「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A biased magnetic field Hb1 along the magnetization direction J13A of the free layer, when the current magnetic field HmA is zero is applied to the MR element 51A by the magnetic substrate, thereby enhancing the unidirectional anisotropy of the free layer, without using shape anisotropy.例文帳に追加

ここでは、磁性基板によって電流磁界ＨｍＡが零のときの自由層の磁化方向Ｊ１３Ａに沿ったバイアス磁界Ｈｂ１をＭＲ素子５１Ａに対して印加するようにしたので、形状異方性を利用しなくとも自由層の一軸異方性を強めることができる。 - 特許庁

To provide a configuration capable of increasing a TFT on current and introducing a new circuit in a data side driving circuit by expanding a formation area of a data line driving circuit on an active matrix substrate in a liquid display panel and a projection type display device.例文帳に追加

液晶表示パネルおよび投写型表示装置において、アクティブマトリクス基板上のデータ線駆動回路の形成領域を拡張してデータ側駆動回路におけるＴＦＴのオン電流の増大や新たな回路の導入などが可能な構成を提供すること。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２に囲まれた基板１１上の素子領域１３１，１３２において不純物拡散層１４１はキャパシタＣの一方電極、不純物拡散層１４１はデータ伝送経路及び領域ＴＮでトンネル電流を発生させるためのウィンドウＷとして機能する。 - 特許庁

A mask to which a metal thin film not transmitting electron beams is attached is used, and a defective region is locally formed only at a guard ring region and a pn junction formed by a substrate, thus reducing the reverse recovery time Trr without increasing the leakage current in the opposite direction.例文帳に追加

電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するＰＮ接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a substrate with a high density and high reliability, by forming a resist pattern through coating of a photosensitive material on an electroless copper plating layer, exposure to light and development, and then preparing a bump pad by pulse plating and direct current plating of the resist pattern.例文帳に追加

無電解銅鍍金層に感光材を塗布した後に露光現像してレジストパターンを形成してパルス鍍金と直流鍍金をしてバンプパッドを形成させることにより高密度で高信頼性の基板を製造するフリップチップバンプパッド形成方法及びその構造に関する。 - 特許庁

When inspecting a characteristic of a semiconductor chip 4 mounted on a tape substrate 1 such as a TCP (tape carrier package), a current is made to flow for a short time via probes 13a, 13b to break impurities deposited on the pad before inspecting the characteristic of the semiconductor chip 4.例文帳に追加

ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）のようなテープ基板１に搭載された半導体チップ４の特性検査を行なう場合、半導体チップ４の特性検査を行なう前に、プローブ１３ａ、１３ｂを介してパッド３ａ、３ｂに電流を短時間流しパツドに付着した不純物を破壊する。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours.例文帳に追加

エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents current driving capability by preventing parasitic resistance from increasing while taking into consideration an influence of etching on a semiconductor substrate on an NMOS transistor, and thus prevents the operation speed of a semiconductor integrated circuit from decreasing.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit activated under application of a plurality of power supply voltages, wherein a through-current is prevented from being generated when no power supply voltage is applied to an input buffer while suppressing the reduction in an operating speed of an input circuit and the increase in a substrate area to the utmost.例文帳に追加

複数の電源電圧が供給されて動作する半導体集積回路において、入力回路の動作速度の低下や基板面積の増加をできるだけ抑えながら、入力バッファに電源電圧が供給されていない場合の貫通電流の発生を防止する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

A multilayer film constituted of a lower clad layer, an active layer and an upper clad layer is formed on the substrate 1, and a current injection layer which is stretched to the primary surface regions 1b on both sides of the worked region 1a is formed on the multilayer film, in a state of crossing the worked region 1a.例文帳に追加

基板１上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層からなる多層膜を形成し、この多層膜上に加工領域１ａを横切る状態で加工領域１ａの両脇の初期表面領域１ｂにまで延設された電流注入層を形成する。 - 特許庁

To provide an ink jet recording head, an ink jet recording device and a method for connecting an external wiring cable by which a lead-out wire and an external wiring cable are securely connected and an endurance current at the connecting part is improved, and deformation and cracks of a substrate are prevented.例文帳に追加

引き出し配線と外部配線ケーブルとを確実に接合すると共に接合部の耐久電流を向上して、且つ基板の変形及び割れを防止したインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置並びに外部配線ケーブルの接合方法を提供する。 - 特許庁

The transfer material P is pressed to the surface of a photoreceptor drum 1 by a transfer roller 10 when the toner image is transferred, and current I is made to flow between the transfer material P and a conductive substrate 1c of the photoreceptor drum 1 by applying transfer bias to electrodes 5a by a power source 5b.例文帳に追加

トナー像転写時に、転写ローラ１０によって転写材Ｐを感光ドラム１表面に押圧し、さらに、電源５ｂにより電極５ａに転写バイアスを印加することで、転写材Ｐと感光ドラム１の導電性の基体１ｃとの間に電流Ｉを流す。 - 特許庁

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable.例文帳に追加

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第１及び第２の導電層（金属ゲート電極材料）へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートＣＭＯＳ型の半導体装置を実現する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第２導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁

The temperature controller includes a heat generating body so disposed that, when observing it planewise on the substrate, it at least partially overlaps with or surrounds the light emitting element, and performs the temperature control of the light emitting element by applying a current to the heat generating body.例文帳に追加

温度制御部は、基板上で平面的に見て前記発光素子に夫々少なくとも部分的に重なるように又は発光素子を夫々少なくとも部分的に囲むように配置された発熱体を含み、該発熱体に対する通電を行うことで前記発光素子の温度制御を行う。 - 特許庁

The method is for manufacturing the organic EL display device provided with an organic EL element having a first electrode and second electrode formed on a substrate and at least one of which is transparent, and an organic light-emitting layer formed between the first electrode and second electrode for emitting light when a current is applied.例文帳に追加

基板の上に形成され、少なくとも一方が透明な第一電極及び第二電極と、該第一電極と該第二電極との間に形成され電流印加により発光する有機発光層とを有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法である。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser is provided with a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are laminated in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

Meanwhile, the potential difference between the substrate 3 and negative electrode 4 is detected by a voltage detecting element 11, and the current source 6 is turned off by a control part 12 when the potential difference detected by the element 11 begins to decrease to finish the anodization.例文帳に追加

また、電圧検出部１１は、ｎ形単結晶シリコン基板３と負極４との間の電位差を検出し、制御部１２は、電圧検出部１１により検出した電位差が低下し始めた時点で電流源６をオフさせることにより陽極酸化を終了させる。 - 特許庁

In the lighting device 100 having the organic EL element 10 as a light source, a plurality of organic EL element regions 10a, 10b formed on an identical substrate and a driving means 20 which supplies a forward current one by one for each organic EL element region are provided.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０を光源とする照明装置１００において、同一基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子領域１０ａ、１０ｂと、各有機ＥＬ素子領域１０ａ、１０ｂ毎に、順次、順方向電流を供給する駆動手段２０と、を設ける。 - 特許庁

To impart higher heat dissipation, adaptive to a current or future higher output and larger light quantity of an LED chip, to a lead frame, which has both heat dissipation and high adhesion between a filling resin and a metal frame, as a substrate for carrying an LED light emitting element.例文帳に追加

ＬＥＤ発光素子担持用の基板として、放熱性、充填樹脂と金属フレームの高い密着性を併せ持ったリードフレームに、現状あるいは将来のＬＥＤチップの高出力化、高光量化にも対応できる、さらなる高放熱性を付与することを目的とするものである。 - 特許庁

When a mark portion is touched by a finger from the surface of the insulating substrate 21 or the rear face of the insulating sheet 31, a current based on electrostatic capacitance is made to flow from the conductive pad to the signal recognition part through the lead, so that which mark is touched with the finger can be recognized and the information is outputted.例文帳に追加

マークの部分を絶縁性基板の表面または絶縁シートの裏面から指で触れたとき、静電容量に基づく電流が導電パッドからリード部を介して信号認識部へ流れることにより、いずれのマークが触指されたかを認識し、その情報を出力する。 - 特許庁

To provide a lead storage battery improved in durability by reducing discharge due to a local battery of the lead storage battery, and by extending using time through increasing battery capacity and reinforcing strength of a substrate of a current collector lattice of the lead storage battery, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

鉛蓄電池の局部電池による放電を少なくする事により耐久性を向上し、電池容量を増大する事および鉛蓄電池の集電体格子の基板の強度増強による使用期間の長期化により改善された鉛蓄電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of a second oxidized layer is oxidized to form a second current constriction layer containing a second insulating region and a second conductive region containing a border between the first conductive region and the first insulating region in the in-plane direction of the substrate in its inside.例文帳に追加

第２の被酸化層の一部を酸化し、基板の面内方向において第１の導電性領域と第１の絶縁性領域の境界を内側に含む第２の導電性領域と、第２の絶縁性領域とを有する第２の電流狭窄層を形成する。 - 特許庁

The ceramic circuit substrate can carry a large current because the inner-layer metal circuit board 4 is formed of a metal plate like the surface-layer metal circuit board 3, can prevent thermal stress from being applied to the inner wall surface of each circuit through-hole 1a, is high in reliability, and can reduce the size and thickness thereof.例文帳に追加

内層金属回路板４も表層金属回路板３と同様に金属板からなるので大電流を流すことができ、回路貫通孔１ａの内壁面に熱応力が加わらないようにすることができ、信頼性が高く、小型化や薄型化できるセラミック回路基板となる。 - 特許庁

To provide a light emitting device and an element substrate in which the off-current of a switching transistor is suppressed to be low, the luminance unevenness of a light emitting element between pixels due to variations in the characteristics of a driving transistor is suppressed, even if increase in the capacitance of the capacitor is not contrived.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。 - 特許庁

Also, the electrolytic copper foil is formed by subjecting the adhered surface of the untreated copper foil of 2 to 4 μm in the surface roughness composed of the bunchy projections of the adhered surface to the resin substrate thereof to surface roughening treatment of applying a prescribed current to the adhered surface for the prescribed time in an electrolytic bath.例文帳に追加

また、本発明の電解銅箔はその樹脂基板との被接着面のコブ状突起からなる表面粗度が２〜４μｍである未処理銅箔の該被接着面上に電気分解浴中で所定電流を所定時間付加する粗化処理を施してなる電解銅箔である。 - 特許庁

To achieve both, for example, a securement of high-speed performance of an HP transistor in a core part and, for example, an improvement of a gate withstand voltage and a reduction of a gate leakage current in an I/O transistor and an LP transistor, in a semiconductor device having a plurality of gate insulating films on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に複数のゲート絶縁膜を有する半導体装置において、例えばコア部におけるＨＰトランジスタの高速性の確保と、例えばＩ／Ｏトランジスタ及びＬＰトランジスタのゲート耐圧の向上やゲートリーク電流の低減とを両立する。 - 特許庁

To provide a substrate for a photoelectric conversion device having superior conductivity, its manufacturing method, a photoelectric conversion device and its manufacturing method, by arranging longitudinality of a nanotube equipped with titanium oxide in order to improve conductivity of a current flowing in the lamination direction of a flim.例文帳に追加

膜の積層方向に流れる電流の導電性を改善するために、酸化チタンを備えたナノチューブの長手方向を揃えることにより、優れた導電性を有する光電変換素子用基材およびその製造方法、ならびに光電変換素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A protective circuit for protecting a battery pack in which secondary batteries are connected in series from overcurrent and overvoltage, has a protective element having a heating resistance element and a fuse element on a substrate, and a detection means for detecting overvoltage and switching an electric current flowing through the heating resistance element.例文帳に追加

二次電池が直列に接続された電池パックを過電流と過電圧から保護する保護回路は、基板上に発熱抵抗体とヒューズエレメントを設けた保護素子、及び過電圧を検出し該発熱抵抗体に流れる電流をスイッチする検知手段を有する。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a silicon substrate by forming holes by a thin nitride film having an oxide film surface nitrided without difficulty in processing nor deterioration in light collection efficiency as compared with conventional constitution and capturing interstitial Si atoms generated by ion injection into the holes.例文帳に追加

酸化膜表面が窒化された薄い窒化膜により、従来の構成に比べて加工の困難性もなく集光効率の悪化もなく、空孔を発生させ、イオン注入によって発生した格子間Ｓｉ原子を空孔に捕獲させることによりシリコン基板内のリーク電流を低減させる。 - 特許庁

The resonance frequency is determined by sending an alternative current signal from an impedance- analyzer to excite the piezoelectric substrate P through a measuring electrode, detecting frequency dependence of an impedance and a phase at measured locations, and then analyzing a waveform showing the frequency dependence at an operation part 30.例文帳に追加

共振周波数は、インピーダンス・アナライザから交流信号を発することにより測定電極を経て圧電基板Ｐを励振し、測定個所におけるインピーダンスと位相との周波数依存性を検出後、演算部３０において周波数依存性を示す波形の解析を行うことにより求める。 - 特許庁

An oscillator 2 composed of a ring oscillator or a voltage controlled oscillator is mounted on the semiconductor integrated circuit 1 having a digital circuit and an analog circuit, and a jitter value from the oscillator 2 is measured by a jitter measuring circuit 3, so that a substrate current generated due to the ON/OFF of the digital circuit can be caught.例文帳に追加

リング発振器または電圧制御発振器からなる発振器２をデジタル回路とアナログ回路が混在する半導体集積回路１に設け、発振器２からのジッタ値をジッタ測定回路３で測定することにより、デジタル回路のオン・オフに起因する基板電流を捕らえる。 - 特許庁

When PMOS transistors P1, P2 are in ON, OFF states, the storage terminal Na can be kept at a 'H' state by the PMOS P1, and the storage terminal Nb can be kept logically at a 'L' state by a gate leak current flowing from a gate of the NMOS transistor N2 to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ１，Ｐ２がＯＮ，ＯＦＦ状態の場合、記憶端子ＮａはＰＭＯＳトランジスタＰ１によって“Ｈ”の状態に、記憶端子ＮｂはＮＭＯＳトランジスタＮ２のゲートから半導体基板に抜けるゲートリーク電流によって論理的に“Ｌ”の状態を保つことができる。 - 特許庁

In a step of filling a metal plating film in a via hole or a trench provided in an insulating film formed on a semiconductor substrate, data including an initial volume of plating solution, volume of replenished solution, the number of wafers processed, value of current applied and volume of waste solution are first collected.例文帳に追加

半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。 - 特許庁

That is, the current injection stripe 41 is composed of a rectangular stripe 42 which is 20 μm or above and constant in width on the plant in parallel with the surface of a substrate and a tapered stripe 43 which is continuously joined to the stripe 43 and gradually reduced in width toward the projection end face 40a.例文帳に追加

つまり、電流注入ストライプ４１は、基板面に平行なストライプ幅が２０μｍ以上で、かつ一定の長方形状のストライプ部４２と、ストライプ部４２に連続して設けられ、出射端面に向かってストライプ幅が縮小するテーパ部４３とを備えている。 - 特許庁

The Hall effect device 100 comprises supports 11 to 14 formed on a first semiconductor substrate 10 made of n-type single crystal silicon, a Hall device part 15, a space 16, current electrode terminals 21a to 22a, sensor electrode terminals 23a to 24a, wirings 21b to 24b, and bonding pads 21c to 24c.例文帳に追加

ホール効果素子１００は、Ｎ型単結晶シリコンからなる第１の半導体基板１０に形成される支持部１１〜１４、ホール素子部１５、空間部１６、電流電極端子２１ａ〜２２ａ、センサ電極端子２３ａ〜２４ａ、配線２１ｂ〜２４ｂ、ボンディングパッド２１ｃ〜２４ｃなどを備える。 - 特許庁

Since the impedance on the power source supplying lines which supply a power source voltage to an amplifier 17 is adjusted in accordance with the threshold voltage of a TFT (thin film transistor) on a glass substrate in this manner, a current does not flow wastefully through the power source supplying lines and the reduction of the power consumption is attained in this display device.例文帳に追加

このように、ガラス基板上のＴＦＴのしきい値電圧に応じて、増幅器１７に電源電圧を供給する電源供給線上のインピーダンスを調整するようにしたため、電源供給線に無駄に電流が流れなくなり、消費電力の低減が図れる。 - 特許庁

In the substrate end side of the source driver IC 101, there are formed, from the outside along the current direction, a bump 24d for GND, a bump 34d for an analog power supply, a bump 25d for a digital power supply, a bump 22 for gradation voltage in a positive electrode, and a bump 26d for gradation voltage in a negative electrode.例文帳に追加

ソースドライバＩＣ１０１の基板端側には電流が流れる順番に外側からＧＮＤ用バンプ２４ｄ、アナログ電源用バンプ２３ｄ、デジタル電源用バンプ２５ｄ、正極性側の階調電圧用バンプ２２ｄ、負極性側の階調電圧用バンプ２６ｄが形成されている。 - 特許庁

To reduce the number of steps, and to improve hot carrier resistance of a MOS transistor and performance such as the current gain or cut-off fre quency of a PNP transistor in a method for manufacturing a BiMOS semiconduc tor device where at least an N type MOS transistor and the PNP transistor are formed in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

少なくともＮ型ＭＯＳトランジスタとＰＮＰトランジスタを同一半導体基板に形成したＢｉＭＯＳ半導体装置の製造方法において、工程数を少なくし、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア耐性やＰＮＰトランジスタの電流増幅率や遮断周波数等の性能を高める。 - 特許庁

Thereafter, the amplification factor α_1 of the base grounding current of a transistor using the first N-type conductive region 2 as its collector, the second P-type conductive region 25 and the conductive region 1 of the substrate 100 as its base, and the second N-type conductive regions 11, 12, 13, 14, 15, and 16 as its emitter is increased.例文帳に追加

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第２Ｐ型導電領域２５及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域１１，１２，１３，１４，１５，１６をエミッタとするトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。 - 特許庁

In this case, a plurality of elements that constitute the first transistor element Q1 on the current reference side and a plurality of elements that constitute the second transistor element Q2 are provided in a dispersed state for making the distribution density constant as much as possible on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、電流参照側の第１のトランジスタ素子Ｑ１１を構成するための複数の素子と電流基準側の第２のトランジスタ素子Ｑ１２を構成するための複数の素子は、半導体基板上におけるその分布密度ができるだけ一定になるよう、分散して設ける。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent the noise/interference by the inductor since the interlayer dielectric thickness is surely obtained depending upon the inductor characteristics and to prevent a current flowing through the inductor from flowing out to a substrate 51, so that it is possible to improve the inductor characteristics.例文帳に追加

そのことにより、インダクタの特性に応じて確実に層間絶縁膜厚を確保することができるので、インダクタでのノイズ・干渉を防止することができ、また、インダクタを流れる電流が基板５１に抜けることを防止できるので前記インダクタの特性を向上することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a transparent electrode that is used for an organic electronic element and has superior conductivity, transparency, flexibility, and surface uniformity of a current without damaging the electrode nor a film substrate; and an organic electronic element that uses the transparent electrode and has a superior lifetime.例文帳に追加

有機電子素子に用いることができる、導電性、透明性、フレキシブル性、電流の面均一性に優れた透明電極を、電極やフィルム基板を損傷することなく製造する方法、及び透明電極を用いた、寿命に優れた有機電子素子を提供する。 - 特許庁