「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a plasma display panel which copes with the narrow pitch of electrode sections for ensuring reliability on high-current flow and simultaneously high precision of the panel in mounting a flexible substrate on the plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルへのフレキシブル基板の実装において、高電流が流されることへの信頼性確保と同時にパネルの高精細化のための電極部の狭ピッチ化に対応可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser device including a laser resonator allowing a low threshold current on a semipolar surface of a support substrate where the c-axis of hexagonal group III nitride is inclined in the direction of the m-axis.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The light-emitting semiconductor laser device comprises a first reflection mirror 12, an active layer 13, the current blocking layer 16 made of a material containing aluminum, and a second reflection mirror 17, which are formed on a substrate 11 in this order from bottom.例文帳に追加

面発光半導体レーザ装置は、基板１１の上に下側から順次形成された第１反射鏡１２と、活性層１３と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層１６と、第２反射鏡１７とを備えている。 - 特許庁

Hereby, when a heating current is supplied to the resistance domain 31 from the outside, the low melting-point metal layer 33 is melted, and mounting/dismounting of the contact probe 15 on/from the probe substrate 11 can be performed easily.例文帳に追加

このため、抵抗領域３１に対し外部から加熱用電流を供給すれば、低融点金属層３３を溶融し、プローブ基板１１に対するコンタクトプローブ１５の取り付け又は取り外しを容易に行うことができる。 - 特許庁

To suppress warping of a substrate due to stress of a metal part formed by plating, and to radiate the heat generated by a current during the operation of a semiconductor device, in a shortest distance through the metal part with a high thermal conductivity.例文帳に追加

めっきにより形成された金属部の応力による基板の反りを抑制するとともに、半導体素子の動作時の電流により発生する熱を、熱伝導率の大きい金属部を通して、最短距離で放熱する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。 - 特許庁

The high-speed continuous plating apparatus is characterized in that the cooling unit for the plating apparatus is arranged between a power feed part and a plating bath and is opposed to the substrate and/or the power feed part and plating is done with >10 A/dm^2 current density.例文帳に追加

めっき処理装置用冷却装置が、給電部とめっき槽との間に基板および／または給電部と対向して配置されている１０Ａ／ｄｍ^２を超える電流密度でめっきを行う高速連続めっき処理装置。 - 特許庁

A current conducting function of an electrode plate is shut off even if short circuit is generated between electrodes 13, 14 by interposing an electrical conductivity breaking layer 101 between an electrode substrate 15 and an electrode mix 16 constituting the positive electrode 13.例文帳に追加

上記正極１３を構成する電極基板１５と電極合材１６との間に、導電性遮断層１０１を介装させることで、電極１３、１４間に短絡があった場合でも、極板の導電性機能を遮断する。 - 特許庁

Horizontal magnetic field component on the surface of the substrate (wafer) is detected while replacing the set of electrodes for supplying a drive current and the set of electrodes for detecting Hall voltage.例文帳に追加

これら２つの電極の組について、駆動電流供給用の電極の組とする電極の組とホール電圧検出用の電極の組とする電極の組とを入れ替えつつ基板（ウェハ）表面に水平な磁界成分の検出を行う。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

P^+ impurity diffusion embedded layers 15 are formed in the semiconductor substrate under the lower parts of drain electrodes 12 and each of the layers 15 turns into one part of the breaking current paths to reach from the electrodes 12 to a source electrode 10 via the region 6.例文帳に追加

ドレイン電極１２の下方における半導体基板にｐ^+不純物拡散埋込層１５が形成され、ドレイン電極１２からｐ^+ボディ領域６を介してソース電極１０に至るブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a porous electrode for electrolysis carrying a catalyst only on the surface of the porous electrode without carrying the catalyst inside pores on the inside of the porous electrode and usable as an electrode substrate or a current collector.例文帳に追加

多孔性電極内の空孔内に触媒を担持させずに多孔性電極表面にのみ触媒を担持させた、電極基材や集電体として使用できる電解用多孔性電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Further, since N well B1 which is a substrate of PMOS transistors P12, P13 and P14 is not connected to the power source terminal 6 of 3 V by itself, flow of leak current from the output terminal 8 to the power terminal 6 can be prevented.例文帳に追加

またＰＭＯＳトランジスタＰ12、Ｐ13、Ｐ14の基板であるフローティング状態のＮウェルＢ1自体は3Ｖの電源端子6に接続されていないので出力端子8から電源端子6へリーク電流が流れてしまうことを防ぐことができる。 - 特許庁

A primary coil possessed by an inspection substrate and a secondary coil possessed by an OLED panel are mutually superposed at a fixed interval, and an alternating-current signal is inputted into the primary coil, to thereby generate an electromotive force in the secondary coil by electromagnetic induction.例文帳に追加

検査用基板が有する１次コイルと、ＯＬＥＤパネルが有する２次コイルを一定の間隔を空けて重ね合わせ、１次コイルに交流の信号を入力して、電磁誘導により２次コイルに起電力を生じさせる。 - 特許庁

A base body 17 that works as a bridge for a resistive circuit 2 is provided on an procelain enamel substrate 1 as a fuse base 16, and aside from this, nonconductive bases 18 through which a current does not flow are provided at, for example, four corners of an area where solder is placed.例文帳に追加

ホーロー基板１上にヒューズベース１６として、抵抗回路２の橋渡しをするベース本体１７を設けるが、これとは別に、はんだ設置領域の例えば四隅に、電流の流れない非通電ベース１８を設ける。 - 特許庁

To provide an easy-to-fabricate light receiving element having a small dark current in which middle infrared light in the range of 1.65-3.0 μm can be received by forming a light receiving layer of good crystallinity with little defect on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板の上に結晶性の良い欠陥の少ない受光層を形成することによって１．６５μｍ〜３．０μｍの中赤外光を受光できる製造容易で暗電流の小さい受光素子を与えること。 - 特許庁

After the film deposition, the substrate is carried away from a chamber 100, the voltage applied to the current-operated electrostatic attraction member is cut off to release the particles 111 and the released particles 111 are discharged to the outside of the chamber.例文帳に追加

成膜終了後、基板Ｓをチャンバ１００から搬出したならば、通電型静電吸着部材１０９への印加電圧をオフしてパーティクル１１１を離脱させ、離脱したパーティクル１１１をチャンバ外へと排出する。 - 特許庁

To provide a circuit and a method for controlling a FET or the other transistor element, provided for supplying electric power to a circuit substrate capable of being inserted into an active back plane, and for enabling control of the through rate of a rush current.例文帳に追加

活性なバックプレーンに挿入可能な回路基板に電力を供給するために設けられたＦＥＴまたは他のトランジスタ素子を制御するための回路および方法であって、突入電流のスルーレートの制御を可能にする。 - 特許庁

A dispersion type inorganic EL display device 1c as an electrooptical device is provided with: a data line driving circuit 11; a scanning line driving circuit 12; a power source line controlling circuit 13a; a current measuring circuit 15; and a TFT substrate 100c.例文帳に追加

電気光学装置としての分散型無機ＥＬ表示装置１ｃは、データ線駆動回路１１、走査線駆動回路１２、電源線制御回路１３ａ、電流測定回路１５及びＴＦＴ基板１００ｃを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a device body having a semiconductor substrate mounting part and a first conductor provided around the semiconductor substrate mounting part, and a semiconductor substrate including the DC-DC converter control circuit having a detector to detect at least one of a current flowing through the first conductor and a voltage supplied thereto, and being disposed on the semiconductor substrate mounting part so that the detector comes close to the first conductor.例文帳に追加

半導体基板搭載部及び前記半導体基板搭載部の周囲に設けられた第１の導電体を有する装置本体と、前記第１の導電体を介して流れる電流及び印加される電圧の少なくともいずれかを検出する検出回路を有するＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路を含み、前記検出回路が前記第１の導体側に近接するように前記半導体基板搭載部に配設された半導体基板と、を備えることを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

In the charger 101 which has an insulation substrate 11, a lower electrode 12 formed on the insulation substrate 11 and an SP^3 bonding nature BN film formed on the lower electrode 12 and performs electronic field emission from the SP^3 bonding BN film 14 by current control of the lower electrode 12, the lower electrode 12 is divided at predetermined distances and independently performs current control by the lower electrode 12.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、前記絶縁性基板１１上に形成した下部電極１２と、前記下部電極１２上に形成したＳＰ^3結合性ＢＮ膜１４を有し、前記下部電極１２の電流制御により、前記ＳＰ^3結合性ＢＮ膜１４から電界放出を行う帯電器１０１において、前記下部電極１２は、所定の間隔を有して分割し、当該下部電極１２による電流制御を独立に行うことを特徴とする。 - 特許庁

The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加

電気光学装置２は、画素トランジスタ３８を備えた画素が複数配列された画素領域２０が形成された素子基板１２と、素子基板１２上の配線層にて、画素トランジスタ３８の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層２８と、を有する。 - 特許庁

AC voltages of different phases are applied from a bias power supply 30 to each of the substrate electrodes 21a-21d and since ions of material gas having a positive charge in plasma are attracted to a treatment object 7 in different phases for the respective substrate electrodes 21a-21d, the bias power supply 30 does not need a large peak current.例文帳に追加

各基板電極２１ａ〜２１ｄにはバイアス電源３０からそれぞれ異なる位相の交流電圧が印加されるように構成されており、プラズマ中の正電荷を有する原料ガスのイオンが、基板電極２１ａ〜２１ｄ毎に異なる位相で処理対象物７に引き付けられるから、バイアス電源３０のピーク電流が小さくて済む。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

A bipolar transistor Q24, in which a collector is connected to the substrate of an NMOS (N type metal oxide semiconductor) transistor Q22 as a protective transistor (GGNMOS), is equipped and when ESD event is generated, the bipolar transistor Q24 supplies current to the substrate of the NMOS transistor Q22 whereby the NMOS transistor Q22 is shifted into bipolar operation by a low voltage.例文帳に追加

保護トランジスタ（ＧＧＮＭＯＳ）としてのＮＭＯＳトランジスタＱ２２の基板に対してコレクタが接続されるバイポーラトランジスタＱ２４を備え、このバイポーラトランジスタＱ２４が、ＥＳＤイベントの発生の際に、ＮＭＯＳトランジスタＱ２２の基板に対して電流を供給することによって、低電圧でＮＭＯＳトランジスタＱ２２をバイポーラ動作に移行させる。 - 特許庁

By using the oxygen pump element in which a cathode electrode 2 and a first auxiliary electrode 3 are formed on one surface of an oxygen ion conductive substrate 1 and in which an anode electrode 4 and a second auxiliary electrode 5 are formed on the other surface, the temperature of the substrate 1 is detected based on of an oxygen ion current and based on the potential difference between the electrode 3 and the electrode 5.例文帳に追加

酸素イオン導電性基板１の一方の表面にカソード電極２と第１補助電極３を、他の表面にアノード電極４と第１補助電極３を形成した酸素ポンプ素子を用いて、酸素イオン電流および第１補助電極と第２補助電極間の電位差から酸素イオン導電性基板１の温度を検出する。 - 特許庁

The organic EL panel includes: a translucent supporting substrate; a plurality of light emitting parts S1-S8 on which a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode are laminated; and a plurality of wiring parts L1 to L8 formed on the supporting substrate and supplying a current to each of the light emitting parts S1-S8.例文帳に追加

透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

At a step of separating the dry film resists in the process of manufacturing a buildup wiring substrate according to a semi-additive method, an electromagnetic induction coil for enclosing a transfer portion of a buildup wiring substrate 51 is formed to ensure that an insulating-coated conductor 61 for flowing high-frequency current reciprocates for many times between cores of an upper transfer roll 71 and a lower transfer roll 72.例文帳に追加

ビルドアップ配線基板のセミアディティブ工法による製造工程における、ドライフィルムレジストを剥離する工程において、高周波電流を流すための絶縁被覆された導体６１が、上搬送ロール７１と下搬送ロール７２の芯を何度も往復するようにビルドアップ配線基板５１の搬送部を囲う電磁誘導コイルを形成する。 - 特許庁

An electronic substrate 8 has electric signal lines wired so that the current path A including an electric signal line 11 connecting with a surface that the electronic element 1 comes into contact with when surface-mounted and a heat radiation path C when a contact surface portion 6 of the electronic element is surface-mounted in contact with the metal 13 for heat radiation exposed on a surface 16 of the electronic substrate do not overlap each other.例文帳に追加

電子基板８は、電子素子１を面実装した際に電子素子が接する面に接続する電気信号線１１を含む電流経路Ａと、電子素子の接面部６が電子基板の面１６に露出する放熱用金属１３に当接して面実装した際の放熱経路Ｃと、が重複しないように、電気信号線を配線する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate of such a structure as wiring and its connection terminals are provided, while being exposed, on a substrate produced through dehydration condensation in which the exposed wiring and connection terminals are not stripped even if a current is carried under high temperature, high humidity environment and incomplete connection is prevented, and to provide an electric apparatus and a switch comprising it.例文帳に追加

脱水縮合により製造される基材に配線やその接続端子が露出させて設けられた構造において、高温高湿環境下で通電されても露出された配線や接続端子が剥離することがなく、接続不良を生じない構造の配線基材とそれを備えた電気機器とスイッチ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The lithographic unit includes an illuminating system that controls a radiation beam, a patterning support that retains a patterning device for patternizing the radiation beam, a substrate support that retains a substrate, a projection system that projects the radiation beam with a pattern, an additional support, and a flexible line assembly that transmits at least any one of current, signal, and fluid.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームをパターン化するパターニングデバイスを保持するパターニングサポートと、基板を保持する基板サポートと、パターン付き放射ビームを基板に投影する投影システムと、追加のサポートと、電流、信号および流体のうちの少なくとも１つを伝達する可撓性の線アセンブリとを含む。 - 特許庁

To prevent micro-crack of an optical waveguide due to current collection in polishing the end face of a wavelength conversion element and to prevent increase in propagation loss due to the micro-crack in a wavelength conversion element where a wavelength conversion substrate including a Z plate formed of ferroelectric single crystal and provided with a periodic polarization reversal structure and a support substrate are adhesively bonded to each other.例文帳に追加

強誘電性単結晶からなるＺ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換用基板と支持基板とを接着する波長変換素子において、素子の端面を研磨するときの焦電に起因する光導波路のマイクロクラックを防止し、これによる伝搬損失の増大を防止する。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The substrate for liquid ejection head is manufactured by performing a leakage current inspection between a terminal for inspection that is electrically connected to a plurality of protective layers and connected to a connecting portion arranged at an upper side of the substrate corresponding to a position of a supply port and a terminal to which the plurality of energy generation elements are connected, and thereafter removing the connecting portion.例文帳に追加

複数の保護層と電気的に接続し、供給口となる位置に対応する基体の上側に設けられた接続部に接続する検査用端子と、複数のエネルギー発生素子が接続される端子と、の間のリーク電流検査を行った後に、前記接続部を除去して液体吐出ヘッド用基板を製造する。 - 特許庁

This actuator includes; a substrate; a film containing hydrogen absorbing alloy formed on one surface of the substrate; an enclosure body at least sealing the film and enclosing hydrogen in it; and a power supply for supplying a controlled current to the film, which is electrically connected to the film or a surface film formed on the outer surface of the film.例文帳に追加

本発明のアクチュエータは、基板と、基板の一方の表面に形成された水素吸蔵合金を含有する薄膜と、少なくとも薄膜を密閉し、水素を内部に封入した包装体と、薄膜または該薄膜の外表面に形成された表面膜に電気的に接続され、該薄膜に制御された電流を供給する電源と、を備えている。 - 特許庁

The grounding detection circuit of the inverter device comprises a wiring pattern 2 for power supply provided on a printed substrate 4, a pair of parallel wiring patterns provided on the printed substrate 4, and a Hall IC 1 provided near the wiring pattern 2, and detects the magnetic flux generated by the reciprocating current flowing in the parallel wiring pattern.例文帳に追加

本発明のインバータ装置の地絡検出回路は、プリント基板４に設けた電力供給用の配線パターン２を有するもので、このプリント基板４に設けた1対の平行な配線パターンと、配線パターン２の近傍に設けたホールＩＣ１とを有し、平行な配線パターンに流れる往復電流によって発生する磁束を検知するものである。 - 特許庁

The gas sensor includes a first electrode 23 and a second electrode 23 formed separately on a substrate 21, a carbon nanotube 24 for connecting the first electrode 23 to the second electrode 23 on the substrate 21, a light source 40 installed on the upper side of the carbon nanotube 24, and an ammeter 30 for measuring a current between the first electrode 23 and the second electrode 23.例文帳に追加

基板２１上に離隔されて形成された第１電極２３及び第２電極２３と、基板２１上で第１電極２３と第２電極２３とを連結する炭素ナノチューブ２４と、炭素ナノチューブ２４の上側に設置された光源４０と、第１電極２３と第２電極２３との間の電流を測定する電流計３０と、を備えている。 - 特許庁

The irreversible circuit device includes the magnetic body formed on one side of the nonmagnetic substrate and a magnet that is placed in proximity to the magnetic body and applies a direct-current magnetic field to the magnetic body, and a center electrode conductor is configured in such a way that a groove is formed on the other side of the nonmagnetic substrate and a portion of the center electrode conductor is arranged in the groove.例文帳に追加

非磁性体基板の一方面に形成された磁性体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性体に直流磁界を印加する磁石とで構成される非可逆回路素子であって、前記非磁性体基板の他方面に溝が設けられ、該溝に中心電極用導体の一部が配設されて中心電極が構成されている。 - 特許庁

Electrode terminals (E1 to E36) are provided near the substrate 1 to obtain direct current (DC) or high-frequency signals, and a dice-bonded region DDB1 for handling DC signals and a dice bond region RDB1 for handling high-frequency signals are provided separately at the center of the substrate 1 so that the isolation characteristics are improved.例文帳に追加

基板１の周辺部に、直流あるいは高周波信号を取り出す電極端子（Ｅ１〜Ｅ３６）を配設し、基板１の中央部に、直流信号を扱う半導体ブロックのダイスボンド領域ＤＤＢ１と、高周波信号を扱う半導体ブロックのダイスボンド領域ＲＤＢ１とを分離して配設することにより、アイソレーション特性を向上させる。 - 特許庁

The sensor 111 has laminated sensor elements each of which is composed of a magnetic layer 211 and a conductive layer 212 which is formed between the magnetic layer 211 and a flexible substrate 214 and both ends of which are connected to a high-frequency current source 101 on the substrate 214 and magnetic anisotropy is imparted to the magnetic layers 211 in the width direction of the elements.例文帳に追加

磁界検出センサ１１１は、可撓性基板２１４上に、磁性体層２１１、該磁性体層２１１と基板２１４との間に形成され両端が高周波電流源１０１に接続される導電層２１２とが形成された積層型センサ素子を有し、磁性体層２１１には素子幅方向の磁気異方性が与えられている。 - 特許庁

The substrate body of the circuit board 30 is sectioned into a distribution circuit region Ap and a control circuit region Ac by a boundary line BL traversing the substrate body; the control circuit is incorporated in that distribution circuit region Ap; and a distribution circuit of smaller current specification, as compared with the distribution circuit of the distribution unit is formed in the distribution circuit region Ap.例文帳に追加

回路基板３０の基板本体は、当該基板本体を横切る境界線ＢＬを境として配電回路領域Ａｐと制御回路領域Ａｃとに区画され、その制御回路領域Ａｐに制御回路が組み込まれ、配電回路領域Ａｐに配電ユニットの配電回路よりも小電流仕様の配電回路が形成される。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate comprises implanting carbon ions in the single crystal substrate kept at a high temperature at an appropriate ion current density.例文帳に追加

高温に保持した単結晶基板に、適度なイオン電流密度にて炭素イオンをイオン注入することを特徴とする、該単結晶基板におけるイオン注入部位の表面及び／又は表面近傍に、該単結晶基板の結晶とエピタキシャル関係にあるダイヤモンド結晶粒子の層を有する単結晶ダイヤモンド薄膜成長用基板の製造方法等に関する。 - 特許庁

A free stimulation recombination light emission ultraviolet light emitting diamond device is composed of a vapor phase synthesized diamond substrate 1 which is made of vapor phase synthesized diamond crystal, in which free stimulation recombination light emission (235 nm) caused by current injection is dominant, a surface conductive layer 2 formed on the surface of the diamond substrate 1 and electrodes 4 and 5 formed on the surface conductive layer 2.例文帳に追加

高品質な気相合成ダイヤモンド１と、ダイヤモンドの表面に設けた表面伝導層２と、該表面伝導層２の上に設けた電極４，５とからなり、電流注入によって発光する自由励起子再結合発光（２３５nm）が支配的である気相合成ダイヤモンド結晶を用いた自由励起子再結合発光ダイヤモンド紫外線発光素子。 - 特許庁

To provide a recording element substrate which can prevent the degradation of a recorded image or heating resistive element caused by the selective drive of the same heating resistive element being continuously performed and an excessive voltage and current being applied to the heating resistive element when the poor electric connection of a recording device body with a recording head equipped with the recording element substrate generates.例文帳に追加

記録素子基板を備えた記録ヘッドと、記録装置本体の電気接続の接点接続不良が発生した場合、同一発熱抵抗素子が連続して選択駆動され、発熱抵抗素子に過剰な電圧電流が印加されることによる、記録画像や発熱抵抗素子の劣化を防止できる記録素子基板の提供。 - 特許庁