「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

A composite substrate formed with an intermediate layer on an oriented Ni-W substrate having a predetermined area is coated thereon with a YBCO oxide superconductive layer and a stabilizing layer by a TFA-MOD method to prepare an oxide superconductor, and the oxide superconductor is punched to form current paths of meander shape.例文帳に追加

所定の面積を有する配向ＮｉーＷ基板上に中間層を形成した複合基板上に、ＴＦＡ−ＭＯＤ法によりＹＢＣＯ酸化物超電導層及び安定化層を被覆して酸化物超電導体を作成した後、これに打ち抜き加工を施してミアンダ形状の電流経路を形成する。 - 特許庁

This light source device is provided with the illumination device 1 which is provided with a light emitting material 12 to emit light and exotherm by injecting an electric current and a substrate 23 in which the illumination device 1 is arranged on the face of one side, and the substrate 23 has a through hole 23a to which the illumination device 1 is exposed.例文帳に追加

電流が注入されることによって発光・発熱する発光体１２を備える照明装置１と、該照明装置１が一方側の面に配置される基板２３とを備える光源装置１０であって、上記基板２３は、上記照明装置１が露出する貫通孔２３ａを有する。 - 特許庁

In the power semiconductor device, the thickness of a section joined with the metallic circuit on the insulating substrate at the terminal is thinner than those of other sections of the terminal through which a main current flows, and the section joined with the metallic circuit on the insulating substrate at the terminal is divided by slits, thus reducing a stress applied to the joining section.例文帳に追加

本発明のパワー半導体装置は、端子の絶縁基板上の金属回路に接合する部分の厚さを、主電流が通流する端子の他の部分の厚さより薄くしたり、端子の絶縁基板上の金属回路に接合する部分をスリットで分割して、接合部にかかる応力を低減した。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor provided with a transmission line device structure is configured so that a cathodic section 10 may be formed at the center of the aluminum substrate 1, a pair of anodic terminal connections 9 may be formed on both sides of the section 10 in the substrate 1, and current can be conducted between a pair of the connections 9.例文帳に追加

伝送線路素子構造を備えた固体電解コンデンサは、陰極部１０をアルミニウム基体１の中央部に形成し、陽極端子接続９を前記アルミニウム基体１の前記陰極部１０の両側に一対形成し、前記一対の陽極端子接続部９間に通電できるように構成されている。 - 特許庁

The boron oxide nanowire having a stoichiometric composition, which is arranged on a magnesium substrate and has a diameter of 40-100 nm and a length of 1-2 μm, is obtained by heating a magnesium substrate, boron, and boron oxide at 700°C for 40 minutes in an atmospheric current of argon gas and oxygen gas in an infrared radiation furnace.例文帳に追加

赤外線照射炉において、アルゴンガス及び酸素ガス気流中で、マグネシウム基板、ホウ素及び酸化ホウ素を７００℃、４０分間加熱することにより、マグネシウム基板上に配列し、直径が４０〜１００ナノメートル、長さが１〜２マイクロメートルで、化学量論組成を有する酸化ホウ素ナノワイヤーを得る。 - 特許庁

Even when a game board is attached to a main body frame in a state where a voltage is generated by a power supply substrate 686, by a live line fault prevention circuit 1700f, the rush current from the power supply substrate is prevented from flowing into the electrolytic capacitors C1, C101 and C103 of a main control board attached to the game board.例文帳に追加

電源基板６８６によって電圧が作成されている状態で、遊技盤を本体枠に取り付けても、活線故障防止回路１７００ｆにより、遊技盤に取り付けられた主制御基板の電解コンデンサＣ１，Ｃ１０１，Ｃ１０３，に電源基板からの突入電流が流れ込まないようになる。 - 特許庁

To provide a ceramic circuit board and a semiconductor module which are highly reliable by suppressing the heat generation caused by the concentration of electric current at bonding portions between a metal post and metal circuit plates, wherein the metal circuit plates on upper and lower surfaces of the ceramic substrate are electrically connected by the metal post arranged in a through-hole of the ceramic substrate.例文帳に追加

上下両面の金属回路板間をセラミック基板の貫通孔内の金属柱により電気的に接続するセラミック回路基板において、金属柱と金属回路板との接合部に電流が集中することによる発熱を抑えた、信頼性の高いセラミック回路基板を得る。 - 特許庁

The power switching device Q_10 comprises a semiconductor substrate 22, a plurality of cells arranged on the semiconductor substrate 22 and switching the current from each power supply to the load based on the potential of a gate electrode 24, and a plurality of drivers 30 connected with the gate electrode 24 and distributed in the arrangement of the plurality of cells.例文帳に追加

パワースイッチング装置Ｑ_１０は、半導体基板２２と、半導体基板２２に配列して形成され、それぞれの電源から負荷への電流をゲート電極２４の電位に基づいてスイッチングする複数のセルと、ゲート電極２４に接続され、複数のセルの配列内に分散配置された複数のドライバ３０とを備えている。 - 特許庁

Oxide films 2 and 3 for a process monitor are provided on the surface of a wafer consisting of a semiconductor substrate 1 and a polysilicon film 5 is provided on the films 2 and 3, whereby a monitoring pattern 10 is formed and a voltage and/or a current is applied between the substrate 1 and the film 5 to evaluate the film quality of the films 2 and 3.例文帳に追加

半導体基板１からなるウェハの表面にプロセスモニター用の酸化膜２、３を設け、その上にポリシリコン膜５を設けることによりモニター用パターン１０を形成し、半導体基板１とポリシリコン膜５との間に電圧および／または電流を印加して前記酸化膜２、３の膜質を評価する。 - 特許庁

To provide a solar cell having a current collection structure in which currents generated by a light receiving surface and a reverse surface of the solar cell are both collected on the reverse surface side, wherein a characteristic defect due to formation of a space in an electrode penetrating a substrate along a thickness, a substrate for leading a light receiving surface-side electrode out to the reverse surface side is improved.例文帳に追加

太陽電池の受光面と裏面で生成された電流をともに裏面側で集める集電構造を有する太陽電池セルにおいて、受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する電極内部において空間が発生することによる特性不良を改善する。 - 特許庁

At the time of measuring the resistance of the polycrystalline silicon substrate 6, four or more linear conductors 7 are disposed in parallel with each other on the substrate 6 and the potential difference between the inner conductors 7b and 7c is read while an electric current is made to flow through the outer conductors 7a and 7d.例文帳に追加

多結晶シリコン基板６の抵抗測定方法であって、この多結晶シリコン基板６上に四本以上のライン状の導電体７を平行に配設し、この導電体７の外側二本７ａ、７ｄに電流を流して内側の導電体７ｂ、７ｃ間の電位差を読み取ることによって抵抗を測定する。 - 特許庁

The temperature distribution is uniformalized by making current values flowing through the conductive glass substrate variable by making the width dimensions of the electrodes variable, or the temperature distribution is uniformalized by forming regions divided into sections by cutting a part of the conductive glass substrate or the electrode and making the temperature distribution variable every regions.例文帳に追加

電極の幅寸法を可変にすることにより導電性ガラス基板を流れる電流値を可変にし温度の均一化を図る方法や、導電性ガラス基板や電極の一部を切断して分断領域を形成し、領域ごとに温度分布を可変にすることにより全体の温度の均一化を図る。 - 特許庁

The pressure wave producing device 1 is equipped with a substrate 2 having heat conductivity, the heat insulating layer 3 formed on one main surface of the substrate 2, the insulator layer 5 formed on the heat insulating layer 3 and the heat generator 4 formed on the insulator layer 5 and receiving the application of a current containing an AC component to generate heat.例文帳に追加

本発明の圧力波発生装置１は、熱伝導性の基板２と、基板２の一方の主面に形成された断熱層３と、断熱層３の上に形成された絶縁体層５と、絶縁体層５の上に形成され、交流成分を含む電流が印加されて発熱する発熱体４と、を備える。 - 特許庁

A light emitting diode is provided with: a p-type GaP substrate 12; a p-type GaP contact layer 13 stacked on this p-type GaP substrate 12; a p-type AlInP second clad layer 14; a p-type AlGaInP active layer 15; an n-type AlInP first clad layer 16; and an n-type AlGaAs current diffusion layer 17.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。 - 特許庁

Current concentration is reduced by providing a first lead connection electrode in contact with the outer edge section of a first working electrode formed on one surface of an oxygen ion conductive substrate, and a second lead connection electrode in contact with the outer edge section of a second working electrode formed on the other of the oxygen ion conductive substrate.例文帳に追加

酸素イオン導電性基板の一方の表面に形成した第１作用電極の外縁部に接触する第１リード接続電極および、酸素イオン導電性基板の他の表面に形成した第２作用電極の外縁部に接触する第２リード接続電極を設けて、電流集中を低減した。 - 特許庁

Especially, this substrate 1 is more provided with a plurality of inspection electrode PT which are connected to the second power source terminal Vtest by being capacitively coupled respectively with the plurality of the electrodes PX of the organic EL elements on the substrate 1 so as to hold electric charges for inspection which are controlled by the thin film transistors for current drive 5.例文帳に追加

特に、この表示装置基板はこれら電流駆動用薄膜トランジスタ５により制御される検査用電荷を保持するように絶縁基板１上で複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸにそれぞれ容量結合して第２電源端子Ｖtestに接続される複数の検査電極ＰＴをさらに備える。 - 特許庁

To provide a silicon nitride substrate in which a silicon nitride sintered compact has an intrinsic high strength, and especially, the sintered compact constituting the substrate is substantially free from pores, which has small surface roughness, from which particles hardly drop off when it is processed, and which is capable of effectively suppressing the quantity of leak current.例文帳に追加

窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、特に基板を構成する焼結体中に実質的に気孔（ポア）が形成されず、また表面粗さが小さく、加工時に脱粒が生じにくく、さらにリーク電流量を効果的に抑制することが可能な窒化けい素基板を提供する。 - 特許庁

Related to the voltage or current control differential ring oscillation circuit, a delay differential inversion amplifier circuit of each stage constituting the oscillation circuit are alternately provided, in two rows respectively, on a semiconductor substrate, so that they do not adjoin each other on the semiconductor substrate while adjoining each other on the circuit.例文帳に追加

本発明の電圧または電流制御差動リング発振回路は、発振回路を構成する各段の遅延差動反転増幅回路を回路上では隣合う各段が半導体基板上では隣合わなくなるように、それぞれを２列に互い違いに半導体基板上に配置することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a wiring board with which a great current can be made to flow by lowering the resistance of a wiring conductor without cracking an insulating substrate or disconnecting the wiring conductor even when the wiring conductor of low resistance containing copper having the thickness of ≥50 μm is provided on the insulating substrate composed of oxidized aluminum ceramic.例文帳に追加

酸化アルミニウム質セラミックスからなる絶縁基板に対して、５０μｍ以上の厚さを有する銅を含む低抵抗の配線導体を設けても、絶縁基板のクラックや配線導体の断線等が発生せず、配線導体の低抵抗化を実現し大電流を流すことが可能な配線基板を得る。 - 特許庁

Consequently, the interface level between the silicon oxide film and the silicon substrate is reduced, through current between the silicon oxide film and the silicon substrate causing charges is suppressed, deterioration of the silicon oxide film is prevented and long term reliability of the semiconductor device is enhanced while increasing the yield thereof.例文帳に追加

これによりシリコン酸化膜とシリコン基板界面の界面準位が低減され、チャージが要因となるシリコン酸化膜とシリコン基板の間の貫通電流が抑制され、シリコン酸化膜の劣化を防止し、半導体装置の歩留まりを向上し、かつ、半導体装置の長期信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

In a current driving part 3, wiring (L2) for setting substrate potential is provided separately from wiring (L1) of power supply potential VDD, so that the substrate potential of a P-type MOS transistor in a driving cell can be in common, without reference to distance from a power supply pad P1 (the power supply potential VDD) to each driving cell.例文帳に追加

電流駆動部３において、電源パッドＰ１（電源電位ＶＤＤ）から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のＰ型ＭＯＳトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位ＶＤＤの配線（Ｌ１）とは別に基板電位を設定するための配線（Ｌ２）を設ける。 - 特許庁

To provide an inspection method for high-frequency circuit chip manufacturing substrate, in which defects such as breaking and short circuit of a transmission line are easily discovered, even when a direct current bypass channel is formed between both ends of the transmission line to be inspected, in a condition in which a substrate unit is not divided.例文帳に追加

基板単位を分離しない状態において、検査対象となる伝送線路の両終端間に直流バイパス経路が形成される場合でも、該伝送線路の断線や短絡などの不具合を容易に発見することができる高周波回路チップ製造用基板の検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film solar cell which can be stably mass-produced while a groove is prevented from being formed circumferentially outside a die-side substrate cutting hole during connection to a substrate or formation of a current collection hole, and trouble such as slug float, drooping of a film surface, burrs of a reverse surface side, etc., is prevented.例文帳に追加

基板への接続孔又は集電孔の形成時においてダイ側の基板切断孔の外側に円周方向の溝の形成を防止し、かつカス上がり、フィルム面のダレ及び裏面側のバリ等の不具合の発生を防止し、安定して量産が可能な薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加

透明フィルム基板の３０℃における熱伝導率を１．５×１０^-3［ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ］以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したＩＴＯ導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for a recording head of a constant-current drive system which can save power consumption during stand-by time, prevent the heat-up of a recording head from occurring and stably discharge an ink, a recording head using the recording head substrate, a head cartridge with a built-in recording head and a recording device using the recording head.例文帳に追加

待機時の消費電力を抑えるとともに、記録ヘッドの昇温を防止し、安定的にインクを吐出できる、定電流駆動方式を採用した記録ヘッド基板、その記録ヘッド基板を用いた記録ヘッドと、その記録ヘッドを組み込んだヘッドカートリッジ、及び、その記録ヘッドを用いた記録装置とを提供することである。 - 特許庁

A film thickness measuring device 18 is used to measure a first and a second substrate current value generated in a substrate 32 when a thin film 34 formed on the substrate 32 is irradiated with a first energy electron beam and a second energy electron beam respectively for measuring the thickness of the film 34.例文帳に追加

膜厚測定装置１８は、基板３２上に形成された測定対象の薄膜３４に第一のエネルギーおよび第二のエネルギーの電子ビームをそれぞれ照射し、薄膜３４に第一のエネルギーの電子ビームを照射した際に基板３２に流れる第一の基板電流値および薄膜３４に第二のエネルギーの電子ビームを照射した際に基板３２に流れる第二の基板電流値をそれぞれ測定する。 - 特許庁

Sheet plasma 27 is guided so as to pass a space between the substrate 34B and the target 35B in the sputtering chamber 30, and when an Al material sputtered from the target 35B by charged particles in the sheet plasma 27 is deposited on the aperture of the substrate 34B, the coverage property of a deposited film made of the Al material is adjusted based on plasma discharge current ID and substrate bias voltage VA.例文帳に追加

シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 - 特許庁

This detection device has a field effect transistor having a substrate, a source electrode and a drain electrode arranged on the substrate, a channel including an ultrafine fiber body (for example, a carbon nanotube) for connecting electrically the source electrode to the drain electrode, and a gate electrode for controlling a current flowing in the channel; and the enzyme or the substrate corresponding to the enzyme bonded to the field effect transistor.例文帳に追加

検出装置は、基板、前記基板上に配置されたソース電極およびドレイン電極、前記ソース電極とドレイン電極とを電気的に接続する超微細繊維体（例えばカーボンナノチューブ）を含むチャネル、ならびに前記チャネルを流れる電流を制御するゲート電極を有する電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタに結合された酵素または酵素に対応する基質と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a support for a lithographic printing plate precursor comprises the steps of roughing at least one surface of a metallic substrate, applying an anodized layer to the at least one roughed surface of the substrate, and treating the at least one roughed and anodized surface of the substrate with an aqueous solution containing a copolymer of an acrylic acid and a vinylsulfonic acid while applying a constant voltage or current thereto.例文帳に追加

金属性基質の少なくとも１つの表面を粗面化し、基質の少なくとも１つの粗面化された表面に陽極酸化層を適用し、基質の少なくとも１つの粗面化され且つ陽極酸化された表面を、定電圧又は定電流を適用しながら、アクリル酸とビニルホスホン酸のコポリマーを含む水溶液で処理することを含む平版印刷版前駆体のための支持体の製造法を提供する。 - 特許庁

When water is accumulated by dew condensation between the wavelength conversion member and the sensor substrate 10, a dark current sometimes increases, causing coupling of an ion component included in the water with the photoelectric conversion element (electrode or the like of the photoelectric conversion element), but the dark current is difficult to occur because such coupling is inhibited due to the providing of the nonionic layer 20.例文帳に追加

波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 - 特許庁

To provide a PWM control solenoid driver driving a solenoid by PWM control, wherein the occurrence of center value deviation of a driving current due to the distortions of the dither signal of a current driving the solenoid is suppressed, by setting, or a semiconductor integrated circuit device that includes the PWM control solenoid driver formed integrally on a common semiconductor substrate.例文帳に追加

ＰＷＭ制御によってソレノイドを駆動する駆動装置において、設定により、ソレノイドを駆動する電流のディザ信号が歪むことによって駆動電流の中心値ずれが発生するのを抑制したＰＷＭ制御ソレノイド駆動装置あるいはそれを共通の半導体基板上に一体形成して成る半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

The interposer allows an allowable current value in a path for carrying a large current therethrough to be increased and allowing large-consumption-power integrated circuit elements to be mounted thereon by: mounting the integrated circuit elements on both sides of the interposer comprising a semiconductor substrate; and making wiring materials, wiring pattern densities and the like of the interposer by using techniques different from each other on both sides thereof.例文帳に追加

半導体基板から成るインターポーザの表裏面に集積回路素子を搭載し、インターポーザの配線材料、配線パターン密度などを表裏面では異なった技術で作成することにより、大電流が流れる経路での許容電流値を大きくすることができ、大消費電力の集積回路素子をインターポーザへ実装できるようにした。 - 特許庁

The module for the semiconductor switch has the structure that conducts heat emitted from a semiconductor switch element to a heat sink separately arranged from a print substrate, and has the structure that separates a switching current path that serves as an input and output to the semiconductor switch element from a driving current path that drives the semiconductor switch element for switching operation, thereby each path is connected at a short distance.例文帳に追加

半導体スイッチ素子からの発熱をプリント基板から離隔して設けられた放熱板に伝導する構造にするとともに、半導体スイッチ素子への入出力となるスイッチング電流の経路と、半導体スイッチ素子をスイッチ駆動する駆動信号の経路とを分離し、それぞれの経路は短距離での接続を可能とする構造としている。 - 特許庁

To solve such a problem that a scope determined to be a reflux mode is small, wherein, when the reflux mode at which a current flows to a freewheel diode is determined on the basis of the output current of a micro-electrode formed on a semiconductor substrate configuring a power switching element forming an inverter, and the power switching element is turned off when a mode is determined to be the reflux mode.例文帳に追加

インバータを構成するパワースイッチング素子を構成する半導体基板上に形成される微小電極の出力電流に基づき、フリーホイールダイオードに電流が流れる還流モードを判断し、還流モードと判断される場合にパワースイッチング素子をオフとする場合、還流モードと判断できる領域が狭くなること。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor element has a porous thin film of a compound oxide semiconductor containing copper and further at least one element M selected from a group of bismuth, nickel, silicon, titanium, yttrium, alkali earth metal, and lanthanoid formed on a conductive substrate, and has visible light response showing a cathode photoelectric current and/or anode photoelectric current.例文帳に追加

銅を含み、さらにビスマス、ニッケル、ケイ素、チタン、イットリウム、アルカリ土類金属、及びランタノイドからなる群から選択される少なくとも１つの元素Ｍを含む複合酸化物半導体の多孔質薄膜が導電性基板上に形成されている半導体素子であって、カソード光電流および／またはアノード光電流を示す可視光応答性の半導体素子。 - 特許庁

An instrument 12 measures a current induced in the detecting interdigital electrode 6 by a reverse piezoelectric effect of the surface acoustic waves; and when hydrogen is adsorbed to the palladium film 8 and the amount of hydrogen on the surface of the quartz substrate 2 is changed, the intensity of the surface acoustic waves is changed and a current value measured by the instrument 12 is changed.例文帳に追加

測定器１２は、表面弾性波の逆圧電効果により検出用櫛形電極６に誘起される電流を測定しており、水素がパラジウム膜８に吸着されて水晶基板２表面における水素量が変化すると、表面弾性波の強度が変化し、測定器１２で測定される電流値が変化する。 - 特許庁

A soft magnetic layer 18 is provided in the vicinity of a magnet layer 14 formed on an insulator substrate 12 via an interlayer insulation layer 16, the magnetization control of the magnet layer 14 is performed by application of a pulse current generated by a pulse current generation circuit and a magnet field covering the soft magnetic layer 18 is changed so as to change the magnetic characteristics.例文帳に追加

絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。 - 特許庁

Correction dose is determined to correct a deviation of dose between a first time point t1 at which a charged particle beam is regarded to get to a reference current density by a controlling unit configured to control the shot period of the particle beam drawing system, and a second time point t2 at which the charged particle beam really gets to the reference current density on a target substrate.例文帳に追加

粒子ビーム描画装置のショット期間を制御するように構成された制御ユニットが荷電粒子ビームが基準電流密度に到達したと見なす第１時点ｔ１と、前記荷電粒子ビームが実際にターゲット基板にて基準電流密度に到達する第２時点ｔ２との間の線量偏差を補正する補正線量が決定される。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

An input part of the semiconductor device is utilized commonly for putting into two of H/L to make a potential difference between adjacent pins large, and the evaluation substrate is prepared while the evaluation for enhancing trouble detection by making a current flow in the semiconductor device, and the evaluation for enhancing the trouble detection by making no current flow are separated.例文帳に追加

半導体デバイスの入力部は隣り合うピンの電位差が大きくなる様にＨ／Ｌに振り分ける事を共通に活用し、半導体デバイスに電流を流すことで故障の検出を向上させる評価と、電流を流さないことで故障の検出を向上させるものとに分け、半導体デバイスの評価基板を作成する。 - 特許庁

Being separated from the center of a main coil attached to a substrate at a predetermined mechanical angle, there is arranged at least one auxiliary coil connected in series to the main coil, and it is designed so that equivalent or higher standard torques can be obtained even while incoming current is being reduced by the coil, thereby reducing electrical current consumption of motor.例文帳に追加

基板に装着される主コイルの中心と所定の機械角で離隔された状態であり、前記主コイルとは直列に接続する少なくとも１つの補助コイルが配置されて、コイルで流入電流を減らしながらも同等又は高い水準のトルクを得ることができるようにして、モータの消費電流量を減らす。 - 特許庁

This is a lithium secondary battery which is equipped with an electrode body 1 comprising that respective positive and negative electrode plates 2, 3 are wound or laminated via a separator 4 wherein an electrode active substance is formed on the surface of a current collecting substrate, and in which a nonaqueous electrolytic solution is used.例文帳に追加

集電基板表面に電極活物質を形成してなる正負各電極板２・３をセパレータ４を介して捲回若しくは積層してなる電極体１を備え、非水電解液を用いたリチウム二次電池である。 - 特許庁

Furthermore, since the collector 10 is constituted of the resin film as the substrate, duplicated safety function is constituted with current interruption by melting of the resin film due to abnormal temperature-rise together with the PTC.例文帳に追加

また、集電体１０が樹脂フィルムを基材として構成されていることにより異常温度上昇により樹脂フィルムが溶融することによる電流遮断によりＰＴＣ素子４と共に二重の安全機能が構成される。 - 特許庁

To provide an LVDS driver, an LVDS circuit, and a resistance value adjusting method and current value adjusting method for the LVDS circuit, capable of suitably transmitting a differential signal even if a circuit component on a substrate is different in layout.例文帳に追加

基板上での回路部品のレイアウトが相違しても差動信号の適正な伝達が可能なＬＶＤＳドライバ、ＬＶＤＳ回路、ＬＶＤＳ回路の抵抗値調整方法およびＬＶＤＳ回路の電流値調整方法を得ること。 - 特許庁