「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, when the liquid crystal display glass substrate 1 is held by a carrying arm 3 or separated from the carrying arm 3, if ESD occurs in a contact portion of the pad 6, no sudden current flows in the TFT portion 1a because it is distant from the TFT portion 1a, therefore giving no damage thereto.例文帳に追加

これにより、液晶表示用ガラス基板１を搬送アーム３で保持或いは搬送アーム３から剥離する際に、パッド６の接触部においてＥＳＤが発生したとしても、ＴＦＴ部１ａから離れているため、ＴＦＴ部１ａに急激な電流は流れないので、これに損傷を与えることはない。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with an ion source to generate an ion beam 4, an electron beam source G to emit an electron beam two-dimensionally scanned in the ion source 2, a power supply 14 for it, an ion beam monitor 10 to measure the two-dimensional beam current distribution of the ion beam 4 at a position equivalent to the substrate, and a control device 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。 - 特許庁

Since a labyrinth structure 30 is provided, an air current AF due to the difference between atmospheric pressure at the upper surface side of the mask M and that at the lower surface side causes resistance when passing the narrow gap between labyrinth plates 31, 32, thus suppressing a flow and restraining the scattering of dust, or the like onto the mask M and a substrate S.例文帳に追加

ラビリンス構造３０が設けられているので、マスクＭの上面側の気圧と下面側の気圧との差による気流ＡＦは、ラビリンス板３１，３２の間の狭い隙間を通過する際に抵抗が生じるので、流れが抑制され、マスクＭや基板Ｓ上に塵埃等を飛散させることを抑えることができる。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a first conductivity-type cladding layer 3, an active layer 4 and a second conductivity-type cladding layer 5 are stacked in sequence on a first conductivity-type semiconductor substrate, a mesa construction is formed in the second cladding layer and block layers 9 and 21 for current narrowing are formed on both sides of the mesa construction.例文帳に追加

本半導体レーザは、第１導電型半導体基板の上に、第１導電型クラッド層３、活性層４、第２導電型クラッド層５を順次積層し、第２クラッド層にはメサ構造が形成されており、メサ構造の両脇には、電流狭窄のためのブロック層９，２１が形成されている。 - 特許庁

To provide a life estimating method for precisely estimating a life with a condition that a hot carrier deterioration rate becomes maximum with a MOS transistor which cannot measure a substrate current as an object and to provide a simulation method of circuit characteristic deterioration for obtaining a hot carrier life parameter in short time by using few transistors.例文帳に追加

基板電流の測定が不可能なMOSトランジスタを対象として、ホットキャリア劣化率が最大となる条件での寿命を精度よく推定する寿命推定方法、及び、少数のトランジスタを用いて短期間でホットキャリア寿命パラメータを求めることが可能な回路特性劣化のシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

As a means for periodically repeating the film deposition process and the sputtering process, firstly, the voltage applied to the substrate WA with respect to a vacuum container 10, secondly, the current supplied between a plasma gun 30 and the hearth liner 53, and thirdly, the atmospheric pressure in a vacuum container 10 are periodically changed.例文帳に追加

成膜工程とスパッタリング工程とを周期的に繰り返すための手段として、第１に真空容器１０に対する基板ＷＡの電圧と、第２にプラズマガン３０とハースライナー５３との間に供給する電流と、第３に真空容器１０中の雰囲気圧とをそれぞれ周期的に変化させる。 - 特許庁

A signal corresponding to the charge accumulated in a capacitor formed between the first moving part 11 and a fixed electrode 14a based on the alternating current signal is input from the fixed electrode 14a to a first detection circuit 32 and the displacement of the first moving part 11 to the displacement direction against the substrate 10 is detected.例文帳に追加

この交流信号に基づき第１可動部１１と固定電極１４ａとの間に形成される静電容量に蓄えられる電荷に相当する信号が固定電極１４ａから第１検出回路３２に入力され、第１可動部１１の基板１０に対する変位方向への変位を検出する。 - 特許庁

By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加

マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した２層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁

The integration circuit causes the dispersion of the constant of a resistance and the capacitor used in the circuit and the dispersion of characteristic caused by stray capacity or a leak current occurring in the case of constituting the integration circuit on a substrate, and such failure is eliminated by constituting the integration circuit of the device 37 of one circuit.例文帳に追加

積分回路は、回路内で使用する抵抗やコンデンサの定数のばらつき、積分回路を基板上で構成する場合に発生する浮遊容量やリーク電流などによる特性のバラツキを生じるが、静電容量検出装置の積分回路を一つで構成することにより、これらの不具合を解決できる。 - 特許庁

Compared with current troublesome production processing methods comprising adhering two or more resin-impregnated sheets to e.g. a metal sheet by heat pressurization and adhering the adhered product to a substrate with an adhesive, the method enables manufacture of a decorative sheet with good adhesion of resin-impregnated sheets to the metal sheet 4, with high productivity, and improvement of the production yield.例文帳に追加

複数の樹脂含浸紙を金属シート等と加熱加圧接着し、これを接着剤を用いて基板に貼着する従来の面倒な生産加工を不要とし、金属シート４と樹脂含浸紙とが良好に密着した化粧板を生産性良く製造し、その生産歩留まりの向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing, on a continuous substrate of 1 m length or more, an oxide superconductor highly resistant to flexural strain also taking its application to superconductive coils and the like into account, furnished with an oxide superconductive layer of high crystal orientation and high critical current density.例文帳に追加

本発明は、１ｍを超える長尺の基材上に製造でき、結晶配向性に優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備え、超電導コイル等への応用も加味した曲げ歪に強い酸化物超電導導体を効率良く製造する方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The aligner exposes a pattern formed in a negative plate on a substrate, such as a wafer and a plate, while irradiating the negative plate, such as a reticle and a mask via a lighting optical system by exposing light from an exposure light source, including at least respectively one air supply port and one exhaust port in the stage space so as to control air current distribution in the space.例文帳に追加

露光光源からの露光光により照明光学系を介してレチクル、マスク等の原板を照明し、前記原板に形成されたパターンをウエハ、プレート等の基板上に露光する露光装置であって、ステージ空間に少なくとも１個づつの給気ポートと排気ポートを備え、その空間内の気流分布を制御する。 - 特許庁

To provide the structure of a light emitting diode in which a layer for localizing a current injection region on the outside of a region opposing a surface electrode can be formed easily on the surface of a semiconductor substrate without performing epitaxial growth twice, and a high optical output can be attained inexpensively with a high yield.例文帳に追加

２回のエピタキシャル成長を行うことなく、表面電極に対向する領域外に電流注入領域を絞り込む層を容易に半導体基板表面上に形成することができる低コストで高歩留で高光出力が得られる発光ダイオードの構造を提供することにある。 - 特許庁

A storage member 2 using first and second electrodes and a phase change material between them is pinched without using any rotary mechanisms and positioning mechanisms of an optical head, a structure in which a control voltage for controlling current flowing to the storage member is provided is set to be a memory cell for storing information, and a plurality of memory cells are arranged on a substrate as storage elements.例文帳に追加

回転機構や光ヘッドの位置決め機構を用いず、第１の電極と第２の電極と、その間に相変化材料を用いた記憶部材２を挟み、記憶部材に流れる電流を制御する制御電圧を設けた構造を情報記憶のメモリセルとし、これを基板上に複数個配置して記録素子とした。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.例文帳に追加

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁

To provide a method for reducing a stacking fault area enlarged by current energization and recovering an increased forward voltage of a silicon carbide bipolar semiconductor device, in the bipolar semiconductor device in which electrons are recoupled to holes upon energization in a silicon carbide epitaxial film grown from a surface of a silicon carbide monocrystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。 - 特許庁

In this field emission electron source 10, an electron injected from the n-type silicon substrate 1 is drift in the strong electric field drift part 6 and is emitted through the surface electrode 7 by disposing the surface electrode 7 in a vacuum and applying a direct current voltage to the surface electrode 7 treated as a positive electrode relative to the ohmic electrode 2.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０では、表面電極７を真空中に配置し、表面電極７をオーミック電極２に対して正極として直流電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emission part forming material not depositing metal compound crystal at a conductive thin film forming process included in an electron emission element manufacturing process forming the conductive thin film by applying liquid drop on a substrate and forming the electron emission part by applying current conduction treatment to the conductive thin film.例文帳に追加

基板上に液滴を付与して導電性薄膜を形成し、該導電性薄膜に通電処理を施して電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法において、上記導電性薄膜形成工程において金属化合物の結晶が析出することのない電子放出部形成用材料を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element of this invention has an active layer including a light emitting part on a substrate, a striped waveguide 204 formed on the active layer, an electrode for supplying a current to the active layer, a first upper electrode 206 electrically connected with the electrode, and a pair of resonance surfaces facing each other in the waveguide 204.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路２０４と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第１の上部電極２０６と、導波路２０４における互いに対向する一対の共振面とを有する。 - 特許庁

This structure is formed on a silicon substrate in a way that it is formed with a trench having at least one silicon pole in the lower part of the trench that forms side walls of multiple minute trenches, and device isolation insulating films embedded in these minute trenches so that the leak current can be prevented by the silicon pole and caves can be formed in the minute trenches to reduce a device RC delay.例文帳に追加

シリコン基板に形成され、複数の微細トレンチの側壁となる少なくとも一つのシリコン柱をトレンチの下部に含むトレンチと、前記複数の微細トレンチの内部に埋め込まれた素子分離絶縁膜とを備え、シリコン柱を含むことによりリーク電流発生を抑制し、微細トレンチに空洞を形成して素子のＲＣ遅延を減少させる。 - 特許庁

A current sensor (10) for an integrated circuit includes a lead frame (12) having at least two leads coupled to form a conductor portion (14), and a substrate (16) having a first surface on which one or more magnetic field transducers (18) are disposed, wherein the first surface is proximate to the conductor portion and a second surface is distant from the conductor portion.例文帳に追加

集積回路の電流センサ（１０）は、導体部分（１４）を形成するように結合された少なくとも２つのリードを有するリードフレーム（１２）と、１又は複数の磁界変換器（１８）が配置された第１の面を有する基板（１６）とを含み、第１の面が導体部分に近接し、第２の面が導体部分から遠位にある。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

To propose the structure of an array substrate for a reflection and transmission type liquid crystal display device which uses a reflecting plate where a reflecting electrode is electrically floated and separately drives a pixel area by a transparent electrode and to improve the yielding of a liquid crystal panel by improving an opening rate by preventing an operation defect of a switching element due to a leak current.例文帳に追加

反射電極を電気的にフローティングさせた反射板を用い、別途透明電極で画素領域を駆動する反射透過型液晶表示装置用アレー基板の構造を提案し、並びに漏れ電流によるスイッチング素子の作動不良を防止して開口率を改善することにより液晶パネルの収率を改善する。 - 特許庁

A current comparator is provided on a substrate and includes a shield tube 30 having a cylindrical structure composed of a superconducting film, and at least two lead wires L_1 and L_2 provided inside of the shield tube 30, penetrated through closed-loops a or a' that are constituted between the interior and exterior walls of the shield tube 30 and insulated from the shield tube 30.例文帳に追加

電流比較器は、基板上設けられ、超伝導膜からなる筒状構造を有するシールド管３０と、シールド管３０の内部に設けられ、シールド管３０の内壁と外壁との間に構成される閉ループａもしくはａ’におけるループ内を貫通し、シールド管３０と絶縁された少なくとも２本の導線Ｌ_1およびＬ_2と、を備える。 - 特許庁

Since the fine air bubbles B are generated with the surface acoustic wave W transmitted on the surface S of the piezoelectric substrate 2 in the liquid 10, any appliance for carrying out mechanical operation such as a high pressure pump to be used for generating swirling current and generating shearing force is unnecessary and fine air bubbles can stably be generated with a simple and compact appliance configuration.例文帳に追加

液体１０中の圧電基板２の表面Ｓを伝播する弾性表面波Ｗによって微細気泡Ｂを発生させるので、旋回流を起して剪断力を発生させるために用いる高圧ポンプなどの機械的な動作を行う機器が不要であり、簡単かつ小型の機器構成で微細気泡を安定的に発生させることができる。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 14 with a protruding region 6 where a plurality of protrusions 6a are formed on at least part of a surface; an current direction anisotropic material 4 that is formed on a side 6a of the plurality of protrusions 6a; and an electrode 2 formed on the protruding region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、表面の少なくとも一部に複数の突出部６ａが形成されている突出部領域６を有する半導体基板１４と、複数の突出部６ａの側面６ｄに形成されている電流方向異方性材料４と、突出部領域６上に形成されている電極２を備える。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

The converter 80 is a coil arranged adjacent to switches 16, 18 of the electronic equipment to measure the electromagnetic field, and constituted on a substrate of the electronic circuit by etching, and measures precisely the electromagnetic field in the constitutive component, by measuring a current flowing in the coil with a change of the electromagnetic field, by the measuring unit 82.例文帳に追加

変換器８０は、電磁界を測定すべき電子機器のスイッチ１６、１８に近接して配置され、電子回路の基板上にエッチングにより構成されているコイルであり、該コイルに電磁界の変化により流れる電流を測定ユニット８２が測定することにより、各構成部品の電磁界を高精度で測定することができる。 - 特許庁

A mesh division validity determining means 19 predicts the influence of a current path (a shortcut path) of low impedance generated to the mutually joined portion of cells of different sizes by a resistance ratio which is the ratio between a resistance value of small size and a resistance value of large size, with respect to the substrate model mesh-divided into cells of different sizes.例文帳に追加

異なるサイズを有するセルにメッシュ分割された基板モデルに対して、メッシュ分割の妥当性判定手段１９は、サイズが小さいほうの抵抗値と、サイズが大きいほうの抵抗値との比率である抵抗比により、サイズの異なるセルが相互に接合する部分で発生する低インピーダンスな電流経路（ショートカットパス）の影響の予測を行う。 - 特許庁

The LED chip of this nitride semiconductor light emitting diode is formed in such a large area that contains a plurality of low-dislocation density areas 34 and high-dislocation density areas 32 by using a nitride semiconductor substrate 16 in which the areas 34 and 32 alternately exist in short cycles and currents are concentrated to the areas 34 by means of current barrier layers 24 provided under a p-electrode 26.例文帳に追加

低転位密度領域３４と高転位密度領域３２が短周期に交互に存在する窒化物半導体基板１６を用いて、両方の領域が各々複数含まれるような大面積にＬＥＤチップを形成し、ｐ電極２６の下側に設けた電流障壁層２４により低転位密度領域３４に電流を集中させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a current collecting substrate 201 containing Cr is covered with a dense Cr-diffusion preventing layer 202 made of an oxide, the surface of the Cr diffusion preventing layer 202 is covered with a conductive covering layer 203 made of an oxide, and the thickness of the covering layer 203 in the plane part is made thicker than that at the corner part.例文帳に追加

Ｃｒを含有する集電基材２０１の表面を酸化物からなる緻密なＣｒ拡散防止層２０２で被覆し、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面を酸化物からなる導電性の被覆層２０３で被覆してなるとともに、被覆層２０３の厚みが集電基材２０１の平面部よりも角部の方が厚いことを特徴とする。 - 特許庁

In the liquid droplet discharge head which is equipped with a nozzle plate with nozzles, a channel substrate which forms a pressure chamber communicating with the above nozzles by piling up the above nozzle plate, and a piezoelectric element installed in the wall which composes the above pressure chamber, a rectification means for suppressing the current which flows in the direction opposite to the polarization direction of the above piezoelectric element is installed.例文帳に追加

ノズルを有するノズルプレートと、前記ノズルプレートを重ねて、前記ノズルに連通する圧力室を形成する流路基板と、前記圧力室を構成する壁に設けられている圧電素子と、を備えた液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子の分極方向とは逆に流れる電流を抑える整流手段が設けられている。 - 特許庁

A solenoid-type coil conductor is formed by forming a first conductor 2, a second conductor 3 and a connecting conductor 4 on two sheets of thin ferrite substrates 1a, 1b, then the thickness of the ferrite substrate is multiplied by 2 and the number of windings of the coil conductor is multiplied by 1/√2 whereby the saturation current can be √2 times without changing an inductance.例文帳に追加

２枚の薄いフェライト基板１ａ、１ｂに第１導体２、第２導体３、接続導体４を形成してソレノイド状のコイル導体を形成し、フェライト基板の厚さを２倍にし、コイル導体の巻き数を２の平方根分の１とすることで、インダクタンスを変化させずに、飽和電流を２の平方根倍にすることができる。 - 特許庁

In the phase-change memory, which is constituted of a substrate, a lower electrode, the phase transformed substance, an upper electrode and a heat dissipating layer, includes an AlN heat dissipating layer with high thermal conductivity as the dissipation layer, and a TiN lower electrode, which generates a large amount of heat by using small current and has low thermal conductivity, as the lower electrode.例文帳に追加

基板、下部電極、相変化物質、上部電極及び熱放出層から構成される相変化メモリにおいて、前記熱放出層として、熱伝導率の高いＡｌＮ熱放出層を含み、前記下部電極として、少ない電流で多量の熱を発生し、かつ熱伝導率の低いＴｉＮ下部電極を含むを含むことを特徴とする。 - 特許庁

By making small an area of a resist pattern (an area occupation rate of the resist: a ratio of the area of the resist to the entire area of a substrate) depending on the doping conditions including an acceleration voltage and a current density, degassing which occurs from the resist at the time of doping is reduced to realize the stable doping of impurity ions.例文帳に追加

ドーピング時における加速電圧または、電流密度といった条件に応じて用いるレジストパターンの面積（レジストの面積占有率：基板全体の面積に対するレジストの面積比）を小さくすることによりドーピング時にレジストから発生する脱ガスを減少させ、不純物イオンの注入安定性を図ることができる。 - 特許庁

To provide a plated circuit device comprising a high frequency circuit in which the high frequency circuit and a functional circuit presenting a desired function are configured on an insulated substrate, so that a current to be consumed in another functional circuit does not flow to a circuit ground pattern of a ground pattern corresponding to said functional circuit and that a howling phenomenon or malfunction does not occur as a result.例文帳に追加

絶縁性の基板に、高周波回路と所望の機能を奏する機能回路が構成され、機能回路に対応するグランドパターンである回路グランドパターンに他の機能回路で消費する電流が流れず、結果的に、ハウリング現象や誤動作の生じることのない高周波回路を備えた基板回路装置を提供する。 - 特許庁

The gunn diode oscillator, which is obtained by mounting the gunn diode and a varactor diode on a conductor circuit arranged on a dielectric substrate, includes a bias circuit for outputting a bias voltage, set in response to the change of an operation current in the gunn diode with respect to the change of the ambient temperature, as the bias voltage of the varactor diode when the ambient temperature of the gunn diode is changed.例文帳に追加

ガンダイオードとバラクタダイオードとを誘電体基板に設けた導体回路上に搭載したガンダイオード発振器において、ガンダイオードの周囲温度が変化した場合に、周囲温度の変化に対するガンダイオードの動作電流の変化に応じて設定したバイアス電圧をバラクタダイオードのバイアス電圧として出力するバイアス回路を備えている。 - 特許庁

In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

The organic electroluminescence device having a substrate, an anode, a cathode and a light emitting layer made of an organic substance laminated between the anode and the cathode to emit light from a predetermined region by supplying current between the anode and the cathode includes a positive hole injection layer laminated and formed between the anode and the cathode, and a copper oxide is included in the positive hole injection layer.例文帳に追加

基板、陽極、陰極、陽極と陰極間に積層される有機物質からなる発光層とを備え、陽極及び陰極間に電流を流すことにより、所定の領域が発光する有機エレクトロルミネセンス素子であって、陽極と発光層の間に積層形成された正孔注入層を有し、正孔注入層が酸化銅を含む。 - 特許庁

When manufacturing a photoelectric conversion element having a structure in which an electrolyte layer 10 provided between a porous electrode 5 provided on a transparent conductive layer 2 of a transparent substrate 1 and a counter electrode 8, current collector wiring 3 is formed by a conductive paste containing silver particles and low-melting-point glass frits on the transparent conductive layer 2.例文帳に追加

透明基板１の透明導電層２上に設けられた多孔質電極５と対極８との間に電解質層１０が設けられた構造を有する光電変換素子を製造する場合に、透明導電層２上に銀粒子と低融点ガラスフリットとを含む導電性ペーストにより集電配線３を形成する。 - 特許庁

To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に第一の半導体層／第一の透明導電層／第二の半導体層／第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the insulating film of a capacitive element formed on the same substrate as that of a sidewall insulating part of a MOS transistor at the time of forming the insulating part of the transistor so as not to damage it or to suppress a leakage current even when the film is damaged to hold the high reliability of the element and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのサイドウォール絶縁部の形成時に、これと同一基板上に形成される容量素子の絶縁膜が損傷を受けないように、あるいは損傷を受けてもリーク電流を抑制して容量素子の高信頼性を保てるようにした半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the low-pass filter for removing high frequency components being superposed on a high frequency current propagating on a planar waveguide 20 formed on a dielectric substrate, the waveguide 20 comprises an electromagnetic wave perturbation sheet 12 covering the waveguide 20 directly and the thickness and/or the material constant of the sheet 12 has a specified value.例文帳に追加

誘電体基板上に形成した平面型導波路２０に高周波電流を伝送するに際し、前記高周波電流に重畳される高調波成分を除去するローパスフィルタであって、該導波路２０を直接被覆する電磁波摂動シート１２から構成され、このシート１２の厚さおよび／または材料定数を所定の値とする。 - 特許庁