「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent decrease of critical current density of a current flowing in a superconducting wiring on a boundary line, when the superconducting wiring on a substrate of twin having a first single crystal and a second single crystal is formed bridging the boundary line of the first single crystal and the second single crystal.例文帳に追加

第１単結晶および第２単結晶を具える双結晶の基板上にある超電導配線を、これらの第１単結晶および第２単結晶の境界線を跨って形成する場合、この境界線上でこの超電導配線を流れる電流の臨界電流密度を減少させないようにすること。 - 特許庁

A light receiving part 32 having a photo current multiplying layer 22 (composed of an organic semiconductor generating a photo current by the number of electrons larger than the number of photons entered by the irradiation of light), and a light-emitting part 33 having a light-emitting layer 24 and a hole transporting layer 25 are disposed in a line on a conductive layer 31 deposited on a substrate 21.例文帳に追加

光電流増倍層２２（光の照射により入射したフォトン数以上の数の電子による光電流が生じる有機半導体から成る）を有する受光部３２と、発光層２４、ホール輸送層２５を有する発光部３３とを、基板２１上に蒸着した導電層３１上に並置する。 - 特許庁

The display device with the touch input function is provided with a current sense type pressure sensor on a pixel substrate of a display panel 10 together with a pixel for display and further provided with a pressing element 18 disposed on the top surface side of the current sense type pressure sensor 19, which is driven through the pressing element 18.例文帳に追加

タッチ入力機能付き表示装置において、表示パネル１０の画素基板上に表示用画素とともに電流感知式圧力センサ１９を設け、更に電流感知式圧力センサ１９の表面側に位置するように押圧子１８を設け、該押圧子１８を介して前記圧力センサ１９を駆動させるようになす。 - 特許庁

The pier 3 of a ground pattern and a portion 4 opposite to the pier 3 are formed by a gap 2 provided by cutting a substrate 1 or the ground pattern, the current control point 6 of a high-frequency current control element 5 and the feeding point 8 of an antenna element 7 are arranged inside the pier 3 by distance of a quarter wavelength or shorter.例文帳に追加

基板1又はその接地パターンを切欠いて設けたギャップ部分2により、接地パターンの突堤形部分3及び対向部分４を形成し、高周波電流制御素子５の電流制御点６及びアンテナ素子７の給電点８を、突堤形部分３の内側に４分の１波長以下の距離をおいて配設する。 - 特許庁

In the respective mesas 100A to 100D of the surface-emitting lasers 10A to 10D, the semiconductor layer 104 has an equal outside dimension in plan view from the side of the substrate, and a current injection region 104A surrounded by a current constriction region formed by oxidation of a part of the semiconductor layer 104 has approximately an equal area.例文帳に追加

各面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄの各メサ１００Ａ〜１００Ｄは、基板面側からの平面視において半導体層１０４の外形寸法が等しく、かつ、半導体層１０４の一部を酸化して形成された電流狭窄領域に囲まれる電流注入領域１０４Ａが略同一面積である。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device including a compound semiconductor layer containing an active layer, a ridge-type compound semiconductor layer formed on the opening into which current is poured, and a current blocking layer formed on and even outside a protective film covering the both sides of the opening, on a substrate, and its manufacturing method, are provided.例文帳に追加

基板上に、活性層を含む化合物半導体層、電流が注入される開口部上に形成されたリッジ型の化合物半導体層、該開口部の両側を覆う保護膜及び該保護膜の更に外側に形成された電流ブロック層を有することを特徴とする半導体発光装置及びその製造方法。 - 特許庁

To reduce couplings to other devices via a substrate by supplying a capacitive current perpendicularly to a high conductivity region and cutting OFF a capacitive current parallel to a low conductivity region.例文帳に追加

基板内で電流が信号線に直交方向に容易に流れるようにすると共に平行に流れないようにして、容量性電流を容易にアースへ流して基板の損失を改善するとともに、寄生イメージ電流を基板の金属線に平行に流さないようにして、基板を介した他のデバイスとのカップリングを低減したシールド効果を得る。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, a waveguide mesa composed of an n-type InP clad layer 3, a waveguide layer 4, and an InP cover layer 5 is formed on a substrate 1, a growth inhibiting mask 6 is formed only directly above the waveguide mesa, and a n-type InP current block layer 7, and an n-type InP current block layer 8 are formed (a).例文帳に追加

基板１面上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層３、導波路層４、ＩｎＰカバー層５からなる導波路メサを形成した後、導波路メサの直上部のみに成長阻止マスク６を形成し、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層８を形成する（ａ）。 - 特許庁

In the wafer static elimination method, electrons electrostatically charged in the wafer WEH are eliminated by irradiating the wafer WEH with soft X rays in the presence of an air current using an X-ray ionizer 1' before measuring the substrate current flowing to the wafer WEH by the electron beam irradiation, in a sample chamber in which a vacuum is produced.例文帳に追加

本発明のウェハの除電方法は、電子ビーム照射によりウェハＷＥＨに流れる基板電流を真空中の試料室内で測定する前に、Ｘ線イオナイザー１’を用いて軟Ｘ線を気流存在の条件下で、ウェハＷＥＨに向けて照射して、ウェハＷEＨに帯電している電子を除電する。 - 特許庁

Gates of adjacent MOS transistors for composing a current mirror are connected to each other directly by polycrystalline silicon, and a fuse connected to a substrate is connected to a gate, thus relieving the influence of the charges on the gates of the adjacent MOS transistors for composing the current mirror circuit during in-process.例文帳に追加

カレントミラーを構成する隣合うＭＯＳトランジスタのゲート同士を、直接多結晶シリコンを用いて接続し、基板に接続されたヒューズをゲート部に接続することで、インプロセス中でカレントミラー回路を構成する隣り合うＭＯＳトランジスタのゲートが受けるチャージの影響を同量に緩和させることを特徴とする。 - 特許庁

The Hall element which has a couple of current input electrodes and a couple of voltage output electrodes formed on a semiconductor substrate is equipped with at least one or more gate electrodes formed between the couple of current input electrodes; and one of the couple of current input electrodes is formed closely to the gate electrode in a recessed shape surrounding the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上に形成された一対の電流入力電極と、一対の電圧出力電極を有するホール素子において、前記一対の電流入力電極間に形成された少なくとも１個以上のゲート電極を備え、前記一対の電流入力電極の一方の電流入力電極は、前記ゲート電極に接近し、かつ、ゲート電極を囲むように凹形形状に形成される。 - 特許庁

The device is provided with a bias circuit which includes an adjustment resistance adjustable in resistance with an applied current and supplies the bias voltage of the gate of an active field-effect transistor and an auxiliary field-effect transistor which is formed on the same semiconductor substrate with the active transistor in the same process, and a saturated drain current is supplied from the auxiliary field-effect transistor as the applied current to the adjustment resistance.例文帳に追加

印加電流に応じて抵抗値が調整できる調整抵抗を含み能動電界効果トランジスタのゲートのバイアス電圧を供給するバイアス回路と、前記能動トランジスタと同じ半導体基板に同じプロセスで形成された補助電界効果トランジスタとを設け、この補助電界効果トランジスタからの飽和ドレイン電流を前記印加電流として、調整抵抗に供給する。 - 特許庁

To provide a power connector applicable to both heavy current charging and low current charging, and capable of contributing to its downsizing and improvement of reliability by making volumetric efficiency and heat dissipation compatible, securing safety when using it, and materializing its cost reduction, while maintaining monitoring accuracy during low current charging and volumetric efficiency of a substrate by optimally disposing two kinds of connector parts.例文帳に追加

大電流充電と低電流充電の両方に対応可能な電源コネクタにおいて、２種類のコネクタ部を最適に配置することにより、低電流充電時の監視精度及び基板の体積効率を維持しつつ、体積効率及び放熱性を両立させてコンパクト化及び信頼性の向上に寄与でき、さらには使用時の安全性を確保し、コスト低減を実現可能な電源コネクタを提供する。 - 特許庁

Since the intrusion of hydrogen is prevented and electrons from the substrate or the floating gate are prevented from being captured by the silicon nitride film during the operation of the memory cell, the deterioration of memory cell characteristics, e.g. deterioration of current or reliability, can be prevented.例文帳に追加

水素の入り込み、メモリセル動作中に基板もしくは浮遊ゲートから電子がシリコン窒化膜へ捕獲されることを防ぎ電流劣化、信頼性劣化などのメモリセル特性の劣化を妨げることができる。 - 特許庁

To provide a card edge connector connecting jig and a card edge connector connection structure capable of preventing breakage of an electronic device or the like due to a generated transient current generated when an electronic circuit substrate and the card edge connector are connected.例文帳に追加

電子回路基板とカードエッジコネクタとを接続する際に発生するトランジェントカレントによる電子デバイス等の破損を防止できるカードエッジコネクタ接続治具およびカードエッジコネクタ接続構造を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an insulated metal substrate with an anodized film serving as an insulating layer, good insulation characteristics being provided by making the withstand voltage of the insulating layer high and reducing variation of leakage current.例文帳に追加

陽極酸化膜を絶縁層とした絶縁層付金属基板を用いた半導体装置において、絶縁層の耐電圧を高くし、漏れ電流の変動を低減して良好な絶縁特性を実現する。 - 特許庁

To provide an electroplating device capable of increasing the supply of a plating liquid to the surface of a substrate to cope with high current density and obtaining thick and uniform plating film thickness in a short time.例文帳に追加

基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a power module capable of suppressing the leak current generation of the power module using a silicon nitride ceramic substrate and capable of greatly improving insulating properties and operative reliability when the output power and capacity are greatly increased.例文帳に追加

窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

The lighting unit 50 provided with a rectifying/smoothing circuit part, an inverter circuit part and a resonance circuit part on a substrate 51 has the rush current prevention resistance 62 connected to the input side of the rectifying/smoothing circuit part.例文帳に追加

この点灯ユニット５０は、整流・平滑回路部とインバータ回路部と共振回路部とを基板５１に備え、整流・平滑回路部の入力側に接続される突入電流防止抵抗６２を有する。 - 特許庁

To provide a high performance DC-DC converter which can ensure stabilized boost operation at all times by improving parasitic structure on one semiconductor substrate and controlling a rush current fully during start-up of boost operation.例文帳に追加

一半導体基板上で寄生構造を改良し、昇圧動作起動時に突入電流を十分に抑制でき、常時安定して昇圧動作する高性能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供すること。 - 特許庁

As for the current collecting material for the battery, a lamination wet type nonwoven fabric manufactured by laminating two or more sheets of a wet type fiber web is made as a substrate, and the surface of the fiber constituting the laminated wet type nonwoven fabric is covered with copper.例文帳に追加

本発明の電池用集電材は、湿式繊維ウエブを２枚以上積層して製造した積層湿式不織布を基材とし、前記積層湿式不織布構成繊維の表面が銅で被覆されている。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

In addition to the pellet 16, a ceramic substrate 18 on the back side 18b or in the inside of which a resistance heating part 21 is provided is housed in the case 20, and a current carrying pin 24 is electrically connected to the resistance heating part 21.例文帳に追加

ケース２０には、ペレット１６の他に、裏面１８ｂ又は内部に抵抗加熱部２１が設けられたセラミックス基板１８が収容され、抵抗加熱部２１には通電ピン２４が電気的に接続されている。 - 特許庁

When the control part discriminates that it is just before a light spot comes from the substrate (24) surface outside from the current scanning position (B1) of a light spot (25), the control part stops the feedback control of a focus servo loop to prevent the oscillation of an objective lens (18).例文帳に追加

該制御部が光スポット(25)の現在の走査位置(B1)から、光スポットが基板面(24)から外に出る直前であることを判別すると、フォーカスサーボループのフィードバック制御を停止し、対物レンズ(18)の揺動を防止する。 - 特許庁

No current leak occurs because the bias between the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven, and the p^+ diffusion layer 43 is reverse to the bias between the n^- diffusion 42 and the p-substrate 50.例文帳に追加

駆動対象のセルを除くセル中のＮ^＋拡散層４１とＰ^＋拡散層４３との間のバイアスおよびＮ^—拡散層４２とＰ^—基板５０との間のバイアスは逆バイアスとなり、漏れ電流は発生しない。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists.例文帳に追加

高いＩＧ能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。 - 特許庁

Because of no friction between the plate and the substrate, the present invention only requires a rather small voltage and consumes the minimum power so as to lower the driving current and reduce the defacement of the device for longer lifespan.例文帳に追加

板と基板間に摩擦はないことから比較的小さな電圧駆動できる、したがって消費電力も最小で済むので、消費電流と装置の表面損傷を低減でき、長寿命化を図ることができる。 - 特許庁

To provide an element substrate which reduces variation of an energy cast into each heater by supplying a constant current to each heater, and on the other hand, can change the energy cast into each heater in many steps.例文帳に追加

各ヒータに定電流を供給することで各ヒータに投入するエネルギーのばらつきを軽減する一方、各ヒータに投入するエネルギーを多段階に変化させることが可能な素子基板を提供する。 - 特許庁

At least one substrate contact (28) is electrically coupled to at least one of the plurality of movable actuators (26) so that a flow of electrical current is established during an electrically-closed condition of the MEMS switching array.例文帳に追加

少なくとも１つの基板コンタクト（２８）は、複数の可動アクチュエータ（２６）の少なくとも１つに電気的に結合され、電流の流れが、ＭＥＭＳスイッチアレイの電気的閉止状態の間に確立されるようになる。 - 特許庁

To prevent a wiring board surface of a thin panel having a transistor mounted on a substrate or a semiconductor wafer surface from being contaminated in a current loading test conducted for a long time while heating is continued under reduced pressure.例文帳に追加

長時間の間、減圧下で加熱しながら行う通電負荷試験において、基板上にトランジスタを搭載した薄型パネルの配線基板表面、又は半導体ウェハ表面が汚染されることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a driving circuit of a bootstrap type, that allows suppression of the leakage current due to holes flowing into a p^- substrate side at the time of forward bias of a bootstrap diode.例文帳に追加

ブートストラップ方式のドライブ回路を有する半導体装置において、ブートストラップダイオードの順バイアス時にｐ^-基板側に流れるホールによるリーク電流を抑制することができる半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the Hall device 26a, transistors 43 and 44 for taking out a hall voltage of the Hall device 26a and a transistor 63 for supplying a control current to the Hall device 26a on a semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体基板１２にホール素子２６ａと、このホール素子２６ａのホール電圧を取り出すためのトランジスタ４３、４４と、ホール素子２６ａに制御電流を供給するめのトランジスタ６３とを設ける。 - 特許庁

To provide a head employing a substrate for an ink jet recording head being driven by two kinds of power supply voltages in which a heater is prevented from being damaged by abnormal heater current flow regardless of the order of application of power supply voltages.例文帳に追加

２種類の電源電圧により駆動されるインクジェット記録ヘッド用基板において、電源電圧の印加順序によらず、異常ヒータ電流が流れることによるヒータ損傷を防ぐヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate equipped with a protection circuit which avoids the occurrence of destruction of TFT and the variation of operating voltage, even if a large electrostatic charge arises, and when cut, securely prevents the generation of leak current etc.例文帳に追加

大きな帯電が生じてもＴＦＴの破壊や動作電圧の変動の発生を回避でき、切断された場合にリーク電流等の発生を確実に防止可能な保護回路を備えるガラス基板を提供する。 - 特許庁

Under the voltage application, a current is fed between the mold pattern 121 and the silicon substrate 131 contacted therewith via moisture adsorbed on the contacting surface of the mold pattern 121, so as to enable the anodic oxidation.例文帳に追加

この電圧印加において、モールドパターン１２１の当接面に吸着している水分を介し、モールドパターン１２１とこれに接触しているシリコン基板１３１との間に電流が流れ、陽極酸化が行われる。 - 特許庁

To provide a LCD illuminating device capable of reducing the variation of luminance and unevenness of colors of the back light of an LCD(liquid crystal display) with a simple constitution by adjusting by current individual luminance of the light emitting elements mounted on a substrate.例文帳に追加

基板上に実装された発光素子個々の輝度を電流によって調整し、簡単な構成でＬＣＤのバックライトの輝度ばらつきや色むらを軽減しうるＬＣＤ照明装置を提供する。 - 特許庁

Simultaneously with the shutting off of the switch, in a SRAM circuit, a substrate bias is controlled so that the threshold voltage of an N-channel MIS transistor is increased to reduce the leak current, in timing at which the switch becomes the shut off state.例文帳に追加

同時にスイッチが遮断状態になるのと合わせてＳＲＡＭ回路では、Ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタのしきい値電圧が上昇するように基板バイアスを制御してリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide an oriented polycrystalline film, which is capable of improving a critical electric current density and preventing peeling off of the film from a substrate, and also to provide its manufacturing method and an oxide superconductor and its manufacturing method.例文帳に追加

臨界電流密度を向上させるとともに、基材からの剥離を防止することが可能な多結晶配向膜及びその製造方法並びに酸化物超電導体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The leakage current of respective logic operation circuits at standby is reduced by setting respective substrate bias voltages Vrefn, Vrefp for standby: Vrefn=-1V, Vrefp=+Vcc+1V and at operation: Vrefn=0V, Vrefp=+Vcc.例文帳に追加

この基板バイアス電圧Ｖｒｅｆｎ，Ｖｒｅｆｐは、それぞれ、待機時：Ｖｒｅｆｎ＝−１Ｖ、Ｖｒｅｆｐ＝＋Ｖｃｃ＋１Ｖ、動作時：Ｖｒｅｆｎ＝０Ｖ、Ｖｒｅｆｐ＝＋Ｖｃｃ、のように設定することにより、待機時の各論理回路のリーク電流を削減することができる。 - 特許庁

With the transistor which is formed over the semiconductor substrate and includes a highly purified oxide semiconductor layer with a sufficiently reduced hydrogen concentration, a semiconductor device having small power consumption by the leak current can be obtained.例文帳に追加

半導体基板上に形成され、水素濃度が十分に低減されて高純度化された酸化物半導体層を用いるトランジスタは、リーク電流による消費電力の少ない半導体装置を実現できる。 - 特許庁

As a result, a substrate can be obtained which can provide a thin-film transistor with high electron mobility and reduced off-current.例文帳に追加

基板Ｓとして膜形成対象面が基板本体上に形成された窒素含有ゲート絶縁膜である基板を採用して、電子移動が高く、オフ電流が小さい薄膜トランジスタを提供できる基板を得ることができる。 - 特許庁

The oscillation stop of the crystal oscillator which is of a problem when the wiring grooves of a high aspect ration is plated by independently controlling the current supply time of the semiconductor substrate 1 and the QCM 9.例文帳に追加

また、半導体基板１とＱＣＭ９の電流通電時間を独立に制御することにより、大きいアスペクト比の配線溝をめっきする場合に問題となる水晶振動子の発振停止を防止する。 - 特許庁

To provide a substrate for oxide superconductor wire in which a surface (110) most appropriate for deposition of the oxide superconductor is presented as an aggregated structure, and to provide an oxide superconductor wire displaying high critical current density.例文帳に追加

酸化物超電導体の成膜に最も適した（１１０）面を集合組織として出現させた酸化物超電導線材用基板、および高い臨界電流密度を示す酸化物超電導線材を提供する。 - 特許庁

A first enclosing frame paste 30 formed on an upper surface of a substrate body 10 encloses the multiple light emitting diode chips 20, and a second enclosing frame paste 31 encloses the current limitation unit C1.例文帳に追加

基板本体１０の上表面に成形された第１の囲繞状フレームペースト３０は、複数の発光ダイオードチップ２０を囲繞し、第２の囲繞状フレームペースト３１は、電流制限ユニットＣ１を囲繞する。 - 特許庁