「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device, which can improve VEBO on a substrate surface and can maintain a current amplification rate β, as is, by installing the low concentration base area 32 on the surface of the base region 22 adjacent to an emitter region 23 can be provided.例文帳に追加

エミッタ領域２３に隣接するベース領域２２表面に低濃度ベース領域３２を設けることにより基板表面でのＶEBOを上げることができ、電流増幅率βも従来のまま維持できる半導体装置を提供できる。 - 特許庁

The protecting element has an elastic member 20 fixed via a solder 21 to a second conductor layer 15 and energizing electrode terminals 16, 17 formed on a predetermined substrate 11 to divide an energizing passage into a plurality of current cut-off parts.例文帳に追加

保護素子は、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように所定の基板１１の上に形成された第２の導体層１５及び通電電極端子１６，１７に弾性部材２０が半田２１を介して固着されている。 - 特許庁

By detecting the current, the contact between the rubbing cloth 85 and the contact detection part 82 is detected and a relative position between the rubbing roll 84 and the mother glass substrate 81 is decided by using the detection result, and a sure rubbing strength control becomes possible.例文帳に追加

電流が検出されることによって、ラビング布８５と接触検出部８２との接触が検出され、検出結果を用いて、ラビングロール８４とマザーガラス基板８１との相対位置が決定されて、確実なラビング強度制御が可能となる。 - 特許庁

An LED structure has a substrate having a distributed Bragg reflector, a first-type doped sealing layer, an active layer, a second-type doped sealing layer, current spreading layer, and a meshlike front electrode on one surface and a back electrode on the other surface.例文帳に追加

ＬＥＤ構造は、分布ブラッグ反射、第１の型のドープされた封層、活性層、第２の型のドープされた封層、電流広がり層および網状の正面電極を一の表面に持ち、背面電極を他の表面に持つ基板を有する。 - 特許庁

To provide a method of forming a bump having a flat top shape or forming a metal film having preferable in-plane uniformity even under a condition of high current density when performing the plating of an object (substrate) to be plated such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric substance having spontaneous polarization component in vertical direction to substrate surface and excellent in leak resistance of electric current and fatigue resistance and capable of carrying out low-temperature growth without causing lowering of ferroelectric property and electronic part thereof.例文帳に追加

基板表面に対して垂直方向の自発分極成分をもつとともに、強誘電性の低下を招くことなく、電流のリーク及び耐疲労特性に優れた低温成長可能な強誘電体薄膜及びその電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitter substrate which can suppress halation by forming a rib between adjacent light-emitting members of respectively different light emitting colors, and at the same time can withstand a potential difference when a discharge occurs between adjacent metal backs, thereby achieving a desired discharging current suppressing capability.例文帳に追加

隣接する異なる発光色の発光部材間にリブを形成してハレーションを抑制すると同時に、隣接するメタルバック間が放電時の電位差に耐え、所望の放電電流抑制能力を発揮しうる発光体基板を提供する。 - 特許庁

This procedure allows an etching rate between contact holes to be uniform since a BPSG thickness from the substrate becomes uniform regardless of the density of gate electrode formation regions, and the contact holes having a reduced fluctuation in contact resistances and leakage current values to be formed.例文帳に追加

その結果、ゲート電極形成領域の疎密にかかわらず、基板からのＢＰＳＧ膜厚が均一となるため、コンタクトホール間のエッチングレートが均一となり、コンタクト抵抗、リーク電流値のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが出来る。 - 特許庁

The Cr diffusion preventing layer 202 is formed on the surface of the current collecting substrate 201 by heat-treating a metal layer formed by a plating method or an electrostatic coating method, and the covering layer 203 is formed on the surface of the Cr diffusion preventing layer 202.例文帳に追加

こメッキ法又は静電塗装法により形成された金属層を熱処理して集電基材２０１の表面にＣｒ拡散防止層２０２が形成され、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面に被覆層２０３が形成されている。 - 特許庁

A plurality of regulation electrodes, fixed and arranged on the substrate 10, facing the second vibrators 12, 22 respectively, for regulating resonant frequencies in the y- direction of the second vibrators 12, 22 are provided by applying a direct current voltage.例文帳に追加

第２の振動体１２，２２に対向して基板１０にそれぞれ固定配置され、直流電圧が印加されることで第２の振動体１２，２２のｙ方向の共振周波数を調整する調整用電極を複数に分割して設けた。 - 特許庁

The control circuit substrate 20 has a part 22, which exposes the bus bars 11, 12 and 14 on the opposite side of the surface where these bus bars are adhered, and a current-carrying terminal of the semiconductor switching element is mounted on the bus bar through this part 22.例文帳に追加

前記制御回路基板２０は、バスバー１１，１２，１４が接着される面と反対の側に当該バスバーを露出させる部分２２を有し、この部分２２を通じて前記半導体スイッチング素子の通電端子が前記バスバーに実装される。 - 特許庁

When manufacturing the positive electrode that becomes the positive electrode layer 1 of a non-aqueous electrolyte battery 100, a substrate that becomes the positive electrode current collector 11 of the positive electrode layer 1, and the positive electrode active material that becomes a constituting material of the positive electrode active material layer 12 is prepared.例文帳に追加

非水電解質電池１００の正極層１となる正極体を製造するにあたって、正極層１の正極集電体１１となる基板と、正極活物質層１２の構成材料となる正極活物質を用意する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which four Schottky barrier diodes are combined in a bridge on a silicon substrate, with low voltage and small power consumption at a low cost, while the voltage rise in forward direction of the Schottky barrier diodes is small in the voltage-current characteristics.例文帳に追加

シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に４つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧−電流特性における順方向の立ち上がり電圧が小さく、低電圧低消費電力低コストの装置の提供。 - 特許庁

Namely, a wiring is formed by injection molding such as two color molding with the electrically insulating resin and the conductive resin for power supply to the LEDs, whereby a current can be supplied to the LEDs without using a substrate.例文帳に追加

すなわち、電気絶縁性樹脂と導電性樹脂とからなる２色成形等の射出成形によりＬＥＤに電源を供給する配線を形成することにより、基板を用いなくてもＬＥＤへの電気供給を行うことが可能となる。 - 特許庁

The first antenna groups and the second antenna groups have the same polarization plane, the current distributions of the first antenna groups flowing on the ground surface of the substrate are orthogonal to each other, and two antennas of the first and second antenna groups are driven.例文帳に追加

第１アンテナ群と第２アンテナ群とは同じ偏波面を有するとともに、基板のグラウンド面上に流れる第１アンテナ郡の電流分布が互いに直交し、第１および第２アンテナ群のうちいずれか２つのアンテナが駆動される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which an insulating film having a sufficiently low leak current, a high electrical stress resistance, and a high etching resistance is deposited on the surface of a semiconductor substrate, and the semiconductor device having the insulating film.例文帳に追加

十分に低いリーク電流、高い電気的ストレス耐性、及び高いエッチング耐性を有する絶縁膜を半導体基板の表面に堆積する、半導体装置の製造方法、並びに、その絶縁膜を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

A thin film 22 is arranged on a substrate 10 having a plurality of electrodes 12A-12D exposed to its surface so as to come into contact with the electrodes 12 and a current is supplied across the electrodes 12 to measure the characteristics of the thin film 22.例文帳に追加

表面に複数の電極１２Ａ〜Ｄを露出させた基板１０上に、電極１２に接するように薄膜２２を配置し、電極１２間に通電することで、薄膜２２の特性を測定する薄膜状試料の測定方法。 - 特許庁

The electric component 24 which lets a large current flow when electric components 14 and 24 are mounted on both sides of this substrate 12 is arranged on one surface of a large size of through hole 26, and an outer lead 20 is arranged on the rear of the through hole 26.例文帳に追加

このような基板１２の両面に電気部品１４、２４が搭載される際に、大電流を流す電気部品２４は、大サイズのスルーホール２６の一方の表面上に配置され、そのスルーホール２６の裏面には、アウターリード２０が配置される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁

To provide a solar battery for equalizing the extraction current of each cell and at the same time generating power efficiently when forming the solar battery that is composed by a thin filament body that is not sensed by human eyes on a transparent substrate.例文帳に追加

透明性基板上に人の目に知覚しえない様な細幅の線条体で構成された太陽電池を形成させる場合、各セルの取出電流を等しくすると共に、効率よい発電を可能にした太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a power supply device suppressed in the generation of a rush current, reduced in power consumption by reducing power loss in a circuit to an utmost, and improved in the degree of freedom in mounting a substrate of a circuit element; and to provide a discharge lamp lighting device.例文帳に追加

突入電流を抑制すると共に、回路上の電力損失を極力抑制して消費電力を少なくすると共に、回路素子の基板実装時における自由度を向上した電源装置及び放電灯点灯装置を提供する。 - 特許庁

To enable to balance tube currents flowing through a plurality of discharge tubes with a simple constitution of an inverter circuit without using a current balancing transformer, thereby reducing the number of components as well as miniaturizing an inverter substrate, and realizing cost-down.例文帳に追加

電流平衡用トランスを用いることなく、簡単なインバータ回路の構成で複数の放電管に流れる管電流の平衡をとることができるようにし、それによって部品点数の低減並びにインバータ基板の小型化、及びコストダウンを図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent electrode, capable of manufacturing the transparent electrode usable for organic electronic devices and having excellence in conductivity, transparency, flexibility and plane uniformity of current, without damaging the electrode and a film substrate.例文帳に追加

有機電子デバイスに用いることができる、導電性、透明性、フレキシブル性、電流の面均一性に優れた透明電極を、電極やフィルム基板が損傷することなく製造する透明電極の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with a photoelectric conversion efficiency heightened by preventing an inverse current not related to light irradiation, especially, a photoelectric conversion element with flexible substrate, and to provide a photocell using above photoelectric conversion element.例文帳に追加

光の照射とは関係ない逆電流を防止することにより、光電変換効率を高めた光電変換素子、特にはフレキシブルな基板を用いた光電変換素子、およびこのような光電変換素子を適用した光電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an abnormal leak current does not occur in the semiconductor device such as transistors, etc., without causing crystal defects within a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に於いて、不純物イオンの活性化アニールにランプアニール技術を用いた場合、活性領域端と素子分離領域間で温度差が大きくなり、これにより、熱ストレスが発生し、活性領域端で結晶欠陥が生じる。 - 特許庁

Even the zener of a large resistance and small size of the extent of making the on-chip of the voltage set circuit 6 on a drive circuit substrate possible can be rapidly lowered down to the specific precharging voltage by combining the constant current source 10 with a zener diode ZD.例文帳に追加

定電流源Ｉ０をツェナーダイオードＺＤと組み合わせたことで、電圧設定回路６を駆動回路基板にオンチップ化しうる程度の、抵抗の大きな小型のツェナーでも特定のプリチャージ電圧まで急速に下げることができる。 - 特許庁

Also, by thermally treating the solid-state imaging device at or higher than 400°C, hydrogen atoms in the USG film and having the passivation film discharged and bonded with dangling bonds on the surface of the Si semiconductor substrate surface, the dark current is reduced.例文帳に追加

また、この固体撮像装置を４００℃以上で熱処理することにより、ＵＳＧ膜およびパッシベーション膜中の水素原子を放出させ、Ｓｉ半導体基板表面の未不結合手と結合することにより、暗時電流を低減する。 - 特許庁

The coil pattern 2 operates as an electromagnet as a current flows and then the movable part of the movable optical fiber 17 with the coil substrate 1 fitted is displaced with the magnetic attracting force or repulsing force with the electromagnet 18, thereby performing switching operation.例文帳に追加

コイルパターン２は、電流が流れることにより電磁石として作用し、電磁石１８との間の磁気吸引力または反発力により、コイル基板１が取り付けられた可動光ファイバ１７の可動部分が変位してスイッチングが行われる。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming an impurity ion region in a semiconductor substrate and forming a path capable of transmitting optical charges, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

半導体基板内に不純物イオン領域を形成し、光電荷を伝送できる通路を形成することで、デッドゾーンと暗電流の特性とを同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the current constriction insulating layer 17, an n-side electrode 21 is formed to cover the n-type contact layer 20 and a p-side electrode 22 is formed entirely on the side of the semiconductor substrate 11 opposite to the n-side electrode 21.例文帳に追加

電流狭窄絶縁層１７上にはｎ側電極２１がｎ型コンタクト層２０を覆うように形成され、半導体基板１１におけるｎ側電極２１と反対側の面にはその全面にｐ側電極２２が形成されている。 - 特許庁

Especially, the substrate 2 is constituted of a conductive material, the dielectric constituting the surface layer is made of a tantalum oxide or an aluminum oxide, and an electrolytic solution is electrolyzed with the low current density to thereby produce ozone with the high efficiency.例文帳に追加

特に、基体２は、導電性材料にて構成すると共に、表面層４を構成する誘電体は、酸化タンタル、又は、酸化アルミニウムにより構成し、低電流密度による電解質溶液の電解処理によって高効率にてオゾンを生成する。 - 特許庁

To provide a substrate for an electro-optical device that can reduce a light leakage current in the switching element, without affecting machining, when a contact hole for connecting the switching element and a pixel electrode is to be provided, and to provide withstand voltage in the switching element.例文帳に追加

スイッチング素子と画素電極とを接続するコンタクトホールを設ける際の加工や、スイッチング素子の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、スイッチング素子の光リーク電流を低減させることができる電気光学装置用基板を提供する。 - 特許庁

This allows a capacitor having the properties of the low-leakage current and high electrostatic capacity to be embodied, and since a lattice constant can be adjusted to control a dielectric constant, a multi-layer structure having a high-dielectric constant on a large area substrate can be embodied.例文帳に追加

これにより低い漏れ電流と高静電容量との特性を有するキャパシタを具現でき、格子定数を調節して誘電定数を調節できるため、大面積基板に高い誘電定数を有する多層膜構造を具現できる。 - 特許庁

Since the plural spring electrodes 14 aligned at a specified pitch in the circumfrerential direction of the electrode substrate 11 come into contact with the outer peripheral edge of the electrocondutive film EM, the occurrence of the difference in the current density may be suppressed and prevented and the variation in the thickness of the plating patterns is obviated.例文帳に追加

電極基板１１の周方向に一定ピッチで整列した複数のバネ電極１４が導電皮膜ＥＭの外周縁部に接触するので、電流密度に差異が生じるのを抑制防止でき、メッキパターン厚みがばらつかない。 - 特許庁

To prevent voltage input to a circuit chip, which is mounted on a glass substrate of a liquid crystal panel by a COG method, from being changed even when a current allowed to flow into the circuit chip is changed and to prevent the generation of flicker on a picture when a still image is displayed.例文帳に追加

液晶パネルのガラス基板上にＣＯＧ工法で実装された回路チップに流れる電流が変化しても、回路チップに入力される電圧が変化することがないようにし、静止画を表示させたときの画面チラツキを防止する。 - 特許庁

Thus, a first thin film transistor 8 with high voltage endurance and a second thin film transistor 9 having a second gate insulating film 66 thinner than a first gate insulating film 31 of the first thin film transistor 8 and having a large on-current can be easily fabricated on the common glass substrate 3.例文帳に追加

高耐圧の第１薄膜トランジスタ８と、第１薄膜トランジスタ８の第１ゲート絶縁膜31よりも薄い第２ゲート絶縁膜66を備えオン電流が大きい第２薄膜トランジスタ９とを共通のガラス基板３上に容易に形成できる。 - 特許庁

In addition, since the primary side core 2 and the secondary side core 3 are divided completely to be separated by the insulating substrate 1, an extra insulating blank such as an insulating sheet, an insulating cap or the like is not required, the structure of the current detector is simplified, and its mounting is further simplified.例文帳に追加

さらに、一次側コア２と二次側コア３とが絶縁基板１を隔てて完全に分割されているため、絶縁シートや絶縁キャップなどの余計な絶縁素材が不要になり、構造が簡略化されて実装がより簡略化される。 - 特許庁

To provide a technology capable of obtaining sufficient storage capacitor even when the size of a pixel electrode is small and also capable of reducing a leakage current while reducing an amount of leakage light in a reflection type LCD (liquid crystal display) in which a semiconductor is used as a substrate.例文帳に追加

半導体を基板とする反射型液晶パネル（ＬＣＤ）においては、デバイスサイズの縮小に応じて各画素のサイズも小さくなるため、画素電極のみでは液晶の駆動に必要な電圧を保持するのに充分な容量が得られない。 - 特許庁

As a result, a degree of freedom in the shape or arrangement of the surface conductor layer 6 which is formed on the surface of the laminated substrate 2 is increased as compared with a conventional example where the electric plating conductor layer for feeding the electric current is formed only on the surface of an insulating base material.例文帳に追加

その結果、電気めっきの給電用導体層が絶縁基材の表面にしか形成し得ない従来例に比較して、積層基板２の表面に形成される表面導体層６の形状や配置の自由度が高くなる。 - 特許庁

The organic thin film transistor is constituted which has three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and an insulator layer and an organic semiconductor layer provided at least on a substrate, and controls a source-drain current by applying a voltage to the gate electrode.例文帳に追加

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

A controller 31 controls shot time of every subfield in accordance with the deflection point of a charged beam for lighting a reticle, based on the current value detected by the sensor 32, so that the amount of dose is kept at a constant level on the surface of a sensitive substrate 23.例文帳に追加

コントローラ３１は、感応基板２３面上でのドーズ量が一定になるように、検出センサ３２で検出された電流値に基づき、レチクルを照明する荷電ビームの偏向位置に応じて、サブフィールド毎のショットタイムを調整する。 - 特許庁

Since the stress from the insulating film 9 is centralized to the defective region 8 in the post-process, an occurrence of the defective region in the vicinity of an upper surface of the substrate 1 on which the current flows at the time of operation of the semiconductor element is prevented.例文帳に追加

後工程において絶縁膜９から受けるストレスを、欠陥領域８に集中させることができるので、半導体素子の動作時に電流が流れる基板１の上面近傍に欠陥領域が生じるのを防ぐことができる。 - 特許庁

A diode 40 is provided on the semiconductor substrate, and electrically connects a gate terminal 31 and the first main electrode 21 to each other in an orientation so that transmission of a gate signal to the first main electrode 21 is reverse current.例文帳に追加

ダイオード４０は、半導体基板上に設けられており、ゲート信号の第１の主電極２１への伝搬が逆方向電流となるような向きでゲート端子３１および第１の主電極２１の間を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

To manufacture a Schottky diode 15, wherein a leakage current is hard to flow from a semiconductor substrate 5 in which a heavily doped layer 2 and a lightly doped layer 4 are laminated and defects 6a and 6b are present in the lightly doped layer 4.例文帳に追加

不純物高濃度層２と不純物低濃度層４が積層されており、不純物低濃度層４内に欠陥６ａ，６ｂ等が形成されている半導体基板５から、リーク電流が流れにくいショットキーダイオード１５を製造する。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁