「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To permit formation through the appropriation of an MOS process and secure a sufficient collector current, in reference to a horizontal bipolar transistor having a structure optimum for forming the same on an SOI substrate.例文帳に追加

この発明は、ＳＯＩ基板上に形成するうえで好適な構造を有する横型バイポーラトランジスタに関し、ＭＯＳプロセスの流用による形成を可能とし、かつ、十分なコレクタ電流を確保することを目的とする。 - 特許庁

A wiring 27 extends on the thin movable film 13 and the movable structure 9 is oscillated by Lorentz force generated through action of a current flowing through the wiring 27 and the field of a permanent magnet disposed above the substrate 1.例文帳に追加

可動構造体１３の上に配線２７が延設され、基板１の上方に配置した永久磁石による磁場と配線２７を流れる電流によりローレンツ力が発生して可動構造体９が励振する。 - 特許庁

To suppress a formation of a silicon oxide in an interface between a titanium oxide and a silicon substrate and to suppress an increase in a leakage current in a semiconductor device having MOS transistors each having a titanium oxide gate insulating film.例文帳に追加

酸化チタンゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタが形成された半導体装置において、酸化チタンとシリコン基板との界面における酸化シリコンの形成を抑制し、かつリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for a lithographic printing plate capable of obtaining an original printing plate for the lithographic printing plate excellent in both stain resistance and printing plate wear by using alternate current electrolysis in an aqueous solution containing hydrochloric acid.例文帳に追加

塩酸を含有する水溶液中での交流電解を用い、耐汚れ性および耐刷性のいずれにも優れる平版印刷版原版を得ることができる平版印刷版用支持体の製造方法の提供。 - 特許庁

The notifying circuit section 40 is arranged on the substrate 10, and connected close to a region where current distribution is minimum in the peripheral region of the antenna element section 30 other than a region whereupon the power feed section 31 is arranged.例文帳に追加

報知回路部４０は、基板１０上に設けられ、アンテナエレメント部３０の給電部３１が設けられる領域以外の周辺領域であって、電流分布が最小になる領域付近に接続される。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor having superior transient response and a large capacitance by laminating a plurality of capacitor elements on an insulating substrate and sharing a current circuit of each of the capacitor elements, and to provide a method for manufacturing the solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

絶縁基板に複数のコンデンサ素子を積層し、各コンデンサ素子の電流回路を共通にすることで、過渡応答性が良好で、かつ、大容量の固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the forming method of a wiring film, a first current is applied by an electroless plating method, and a first copper film 13a is formed so that at least a wiring groove 11a formed on a substrate 10 is embedded with it.例文帳に追加

配線膜の形成方法において、電解めっき法により第１の電流を印加して、基板１０の上に形成された配線溝１１ａが少なくとも埋まるように第１の銅膜１３ａを形成する。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process, or the like by simplifying the structure of an electric substrate to be mounted on a carriage while eliminating influence of the noise generation, or the like due to a high voltage current at the time of driving a recording head.例文帳に追加

記録ヘッド駆動時の高電圧電流によるノイズの発生等の影響を排除しながら、キャリッジに装着する電気基板の構造を簡素なものにして製造工程の簡略化等を図ること。 - 特許庁

The non-contact type tag 3 which outputs the electric signal showing a currency value such as a face value by means of an induced current is sealed with resin in a hole part 2 pierced at a part of a coin-shaped metallic substrate 1.例文帳に追加

コイン形状金属基板１の一部に貫設した孔設部２内に、誘導電流により額面価格など貨幣価値を示す電気信号を出力する非接触式タグ３が樹脂封止されている。 - 特許庁

A coil substrate 1 having a coil pattern 2 is fitted to the movable part of the movable optical fiber 16 and the coil pattern 2 is connected to a current supply means 4 via a conductor 5 and a wiring film 3.例文帳に追加

可動光ファイバ１６の可動部分には、コイルパターン２を有するコイル基板１が取り付けられており、コイルパターン２は、導線５および配線膜３を介して電流供給手段４に接続されている。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser, where the polarization of laser beam is controlled to be in the constant direction with a relatively simple configuration, for a low threshold current and high output, and to provide a laser array where no variation in polarization characteristics exists among laser elements provided on a single substrate.例文帳に追加

比較的簡単な構成でレーザ光の偏光を一定方向に制御することができ、低しきい値電流、高出力を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An emitter gap 41 is formed in a forming manufacturing step to apply direct current voltage on a conductive membrane 40 in a cell forming sphere formed at an intersection of a scan electrode and a data electrode on a lower part substrate 80.例文帳に追加

下部基板８０上のスキャン電極とデータ電極との交点に形成されたセルの形成領域の、導電性薄膜４０に直流電圧を印加するフォーミング工程によりエミッタ間隙４１を形成する。 - 特許庁

To read a memory cell having a charge-trapping structure by measuring the current between the substrate area of the memory all and one of the source area and the drain area of the memory cell.例文帳に追加

電荷トラッピング構造を有するメモリセルが、前記メモリセルの基板領域と、前記メモリセルのソース領域または前記メモリセルのドレーン領域のどちらか一方との間の電流を測定することによって、読み出される。 - 特許庁

Light piping is lengthened by shading of memory array 33 and several characteristics of the image sensor, holding time of memory cell being lengthened under the effect of sub threshold current that increases according to light and photocharge in the substrate.例文帳に追加

メモリアレイ３３の遮光と画像センサの幾つかの特徴とにより、光パイピング、光により増加するサブスレショルド電流、及び基体における光電荷の影響をさせることにより、メモリセルの保持時間が長くなる。 - 特許庁

A flexible printed circuit substrate 1 of a multi-layer structure (a multi-layer FPC) comprises a structure where FPCs 4a, 4d having larger heat generation quantity of a circuit by current flowing are arranged at the outermost layer and superposed each other.例文帳に追加

多層構造のフレキシブルプリント基板（多層ＦＰＣ）１は、各ＦＰＣ４ａ〜４ｄのうち、通電による回路の発熱量が大きいＦＰＣ４ａ及び４ｄを最表層に配置して重ね合わせた構造からなる。 - 特許庁

The ink jet head comprises a substrate in which ink supply manifolds 102, ink chambers 104 and ink channels are formed integrally, a nozzle plate in which nozzles 160 are formed, resistive heaters and electrodes for applying a current to the heaters.例文帳に追加

インク供給マニホルド１０２とインクチャンバ１０４及びインクチャンネルが一体で形成された基板、ノズル１６０が形成されたノズル板、抵抗発熱体よりなるヒーター及びヒーターに電流を印加する電極を具備する。 - 特許庁

To attain downsizing of a receiving apparatus by providing a tuner part and a demodulation part to substrate surfaces different from each other, and to prevent the tuner part from being affected by the current of a higher harmonic wave signal caused in the demodulation part.例文帳に追加

チューナー部と復調部部とを互いに基板の異なる面に備えることで受信装置の小型化を図ると共に、復調部で生じる高調波信号の電流がチューナー部に影響を及ぼすことを防止する。 - 特許庁

To present a device provided with at least one power semiconductor element which allows current introduction into an opposite side to a substrate in the power semiconductor element to be completely uniformly performed and a housing, and its manufacturing method.例文帳に追加

パワー半導体素子において基板とは反対側の電流導入が完全に均一に行なわれる、少なくとも１つのパワー半導体素子と、ハウジングとを備えた装置、及びその製造方法を紹介する。 - 特許庁

In the prescribed area 11a of the substrate 11, a current route is formed in accordance with the electric charge of fixed organic molecules when the molecules are fixed to at least the fixing area 19.例文帳に追加

そして、半導体基板１１の所定領域１１ａには、少なくとも固定領域１９に有機分子が固定されたときに、該固定された有機分子の帯電量に応じて電流経路が形成される。 - 特許庁

To prevent the current leakage between pixel electrodes relating to an active matrix substrate adequate for use in a liquid crystal display device etc., a method for manufacturing the same, and a display device using the same.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置等に用いて好適の、アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びにそれを用いた表示装置に関し、画素電極間の電流リークを防止できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a driving circuit (control current output circuit) which is made up on a substrate having an insulating surface using polycrystal TFTs, and of which the dispersion of output currents is suppressed.例文帳に追加

本発明は、多結晶ＴＦＴを用いて絶縁表面を有する基板上に作製され、且つ、出力電流のばらつきを抑えた駆動回路（制御電流出力回路）を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a semiconductor layer of an SOI substrate 1, a plurality of completely electrically isolated unit bipolar transistors Qu from each other are connected in parallel to constitute the bipolar transistors needing a large current capacity.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の半導体層において、互いに完全に電気的に分離された複数の単位バイポーラトランジスタＱｕを並列接続することにより、大電流容量を必要とするバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

Also, at the time of applying the voltage for the electrostatic attraction to the electrode for the electrostatic attraction, a current leaking from the substrate through the electrostatic attraction electrode to the ground is maintained at or below 1mA.例文帳に追加

静電吸着用電極に静電吸着用電圧を印加する際に、基板から静電吸着電極を介してアースに漏れる電流を１ｍＡ以下に維持して行う静電吸着用電圧印加方法。 - 特許庁

A mesa-shaped protrusion 11 is formed on the substrate 10 by utilizing a mask layer 17, and a current block layer 15 is formed on sides of the mesa-shaped protrusion 11 by utilizing a difference in crystal growth rate.例文帳に追加

そして、そのような基板１０上に、マスク層１７を利用してメサ状突起１１が形成され、さらに結晶成長速度の違いを利用して、メサ状突起１１の両脇に電流ブロック層１５が形成される。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor epitaxial substrate and its manufacturing method by which an influence of the carrier concentration of a subcollector layer on a current amplification factor can be prevented and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

サブコレクタ層のキャリア濃度による電流増幅率への影響を抑え、信頼性の高い半導体デバイスの製作を可能にする薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film.例文帳に追加

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having no current leakage and high reliability by preventing a crystal defect from occurring in a semiconductor substrate while preventing electrons from being volatilized from a sidewall of a floating gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極の側壁からの電子の揮発を防止しつつ、半導体基板中の結晶欠陥を防止して、電流リークがなく、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device 10 includes a heat sink 11 thermally coupled to the insulation metal substrate 22, and a positive electrode member 27 and a negative electrode member 28 connected with a direct current power source 41.例文帳に追加

また、半導体装置１０は、絶縁金属基板２２と熱的に結合されたヒートシンク１１と、直流電源４１に接続される正極用電極部材２７及び負極用電極部材２８とを有する。 - 特許庁

According to this configuration, hydrogen can be supplied efficiently to the surface of a semiconductor substrate 101, from the reflection preventing film 106 which is a source for supplying hydrogen, thereby reducing the absolute quantity of dark current.例文帳に追加

本構成によれば、水素供給源である反射防止膜１０６から半導体基板１０１表面へ、効率よく水素を供給することができ、暗電流の絶対量を低減することができる。 - 特許庁

The electrode substrate for detecting a current is equipped with an electrode and the film having a film thickness of the length capable of giving and receiving electrons with respect to the electrode and arranged on the electrode.例文帳に追加

上記目的は、電極と、前記電極との間で電子の授受を行うことができる長さの膜厚を有し、前記電極に配設された膜と、を備える電流検出用電極基板により達成される。 - 特許庁

By absorbing the light transmitting the first substrate 1 by the light-absorbing layer 14, the reflected light is prevented from entering the semiconductor layer of the active matrix element 16 to reduce a current caused by leaked light.例文帳に追加

第一の基板１を透過した光を光吸収層１４によって吸収することによって、アクティブマトリックス素子１６の半導体層に入射する反射光を防止し、光リーク電流を低減する。 - 特許庁

Temperature of the liquid crystal layer is raised to the level of normal operation within a short period of time, by forming an ITO film 13 on the surface of the color filter substrate 12 and feeding a current through the ITO film 13 in the starting up.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１２の表面にＩＴＯ膜１３を形成し、ＩＴＯ膜１３に起動時に電流を流すことによって、液晶層の温度を正常動作できるまでに短時間で上昇させる。 - 特許庁

As for the pulse electrolysis conditions, energizing current density and the ratio of the energizing/halting time are set in accordance with the ratio between the opening size and depth of the Via hole, and the thickness or electric resistance of an electroconductive film formed on the substrate.例文帳に追加

パルス電解条件は、Ｖｉａホールの開口径と深さの比及び基板上に形成された導電膜の厚さあるいは電気抵抗により通電電流密度及び通電／休止時間比を設定してなる。 - 特許庁

When the element characteristics of an element to be selected (selection element DUTx) are measured, an off-leak current flowing through an element not to be selected (non-selection element DUTy) is reduced utilizing the substrate bias effect.例文帳に追加

選択対象の素子（選択素子ＤＵＴｘ）の素子特性を測定する際には、基板バイアス効果を利用して、非選択対象の素子（非選択素子ＤＵＴｙ）に流れるオフリーク電流を小さくする。 - 特許庁

A first reflector 11, an active layer 15, a narrow current layer 16, a second reflector 17, and a p-type contact layer 18 are laminated on a substrate 10 in order to form an element forming area.例文帳に追加

基板１０の上に第１の反射鏡１１、活性層１５、電流狭窄層１６、第２の反射鏡１７及びｐ型コンタクト層１８が順次積層されてなる素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

To manufacture a satisfactory device the leakage current of which is low, using an epitaxial film on a (11-20) or (1-100) plane of a silicon carbide(SiC) substrate.例文帳に追加

本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）基板の（１１−２０）面あるいは（１−１００）面上のエピタキシャル薄膜を用いて作成したデバイスにおいて、リーク電流の少ない良好なデバイスを作成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate connection structure that holds adhesive properties of two substrates and is free from generating a fault by current leakage or an electric short circuit between terminals, and to provide an electronic device using the same.例文帳に追加

２つの基板の接着性を保持することができるとともに、電流リークや端子間での電気的な短絡による不具合が生じることのない基板接続構造及びこれを用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

The optical switch includes: the waveguide 101 comprising the phase change material; Si waveguides 102; an SiO_2 cladding 103; an Si substrate 104; and wiring 105 to feed current through the waveguide 101 comprising the phase change material.例文帳に追加

光スイッチは、相変化材料で構成される導波路１０１、Si導波路１０２、SiO_2クラッド１０３、Si基板１０４、及び相変化材料で構成される導波路１０１に電流を流す配線１０５からなる。 - 特許庁

If the PMOS transistors P12 and P13 come to be in an off state, potential of 5 V is added to PMOS, thereby leak current being prevented from flowing to the power source terminal 6 through the substrate of PMOS transistor P1.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ12、Ｐ13がオフ状態となればＰＭＯＳトランジスタＰ1に対して5Ｖの電位が加わりＰＭＯＳトランジスタＰ1の基板を通して電源端子6にリーク電流が流れてしまうことはない。 - 特許庁

Further, a through hole 5 reaching the transparent electrode 3 piercing through the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type semiconductor layer 2 is formed, so that a current can be extracted from a rear surface by a metal electrode 7a as a rear electrode formed on the second main surface side of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

さらにｐ型半導体基板１およびｎ型半導体層２を貫通して透明電極３に至るスルーホール５を形成し、ｐ型半導体基板１の第２主面側に形成された裏面電極である金属電極７ａによって電流を裏面から取り出すことができるようにする。 - 特許庁

In the method of testing the semiconductor device to determine an interface state density of a MIS transistor formed on a semiconductor substrate 1 by using the charge pumping method, first, a value of a first current made to flow to the semiconductor substrate by applying a first measurement signal composed of continuous pulse waves to a gate of the MIS transistor is measured.例文帳に追加

チャージポンピング法を用いて、半導体基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタの界面準位密度を求める半導体装置の評価方法において、まず、パルス波が連続してなる第１の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して前記半導体基板に流れる第１の電流値を測定する。 - 特許庁

Pixels 102 containing an EL element with a pixel electrode 105 connected to a TFT for current control 104 are set in array on a substrate, and on a counter substrate 110, a light-shield film is formed at a place corresponding to the edge of the pixels 102, and a color filter 113 at a place corresponding to the pixels 102.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ１０４に接続された画素電極１０５を陰極とするＥＬ素子を含む画素１０２が基板上に配列され、対向基板１１０には画素１０２の縁に対応した位置に遮光膜１１２が、画素１０２に対応した位置にカラーフィルター１１３が形成される。 - 特許庁

The electroplating apparatus 50 is provided in which a semiconductor substrate 1 connected to a cathode electrode 15 and an anode electrode 2 are dipped opposite to each other in a plating solution 4 in a plating tank 9, and electroplating is applied to the semiconductor substrate 1 by applying electric current between the anode electrode 2 and the cathode electrode 15.例文帳に追加

本発明に係る電解メッキ装置５０は、メッキ処理槽９内のメッキ液４に、カソード電極１５に接続された半導体基板１とアノード電極２とを対向させて浸漬し、アノード電極２とカソード電極１５とを通電させることにより半導体基板１に電解メッキを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce on-state resistance through a gate electrode (MOS gate) with a trench electrode structure expanding in the depth direction (vertical direction) of a substrate, and can suppress a leak current even if wiring is formed on the surface of the substrate with an interlayer insulating film between, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板深さ方向（縦方向）に伸長するトレンチ電極構造のゲート電極（ＭＯＳゲート）を通じて、オン抵抗の低減を図りながら、基板表面に層間絶縁膜を介して配線が形成された場合にあっても、リーク電流を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁