「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate 1 for the solid oxide fuel cell having current collecting function is formed by forming a conductive film 3 made of a conductive material in a part other than a through hole 2a on one side or both sides of a ceramic substrate having the through hole 2a opening on the both sides, and cell elements are laminated on the substrate to form the cell for the solid oxide fuel cell.例文帳に追加

表裏に開口する貫通孔２ａを備えたセラミックス基板２の片面又は両面に、導電性材料から成る導体膜３を貫通孔２ａ以外の部分に形成して、集電機能を備えた固体酸化物形燃料電池用基板１とし、この上に電池要素を積層して固体酸化物形燃料電池用セルを得る。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

ＭＯＳ型のキャパシタの電荷蓄積領域６のシリコン基板にトレンチを設けることにより、Ｐ型シリコン基板１とＮ型低濃度ウェル領域２の接触面積を減少させたから、Ｎ型低濃度ウェル領域２からＰ型シリコン基板１へのリーク電流を低減させたＭＯＳ型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is immersed in a plating solution in a plating chamber 100; pressure is applied to the flow system 105 of the plating solution by a high-pressure pump 102; heat is added by heaters 103 and 104; an electric current is applied with the semiconductor substrate 1 kept at a negative electrical potential; then, a copper film is deposited on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

めっきチャンバ１００内のめっき液に半導体基板１を浸し、めっき液の流れる系１０５に対して高圧ポンプ１０２により圧力を加え、ヒーター１０３および１０４により熱を加え、半導体基板１を負の電位に保って電流を流すことで半導体基板１の表面に銅膜を析出させる。 - 特許庁

Furthermore, another method of forming the water repellent film comprises generating a plasma of an organoaluminum compound gas or a plasma of an organoaluminum compound gas and a hydrocarbon gas in a vacuum container to form a film on a substrate to which a negative direct-current voltage, a negative pulsed direct-current voltage or a high-frequency alternating current voltage is applied in the plasma atmosphere.例文帳に追加

さらに、本発明の撥水性被膜の別の形成方法は、真空容器内において、有機アルミニウム化合物ガスのプラズマを発生させ、または有機アルミニウム化合物ガスと炭化水素ガスとのプラズマを発生させ、プラズマの雰囲気中で負の直流電圧、負のパルス直流電圧または高周波交流電圧が印加された基板に被膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor storage element, a storage part 200 equipped with two transistors as one set by the standard CMOS process makes a hole and an electron generated when an inter-band tunnel current generated between a source and a semiconductor substrate flows trapped in a crystal defect in the vicinity of the boundary of the semiconductor substrate and a gate oxide film.例文帳に追加

標準的なＣＭＯＳプロセスによるトランジスタ二個を一組とし備える記憶部２００は、ソース・半導体基板間に発生するバンド間トンネル電流が流れる際に発生する正孔と電子を、半導体基板とゲート酸化膜の境界付近にある結晶欠陥にトラップさせる。 - 特許庁

To eliminate occurrence of a leakage current due to a conductive foreign matter interposed between a contact hole of a TFT substrate and a counter electrode film of a CF substrate without bringing about lowering of productivity in a liquid crystal display device whose picture frame width on the outside of a display region is 3.5 mm or less.例文帳に追加

表示領域外側の額縁幅が３．５ｍｍ以下である液晶表示装置において、生産性の低下を来すことなく、ＴＦＴ基板のコンタクトホールとＣＦ基板の対向電極膜との間に挟まった導電性異物によってリークが発生することのないようにする。 - 特許庁

The second substrate 202 is fused by melting the protective films 214 and 216 of the thermoelectric materials by heating the rear of the first substrate 226 or melting the protective films 214 and 216 of the thermoelectric materials by generating Joule heat by making a current flow in the pointed chips 250.例文帳に追加

この融合は、たとえば、第１の基板２２６の裏面を加熱し熱電材料の保護膜２１４、２１６をとかすことにより、あるいは、とがったチップ２５０中に電流を流しジュール熱を発生させて熱電材料の保護膜２１４、２１６をとかすことにより行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A negative bias voltage between the substrate and the ground where an abnormal arc is generated is measured preliminarily to select the rated varistor of which resistance is reduced remarkably by a voltage a little lower than the bias voltage taking a safety factor into account, to cause a current to flow from the substrate to the ground.例文帳に追加

基板とアース間に負のバイアス電圧がどの程度になったら異常アークが発生するかを測定しておき、安全係数を考慮して、該バイアス電圧より少し低めの電圧により抵抗が著しく減少して、基板からアースへ電流を流す定格のバリスタを選択する。 - 特許庁

A breaking mechanism 10 includes: one primary wiring conductor 2 and the other primary wiring conductor 2 provided on the upper side of a substrate 1 and each connected to a prescribed electronic circuit; and heater conductors 4 provided on the primary surface of the substrate 1 so as to generate heat when a current flows therein.例文帳に追加

遮断機構１０は、基板１の上側に設けられ、それぞれが所定の電子回路に接続された一方の主配線導体２および他方の主配線導体２と、電流が流れることによって発熱するように基板１の主表面上に設けられたヒータ導体４とを備えている。 - 特許庁

A plurality of relay connectors 51 are granular substances with a soldering layer 52 on surfaces and are arranged between the first substrate 13 and the second substrate 20 in an insulated condition with the catalyst electrode 23 and make the translucent conductive layer 14 conducted with the current collector layer 41.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、表面にはんだ層５２が存在する粒状物で、第１基体１３及び第２基体２０間にて触媒電極２３と絶縁された状態で点状に配置され、透光性導電層１４と集電導体層４１との間を導通する。 - 特許庁

In electroplating to a semiconductor or compound substrate having fine wiring and via holes, a slight current is passed between the substrate and the anode electrode in such a manner the potential of a conductive film is made baser than the natural potential in order to prevent the chemical dissolution of the conductive film before the plating is started.例文帳に追加

微細配線およびViaホールを有する半導体あるいは化合物基板への電解めっきにおいて、めっき開始するまでの間に導電膜の化学的溶解を防止するため、導電膜の電位が自然電位より卑になるように基板とアノード電極間に微弱電流を流す。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

The breaking mechanism 10 comprises: one primary wiring conductor 2 and the other primary wiring conductor 2 that are provided above a substrate 1 and are each connected to a given electronic circuit; and heater conductors 4 that are provided on a primary surface of the substrate 1 to produce heat when current flows thereto.例文帳に追加

遮断機構１０は、基板１の上側に設けられ、それぞれが所定の電子回路に接続された一方の主配線導体２および他方の主配線導体２と、電流が流れることによって発熱するように基板１の主表面上に設けられたヒータ導体４とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

The thermal head X includes: a head base body 3 having a substrate 9 and a plurality of heating parts 11 arranged on the substrate 9; and a multilayered printed wiring board 5 extending along an arranged direction of the heating parts 11 for supplying current to the heating parts 11.例文帳に追加

本発明のサーマルヘッドＸは、基板９および基板９上に配列された複数の発熱部１１を有するヘッド基体３と、発熱部１１の配列方向に沿って延びており、発熱部１１に電流を供給するための多層プリント配線板５とを備えている。 - 特許庁

To provide a positive electrode for a battery having a positive electrode substrate containing a resin skeleton made of resin fibers and having a high current collecting property; to provide its manufacturing method; to provide the battery having the positive electrode substrate containing a resin skeleton made of resin fibers; and to provide the manufacturing method of the battery.例文帳に追加

樹脂繊維からなる樹脂骨格を含む正極基板を有し、集電性が良好な電池用正極、及びその製造方法、並びに、樹脂繊維からなる樹脂骨格を含む正極基板を有する正極の集電性が良好な電池、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacturing a composite having photocatalytic action, a metal substrate is immersed in a metal plating bath wherein photocatalyst particles are suspended and dispersed and a metal plating film wherein photocatalyst particles are coprecipitated is formed on the surface of the metal substrate by a constant current pulse electrolytic method.例文帳に追加

光触媒粒子を懸濁分散した金属メッキ浴に金属基材を浸漬し、定電流パルス電解法により前記金属材料の表面に前記光触媒粒子が共析した金属メッキ膜を形成することを特徴とする光触媒作用を有する複合体の製造方法。 - 特許庁

Also, the pixel electrode 9 and the common electrode 7 are formed for each pixel, and the light quantity of light emitted from the first substrate 2 or the second substrate 3 is controlled by the change of the inter-electrode voltage or current of the pixel electrode 9 and the common electrode 7.例文帳に追加

また、画素電極９及び共通電極７は画素毎に形成されており、画素電極９と共通電極７の、電極間の電圧もしくは電流の変化により、第１の基板２、又は第２の基板３から射出する光の光量を制御する。 - 特許庁

The heat flux converter 8 and a thermoelectric cooling module 1 are located face to face, and an electric current is made to flow to a thermoelectric transducer 5 provided between first and second substrates 6 and 7 of the thermoelectric cooling module 1 to absorb heat diffused by the heat flux converter 8 with the second substrate 7 as a heat absorption side substrate.例文帳に追加

熱流束変換器８と熱電冷却モジュール１を対向配置し、熱電冷却モジュール１の第１、第２の基板６，７間に設けた熱電変換素子５に電流を流して、第２の基板７を吸熱側基板として熱流束変換器８により拡散した熱を吸熱する。 - 特許庁

When high-frequency magnetic flux is generated by a coil member 160 to which AC power is applied, a substrate supporting member 110 composed of a conductive material generates heat by the induction of an eddy current, so that the layer film is formed by a raw material gas on the surface of the object substrate CB heated by the heat.例文帳に追加

交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing magnetic recording medium, which comprises at least a soft magnetic layer, an orientation coordination layer, and a magnetic recording layer in order on a substrate, and is used for vertical magnetic recording, applies direct current bias on a surface of a substrate when depositing the orientation coordination layer and the magnetic recording layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、前記配向調整層及び前記磁気記録層のそれぞれの成膜時に直流バイアスを基板表面に印加する。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric converter 10 is comprised of mainly a transparent substrate 1 such as glass; a semiconductor layer 3 held with photo-sensitized dye; a current conductive layer (a negative electrode) 12; an electrolyte layer 4; a counter electrode (a positive electrode) 5; a counter substrate 6; and a sealing material (not shown in a figure).例文帳に追加

色素増感型光電変換装置１０を、主として、ガラスなどの透明基板１、光増感色素を保持した半導体層３、集電体層（負極）１２、電解質層４、対向電極（正極）５、対向基板６、および図示省略した封止材などで構成する。 - 特許庁

To inhibit the generation of an unbalanced and excess peak current between semiconductor switching elements in the semiconductor device of the structure having a plurality of semiconductor switching elements connected in parallel on a substrate and an electrode plate (bus bar) disposed in a three-dimensional manner to this substrate.例文帳に追加

基板上で並列接続された複数の半導体スイッチング素子と、この基板に対して立体的に配置された電極板（バスバー）とが備えられた構造の半導体装置において、半導体スイッチング素子間での不均衡かつ過大なピーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a porous electrode substrate having a low apparent thermal diffusivity in a thickness direction and also having a high flooding resistance even under a high humidity condition or in a high current density region, as well as a membrane-electrode junction and a polymer electrolyte fuel cell using the substrate.例文帳に追加

厚み方向の見かけの熱拡散率が低く、高加湿条件下または高電流密度領域においてもフラッディング耐性の高い多孔質電極基材、ならびにその基材を用いてなる膜−電極接合体および固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

To make it possible to form a semiconductor device, which does not impart unrestorable damage to a semiconductor substrate by concentric flow of reverse current into the semiconductor substrate by a local yield and is stable in function and is excellent in reliability.例文帳に追加

局所的な降伏により逆電流が集中的に半導体基板中に流れることで回復不可能な損傷を与えることのない半導体デバイスを作成できるようにするとともに、性能的に安定し信頼性に優れる半導体デバイスを作成できるようにする。 - 特許庁

The device includes a substrate, a current supply line 330 and a plurality of pixel electrodes 32, which are arranged on the substrate, a plurality of particle-like light emitting diodes scattered on a plurality of the pixel electrodes 32 at random and counter electrodes covering a plurality of particle-like light emitting diodes.例文帳に追加

基板と、基板上に設けられた電流供給線３３０および複数の画素電極３２と、複数の画素電極３２の各々の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオードと、複数の粒子状発光ダイオードを覆う対向電極とを備えている。 - 特許庁

While a substrate surface 2 made of the magnesium or the magnesium alloy is immersed into an electrolyte 4 of 40 to 70°C containing alkali metal hydroxide and aluminate, the substrate surface is subjected, as one electrode, to the anodic oxidation treatment at current density 2 to 7 A/dm^2 without producing a spark discharge.例文帳に追加

マグネシウム製またはマグネシウム合金製の基材２を、アルカリ金属水酸化物およびアルミン酸塩を含む４０〜７０℃の電解液４に浸漬しつつ、当該基材を一方の電極として、２〜７Ａ／ｄｍ^２の電流密度で火花放電を生じさせずに陽極酸化処理を行う。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting device capable of emitting lights in a blue light range which solves the problems such as the forward voltage increase or nonuniform current injection due to the breakage or resistance increase of electrodes on the substrate side faces about electrodes formed from the substrate.例文帳に追加

基板側から形成する電極において、基板側面の電極の断線や高抵抗化による順方向電圧の増加，不均一な電流注入等の問題を解決した青色領域で発光可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of causing a current to flow between a conductive substrate 3 having the gallium-nitride-based compound semiconductor 2 containing the p-type impurities formed, while it is soaked in an electrolyte 1 with the substrate 3 as an anode and a cathode 4 for activating the p-type impurities.例文帳に追加

製造方法は、Ｐ型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体２が形成された導電性基板３を、電解液１に浸漬した状態で、前記導電性基板３を陽極として、陰極４との間に電流を流すことで、前記Ｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

A plurality of grooves 2 are formed onto an approximately flat substrate 1, resistors thermally insulated from the substrate 1 and formed of thin-films are installed to each groove 2, and a plurality of the micro-heaters 3 with means making a current flow through the resistors, elevating a temperature and measuring the temperature are formed.例文帳に追加

略平坦な基板１上に複数の堀２を設け、各堀２それぞれに基板１から熱的に絶縁され、薄膜で形成した抵抗体を設け、この抵抗体に電流を流して昇温を行いかつ温度を測定する手段を備えた複数のマイクロヒータ３を形成する。 - 特許庁

The self-support substrate comprises a GaN-based semiconductor and is characterized by that, when a Schottky diode is formed by directly using Ni as a metal electrode on the surface of the self-support substrate, the ideality factor n-value in the current-voltage characteristics is 1 or more and 1.3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁

The circuit board is provided with an HIC substrate 11, on which the electronic component 14 is mounted, metallic stands 12, fitted to both sides of the HIC substrate 11 and a shunt resistor 13, whose ends are bonded to the stands 12, and a current is made to flow to the shunt resistor 13 via the stands 12.例文帳に追加

電子部品１４が実装されるＨＩＣ基板１１と、このＨＩＣ基板１１の両側部に取り付けられる金属製の台座１２と、両端がそれぞれ台座１２に接合されるシャント抵抗器１３とを有し、台座１２を介してシャント抵抗器１３に電流が流される。 - 特許庁

When a coil member 160 to which AC power is applied generates a high frequency magnetic flux, a substrate supporting member 110 composed of an electrically conductive material is heat-generated by the guidance of an eddy current, thus a layer film is formed on the surface of an objective substrate CB heated by this.例文帳に追加

交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

In this case, among an electronic circuit 19 arranged on the ceramic substrate 17, a high voltage part 26 comprising a capacitor 24 and a Zener diode 23 used for detecting an ion current, is arranged on an opposite side surface 17b of a lead frame 14 side surface 17a of the ceramic substrate 17.例文帳に追加

この場合、セラミック基板１７に設けられる電子回路１９のうち、イオン電流を検出するために用いられるコンデンサ２４およびツェナーダイオード２３を含んで構成される高電圧部２６を、セラミック基板１７のうちリードフレーム１４側の面１７ａとは反対側の面１７ｂに配置する。 - 特許庁

When the heat capacity of the substrate 4 is small, the temperature of the substrate 4 is inhibited from rising by repeating the application and stop of the vias voltage for etching and further it is inhibited from rising by repeating the application and stop of an arc current during the step of forming coats including an intermediate layer.例文帳に追加

また、基材４の熱容量が小さい場合は、エッチング用バイアス電圧の印加と印加停止を繰り返して基材４の温度上昇を抑えるとともに、中間層を含む成膜工程時にアーク電流の印加と印加停止を繰り返して基材４の温度上昇を抑える。 - 特許庁

To prevent defective plating due to an electrode set in the surface to be plated of a semiconductor substrate and, at the same time, to prevent insufficient continuity between the electrode and a current film, in a method for manufacturing semiconductor device including a step of forming a wiring pattern on the semiconductor substrate by a plating method.例文帳に追加

半導体基板上にメッキ法によって配線パターンを施す工程を含む半導体装置の製造方法において、半導体基板の被メッキ面に突き立てた電極によるメッキ不良を防止するとともに、電極とカレントフィルムとの間の導通不良を防止する。 - 特許庁

An insulating substrate is pasted on the back face of the Si bench and an isolation groove reaching the insulating substrate is formed by spacing the Si bench at an appropriate position on the boundary of the transmitting and the receiving sections and the electric crosstalk between the transmitting section and the receiving section is reduced by eliminating an AC current which flows via the Si bench.例文帳に追加

Ｓｉベンチの裏面に絶縁基板を貼り付け、送信部、受信部の境界の適当な部位でＳｉベンチを切り込み絶縁基板にいたる分離溝を形成してＳｉベンチを介して流れる交流電流をなくすことによって送信部・受信部間の電気的クロストークを減らす。 - 特許庁

Particularly, this JFET is a vertical type JFET, and has a channel region for forming a current path in the substrate depthwise direction of the semiconductor substrate, and a gate region formed in the depthwise direction to hold this channel region and controlling the channel width of the channel region according to the signal charge.例文帳に追加

特に、このＪＦＥＴは、縦型ＪＦＥＴであり、半導体基板の基板深さ方向に電流経路を形成するチャネル領域と、このチャネル領域を挟み込むように深さ方向に形成され、信号電荷によってチャネル領域のチャネル幅を制御するゲート領域とを備える。 - 特許庁

A shunt resistance 30 to be used for measuring an output current in a unidirectional power source part 1 is arranged on a substrate 32 along the air course of cooling air flowing on the substrate 32, namely arranged approximately in line with a diode bridge 101 and a switching element, as shown in Fig. 2.例文帳に追加

単方向電源部１の出力電流を測定するために用いるシャント抵抗３０は、前記基板３２上を流れる冷却風の風路に沿って該基板３２上に配置されるとともに前記ダイオードブリッジ及び前記スイッチング素子と略同一直線状に配置される。 - 特許庁

The plurality of the relay connectors 51 are particulate matter having a solder layer 52 on the surface and insulated from the catalyst electrode 23 between the first substrate 13 and the second substrate 20 and arranged in a point-like state, and electrically connect the translucent conductive layer 14 and the current collecting conductor 42.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、表面にはんだ層５２が存在する粒状物で、第１基体１３及び第２基体２０間にて触媒電極２３と絶縁された状態で点状に配置され、透光性導電層１４と集電導体４２との間を導通する。 - 特許庁

A probe for a current-carrying test (16) includes a probe body which has plate-like connection sections (22a) whose end surfaces make connection surfaces to the probe substrate, and foot sections (42) which extend in a plate thickness direction from at least one-side lateral surfaces of the connection sections and have end surfaces to be the connection surfaces to the probe substrate.例文帳に追加

通電試験用プローブ（１６）は、板状の接続部（２２ａ）を有し該接続部の端面がプローブ基板への接続面となるプローブ本体と、前記接続部の少なくとも一方の側面から板厚方向へ伸び、前記プローブ基板への接続面となる端面を有するフット部（４２）とを含む。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte type gas sensor and a gas concentration measuring apparatus of high measuring precision and measuring sensitivity for a gas concentration reduced in temperature differences between both faces and on the same face of a solid electrolyte substrate inside, in a limiting current type gas sensor using a solid electrolyte substrate.例文帳に追加

固体電解質基板を用いた限界電流型のガスセンサーにおいて、固体電解質基板内部の両面間及び同一面内の温度差を小さくし、ガス濃度の測定精度及び測定感度が高い、固体電解質型ガスセンサー及びガス濃度測定装置を提供する。 - 特許庁

By the setting operation of a switch substrate disposed at the hand operation part of the hose, a manual control means 26 outputs a prescribed current value to a main body control means 22 and the main body control means 22 judges operation contents.例文帳に追加

ホースの手許操作部に配設したスイッチ基板の設定操作にて、手動制御手段26が所定の電流値を本体制御手段22に出力し、本体制御手段22が操作内容を判断する。 - 特許庁