「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

In an upper surface of the heater board 5 as a thin film formed on the reverse face of a porous oxygen gas rate controlling material substrate 4 included in the limiting current type oxygen sensor, a migration restricting film is formed to restrict migration of the heater board 5 due to overheat except for a land part 51.例文帳に追加

限界電流式酸素センサに含まれる多孔質酸素ガス律速体基板４のうら面に成膜される薄膜状のヒータ板５の上面において、ランド部５１を除く部位には、過熱にともなうヒータ板５のマイグレーションを抑制するためのマイグレーション抑制膜が成膜される。 - 特許庁

An inductance L is formed while being buried in the insulation layers (15, 17) and connected with the rewiring layers (16, 18), and eddy current suppression layers (S1, S2) are formed while being buried in the insulation layers (15, 17) between the substrate 10 and the inductance L.例文帳に追加

ここで、再配線層(１６，１８)に接続して絶縁層（１５，１７）中に埋め込まれてインダクタンスＬが形成されており、基板１０とインダクタンスＬの間において絶縁層（１５，１７）中に埋め込まれて渦電流抑制層（Ｓ１，Ｓ２）が形成されている構成とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel using a backlight, the liquid crystal display panel capable of reducing a light leakage current of a TFT caused by reflected light from a black matrix or a color filter on a counter substrate, suppressing flicker and giving a preferable contrast.例文帳に追加

バックライトを使用する液晶表示パネルにおいて、対向基板のブラックマトリクスないしカラーフィルタからの反射光に起因するＴＦＴの光リーク電流を減少させてフリッカを抑制するとともに良好なコントラストが得られる液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

On the substrate end side of the source driver IC101, a GND bump 24d, an analog power supply bump 23d, a digital power supply bump 25d, a positive polarity side gradation voltage bump 22d and a negative polarity side gradation voltage bump 26d are formed in the order along which current flows.例文帳に追加

ソースドライバＩＣ１０１の基板端側には電流が流れる順番に外側からＧＮＤ用バンプ２４ｄ、アナログ電源用バンプ２３ｄ、デジタル電源用バンプ２５ｄ、正極性側の階調電圧用バンプ２２ｄ、負極性側の階調電圧用バンプ２６ｄが形成されている。 - 特許庁

To prevent the power consumption from increasing due to the through- current of a scanning driver circuit, to make the scanning drive circuit possible to be constituted on the same glass substrate as a liquid crystal matrix, and to make forming the MOS transistors constituting the circuit formable out of a high performance one with polycrystal silicon.例文帳に追加

走査ドライバ回路の貫通電流による消費電力の増大をなくし、前記回路を液晶マトリックスと同一のガラス基板上に構成可能とし、前記回路を構成するＭＯＳトランジスタを多結晶シリコンによる高性能なもので形成可能とする。 - 特許庁

In the printed wiring board 4, a plurality of wiring patterns 42A, 42B and 42C different in film thickness and width in accordance with strength of flowing current are formed on an insulating substrate 41, and surfaces of the wiring patterns 42A, 42B and 42C are arranged on the same plane.例文帳に追加

印刷配線板４は、流れる電流の強さに応じて膜厚と幅とが異なる複数の配線パターン４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃが、絶縁基板４１上に形成されているとともに、これらの配線パターン４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃそれぞれの表面が同一平面上に配置されている。 - 特許庁

To provide a compact and cost-effective packaging for integrating III-nitride or other group III-V transistors with group IV diodes, in contrast to conventional side-by-side placement of devices on a common substrate which increases parasitic inductance and resistance in current paths and also increases thermal dissipation requirements of a package as well as manufacturing costs.例文帳に追加

従来の共通基板上へのデバイスの並置構成は、電流通路の寄生のインダクタンス、抵抗、及びパッケージの放熱要件を増大し、製造コストも増大するため、III−窒化物又は他のIII−V族トランジスタをIV族ダイオードと一体化するコンパクトでコストエフェクティブなパッケージングを提供する。 - 特許庁

The slave set 1 is suspended to a charging table 2 by the hooking part 11, a charging terminal 13 provided at the tip of the antenna 12 is connected to the power source terminal of the table 2 and a charging current is supplied to the battery 16 through the charging circuit of a base band substrate 15.例文帳に追加

子機１は、フック部１１により充電台２に懸架され、アンテナ１２の先端に設けられた充電端子１３が、充電台２の電源端子に接続されて保持され、充電電流が供給されてベースバンド基板１５の充電回路を経由して電池１６に達する。 - 特許庁

Idling currents and a current drive to a push-pull circuit 3 are controlled, by changing threshold voltages of the transistor Q17 and Q18 by utilizing substrate bias effects with changes in the voltages applied to the N-well and P-well.例文帳に追加

ＮウェルおよびＰウェルに印加する電圧を変化させることにより、基板バイアス効果を利用して、Ｎｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１７およびＰｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１８のスレッシュホールド電圧を変化させることで、プッシュプル回路３に流れるアイドリング電流や電流駆動能力を制御する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To reduce the gate leakage current in three kinds of MOS transistors having their respective gate oxide films of a small, medium and large thicknesses formed on the same semiconductor substrate, by preventing the deterioration of the gate oxide films with holding high the accelerated oxidation effect of the medium-thickness gate oxide film.例文帳に追加

それぞれ小膜厚、中膜厚及び大膜厚のゲート酸化膜を有する３種類のＭＯＳ型トランジスタを同一半導体基板に形成する場合、中膜厚のゲート酸化膜の増速酸化効果を高く保ちつつゲート酸化膜の劣化を防止して、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

According to the substrate polishing device, downward air pressure of the cylinder 10, rotational speeds of the driving motors 4, 8, and a fed amount of the abrasive by the abrasive feeding pump are variably adjusted by a control microcomputer installed in a controller 14, based on polishing information detected by the current sensor and the temperature sensor 13.例文帳に追加

電流センサおよび温度センサ１３によって検知された研磨情報に基づき、コントローラ１４に設けられた制御マイクロコンピュータによってシリンダ１０の下降エア圧、駆動用モータ４，８の回転数および研磨剤供給ポンプによる研磨剤の供給量が変動調整される。 - 特許庁

This battery is made up of an electrolyte, a first electrode, and a second electrode, At least one of the first and second electrodes is made up of a current collecting substrate, an active material associated with the substrate, and a surface-reforming constituent deposited on at least a part of the active material, and the surface-reforming constituent is made of lithium niobate and/or lithium tantalate.例文帳に追加

電解質、第１電極および第２電極から成る電池であって、前記第１電極および第２電極の少なくとも一方が、集電基板と、当該基板と関連した活物質と、当該活物質の少なくとも一部に付着した表面改質成分とから成り、当該表面改質成分がニオブ酸リチウム及び／又はタンタル酸リチウムから作られることを特徴とする電池。 - 特許庁

To obtain a multistage substrate carrying conveyor having a means for alarming an error occurring in the production tact of the preceding/following process facility due to some cause, a function for altering the setting of an alarm quantity arbitrarily depending on the production machine type, and a substrate carrying in/out function capable of recognizing the priority selectively wherein these functions can be implemented as space saving type substituting for a current space.例文帳に追加

前後工程設備の生産タクトに何らかの理由によって誤差が生じている場合、それを警告できる手段と生産機種に応じて任意で警報数量設定を変更できる機能及び選択的に優先順位識別可能な基板搬入出機能を有し、これらの機能を省スペース型として実現し現状スペースに置き替えることを可能にする多段式基板搬送コンベアがテーマである。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes: an n-type GaAs substrate 100; an n-type lower DBR 102 formed on the substrate 100; an active region 104; a p-type upper DBR 106 formed on the active region; a p-type current constriction layer 108 formed in the upper DBR 106; a p-side electrode 112 electrically connected to the upper DBR 106; and an n-side electrode 120.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。 - 特許庁

The device 18 acquires a reference data that shows a relationship between reference functions using as a variable the substrate currents when the film 34 is irradiated with the first and second energy electron beams and film thickness in a reference sample, and calculates the film thickness of the thin film on the basis of the first and second substrate current values while taking the reference data into consideration.例文帳に追加

膜厚測定装置１８は、標準試料において、第一のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流と第二のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流とを変数とする参照関数と膜厚との関係を示す参照データを取得し、参照データを考慮して第一の基板電流値と第二の基板電流値とに基づき測定対象の薄膜の膜厚を算出する。 - 特許庁

When producing the bipolar semiconductor device formed of a silicon carbide epitaxial layer 2, grown from the surface of a silicon carbide substrate 1, at least a part of the region where electrons and positive holes recombine during applying of electric current, the surface of the silicon carbide substrate 1 is treated with hydrogen etching, and then silicon carbide is epitaxially grown from the treated surface to result in formation of the epitaxial layer 2.例文帳に追加

通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板１の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層２により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板１の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層２を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light emitting diode in which a silicon substrate can be easily peeled at low cost nearly without physically damaging nitride-based group III-V compound semiconductor layers forming a light emitting diode structure after the nitride-based group III-V compound semiconductor layers are grown on the silicon substrate to easily manufacture a vertical current injection type diode.例文帳に追加

発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をシリコン基板上に成長させた後、このシリコン基板を窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にほとんど物理的損傷を与えることなく低コストで容易に剥離することができ、垂直電流注入型発光ダイオードを容易に製造することができる発光ダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

A front panel 10 having a display electrode and a dielectric layer formed in pair on a glass substrate is set on a substrate holder 32 in a vacuum chamber 31, the vacuum chamber is evacuated, a panel 10 is heated by a heater 35, and a film material (MgO) in a crucible 38, irradiated with a thermionic current 36 via a filament 37, is evaporated to form a MgO film.例文帳に追加

ガラス基板上に対となる表示電極と誘電体層を形成してなる前面側パネル１０を真空チャンバ３１内の基板ホルダー３２にセットし、真空チャンバ３１の内部を排気し、ヒータ３５にてパネル１０を加熱し、るつぼ３８内の膜材料（ＭｇＯ）にフィラメント３７より熱電子流３６を照射させてＭｇＯを蒸発させて前面側パネル１０の誘電体層上にＭｇＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The biosensor array has a substrate, a large number of the heaters arranged on the substrate in a matrix state, power wiring for feeding a current to the heaters, thin film transistors arranged in a matrix state corresponding to the heaters, gate wiring for applying a control signal to the thin film transistors and sensors which are formed at the positions corresponding to the heaters and the thin film transistors and carry DNA probes.例文帳に追加

基板と、該基板上にマトリクス状に配置した多数の加熱装置と、該加熱装置に電流を供給する電力配線と、該加熱装置に対応してマトリクス状に配列された薄膜トランジスターと、該薄膜トランジスターに制御信号を与えるゲート配線と、上記加熱装置及び該薄膜トランジスターに対応する位置にマトリクス状に形成されＤＮＡプローブを担持するセンサとを有することを特徴とするバイオセンサアレイ。 - 特許庁

Current-driven type light emitting elements arrayed in matrix on an electric insulating substrate 1 each has a first electrode layer 33 arranged on a surface of a protection layer 54 formed on the electric insulating substrate, an organic EL layer 35 laminated on the first electrode layer, and a second electrode layer 37 formed on the organic EL layer and a power supply line 17 is buried in the protection layer.例文帳に追加

電気絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された電流駆動型発光素子は電気絶縁性基板上に形成された保護層５４の表面に配置された第１電極層３３と、該第１電極層上に積層された有機ＥＬ層３５と、該有機ＥＬ層上に形成された第２電極層３７とを有し、電源供給線１７は、前記保護層内に埋め込まれている。 - 特許庁

This electron emitting element manufacturing device is provided with a holder container 101 for holding a processed substrate 10 having a pair of electrodes 12 and a conductive thin film 13 provided between the pair of electrodes in a surface thereof, a power source 103 for applying voltage between the pair of electrodes of the processed substrate to supply the current to the conductive thin film, and an inductor 109 provided between the power source and the electrodes.例文帳に追加

表面に一対の電極１２と一対の電極間に設けられた導電性薄膜１３とを有する被処理基板１０を保持する保持容器１０１と、被処理基板の一対の電極間に電圧を印加して導電性薄膜に電流を供給する電源１０３と、電源と電極との間に設けられたインダクタ１０９と、を備えた電子放出素子の製造装置である。 - 特許庁

In a method for controlling the variable wavelength laser having an active region for emitting light having a specified wavelength on the same substrate, and a variable wavelength region for changing the amount of current injection and changing the wavelength of light emitted from the active region; the amount of heat inside the variable wavelength laser is maintained constantly before and after a change in the amount of current injection into the variable wavelength region for controlling a wavelength.例文帳に追加

同一基板上に所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザの制御方法において、波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つことを特徴とする。 - 特許庁

Stimulation is caused in a direction orthogonal to the guide direction of the signal light by embedding n-GaInAsP current block layers 504 to both sides of a GaInAsP active layer 502 formed on an n-InP substrate 501 and forming n-InP embedded layers 510 arranged in a direction orthogonal to the GaInAsP active layers 502 at a prescribed interval to the n-GaInAsP current block layers 504.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板５０１上に形成されたＧａＩｎＡｓＰ活性層５０２の両側をｎ−ＧａＩｎＡｓＰ電流ブロック層５０４で埋め込むとともに、ＧａＩｎＡｓＰ活性層５０２と直交する方向に所定間隔で配列されたｎ−ＩｎＰ埋め込み層５１０をｎ−ＧａＩｎＡｓＰ電流ブロック層５０４に形成することにより、信号光の導波方向と直交する方向で発振が起こるようにする。 - 特許庁

The plasma treatment method which arranges a sample substrate 6 on a sample bed 7 provided inside a reaction vessel 8, generates plasma by discharge while supplying a material gas 4 and electric power into the reaction vessel 8, and holds the sample substrate in the plasma, is characterized by controlling a shape of generating plasma 5 through simultaneously supplying microwave electric power and direct current power into the reaction vessel 8.例文帳に追加

反応容器８の内部に設けた試料台７上に試料基板６を配置し、該反応容器８内に材料ガス４と電力を供給しながら放電によりプラズマを発生させ、該プラズマ中に試料基板を保持する処理方法において、反応容器８内にマイクロ波電力と直流電力を同時に供給することにより、発生するプラズマ５の形状をコントロールするプラズマ処理方法とその装置を基本手段として提供する。 - 特許庁

In the respective drive lines VL for supplying the drive current from the drive power source to the organic EL elements 20 formed in display pixel regions having display pixels, light shielding films BM connected onto a transparent substrate 10 are connected to drive power source input terminals T and are connected to the respective drive lines VL.例文帳に追加

表示画素を備えた表示画素領域に形成された有機ＥＬ素子２０に駆動電源からの駆動電流を供給するための各駆動ラインＶＬに於いて、透明基板１０上に接続された遮光膜ＢＭを駆動電源入力端子Ｔと接続し、これを各駆動ラインＶＬに接続する。 - 特許庁

If an object is moving, when a sport mode mainly chosen in this occasion is established, switching of substrate voltage V_sub is not performed during photographing by electrically connecting a terminal T_O and a terminal T_B of a switch SW_1 not to pass base current of a Transistor T_r1.例文帳に追加

被写体が動体である場合に主に選択されるスポーツモードが設定されている場合には、本撮影時において、スイッチＳＷ_１の端子Ｔ_Ｏと端子Ｔ_Ｂとが電気的に接続され、トランジスタＴ_ｒ１のベース電流が流れないような状態とすることにより、基板電圧Ｖ_ＳＵＢの切替を行わない。 - 特許庁

The boron phosphide semiconductor light emitting element having the high light emitting intensity of a wide light emitting region is obtained by avoiding the short circuiting flow of the element drive current to a light emitting layer by selectively disposing the boron phosphide semiconductor noncrystal layer which can constitute a pn junction with a high resistance or substrate layer of a pedestal electrode under the pedestal electrode.例文帳に追加

台座電極を高抵抗または下地層とｐｎ接合を構成できるリン化硼素系半導体非晶層を台座電極の下に選択的に配置して、素子駆動電流の発光層への短絡的な流通を回避して、発光領域の広い高発光強度のリン化硼素系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

A semiconductor device includes: first and second blocks having a plurality of memory cells MT installed in a semiconductor substrate 11 and a plurality of selection transistors ST2 serially connected to one ends of the current paths of the plurality of memory cells MT; an embedded wiring layer 32; and an upper layer wiring layer SL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１１に設けられた複数のメモリセルＭＴと、複数のメモリセルＭＴの電流経路の一端に直列に接続された複数の選択トランジスタＳＴ２とを有する第１及び第２のブロックと、埋め込み配線層３２と、上層配線層ＳＬとを含む。 - 特許庁

To provide a polycrystalline thin film capable of preventing warpage of a substrate due to internal stress of the film, by thinning an interlayer while maintaining good crystal orientation; and to provide an oxide superconductor with high critical current density and a superb superconducting property.例文帳に追加

本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止できる多結晶薄膜の提供と、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な酸化物超電導導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electron source, wherein each electron emission element has a uniform electron emission characteristic by forming uniform electron emission parts throughout almost all the electron emission elements, when current-carrying forming is performed to a conductive film of each of the electron emission elements in forming the multiple electron emission elements on a substrate having a large area.例文帳に追加

大面積の基板上に多数の電子放出素子を形成するに際して、各電子放出素子の導電性膜に通電フォーミングを行なうときに、ほぼ全ての電子放出素子にわたって均一な電子放出部を形成し、各電子放出素子が均一な電子放出特性を有する電子源を実現する。 - 特許庁

Since the power source voltage Vdd is impressed to the n-type semiconductor substrate 11 via an electrode 22, a current easily flows to the leak path due to the rectifying action of diode when an external input is applied and thereby breakdown of the second easy breakdown region 17b for the purpose other than the programming can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１１には電極２２を介して電源電圧Ｖｄｄが印加されているため、外部入力があった場合ダイオードの整流作用からリークパス部を電流が流れやすくなり、プログラミング目的以外で第２易破壊領域１７ｂが破壊されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a protective circuit that can be manufactured at a low cost using common protective element without relying on an electric current rating and a voltage rating of a battery pack, in a protective circuit for protecting a battery pack from overcurrent and overvoltage using a protective element having a resistance heating element and a fuse element on a substrate, and a detection means.例文帳に追加

基板上に抵抗発熱体とヒューズエレメントを設けた保護素子、及び検知手段を用いて、過電流と過電圧から電池パックを保護する保護回路において、電池パックの電流定格や電圧定格によらず、共通の保護素子を使用して低コストに製造できる保護回路を提供する。 - 特許庁

The ceramic circuit board comprises a plurality of metallization layers 2, formed on a ceramic substrate 1 where a metal circuit board 3 of aluminum is fixed to a part of the metallization layer 2 and the relation S≥9×10-5i2 is satisfied between the cross-sectional area S (mm2) of the metal circuit board 3 and a flowing current i (A).例文帳に追加

セラミック基板１に複数のメタライズ配線層２を形成して成るセラミック回路基板であって、前記メタライズ配線層２の一部にアルミニウムから成る金属回路板３が取着されており、かつ該金属回路板３の断面積をＳ（ｍｍ^2）、流れる電流をｉ（Ａ）とした時、Ｓ≧９×１０^-5ｉ^2を満足する。 - 特許庁

In the wiring sheet for a solar cell which feeds a current generated on the surface of a back contact type solar cell to an electrode on the rear surface, a laminate of an insulating substrate and a conductor is laminated with an ionomer resin interposed therebetween, and a wiring pattern is formed on the conductor.例文帳に追加

バックコンタクト型太陽電池の表面で発生する電流を裏面の電極に流すための太陽電池用配線シートであって、絶縁性を有する基材と導電体からなる積層体がアイオノマー樹脂を介して積層され、該導電体に配線パターンを施してなることを特徴とする太陽電池用配線シートである。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with a transistor and a diode which are formed on a same substrate and connected in parallel, resistance of the diode at the time of yield operation is smaller than that of the transistor at the time of yield operation, and secondary breakdown current of the diode is greater than that of the transistor.例文帳に追加

同一基板上に形成され、並列接続されたトランジスタおよびダイオードを備えた半導体装置において、前記トランジスタの降伏動作時の抵抗より前記ダイオードの降伏動作時の抵抗を小さく、かつ、前記トランジスタの二次降伏電流より前記ダイオードの二次降伏電流を大きくする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an in-plane magnetization type magnetoresistive element MRD using a spin-transfer torque writing method arranged on a principal surface of a semiconductor substrate, which can change a magnetization state depending on a current flow direction, and first wiring BL electrically connected with the magnetoresistive element MRD and extending in a direction along the principal surface.例文帳に追加

半導体基板の主表面上に配置された、電流の流れる向きに応じて磁化状態を変化させることが可能な、スピントルク書き込み方式の面内磁化型の磁気抵抗素子ＭＲＤと、磁気抵抗素子ＭＲＤと電気的に接続され、主表面に沿った方向に向けて延びる第１配線ＢＬとを備える。 - 特許庁

In addition, it is constituted so that a common base current amplification factor α_1 of a first transistor, where a first N type conductive region 2 is a collector, and the third P type conductive region 12 and the fourth P type conductive region 13 and a substrate conductive region 1 are a base, and a second N type conductive region 3 is an emitter.例文帳に追加

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第３Ｐ型導電領域１２、第４Ｐ型導電領域１３及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域３をエミッタとする第１のトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。 - 特許庁

With the signal of brightness generated by detecting light P2 (indicated by a broken line) traveling as part of light P1 emitted by an organic light-emitting layer 13 is reflected in the glass substrate 11, and the reference value of a current to be applied to the organic electroluminescence light-emitting module 10 is adjusted, to control the illuminator 1 to illuminate with the predetermined lightness.例文帳に追加

有機発光層１３で発生した光Ｐ１の一部がガラス基板１１内部で反射して伝播する光Ｐ２（破線で示す）を検出した明るさの信号で、有機エレクトロルミネッセンス発光モジュール１０に印加する電流の基準値を調整し、照明装置１が所定の明るさで点灯するように制御する。 - 特許庁

Further, a P-type impurity region electrode contact and N-type impurity region electrode contact larger than the trenches are provided, electrodes are provided from both the thin film silicon layer and the substrate for the P-type impurity region and the N-type impurity region so that a large current can flow to the diode of the SOI device.例文帳に追加

さらにトレンチよりも大きいＰ型不純物領域電極コンタクトおよびＮ型不純物領域電極コンタクトを設けて、Ｐ型不純物領域、Ｎ型不純物領域とも薄膜シリコン層、半導体基板の両方から電極をとるようにし、ＳＯＩデバイスでありながらダイオードに大電流を流せるようにする。 - 特許庁

Accordingly, before a termination current flows into the semiconductor chip 1 and the protective circuit connected to the semiconductor chip 1 begins to operate functioning, heat generated in the semiconductor chip 1 is released from the silicon substrate 10 by the first front surface electrode 18 and the first rear surface electrode 31 and then, in order to prevent breakdown of IGBT.例文帳に追加

これにより、半導体チップ１に短絡電流が流れ、半導体チップ１に接続された保護回路が機能し始める前に半導体チップ１に生じた熱を第１表面電極１８および第１裏面電極３１によってシリコン基板１０から放出し、ひいてはＩＧＢＴの破壊を防止する。 - 特許庁

The polishing tool includes: a light transmissive support surface plate 300 on a surface of which metal wiring 302 is formed; and a catalyst pad 308 in which at least a portion of its surface contacting a substrate is made of the catalyst 306 and which has a plurality of through-holes 304a inside for passing at least one of a light and an ion current.例文帳に追加

表面に金属配線３０２を形成した光透過性の支持定盤３００と、表面の少なくとも基板と接触する部分が触媒３０６からなり、光及びイオン電流の少なくとも一方を通過させるための複数の貫通穴３０４ａを内部に有する触媒パッド３０８を有する。 - 特許庁

In the light emitting unit for production as the production equipment including a plurality of waterproofed LED substrate and a secondary battery, when it is electrified by contact with water to emit light, the time to reach the highest luminance is adjusted by current control of an incorporated delay IC to allow natural light emission and low running cost.例文帳に追加

防水された複数のLED基板と二次電池で構成される演出用発光ユニットにおいて、水が接触することにより通電し発光する際、組み込まれた遅延用ICの電流制御によって最高輝度に到達するまでの時間を調整し、自然な発光と低ランニングコストを可能とする特徴を持った演出装置。 - 特許庁

In the negative electrode plate for the lead storage battery, a material formed by adding and mixing conductive carbon and active carbon to a negative electrode active material is supported by a substrate for current collection, and as the active carbon, the active carbon of 44.5° or less of a gravity point angle of 10 faces by X-ray diffraction is used.例文帳に追加

負極活物質に導電性カーボンと活性炭を添加混合して成るものを集電用基板に支持せしめた鉛蓄電池用負極板において、該活性炭として、X線回折による10面の重心点角度が44.5°以下である活性炭を用いることを特徴とする鉛蓄電池用負極板。 - 特許庁