「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The radio equipment 1 is constituted of a notch antenna of a circuit substrate 4 having a ground part 2 and a notched part 3 the one end of which is opened and a radio circuit part 5 provided on the circuit substrate 4 and for supplying high frequency current to the notched part 3.例文帳に追加

グランド部２を有し、一端を開放した切り欠き部３を備えた回路基板４と、この回路基板４上に設けられ、前記切り欠き部３に高周波電流を給電する無線回路部５とによりノッチアンテナを構成する無線装置１である。 - 特許庁

The variation component imparted to the semiconductor substrate due to the variation in the power supply and the ground of the semiconductor integrated circuit is suppressed, so that the formation of a common mode current path can be suppressed in the outside through the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体集積回路の電源及びグランド側の変動に起因して半導体基板に与えられる変動成分が抑えられることにより、半導体基板を通して外部でコモンモード電流経路が形成されることを抑制することが可能になる。 - 特許庁

The hydrogen production device 1 with methanol as the raw material comprises: a vessel 4 holding liquid methanol 2 as the raw material and a gas to be generated; a substrate 5 on which a catalyst is supported, and held by dipping into the liquid methanol 2 in the vessel 4; and a power source 6 feeding dc or ac electric current to the substrate 5.例文帳に追加

原料とする液体メタノール２と発生するガス３を保持する容器４と、容器４中の液体メタノール２に浸積して保持される触媒を担持した基板５と、基板５に直流又は交流の電流を供給する電源６とからなる。 - 特許庁

This photovoltaic cell manufacturing method comprises the first process for printing the paste electrode materials on the silicon substrate 10, the second process for forming electrodes by burning a silicon substrate with electrode materials printed, and the third process for flowing current through the electrodes.例文帳に追加

シリコン基板１０に、ペースト状の電極材料を印刷する第１工程と、電極材料が印刷されたシリコン基板を焼成して電極を形成する第２工程と、電極に電流を流す第３工程とを有する太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a leakage current in an interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is not generated by potential difference between the surface silicon layer and a retaining substrate in an LDD transistor formed on a SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したＬＤＤ型トランジスタであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

One cell structure of the plurality of cell structures which locates in a central portion CR of the principal surface of the semiconductor substrate 1 is constituted so that it has a current application lower than the ones of the other cell structures which locate in an outer peripheral portion PR of the principal surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

複数のセル構造のうち主表面の中央部ＣＲに位置する一のセル構造は、複数のセル構造のうち主表面の外周部ＰＲに位置する他のセル構造の通電能力よりも低い通電能力を有するように構成されている。 - 特許庁

The Hall element which has a couple of current input electrodes and a couple of voltage output electrodes formed on a semiconductor substrate has at least one or more gate electrodes formed between the couple of current input electrodes, and at least one or more potential detecting elements which are provided closely to the gate electrodes and detect the semiconductor substrate electrode.例文帳に追加

半導体基板上に形成された一対の電流入力電極と、一対の電圧出力電極を有するホール素子において、前記一対の電流入力電極間に形成された少なくとも１個以上のゲート電極と、このゲート電極に接近して設けられ、前記半導体基板電位を検出するための少なくとも１個以上の電位検出電極とを有する。 - 特許庁

Thymine is fixed on a conductive surface of a substrate, a bias voltage applied between a probe and the substrate is varied with a distance between the probe of the scanning probe microscope and thymine fixed, a tunneling current flowing between the probe and thymine is measured, to find an inflection bias voltage wherein a variation rate of the tunneling current logarithmically transformed with respect to the bias voltage varies.例文帳に追加

表面が導電性をもつ基板表面にチミンを固定し、走査型プローブ顕微鏡のプローブとチミン間の距離を固定した状態でプローブと基板間に加えるバイアス電圧を変化させてプローブとチミンとの間に流れるトンネル電流を測定し、バイアス電圧に対する対数変換されたトンネル電流の変化率が変化する変曲バイアス電圧を求める。 - 特許庁

To provide a substrate for a solid oxide fuel cell having high strength, capable of thinning, and having gas permeability and current collecting function, capable of thinning an electrolyte layer and an electrode layer, and reducing current collection loss, and to provide a cell and a cell plate for the solid oxide fuel cell using the substrate, and to provide the solid oxide fuel cell.例文帳に追加

強度に優れ、薄肉化が可能であると共に、ガス透過性と集電機能を備え、電解質層や電極層の薄膜化が可能であると共に、集電ロスの低減が可能な固体酸化物形燃料電池用基板と、このような基板を用いた固体酸化物形燃料電池用セル及びセル板、さらには固体酸化物形燃料電池を提供する。 - 特許庁

The electronic circuit board 1A includes an insulating substrate 2, a conductor pattern 3a formed so that two points on the insulating substrate 2 may be connected to allow current to be conducted between the two points, and at least one conductive member (metal wire) 5a both ends of which are connected to the conductor pattern 3a, and which conducts part of current.例文帳に追加

本発明に係る電子回路基板１Ａは、絶縁基板２と、絶縁基板２上の２点間を接続するように形成され、当該２点間で電流を通流させる導電体パターン３ａと、導電体パターン３ａ上に両端がそれぞれ接続され、電流の一部を通流させる少なくとも１つの導電部材（金属ワイヤ）５ａとを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate that increases the length of an OFF current path by contracting a leakage region between a source electrode and a drain electrode and suppresses the creation of a carrier caused by a light irradiated to the thin film transistor, thereby enabling reduction of the OFF current, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の漏れ領域を縮小してオフ電流の経路長を増大させ、かつ薄膜トランジスタに照射された光によるキャリアの生成を抑え、それによりオフ電流を低減させる薄膜トランジスタ基板とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10.例文帳に追加

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

At a position spaced from the sense region in the direction perpendicular to the thickness direction of the semiconductor substrate, a cathode region (n+) is provided where current proportional to current which flows through the FWD element flows between the cathode region and a base contact region (p+) provided in the first principal plane side.例文帳に追加

また、半導体基板の厚さ方向に垂直な方向においてセンス領域とは離れた位置に、第１主面側に設けたベースコンタクト領域（ｐ＋）との間で、ＦＷＤ素子に流れる電流に比例した電流が流れるカソード領域（ｎ＋）が設けられている。 - 特許庁

Since a gate wiring region does not exist on the surface of a substrate around an IGBT cell region and an FWD cell region, and holes resulting from freewheel current are not stored in the gate wiring region, the semiconductor device has no risk of being destroyed by the recovery current.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル領域およびＦＷＤセル領域の周囲の基板面上には、ゲート配線領域が存在しないため、フリー・ホイール電流に起因するホールがゲート配線領域に蓄積されることがないので、そのホールに起因するリカバリ電流によって破壊されるおそれがない。 - 特許庁

A pair of through-holes 24 are formed on the substrate 21 so as to put each of the current detection element 22 and the wiring bus bar 23 in between, and a resin material 25 having a high magnetic permeability is disposed so as to cover the current detection element 22, the wiring bus bar 23 and the through-holes 24.例文帳に追加

電流検出素子２２と配線バスバー２３のそれぞれを挟むように、基板２１に一対の貫通孔２４が形成されており、電流検出素子２２、配線バスバー２３及び貫通孔２４を覆うように高透磁率の樹脂材２５が設けられている。 - 特許庁

The current sweeping part 4 includes: a negative potential prevention diode 21 wherein an anode terminal 35 is connected to the current detection terminal 16; and a sweeping transistor 22 formed on the same substrate 31 as the negative potential prevention diode 21, wherein a drain terminal 42 is connected to a cathode terminal 34 of the negative potential prevention diode 21.例文帳に追加

電流掃引部４は、アノード端子３５が電流検出端子１６に接続された負電位防止ダイオード２１と、負電位防止ダイオード２１と同じ基板３１に形成され、ドレイン端子４２が負電位防止ダイオード２１のカソード端子３４に接続された掃引トランジスタ２２とを備える。 - 特許庁

A cantilever and a probe substrate are connected to a constant current source and a digital voltmeter (not shown) in the divided state into four independent conductive parts by etching a coated gold thin film as shown in Fig.(b), and transmits a current and a potential difference signal respectively.例文帳に追加

また、カンチレバーとプローブ基板は、図（ｂ）に示されているように、コーティングされた金の薄膜をエッチングすることによって、４つの独立した伝導部分に分かれて、定電流源及びデジタル電圧計（図示せず）に接続されており、それぞれ電流と電位差信号を伝送する。 - 特許庁

The diffusion current stop band 5 is provided with an n-type semiconductor layer connected with the power supply on the semiconductor substrate of p-type semiconductor, and the n-type semiconductor layer of the diffusion current stop band 5 is formed deeper than the n-type semiconductor layer of the light receiving element 2.例文帳に追加

この拡散電流阻止帯５は、ｐ型半導体の前記半導体基板に、前記電源に接続されたｎ型半導体層を備えており、拡散電流阻止帯５のｎ型半導体層は、受光素子部２のｎ型半導体層より深く形成されている。 - 特許庁

This pattern 3 has current introducing pads 4 and 4 for receiving the supply of a current on its left and right end parts and at the same time, bonding pads 5 are respectively projected between the laser diode arrays corresponding to the laser diodes 1 and the bonding pads 5 are wire-bonded with a package side power supply line 9 formed in the vicinity of the substrate 2.例文帳に追加

この電源パターン３は左右端部に電流の供給を受ける電流導入パッド４、４を有すると共に、各レーザダイオード１に対応するレーザダイオード列の各間にボンディングパッド５を突設し、基板近傍に形成したパッケージ側電源ライン９にワイヤボンディング接続した。 - 特許庁

Current is poured into the organic EL layer 120 through a front electrode film 110, and this current flows into the semiconductor substrate 200 through the organic EL layer 120, the EL lower electrode 126, the drain electrode 125, a semiconductor activity layer, the source electrode 128, and the electrode 129 for grounding.例文帳に追加

有機ＥＬ層１２０には，前面電極膜１１０を介して，電流が注入され，この電流は，有機ＥＬ層１２０，ＥＬ下部電極１２６，ドレイン電極１２５，半導体活性層，ソース電極１２８，接地用電極１２９を介して半導体基板２００に流入する。 - 特許庁

For current flowing in the source electrode layer in a horizontal direction to the substrate, all cells become current paths of the shortest distance from the source pad.例文帳に追加

非重畳領域下方にセルおよび１層目のソース電極層を配置できるので、ゲートパッド部下方の無効領域を従来と比較して大幅に低減でき、ソース電極層内を基板の水平方向に流れる電流について、全てのセルがソースパッド部から最短距離の電流経路となる。 - 特許庁

In the region of the resist in the vicinity of normal opening contacts 13, 14 and 15, a leakage current flowing through a silicon substrate 10 through the normal contacts causes a potential is lowered but is not so much because the leakage current is small.例文帳に追加

正常な開口のコンタクト１３、１４、１６近傍の領域では、その正常なコンタクトを介してシリコン基板１０に流れるリーク電流により電位が低くなるが、開口不良のコンタクト１５近傍の領域ではリーク電流が少ないため電位はあまり低くならない。 - 特許庁

On the surface (semiconductor region 12) of a semiconductor substrate, voltage output edges for generating a hall voltage signal in pairs, and current feeding edges for feeding a current in paris to a magnetism detecting unit HP are formed in modes having three patterns each in the same pattern.例文帳に追加

半導体基板の表面（半導体領域１２）に、対をなしてホール電圧信号を出力する電圧出力端、および対をなして磁気検出部ＨＰに電流を供給する電流供給端を、同一のパターンで３つのパターンをもつ態様で形成する。 - 特許庁

The resistance for the electric current limiting of these light emitting diode elements 92a, 92b, 92c is installed not inside the shooting handle but on the lamp control substrate installed in the circuit board box of the game machine body so that the heat from the resistance for the current limiting shall not be confined in the shooting handle.例文帳に追加

これらの発光ダイオード素子９２ａ，９２ｂ，９２ｃの電流制限用の抵抗は、発射ハンドル内ではなく、遊技機の本体の基板ボックス内に設置されたランプ制御基板に設けられているので、発射ハンドル内に電流制限用の抵抗からの熱がこもることがない。 - 特許庁

To provide electrical connection structure and an electrical connection method between SOFC stacks generating no breakage of a substrate or a cell caused by difference of coefficient of thermal expansion between the SOFC stack and the current collecting member, and reducing a cost by using a current collecting member easy to work.例文帳に追加

加工容易な集電部材によりコスト低減を図るとともに、ＳＯＦＣスタックと集電部材との熱膨張率の違いによる問題を解決し、基板やセルに対する割れのないＳＯＦＣスタック間の電気的接合構造及び電気的接合方法を得る。 - 特許庁

On a surface (a semiconductor area 12) of a semiconductor substrate, a voltage output edge for outputting a hall voltage signal in pairs and current supply edge for supplying current to a magnetic detection part HP in pairs are formed in a mode having three patterns made of one identical pattern.例文帳に追加

半導体基板の表面（半導体領域１２）に、対をなしてホール電圧信号を出力する電圧出力端、および対をなして磁気検出部ＨＰに電流を供給する電流供給端を、同一のパターンで３つのパターンをもつ態様で形成する。 - 特許庁

To provide a method by which a light emitting element capable of maintaining a high current diffusing effect can be manufactured without growing in advance a thick current diffusing layer on the side of a peeled surface which becomes a light emitting surface, by peeling off a substrate for growing light emitting layer from a light emitting layer section.例文帳に追加

発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The drain of a transistor for protection used for separate applications is provided at a drain region at the lower side of a contact hole, thus eradicating characteristic failure, such as a decrease in the withstand voltage between metal wiring and a semiconductor substrate, the occurrence of a leak current, or an increase in the leak current at high temperature.例文帳に追加

別用途で使用されていた保護用トランジスタのドレインをコンタクトホール下側のドレイン領域に設け、メタル配線と半導体基板との間での耐圧低下やリーク電流発生または高温時のリーク電流増大等の特性不良を撲滅するものである。 - 特許庁

To form on the same substrate a TFT that makes much of a high tension characteristic while suppressing an off-current, a TFT that makes much of a high tension characteristic while increasing an on-current, and a TFT that makes much of a short channel structure and the lowering of a threshold following the short channel structure.例文帳に追加

本発明は、オフ電流を抑制しつつ高耐圧特性を重視するＴＦＴ、オン電流を大きくしつつ高耐圧特性を重視するＴＦＴ、短チャネル構造及びそれに伴う閾値の低下を重視するＴＦＴとを同一基板上に形成することを課題とする。 - 特許庁

The active element also has a second main electrode area which accepts carriers passing through the main current control areas, and a recessed section 17 which is formed toward the first main surface from the second main surface of the substrate 11 immediately below the plurality of main current control areas and has lengths S1 and S2 which are shorter than the effective finger lengths W in the first axial direction.例文帳に追加

そして、複数本の主電流制御領域の直下において、半導体基板１１の第２の主表面から第１の主表面に向かって形成され、第１軸方向の長さＳ１，Ｓ２が実効フィンガー長Ｗよりも短い凹部１７とを更に有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser of the structure capable of accurately forming the position of a current block layer in the structure for forming a DH laminate of a triangular shape of a sectional shape on the ridge of a semiconductor substrate, and suppressing the leakage current as much as possible.例文帳に追加

半導体基板のリッジ上に断面形状が３角形状のＤＨ積層部を形成する構造で、電流ブロック層の位置を正確に形成することができると共に、漏れ電流を極力抑制することができる構造の半導体レーザおよびその製法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

This profile measurement method comprises the steps of: starting electroplating when the substrate contacts with an electrolytic solution; measuring a series of current distributions in the electrolytic solution in a cell; forming the profile of the thickness of the plated film in real-time from a series of the current distributions in the cell; and adjusting a treatment parameter in accordance with the profile.例文帳に追加

基板が電解液に接触するときに電気メッキを始めるステップと；その電解液で一連のセル電流分布を測定するステップと；一連のセル電流分布からリアルタイム厚さプロファイルを作成するステップと；そのプロファイルに従い処理パラメータを調整するステップを備える。 - 特許庁

While the substrate W does not exist at the gas-spraying position, the gas will not blow out of the air knives 9c and 9d upward, by thus preventing disturbance in downward air current, formed by a clean cir current introducing mechanism 13 in the drying treatment chamber 4, and smoothly discharging treatment-liquid mist or the like.例文帳に追加

基板Ｗが気体吹き付け位置に存在しない間にエアナイフ９ｃ，９ｄから上向きに気体が吹き出されないので、乾燥処理室４内に清浄気流導入機構１３によって形成される下向きの気流が乱されず、処理液ミストなどが円滑に排出される。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a forward current can be increased for inhibiting leakage current, and electrical characteristics per unit area can be varied, without changing the concentration of a semiconductor substrate and the metal of a metal electrode, and an integrated circuit that incorporates the Schottky barrier diode.例文帳に追加

順方向電流を増大しリーク電流を抑制することが可能となり、半導体基板濃度や金属電極の金属を変えることなく単位面積当たりの電気特性可変なショットキーバリアダイオード及びそのショットキーバリアダイオードを内蔵した集積回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

Display electrodes are arranged on the first one of a pair of substrates, and each electrode is formed three-dimensionally from a thin, long current feeding part straddling a plurality of cells arranged in one direction and a discharge part overhung in the electrode arranging direction from the current feeding part for each cell and approaching the second substrate.例文帳に追加

基板対の第１の基板上に配列する表示電極のそれぞれを、一方向に並ぶ複数のセルに跨る細長い給電部と、セルごとに給電部から電極配列方向に張り出して第２の基板に近づく放電部とを有した立体形状をもつように形成する。 - 特許庁

The adhesive double coating member 9 comprises an insulating material functioning as a substrate 10 and a pressure sensitive adhesive 11 arranged on both sides of the insulating material, and interposed between two current collectors 2 together with the unit cell layer 6, and stuck to two current collectors 2 with the pressure sensitive adhesive 11.例文帳に追加

両面粘着部材９は、基材１０の役割を果たす絶縁材と、該絶縁材の両面に設けられた粘着剤１１とからなり、単電池層６と共に２つの集電体２に挟まれて粘着剤１１により該２つの集電体２に接着されてなる。 - 特許庁

Then a 4th connection electrode 79 is formed on the substrate reverse surface side where the 3rd electrode layer is formed and on the current collection hole inner peripheral surface where the transparent electrode layer is formed to electrically connect the transparent electrode layer 76 and 4th connection electrode layer 79 through the current collection hole 77.例文帳に追加

その後、前記第３電極層が形成された基板裏面側および透明電極層が形成された集電孔内周面に第４接続電極79を形成することにより、集電孔77を介して透明電極層76と第４接続電極層79とを電気的に接続する。 - 特許庁

A protruded part 61 for static electricity current collection provided on the mounting plate 60 is inserted into a penetrated part 54 provided at the flexible substrate 50 and a penetrated part 42 provided at the insulating sheet 40, thereby the protruded part 61 for static electricity current collection is exposed on the upper face side of the insulating sheet 40.例文帳に追加

取付板６０に設けた静電気集電用突起部６１を、フレキシブル基板５０に設けた貫通部５４と絶縁シート４０に設けた貫通部４２とに挿入することで、静電気集電用突起部６１を絶縁シート４０の上面側に露出させる。 - 特許庁

In a semiconductor laser, a laser light emitting element and freewheel diode are formed on the same semiconductor substrate, while the cathode of the freewheel diode is connected to the electric current input terminal of the laser light emitting element, and the anode of the freewheel diode is connected to the electric current output terminal of the laser light emitting element.例文帳に追加

半導体レーザは、同一の半導体基板上にレーザ発光素子とフリーホイールダイオードとが形成されており、レーザ発光素子の電流入力端子にフリーホイールダイオードのカソードが接続され、レーザ発光素子の電流出力端子にフリーホイールダイオードのアノードが接続されている。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

A portion of a substrate power supply wiring line 120 is exposed by forming a power supply wiring line 110 in a U shape at a substrate power supply cell 100, and then a connection portion 140 to the upper-layer wiring line is disposed at the boundary portion of the substrate power supply cell 100, thereby reducing the leakage current without degrading signal wiring efficiency.例文帳に追加

基板電源供給セル１００にて電源配線１１０をコの字状に形成することにより基板電源配線１２０の一部を露出させ、以て上層配線への接続部１４０を基板電源供給セル１００の境界部に配置することにより、信号配線効率を低下させないでリーク電流を削減する。 - 特許庁

The negative electrode 40 comprises a glass substrate 41 covered by a transparent conductive film 42, a current collector electrode 43 of metallic system which is formed on this glass substrate 41 and demarcates the region on the glass substrate 41 into a plurality of light receiving regions, and a porous oxide semiconductor film 45 which is formed respectively in each light receiving region and has a sensitized dye.例文帳に追加

負極４０は、透明導電膜４２で被覆されたガラス基板４１と、このガラス基板４１上に形成されてこのガラス基板４１上の領域を複数の受光領域に区画する金属系の集電極４３と、前記各受光領域内にそれぞれ形成され、増感色素を有する多孔質の酸化物半導体膜４５とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a substrate 5, a source and a drain area 9 and 10 which are formed on the main surface of the substrate 5 and stream an electric current in a direction along the surface of the substrate 5, and a source electrode 2 or a drain electrode 4 electrically connected to at least any one of the source and the drain area 9 and 10.例文帳に追加

半導体装置１は、基板５と、基板５の主表面上に形成され、基板５の表面に沿った方向に電流を流すためのソースおよびドレイン領域９、１０と、ソースおよびドレイン領域９、１０の少なくともいずれか一方に電気的に接続されたソース電極２またはドレイン電極４とを備える。 - 特許庁