「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, in order to surely inject the tunnel current Im into the base electrode B of the transistor 11, an array of the transistor 11 and trigger element is formed by providing a low-resistance layer in a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ１１のベース電極Ｂに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ１１とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。 - 特許庁

A distributed inorganic EL display device 1c as an electro-optical device includes: a data line driving circuit 11; a scanning line driving circuit 12; a power line control circuit 13a; a current measuring circuit 15; and a TFT substrate 100c.例文帳に追加

電気光学装置としての分散型無機ＥＬ表示装置１ｃは、データ線駆動回路１１、走査線駆動回路１２、電源線制御回路１３ａ、電流測定回路１５及びＴＦＴ基板１００ｃを備えている。 - 特許庁

Also, to surely inject a tunnel current Im to the base electrode B of the parasitic bipolar transistor 11, a low-resistance layer is provided in a semiconductor substrate, and the alignment of the parasitic bipolar transistor 11 and the trigger element are devised.例文帳に追加

また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ１１のベース電極Ｂに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ１１とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 1, a first drift layer 2, a second drift layer 3, a first well region 4a, a second well region 4b, a current control region (JFET region) 15, and an electric field relaxing region (JTE region) 8.例文帳に追加

半導体装置は、基板１と、第１ドリフト層２と、第２ドリフト層３と、第１ウェル領域４ａと、第２ウェル領域４ｂと、電流制御領域（ＪＦＥＴ領域）１５と、電界緩和領域（ＪＴＥ領域）８とを備える。 - 特許庁

The integrated circuit comprises dies of a plurality of integrated circuits arranged in stack and an arbitrary die excluding the die at the vertex portion of the stack carries a current for itself and at least one additional die by substrate continuity.例文帳に追加

集積回路が、積み重ねて配置された複数の集積回路のダイを備え、積重ねの頂部のダイを除く任意のダイが、それ自身および追加のダイ少なくとも１つのための電流を基板導通により担持する。 - 特許庁

Specifically disclosed is an image transfer nip arrangement associated with a secondary transfer of an image which utilizes a constant current source to generate an electric field across the nip and transfer toner from an intermediate transfer surface to a media substrate.例文帳に追加

具体的には、ニップに渡って電界を発生させ、かつ中間転写表面から媒体基材へトナーを転写するために定電流源を利用する、画像の第２の転写に関連づけられる画像転写ニップ装置を開示する。 - 特許庁

Thanks to the connector 232 if, for example, static electricity is accumulated in the heat emitting part 23 from outside, current in connection with discharge of the static electricity flows through the connector 232 to the conductive part (ground potential) of the substrate 200.例文帳に追加

接続体２３２が設けられることによって、例えば、静電気が外部から放熱部２３に帯電した場合、静電気の放電に係る電流は接続体２３２を通じて基板２００の導電部（接地電位）に流れる。 - 特許庁

In the method, a piezoelectric thin film 4 is laminated on a support substrate on which a conductive sacrificing layer is formed, and a meander electrode 20 turning to an open state due to over-current is formed to a wiring to form an upper surface polarizing electrode 14 on the piezoelectric thin film 4.例文帳に追加

導電性犠牲層を形成した支持基板に圧電薄膜４を積層するとともに、過電流によりオープンになるミアンダ電極２０を配線に設けて圧電薄膜４に上面分極電極１４を形成する。 - 特許庁

To obtain a lithographic system in which dispersive heat generation is reduced by suppressing an eddy current being induced in the cooling element of a Lorentz actuator for moving a substrate or a mask, and performance and reliability of the actuator are prevented from lowering.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置において、基板またはマスクを動かすために使うローレンツ・アクチュエータの冷却素子に誘起する渦電流を抑制して散逸性発熱を減らし、アクチュエータの性能および信頼性の低下を防ぐこと。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device reducing a junction leakage current caused by a defective caused on an interface between a silicon mixed crystal layer and a substrate in an MIS transistor equipped with the silicon mixed layer for introducing distortion into a channel.例文帳に追加

チャネルに歪みを導入するためのシリコン混晶層を備えたＭＩＳトランジスタにおいて、シリコン混晶層と基板との界面に発生する欠陥に起因する接合リーク電流を低減した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element is formed on a substrate 101 and includes a laminated structure 120 containing an active layer 105, and a p-type electron barrier layer 106, an n-type current block layer 108 and p-type light guide layers 107, 111.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子は、基板１０１上に形成され、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｎ型電流ブロック層１０８及びｐ型光ガイド層１０７、１１１を含む積層構造体１２０を有している。 - 特許庁

To provide a cooling apparatus having a greater cooling capability with less current consumption and without generating noise, in a cooling apparatus for cooling a heater such as an LSI and an IC mounted on a substrate of electronic equipment.例文帳に追加

電子機器の基板に実装されるＬＳＩ、ＩＣ等の発熱体の冷却を行う冷却装置に関し、消費電流が少なく、騒音、ノイズが発生せず、冷却能力も大きな冷却装置を提供することにある。 - 特許庁

In this constitution, a mirror part 8 curves toward the SiC substrate 1 when a current is supplied to the heater part 12 to generate heat and then light of wavelength λ transmitted through an area 8a is reflected since a Fabri-Perot resonance condition is not met.例文帳に追加

ヒーター部１２に電流が流されて加熱されると、ミラー部８がＳｉＣ基板１側に湾曲し、ファブリ・ペロー共振条件が満たされないため、領域８ａにおいて透過していた波長λの光は反射する。 - 特許庁

With this constitution, and elongation of a depletion layer in a glass junction plane of the n-type substrate 1 can be reduced, when a reverse-bias voltage is applied and dangling bonds can be reduced, so that dielectric strength can be improved, and further, a leakage current can be reduced.例文帳に追加

これによって、逆バイアス印加時にｎ型基板１のガラス接合面の空乏層の伸びを減少させることで、ダングリングボンドの低減が可能となり、高耐圧でかつリーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

To prevent a circuit from malfunctioning, by suppressing the occurrence of a displacement current for charging and discharging parasitic capacity composed by an insulation film, such as BOX, disposed between a support substrate and an active layer by dv/dt surge.例文帳に追加

ｄｖ／ｄｔサージにより、支持基板と活性層との間に配置される絶縁膜（例えば、ＢＯＸ）にて構成される寄生容量を充放電する変位電流が発生することを抑制し、回路の誤動作を防止する。 - 特許庁

The maximum concentration of the overlapped place 4 is set to 1 to 10 times larger than the concentration of the n-type semiconductor substrate 100, thus improving the reverse recovery characteristics, and reducing the leakage current and a voltage for generating ringing.例文帳に追加

この重なり箇所４の最高の濃度を、ｎ半導体基板１００の濃度の１倍から１０倍とすることで、逆回復特性の改善と漏れ電流を低下させ、リンギングが発生する電圧を低下させることができる。 - 特許庁

To provide a substrate for light source having a low thermal resistance and exhibiting high heat dissipation effect without using a heat sink in which a light emitting element can be used in a large current region while dealing with high output, and to provide an illuminator employing it.例文帳に追加

熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な光源用基板及びこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

The front end of the TAB flying lead 11 is formed inside the pad of the substrate 1, and wiring 4 and an insulating film 3 are formed under the pad on the front end of the flying lead 11 away from the current-carrying part of the pad wiring.例文帳に追加

ＴＡＢフライングリード１１の先端を基板１のパッドの内側に形成し、かつパッド−配線の通電部よりもフライングリード１１先端側のパッド下層には配線４と絶縁膜３が形成している構成をとる。 - 特許庁

The lead frame 22 can be formed to several multiples of thicknesses without being affected by restrictions, such as the wiring pattern 11 formed on the epoxy substrate 10, thus allowing a large current to flow to the circuit pattern 24 and the terminal piece 25 connected to the circuit pattern 24 in one piece.例文帳に追加

リードフレーム22はエポキシ基板10上に形成された配線パターン11のような制約を受けず、数倍の厚さに形成することができるので、回路パターン24とこれに一体に接続する端子片25とに大きな流すことができる。 - 特許庁

An external control voltage VC is dropped by the current Ids flowing through a resistor 31 formed on a semiconductor substrate and, as a result, an internal voltage V31 is given to the drain of an NMOS 32 and the input side of an operational amplifier 33.例文帳に追加

外部制御電圧ＶＣは、半導体基板上に形成された抵抗３１を流れる電流Ｉｄｓで電圧が降下し、ＮＭＯＳ３２のドレインと演算増幅器３３の入力側に内部電圧Ｖ３１が与えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor element and a rectifying element capable of reducing a leak current in reverse bias when a high voltage is applied and reducing a forward voltage drop Vf are integrally formed on a single substrate having the rectifying element.例文帳に追加

高電圧を印加した際に逆バイアスにおけるリーク電流が少なく、順方向電圧降下Ｖｆが低い整流素子を有する単一基板上にトランジスタ素子と整流素子を一体にした半導体装置を提供する。 - 特許庁

The heater 200 includes a rectangular plate-shaped ceramic substrate 201 consisting of a plurality of insulating layers 202, 203, 204, 205, and a plurality of heating resistors 2032, 2042 which are respectively different in heating zones heated with current conduction.例文帳に追加

加熱ヒータ２００は、複数の絶縁層２０２，２０３，２０４，２０５からなる矩形板状のセラミック基板２０１と、通電によって発熱する発熱領域がそれぞれ異なる複数の発熱抵抗体２０３２，２０４２とを含む。 - 特許庁

To provide a transmitter of an infrared signal where only a required electronic component group is mounted according to current which should be supplied to an infrared light emitting diode, and in which a substrate where the electronic component group is mounted serves a double purpose.例文帳に追加

赤外線発光ダイオードに供給すべき電流に応じて、必要な電子部品群のみを実装させ、且つその電子部品群が実装される基板は兼用されている赤外線信号の送信装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superconducting wire material capable of sufficiently reducing an alternating current loss, having an excellent superconducting characteristic, and forming a line-thinned oxide superconducting thin film in the length direction on a substrate.例文帳に追加

交流損失の充分な低減を図ることができ、また優れた超電導特性を有する細線化された酸化物超電導薄膜が基板上で長さ方向に形成されている超電導線材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a collector for lithium ion battery with a high discharge capacity and superior cycle characteristics, whose a current collector layer does not delaminate and detach from a substrate and an active material layer in spite of repeated charge and discharge, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高い放電容量を有しながら、充放電を繰り返しても、集電層が基材及び活物質層と剥離、脱落しない、サイクル特性に優れたリチウムイオン電池用集電体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of a lateral semiconductor device by making thin a silicon semiconductor layer of an SOI substrate, and to prevent the time up to thermal breakage of the silicon semiconductor layer during supply of a large current from becoming short.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン半導体層を薄膜化することによって横型の半導体装置の耐圧を高め、しかも大電流の通電時にシリコン半導体層が熱破壊されるまでの時間が短くなることを防止する。 - 特許庁

To provide a noise countermeasure structure that suppresses unwanted radiation noise by reducing impedance of a substrate and further preventing a high-frequency current from being generated by electromagnetic coupling between a power source pattern and a power source supply pattern.例文帳に追加

基板のインピーダンスを低減させ、しかも、電源パターンと電源供給パターン間の電磁気的結合による高周波電流の発生を防止することにより、不要放射ノイズを抑制したノイズ対策構造を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for disposing a device improving resistance against fluctuation of an electromagnetic field caused by a drive current of a thermoelectric cooling device in relation to a sensitive device on a substrate arranged on the thermoelectric cooling device (TEC).例文帳に追加

熱電気冷却装置（ＴＥＣ）に設置される基板上のセンシティブなデバイスに係り、熱電気冷却装置の駆動電流による電磁場の変動に対して耐性向上を図ることができるデバイス設置構造を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus for improving productivity as an apparatus by improving noise resistance to pulse signals for the operation control of motors installed in respective units and reducing noise caused by a motor-driving current.例文帳に追加

各ユニットに設けられたモータの動作制御を行うためのパルス信号に対する耐ノイズ性を向上およびモータ駆動電流によるノイズ発生を低減させ、装置としての生産性を向上できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a TFT, in which gate-voltage vs. drain-current characteristics degradation caused by localized self-heating or hot carriers is prevented, and an active matrix substrate and an optoelectronic apparatus using the TFT.例文帳に追加

局部的な自己発熱やホットキャリアに起因するゲート電圧−ドレイン電流特性の劣化を防止することができるＴＦＴおよびこのＴＦＴを用いて構成したアクティブマトリクス基板並びに電気光学装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor substrate capable of forming an SOI layer and a BOX layer in a uniform thickness as a whole by suppressing temperature drop of a part in contact with a stopper from which an ion current flows out.例文帳に追加

本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor light emitting element of a constitution in which occurrence of a leakage current is suppressed by utilizing the quality of a semiconductor substrate periodically having a high density fault region in a low density fault region.例文帳に追加

低密度欠陥領域内に高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用して、リーク電流の発生を抑制した構成の窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Contact holes 12 and 13 are formed and patterning formation of a pixel electrode 16a is performed and patterning of a current source line 18 and an electroluminescence line 19 is performed by an electrolytic plating method, to the surface layer of a prepared transistor array substrate 1.例文帳に追加

この製造したトランジスタアレイ基板１の表層に対して、コンタクトホール１２，１３を形成し、更に画素電極１６ａをパターニング形成し、電解メッキ法により電流源ライン１８及びＥＬライン１９をパターニングする。 - 特許庁

When the substrate is made of aluminum nitride, sapphire, gallium oxide, or SiC; heat can be efficiently radiated due to a large emissivity, and illumination can be achieved with a high luminance even when the light emitting element is used in its large current range.例文帳に追加

基板を、窒化アルミニウム、サファイア、酸化ガリウム、又は、ＳｉＣ基板とすると、放射率が大きいため、発光素子を大電流領域で使用しても効率的に熱を放射することができ、高輝度の照明が可能となる。 - 特許庁

An integrated heater formed as a field effect transistor in a semiconductor substrate 12, with the transistor having source region 14 and a drain region 16 with a channel region extending therebetween to conduct current.例文帳に追加

半導体基板１２内に電界効果トランジスタとして形成した集積化ヒーターが提供され、トランジスタはソース領域１４とドレイン領域１６及びそれらの間に電流を導通させるチャンネル領域２０とを有している。 - 特許庁

When a surge is applied to a pad electrode 16 arranged on a surface of the semiconductor layer 13, a surge current flowing from the semiconductor layer 13 to the semiconductor substrate 10 is directed to the metal island 51 through the metal thin film 30.例文帳に追加

半導体層１３の表面に配置されたパッド電極１６にサージが印加されると、半導体層１３から半導体基板１０に流れるサージ電流は、金属薄膜３０を通って金属のアイランド５１に向かう。 - 特許庁

This method for coating chromium nitride by PVD comprises adjusting respectively arc current, the pressure of a nitrogen-containing gas, and the bias voltage on a substrate to at least 50 A, to at most 2.66 Pa, and to 100-500 V during coating.例文帳に追加

コーティング中のアーク電流を５０Ａ以上、窒素を含むプロセスガス圧力を２．６６Ｐａ以下、及び基材バイアス電圧を１００〜５００Ｖに調整することを特徴とするＰＶＤによる窒化クロムのコーティング方法。 - 特許庁

The multilayer substrate incorporates at least a part of circuit elements of a high frequency superposition circuit superimposing a high frequency current on LD, and at least a part of circuit elements of an EMC countermeasure circuit reducing electromagnetic wave noise generated from the high frequency superposition circuit.例文帳に追加

ＬＤに高周波電流を重畳する高周波重畳回路及び高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するＥＭＣ対策回路の少なくとも一部の回路素子を基板に内蔵させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a structure in which, when a current fusing type fuse had been burned out, an insulating film right under the fuse is prevented from melting until reaching a substrate, and further deterioration in element characteristics is not caused.例文帳に追加

電流溶断型のヒューズを切断した際に、ヒューズ直下の絶縁膜が基板に達するまで溶融することを防止し、しかも素子特性の劣化を生じさせることのない構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical receiver which suppresses the occurrence of PDL (polarization dependence loss) and hardly causes a leakage current in a photodetector as for the optical receiver mounting the photodetector on an optical waveguide substrate having an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路を有する光導波路基板上に受光素子を搭載する光受信器において、ＰＤＬ（偏波依存性損失）の発生を抑え、かつ受光素子における漏洩電流が少ない光受信器を提供する。 - 特許庁

To prevent precision equipment in an image reading part provided in a just upper position of an apparatus from being affected unfavorably by an ascending air current formed by heat radiated from a control substrate attached to the apparatus.例文帳に追加

装置本体に装着された制御用の基板が発する熱によって形成された上昇気流により、装置本体の直上位置に設けられた画像読取部内の精密機器に悪影響が及ぶことのないようにする。 - 特許庁

In other way, an electromagnetic induction heating type electrically conductive layer 7 which generates heat by the eddy current loss is formed on a belt substrate 6 comprising a nonwoven fabric of electrically conductive fibers to obtain the objective heating belt 2.例文帳に追加

また、電磁誘導加熱装置１に対向配置されて加熱せしめられる加熱ベルト２であって、ベルト基体６が導電性繊維による不織布からなり、渦電流損失により発熱する電磁誘導発熱性導電層７とする。 - 特許庁

A lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR mirror layer 16, a polarization control layer 17 and a contact layer 18 are installed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６、偏光制御層１７およびコンタクト層１８を備える。 - 特許庁

At the measurement of a stand-by current, a supply voltage VDD is applied to the well 5 as a well potential and a well potential VSBB=VSS+β (β=1.5 V or thereabouts) is applied to the substrate 4 and the well 6.例文帳に追加

スタンバイ電流の測定時、Ｎ−ＷＥＬＬ５にはＷＥＬＬ電位として電源電圧Ｖ_DDを印加し、Ｐ形半導体基板４、Ｐ−ＷＥＬＬ６にはＷＥＬＬ電位Ｖ_SBB ＝Ｖ_SS＋β（β＝−1.５Ｖ程度）を印加する。 - 特許庁

The organic EL module 1 includes an element substrate 2; an organic EL element 3 having an anode 31P, an organic layer, and a cathode 31M; a sealing portion 4; and a wiring board 5 to feed current to the anode 31P and cathode 31M.例文帳に追加

有機ＥＬモジュール１は、素子基板２と、陽極３１Ｐ、有機層及び陰極３１Ｍを有する有機ＥＬ素子３と、封止部４と、陽極３１Ｐ及び陰極３１Ｍに給電するための配線板５とを備える。 - 特許庁