「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the polarizer and the polarized light separating element are constituted of the waveguide type optical parts formed on the same substrate, the number of parts of an optical system and adjustment places of an optical path are reduced, and the inexpensive and reliable optical fiber current sensor is provided.例文帳に追加

偏光子及び偏光分離素子が、同一基板上に作製された導波路型光部品で構成されるため、光学系の部品数と光路の調整箇所を低減でき、低コストで信頼性の高い光ファイバ電流センサが提供できる。 - 特許庁

To solve the problem of the light output being unable to be controlled accurately, since the relation between the light output of a semiconductor laser chip for monitoring and the monitor current of a light-receiving element is not linear in a nitride-based semiconductor light-emitting apparatus, using a nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光装置では、モニター用の半導体レーザチップの光出力と受光素子のモニター電流がリニアな関係にならないため、正確な光出力制御ができない。 - 特許庁

To provide a superconductive coil capable of appropriately holding an allowable current value in the superconductive coil by reducing the tensile stress of a superconductive layer caused by a difference in the thermal coefficient of expansion between the substrate of a superconductive tape wire and a reinforced tape wire.例文帳に追加

超電導テープ線材の基板と補強テープ線材の熱膨張率の相違に起因する超電導層の引張応力を低減して、超電導コイルの許容電流値を適正に保持することができる超電導コイルを提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An anatase type titanium dioxide excellent in crystallinity can be produced by applying anodization to the surface of a substrate comprising titanium or a titanium alloy with high-voltage application or under a high-current density condition, alternatively by applying to the heat treatment to the film made on the substrate surface by the anodization method including application of high voltage or made thereon by the anodization method under the high-current density condition.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金からなる基材の表面に、高電圧を印加して陽極酸化を施すことによりあるいは高電流密度条件下に陽極酸化を施すことにより、結晶性に優れたアナタース型二酸化チタンを製造することができ、さらに、該基材の表面に、高電圧を印加しての陽極酸化法あるいは高電流密度条件下の陽極酸化法により作製した膜に熱処理を施すことで、結晶性に優れたアナタース型二酸化チタンを製造することができる。 - 特許庁

As a result, a worker, prior to completion of the mounting of the component of the current substrate type supplied from the feeders 17 in the current production job, can confirm the later handling works of the feeders 17, can reduce the number of confirming work steps than in the prior art, and can quickly start step changing works for entering the next production job.例文帳に追加

これにより、作業者は、現生産ジョブにおいてフィーダ１７から供給される現部品種の部品の部品実装が完了する前に、該フィーダ１７の今後の取扱い作業を確認することができ、従来よりも確認作業工数を低減することができるとともに次生産ジョブに入るための段取替え作業に迅速に取り掛かることができる。 - 特許庁

In the substrate for the light emitting panel, a transistor 12 capable of controlling a flowing current according to a voltage which is supplied to a data line DL, a diode (transistor 32) which is connected to the transistor 12 in series and a test line TEST for taking the current flowing in the diode (transistor 32) to outside, are provided for at least one pixel.例文帳に追加

少なくとも１つの画素に対応付けて、データラインＤＬに供給される電圧に応じて流れる電流を制御可能なトランジスタ１２と、トランジスタ１２に直列に接続されたダイオード（トランジスタ３２）と、ダイオード（トランジスタ３２）に流れる電流を外部に取り出すテストラインＴＥＳＴと、を備える発光パネル用基板により上記課題を解決することができる。 - 特許庁

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30.例文帳に追加

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。 - 特許庁

For the organic electronic device, having an organic LED element 4 and non-linear elements 1, 3 controlling the current flowing into the above on a substrate 100, the non-linear element has a structure of holding a metal layer 103 between organic layers 102, 104, and constructed so that a part of current flows between the organic layers 102, 104, through the metal layer 103.例文帳に追加

基板１００上に、有機ＬＥＤ素子４と、これに流れる電流を制御する非線型素子１及び３を有する有機電子デバイスにおいて、この非線型素子が、金属層１０３を有機層１０２，１０４で挟持した構造を有し、一部の電流がこの金属層１０３を通して有機層１０２，１０４の間を流れるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The detector is composed of a pair of chip shaped cores 6, and 7 arranged on the substrate 1, while spacing with a prescribed space for collecting the magnetic flux generated by the current flowing through the circuit conductor 3, and a magneto-electric conversion element 4 placed between the pair of magnetic cores and outputs a signal proportional to the current by detecting the collected magnetic flux.例文帳に追加

回路導体３に流れる電流に基づいて発生する磁束を集磁するように基板１上に所定の間隙を介して配置された一対のチップ状集磁コア６，７と、上記一対のチップ状集磁コア６，７の間隙に設けられ集磁された磁束を検出して電流に比例した信号を出力する磁電変換素子４とを備えた構成とする。 - 特許庁

At least a part of the resistance 220 includes a film-like conductive layer 17 formed of a conductive material, which is formed directly or indirectly on one main surface of the substrate area 21 of the semiconductor snubber 200, and when current is carried to the resistance 220, at least a part of the route of current to the conductive layer 17 flows in a direction other than the film thickness direction.例文帳に追加

抵抗２２０の少なくとも一部が、半導体スナバ２００の基板領域２１の一主面上に直接的にもしくは間接的に形成された、導電性材料からなる膜状の導電層１７を含み、かつ、抵抗２２０に電流が流れる際に、導電層１７に流れる電流の経路の少なくとも一部が、膜厚方向以外の方向へ流れる。 - 特許庁

This capacitance type ultrasonic vibrator device is characterized in comprising a capacitance type ultrasonic vibrator formed on the semiconductor substrate, and the direct-current high voltage generation means for generating a direct-current high voltage signal superimposed on a driving signal to the capacitance type ultrasonic vibrator.例文帳に追加

半導体基板に形成されている静電容量型超音波振動子と、前記半導体基板に設けられ、前記静電容量型超音波振動子への駆動信号に重畳する直流高電圧信号を発生させるための直流高電圧発生手段と、を備えることを特徴とする静電容量型超音波振動子装置により、上記課題の解決を図る。 - 特許庁

The CPU 1 finds an electric power source current waveform, by a simulation operation based on a design data of the analysis-object semiconductor chip input from a data take-in part 3, estimates an internal impedance of the semiconductor chip 80, based on the power source current waveform, and analyzes electromagnetic noise emission including the substrate 7 mounted with the semiconductor chip 80, based on the internal impedance.例文帳に追加

このＣＰＵ１は、データ取込部３から入力された解析対象の半導体チップの設計データに基づく模擬動作によって電源電流波形を求め、この電源電流波形から半導体チップ８０の内部インピーダンスを推定し、この内部インピーダンスに基づいて半導体チップ８０が実装される基板７を含む電磁ノイズ放射の解析を行う。 - 特許庁

The active matrix display device comprises: a plurality of pixel parts Px which include display elements 16 and pixel circuits 18 for supplying driving currents to the display elements and are arranged on a substrate; and a signal line driving circuit which supplies a first signal current to pixel circuits through an image signal line X1 and then supplies a second signal current to the pixel circuits through the image signal line.例文帳に追加

表示装置は、表示素子１６と、表示素子に駆動電流を供給する画素回路１８とを含み、基板上に配設された複数の画素部Ｐｘと、映像信号線Ｘ１を介して画素回路に第１信号電流を供給した後、映像信号線を介して画素回路へ第２信号電流を供給する信号線駆動回路と、を備えている。 - 特許庁

Exothermic resistors 121, 122 from which heat generation is obtained by current flow such as silver and palladium, and electrode parts 14, 15 for power supply which have low resistance value per unit area and hardly generate heat even if current is flowed such as silver and silver-platinum, are formed on one face of an insulating substrate 11 of long flat-shape having high heat conductive characteristics such as aluminum nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウム等高熱伝導特性を有する長尺平板状の絶縁基板１１の一面に、銀・パラジウム等の通電により発熱が得られる発熱抵抗体１２１，１２２と電力を供給させるための銀、銀白金等の単位面積当たりの抵抗値が低く通電しても大きな発熱現象が起こりにくい給電用の電極部１４，１５を形成する。 - 特許庁

In the sound wave generator 10 having a thermally-conductive substrate 12, a thermal insulation layer 14 with prescribed thickness formed on one surface of the substrate and a heating element thin film 16 comprised of a resistor formed on the thermal insulation layer and electrically driven by AC signal current, a Helmholtz resonator 18 is provided on the heating element thin film.例文帳に追加

熱伝導性の基板１２と、該基板上の一方の面に形成された所定の厚さの熱絶縁層１４と、該熱絶縁層上に形成されて交流の信号電流により電気的に駆動される抵抗体よりなる発熱体薄膜１６と、を有する熱励起型の音波発生装置１０であって、前記発熱体薄膜上にヘルムホルツ共鳴器１８を備える。 - 特許庁

A first gas passage for supplying a first reaction gas is formed, by discharge devices 20a and 20b, on a first substrate carried by a belt conveyor BC1 driven by a driving device 58 based on a signal from a control device 56; and a first current collection layer is formed, by a discharge device 20d, on the first substrate carried by the belt conveyor BC1.例文帳に追加

制御装置５６からの信号に基づいて駆動装置５８により駆動されるベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ａ、２０ｂにおいて第１の反応ガスを供給するための第１のガス流路を形成し、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｄにおいて第１の集電層を形成する。 - 特許庁

With the miniaturized fuel cell equipped with a fuel chamber formed from a substrate made of silicon wafer or the like, a plurality of slim fuel chambers with liquid running all through are zoned in the substrate, and by extending a slim electrolyte, anode and cathode along each fuel chamber, effective surface area is maximized, whereby, current volume generated by the fuel cell is increased.例文帳に追加

シリコンウェーハなどから作られる基板から形成される燃料チャンバを有する小型化燃料電池であり、基板内に互いに液通する複数の細長い燃料チャンバが画定され、細長い電解質、陽極及び陰極を該燃料チャンバに沿って延在させることにより効果的な電解質表面を最大化し、それにより燃料電池が生成する電流量が増大される。 - 特許庁

In the droplet discharge device, even if a common electrode 76 and the wiring pattern 68 of a printed wiring board 54 are conducted when an electric signal is applied between a first electrode 78 and a second electrode 74 and a current flows through the substrate of a piezoelectric board 56, driving of the substrate 75 is suppressed because of low piezoelectricity and overall vibration of the piezoelectric board 56 is suppressed.例文帳に追加

第１電極７８、第２電極７４間に電気信号が加えられた際に、共通電極７６とプリント配線基板５４の配線パターン６８との間で誤って通電し、圧電体基板５６の基体７５に電流が流れた場合でも、基体７５は、圧電性が低いため、基体７５の駆動が抑えられ、圧電体基板５６全体の振動が抑制される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the horizontal MISFET formed on the main surface of a SOI substrate 2, and on the substrate 2 where concave-convex structures 6 for expanding the current pathway between a source region 3 of the MISFET and the drain region 4 are disposed, and the boundary of the concave part 11 and the convex part 12 of the concave-convex structure 6 is constituted by a slanting face.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ基板２の主表面に横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成り、基板２の主表面には、ＭＩＳＦＥＴのソース領域３とドレイン領域４間の電流経路を拡大させるための凹凸構造６が設けられており、凹凸構造６の凹部１１と凸部１２の境界が斜めに傾斜している面によって構成されている。 - 特許庁

In the ion implantation apparatus which is used in the impurity introducing process executed between the film forming process and activating annealing process, ion current density distribution, movement of substrate or beam progressing angle are controlled so that the substrate has the desired impurity density distribution on the basis of the control data to which the data of the film forming process and activating annealing process are added.例文帳に追加

成膜工程と活性化アニール工程の間で行われる不純物導入工程で使用されるイオン注入機において、前記成膜工程のデータと前記活性化アニール工程のデータを加えた制御用データに基づいて、前記基板が所望の不純物密度分布を持つように、イオン電流密度分布及び基板の移動、又は、ビーム進行角を制御する。 - 特許庁

This detection device has a field effect transistor having a substrate, a source electrode and a drain electrode arranged on the substrate, a channel including an ultrafine fiber body (for example, a carbon nanotube) for connecting electrically the source electrode to the drain electrode, and a gate electrode for controlling a current flowing in the channel; and an anti-insulin antibody bonded to the field effect transistor.例文帳に追加

検出装置は、基板、前記基板上に配置されたソース電極およびドレイン電極、前記ソース電極とドレイン電極とを電気的に接続する超微細繊維体（例えばカーボンナノチューブ）を含むチャネル、ならびに前記チャネルを流れる電流を制御するゲート電極を有する電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタに結合された抗インスリン抗体と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element in which a plurality of semiconductor layers having an active layer that emits light by electric current injection are stacked on a substrate, comprises a metal dot layer neighboring the active layer, and the dot metal layer is configured so that a plurality of metal dots having a dot diameter to provide localized plasmon resonance for a prescribed wavelength are arranged in parallel to the substrate.例文帳に追加

基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、 前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、 前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an HV transistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, and the HV transistor 10 includes a gate electrode 19 formed on the semiconductor substrate 1 with an insulating film interposed, and a source 15 and a drain 13, the inside of the gate electrode 19 being depleted when a voltage is applied to the gate electrode 19 and a current flows between the source 15 and drain 13.例文帳に追加

半導体基板１に形成されたＨＶトランジスタ１０を備え、ＨＶトランジスタ１０は、半導体基板１上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極１９と、ソース１５及びドレイン１３を有し、ゲート電極１９の内部は、当該ゲート電極１９に電圧が印加されてソース１５とドレイン１３との間に電流が流れるときに空乏化する。 - 特許庁

In this magnetic balance type electric current sensor, a secondary winding 20 includes a first wiring pattern comprising a plurality of strip-shaped first conductor patterns 21 drawn in parallel within a semiconductor substrate 1 and a second wiring pattern comprising a plurality of strip-shaped second conductor patterns 22 drawn in parallel within the semiconductor substrate 1 while being formed in parallel with the first wiring pattern.例文帳に追加

磁気平衡式電流センサにおいて、二次巻線２０を、半導体基板１の内部に並行して延伸された複数の帯状の第１導体パターン２１からなる第１配線パターンと、半導体基板１の内部に並行して延伸された複数の帯状の第２導体パターン２２からなるとともに第１配線パターンと平行に形成された第２配線パターンと、を備えて構成した。 - 特許庁

To attain a setting of operation parameter individually to each of two magneto-electric transducers on an electronic substrate without preparing an external connection terminal which causes redundancy at the application, when two magneto-electric transducers, the input terminals of which are used in common for an input of power and an input of operation parameter setting signal are mounted on the electronic substrate in a current detection device.例文帳に追加

電流検出装置において、入力端子が電力の入力用と動作パラメータ設定信号の入力用とに兼用される２つの磁電変換素子が電子基板に実装される場合に、運用時に冗長となる外部接続用端子を電子基板に設けることなく、電子基板上の２つの磁電変換素子各々に対して個別に動作パラメータを設定できること。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate on which a p-SiTFT and an a-SiTFT are formed within the identical substrate and having a TFT for pixel with a leak current generated by the light irradiation suppressed, and a liquid crystal display device having it, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、同一基板内にｐ−ＳｉＴＦＴと、ａ−ＳｉＴＦＴとが形成された薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びにその製造方法に関し、光の照射により生じるリーク電流が抑制された画素用ＴＦＴを有する薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びにその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a speaker diaphragm which includes a substrate including a laminate and a thermosetting resin impregnated in the substrate, comprises a conductive member for propagating a current signal applied to a voice coil, and is capable of reducing man-hour and improving beautiful appearance of a motor-driven speaker and its acoustic characteristics, and to provide the motor-driven speaker using the same.例文帳に追加

積層体を含む基材と基材に含浸された熱硬化性樹脂とを含むスピーカー振動板であって、ボイスコイルへ印可される電流信号を伝える導電部材を備え、工数を削減するとともに、動電型スピーカーの美観を改善することができ、さらに、音響特性に優れたスピーカー振動板およびそれを用いた動電型スピーカーを提供する。 - 特許庁

In the flame-spraying electrostatic chuck 22 for attracting and holding a glass substrate G, or the like; a high-voltage DC power supply 67 applies a diagnosis DC voltage lower than that for attracting and holding the glass substrate G to a chuck electrode 24 in the electrostatic chuck 22, and respective measuring instruments 70, 71 acquire the measurement data of electrical characteristics (voltage and current) at a measurement position.例文帳に追加

ガラス基板Ｇ等を吸着保持するための溶射タイプの静電チャック２２において、高圧直流電源６７は静電チャック２２のチャック電極２４に、ガラス基板Ｇを吸着保持する場合よりも低い直流電圧である診断電圧を印加し、各測定器７０、７１は測定位置における電気的特性（電圧や電流）の測定データを取得する。 - 特許庁

To provide a light emitting device and an element substrate which are capable of suppressing unevenness in the luminance intensity of a light emitting element among pixels due to characteristic variations of a driving transistor without suppressing off-current of a switching transistor low and increasing storage capacity of a capacitor.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。 - 特許庁

To form a plating film which has improved in-plane uniformity of a film thickness on the surface (the surface to be coated) of a substrate arranged to face an anode by controlling current flowing inside without increasing any power source of plating, with a relatively simple structure.例文帳に追加

比較的簡単な構成で、しかも、めっき電源を増やすことなく内部を流れる電流を制御して、アノードと対向して配置される基板の表面（被めっき面）に膜厚の面内均一性を向上させためっき膜を成膜できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and field effect transistor as well as manufacturing methods therefor, of less defects and leak current, with a low manufacturing cost while the thickness of an SOI layer is precisely controlled even to a thin one.例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、欠陥が少ないと共にリーク電流が小さく、低コストに製造することを可能にし、しかもＳＯＩ層の厚さを薄い厚さで精度よく制御できるようにすること。 - 特許庁

The substrate has a non-planar shape having at least one projecting surface on the first surface, and at least one eddy current sensor is formed on at least one recessed surface section formed on the second surface corresponding to at least one projecting surface section.例文帳に追加

基板は第１の面に少なくとも１つの凸面部を有する非平面形状を有しており、少なくとも１つの渦電流センサは少なくとも１つの凸面部に対応して第２の面に形成されている少なくとも１つの凹面部上に形成されている。 - 特許庁

Additionally, the interval between the semiconductor substrate and control electrode is made larger than the thickness of the channel member, and at the same time is set to an interval for preventing a gap from being generated in formation, thus making larger the grain of polysilicon in a channel portion, and increasing the drain current when the transistor is on.例文帳に追加

また、上記半導体基板と上記制御電極との間隔を、上記チャネル部材の厚みより大きく、かつ、形成時に隙間が生じない間隔としたので、チャネル部分のポリシリコンのグレインが大きくなり、トランジスタのオン時のドレイン電流が増加する。 - 特許庁

To obtain an active matrix substrate in which a TFT is protected effectively against static electricity by providing a short circuit member having a convenient structure of high charge dispersiveness and functioning even after a packaging process thereby substantially eliminating a leak current in a low voltage region.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板において、実装工程後も機能し、かつ電荷分散性の高い簡便な構造の短絡部材を備えることにより、低電圧領域においてリーク電流をほとんど生じることなく、静電気からＴＦＴを有効に保護する。 - 特許庁

To establish an antifouling device by constant current control for the purpose of stably obtaining an electrochemical antifouling effect over a long period, even when an electroconductive substrate of a face to be antifouled has lowered the function.例文帳に追加

被防汚面たる導電性基材の機能低下が起こった場合でも、被防汚導電性基材の電気化学的防汚効果を長期に渡って安定的に得ることを目的として定電流制御による防汚装置を確立することを課題としたものである。 - 特許庁

An electromagnetic induction heating type organic electrically conductive layer 4 which generates heat by an eddy current loss is formed on the surface of a belt substrate 3 made of a heat resistance resin or rubber to obtain the objective heating belt 2 which is placed opposite to an electromagnetic induction heater 1 and heated.例文帳に追加

電磁誘導加熱装置１に対向配置されて加熱せしめられる加熱ベルト２であって、耐熱性樹脂又はゴム製のベルト基体３表面に、渦電流損失により発熱する電磁誘導発熱性有機導電層４を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus improving transmittance of light in a transparent insulation film on a light entering surface side of a substrate, and having a dark current suppressing function and a quantum efficiency loss prevention function, in a back face irradiation type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a coreless current sensor which has little influence on an electric component caused by heat generation from a primary conductor, can connect the primary conductor to a substrate easily and highly accurately, and optimizes easily intensity of a magnetic field applied to a magnetosensitive element.例文帳に追加

一次導体と基板の接続を高精度かつ容易に行うことができ，一次導体の発熱による電子部品への影響が少なく，測定する電流により，感磁素子へ印加する磁界の強さを最適化するのが容易なコアレス電流センサを提供する。 - 特許庁

To provide a means for reducing the soft load of a main control substrate by simplifying determining processing when making it possible to determine the opening time of a variable member a unit time based on a current state changing one after another other than game condition.例文帳に追加

遊技状態以外の、例えば逐次変化する現在の状況をも踏まえ、単位期間当たりの可変部材の開放時間を決定可能とするに際し、当該決定処理を簡素化して主制御基板のソフト負担を軽減する手段を提供する。 - 特許庁

To provide an amplification type solid imaging element that improves a dark current of a light reception portion, reduces white flaws, improves reliability of a transfer transistor, and achieves high-speed output of pixel information by an output processing portion, by optimizing the film thickness of an insulating film on a substrate.例文帳に追加

基板上の絶縁膜の膜厚最適化により、受光部の暗電流、キズ特性の向上、転送トランジスタの信頼性の長寿命化、出力処回路部による画素情報の高速出力化をできる増幅型固体撮像素子の提供。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of controlling the gradation of an organic LED device by discretely controlling the current level, a method for manufacturing the thin-film transistor, an array substrate including the thin-film transistor, a display device and a driving system therefor.例文帳に追加

電流レベルを離散的に制御することにより有機ＬＥＤ素子の階調を制御することが可能な薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタの製造方法、該薄膜トランジスタを含むアレイ基板、表示装置および該表示装置の駆動方式を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an MOS transistor supplying a surge current between a source and a drain in order to protect a main circuit wherein the MOS transistor has a first conductivity type well 2 of a first impurity concentration formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

主回路を保護するためにソースとドレインとの間にサージ電流を流すＭＯＳトランジスタを有する半導体装置であって、ＭＯＳトランジスタは、半導体基板１の表面に形成された第１不純物濃度の第１導電型のウェル２を有する。 - 特許庁

To provide a phase transformation memory element in which a current required for the phase transformation of a phase transformation film is reduced effectively and a contact area between a lower electrode and the phase transformation film can be made uniform over the entire region of a substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相変化膜の相変化に必要な電流を効果的に低減し、基板の全領域に亘って、下部電極と相変化膜との間の接触面積を均一にすることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁