３を形成した。 - 特許庁

When this heating auxiliary device 1 comprising the substrate 1 and the covering plates 3 and 4 is mounted on a top plate 11 of an IH 10 and the IH 10 is operated by mounting a cooking container 12 thereon, a current of the substrate 2 is generated by magnetic field lines and heat is generated.例文帳に追加

これら基板１と被覆板３、４とからなる加熱補助装置１をＩＨ10の天板11に載置し、その上に調理用容器12を載置させて、該ＩＨ10を作動させると、磁力線によって基板２の電流が生じて発熱する。 - 特許庁

An opaque structure 32 which is electrically insulated from a gate is provided adjacent to the gate located on a substrate 30, whereby light rays radiating from the substrate can be blocked, and a photo current is hardly induced in the source/drain 35 of the thin film transistor, channels, and conductors.例文帳に追加

基板３０上のゲート傍らにゲートと電気的に隔離する不透明構造３２が設けられ、これにより基板より照射される光線が阻止され、薄膜トランジスタのソース３５、ドレイン３５、チャネルと導線の部分で光電流を誘発しない。 - 特許庁

The VCSEL 10A includes a GaAs substrate 100, an n-type lower DBR 102 formed on the substrate, an active region 104, a current constriction layer 108, a p-type upper DBR 106, and an annular p-side electrode 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。 - 特許庁

The plating equipment is characterized in that a resistance imparting means 6 for imparting a resistance to a current flowing between an anode 7 and a substrate 8 to be plated serving as a cathode, which are immersed in a plating solution, is provided between the anode 7 and the substrate 8 to be plated.例文帳に追加

めっき液に浸漬させたアノード７と、カソードとなる被めっき基板８との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段６が、前記アノード７と前記被めっき基板８との間に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device including the metal oxide semiconductor (MOS) transistor in the substrate of a semiconductor chip (1), a bump (6a) is formed on the upper part of the MOS transistor (2) whose current capability and threshold value differ from prescribed values, and the bump (6a) is formed on the substrate.例文帳に追加

半導体チップ(1)基板内に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(2)を含む半導体装置であって、電流能力及びしきい値電圧が所定値と異なるＭＯＳトランジスタ(2)の上部に、バンプ(6a)を形成し、前記バンプ(6a)を基板に固定する。 - 特許庁

A current is conducted in a perpendicular direction to an inclination direction, to a silicon substrate 1 inclined by a very small angle of ≤2° from a {111} plane to heat-treat the silicon substrate 1 at a temperature of from 700°C to 830°C for 5 to 20 hours.例文帳に追加

｛１１１｝面から２°以下の微小角度だけ傾斜したシリコン基板１に対し、傾斜方向に直交する方向に沿って電流を流すことによって、シリコン基板１を７００℃〜８３０℃の温度において５〜２０時間熱処理を行う。 - 特許庁

Ti atoms are sputtered from the targets 15 by the plasma generated between the targets 15 and the burst sputtered particles are transferred to a substrate 16 by a forced current of the argon gas and accumulated on the surface of the substrate 16 while reacting with the reactive gas.例文帳に追加

ターゲット１５間に発生したプラズマによってターゲット１５がスパッタリングされ、はじき飛ばされたスパッタ粒子は、アルゴンの強制流によって基板１６まで輸送され、反応性ガスと反応すると共に基板１６表面に堆積する。 - 特許庁

The means 28 controls a valve 25 and a constant flow pump 26 according to input of the current signal, and transmits an activity adjusting substrate solution stored in an activity adjusting substrate solution storage container 23 to a supply line 7.例文帳に追加

手段２８は、この電流信号の入力に基づきバルブ２５及び定流量ポンプ２６を制御し、活性調整用基質溶液保管容器２３に貯溜されている活性調整用基質溶液を供給ライン７に対して送出する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate comprising a peripheral circuit part constituted of TFTs wherein a current supplying amount per unit time is increased and capability is enhanced and a pixel part and to attain miniaturization and electric power saving of electronic equipment by using the active matrix substrate.例文帳に追加

単位時間当たりの電流供給量を増大させ、能力の向上を図かったTFTにより構成される周辺回路部及び画素部よりなるアクティブマトリクス基板を提供し、これにより電子機器の小型化、及び省電力化を実現する。 - 特許庁

When the read probability of a plurality of current values from a hand substrate part 18 read within prescribed time by a read means lowers to a prescribed value or below, a voltage to be applied from a power source means to the hand substrate part 18 is elevated by a voltage switching means.例文帳に追加

読取手段が所定時間内で複数読み取った手元基板部18からの電流値の読み取り確率が所定値以下に低下した際に、電源手段から手元基板部18に印加する電圧を電圧切換手段により上昇させる。 - 特許庁

The potentiostat 3 controls an electric current that flows between the conductive layer of the long-sized substrate 10 and the counter electrode 6 such that a potential of the conductive layer (working electrode) of the long-sized substrate 10 is at a constant level on the basis of a potential of the reference electrode 5.例文帳に追加

ポテンショスタット３は、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位が一定になるように、長尺状基材１０の導体層と対極６との間に流れる電流を制御する。 - 特許庁

Since a heat source 1 is required in a lower part of a wiring substrate 2, and a through hole 3 is provided in the substrate 2, an air warmed by a heat generation from the heat source 1 passes the through hole 3, and this causes an ascending current to cause a convection.例文帳に追加

用いる配線用基板２の下部に熱源１を要し、さらにその基板２には貫通穴３を設けているために、熱源１からの発熱によって暖められた空気が貫通穴３を通過し、上昇気流を生じて対流が起こる。 - 特許庁