「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

The ceramic circuit board comprises a plurality of metallization layers 2, formed on a ceramic substrate 1 wherein a metal circuit board 3 of copper is fixed to a part of the metallization layer 2 and the relation S≥6×10-5i2 is satisfied between the cross-sectional area S (mm2) of the metal circuit board 3 and a flowing current i (A).例文帳に追加

セラミック基板１に複数のメタライズ配線層２を形成して成るセラミック回路基板であって、前記メタライズ配線層２の一部に銅から成る金属回路板３が取着されており、かつ該金属回路板３の断面積をＳ（ｍｍ^2）、流れる電流をｉ（Ａ）とした時、Ｓ≧６×１０^-5ｉ^2を満足する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 20 includes a lower DBR layer 21, a lower spacer layer 22, an active layer 23, an upper spacer layer 24, a current constriction layer 25, an upper DBR layer 26, and a contact layer 27 in sequence from the side of a substrate 10, wherein a columnar mesa part M1 including an optical outgoing window 28A is formed on the contact layer 27.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、下部ＤＢＲ層２１、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、上部ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側から順に含むと共に、コンタクト層２７上に光射出窓２８Ａを含む柱状のメサ部Ｍ１を有する。 - 特許庁

An access transistor ATR in an MTJ memory cell, one of groups of transistors connected to the readout current path, is manufactured by using a semiconductor layer 205 formed on an insulating film 200 on a semiconductor substrate SUB, and includes impurity regions 110, 120, a gate region 130 and a body region 210.例文帳に追加

読出電流経路に接続されたトランジスタ群の１つである、ＭＴＪメモリセル中のアクセストランジスタＡＴＲは、半導体基板ＳＵＢ上の絶縁膜２００上に形成された半導体層２０５を用いて作製され、不純物領域１１０，１２０、ゲート領域１３０およびボディ領域２１０を含む。 - 特許庁

To provide an ion implantation method or the like, by which a plurality of implantation regions having different level of dose each other on the surface of a substrate are formed without forming regions of excess level of dose, and a width of a transient region of dose can be narrowed while preventing the decrease in the beam current, and additionally, the control operation is simple.例文帳に追加

一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

Then, either electrode consisting of a plating substrate of the object to be plated and the other electrode dipped into the copper sulfate plating bath are subjected to electric copper plating while reversing an electric current at the cycle of a positive electrolysis time of 1 to 50 msec, a reverse electrolysis time of 0.2 to 5 msec and a quiescent time of 1 to 50 msec.例文帳に追加

そして、被めっき物のめっき下地層からなる一方の電極と、硫酸銅めっき浴中に浸漬された他方の電極に対して正電解時間１〜５０ｍｓｅｃ、逆電解時間０．２〜５ｍｓｅｃ、休止時間１〜５０ｍｓｅｃの周期で電流を逆転させながら、電気銅めっきを行なう。 - 特許庁

To provide a superconductive coil capable of appropriately holding an allowable current value in the superconductive coil by reducing the tensile stress of a superconductive layer caused by a difference in the thermal coefficient of expansion between the substrate of a superconductive tape wire and a reinforced tape wire, when the superconductive coil is operated under a low-temperature atmosphere.例文帳に追加

超電導コイルが低温雰囲気下において運転される場合に、超電導テープ線材の基板と補強テープ線材の熱膨張率の相違に起因する超電導層の引張応力を低減して、超電導コイルの許容電流値を適正に保持することができる超電導コイルを提供する。 - 特許庁

The movement control section performs control to generate a thrust force due to a magnetic attracting force and a repulsive force between the permanent magnet 20 and the planar coil, by making a current flow in the planar coils, and the permanent magnet 20 is reciprocated in a state where the permanent magnet 20 is tilted from an upper surface 10a of the multilayer substrate 10.例文帳に追加

そして、移動制御部は、各平面コイルに電流を流すことで、永久磁石２０と平面コイルとの間の磁気的な引力および斥力による推力を生じさせ、永久磁石２０を積層基板１０の上面１０ａに対して傾斜した状態で往復移動させる。 - 特許庁

An exciting electrode 2 is provided on the side of one surface of a dielectric substrate 6, and the radiation elements 3a, 3b and 3c are provided on the same surface so that their respectively one end parts are made adjacent to the electrode 2, their current directions are made orthogonal to that of the electrode 2 and their other end parts are grounded.例文帳に追加

誘電体基板６の一面側に励振用電極２が設けられ、さらに同じ面に励振用電極２と一端部が近接すると共に、励振用電極２の電流方向と直角方向に電流方向を有し、他端部は接地されるように放射素子３ａ、３ｂ、３ｃが設けられている。 - 特許庁

To obtain high yield in a self-oscillating type nitride semiconductor laser element, wherein a substrate is overlaid with an n-type clad layer, an active layer and a p-type clad layer, the p-type clad layer is provided with a stripe part protruding upward, and n-type current-constriction layers are formed on both sides of the stripe part, respectively.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型クラッド層３、活性層４、及びｐ型クラッド層５が形成され、ｐ型クラッド層５は上向きに突出するストライプ部53を具え、該ストライプ部53の両側にｎ型電流狭窄層６、６を形成している自励発振型の窒化物半導体レーザ素子において、従来よりも高い歩留まりを実現する。 - 特許庁

In the GaN group semiconductor device with a current breaker, a hetero electric field junction transistor 10A and a polymer switch 10B which are GaN group semiconductor materials are formed on the same substrate and the polymer switch 10B having a recovery function is connected to the hetero electric field effect transistor 10A in series.例文帳に追加

同一基板上に、ＧａＮ系半導体材料をヘテロ電界接合トランジスタ１０Ａとポリマスイッチ１０Ｂとが形成されており、回復機能を有するポリマスイッチ１０Ｂが、ヘテロ電界効果トランジスタ１０Ａと直列に接続されていることを特徴とする、電流遮断器付きＧａＮ系半導体装置。 - 特許庁

Thus, the heat coming from the source Q is transferred to the top 2 side through the member 4, convention current is generated between the top 2 and the substrate 3 when the top 2 is operated with a finger and is pressed down and heat that is caused to rise by the projections 3b is emitted to the outside through the holes 2c.例文帳に追加

これにより、熱源Ｑからの熱が熱伝達部材４を伝ってキートップ２側へ伝達され、キートップ２を指で操作して押し下げたときにキートップ２とベース基板３との間に対流が起こり、突起３ｂ，３ｂによって上昇した熱が貫通孔２ｃ，２ｃを通って外部へ放出される。 - 特許庁

The semiconductor device has such a structure that satisfies a relation, V_max1<V_max2, wherein V_max1 is the maximum voltage value of current/voltage characteristic of a source layer arranged inside the element area in a semiconductor substrate, and V_max2 is that of a source layer adjacent to a drain layer arranged on the outermost side of the element area.例文帳に追加

半導体基板内の素子領域の内部に配置されるソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max１と、同素子領域の最も外側に配置されるドレイン層に隣接するソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max２とが、「Ｖ_max１＜Ｖ_max２」なる関係式を満足するような構造とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a fuel cell and the fuel cell using it, wherein generation of a voltage reduction can be suppressed at the time of power generation in a high-current density, and the amount of a noble metal catalyst of Pt or the like which does not contribute to a reaction can be reduced, when used as an electrode of the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の電極として用いた場合に、高電流密度での発電時における電圧降下の発生を抑制し、反応に寄与しないＰｔ等の貴金属触媒の量を減少することのできる燃料電池用基体及びこれを用いた燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate coated with an ITO film that has less rugged and flat surface and is free from complicated manufacturing steps such as a heat treatment after coating or polishing a surface of the transparent ITO film, and its manufacturing method, as well as an organic EL element of an unlikely possibility of generating dark spots that a current is low to drive.例文帳に追加

膜表面の凹凸が小さく平坦性に優れ、成膜後の加熱処理や透明ＩＴＯ膜の表面の研磨といった複雑な製造工程が不要なＩＴＯ膜を有するＩＴＯ膜付き基体とそのの製造方法、および駆動電流が低く、ダークスポットが発生しにくい有機ＥＬ素子の提供。 - 特許庁

To provide an organic EL light emitting device with high transparency, high durability, low driving voltage, no crosstalk caused by disconnection of counter electrodes and leak current, and high luminescent brightness, and to provide a substrate for an organic EL element efficiently providing the organic EL elements.例文帳に追加

透明性や耐久性に優れるとともに、駆動電圧が低く、しかも対向電極の断線や、リーク電流によるクロストークのない発光輝度が高い有機ＥＬ発光装置およびそのような有機ＥＬ素子が効率的に得られる有機ＥＬ発光素子用の基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

This electrochemical sensor is made by fixing the enzyme on a metallic electrode by covalent bonding through the medium of hydrophilic macromolecules such as polyethylene glycol (PEG) and is characterized by being used for detecting variations in an electrochemical signal, such as oxidation or reduction current, caused by an action of a substrate on the fixed enzyme.例文帳に追加

金属電極上にポリエチレングリコール（ＰＥＧ）のような親水性高分子を介して酵素が共有結合により固定化されてなり、該固定化された酵素に対する基質が作用することにより生ずる電気化学的なシグナルの変動、例えば酸化もしくは還元電流を検出することを特徴とする電気化学センサー。 - 特許庁

This invention relates to the anodization apparatus having the porous layer formed on the substrate to be treated which is arranged in an electrolyte solution by passing current between electrodes of an anode and a cathode in the electrolyte solution, wherein the electrode has a structure that at least metallic electrode member is covered with a non-metallic electrode member.例文帳に追加

電解質溶液中で陽極と陰極の電極間で通電して前記電解質溶液中に配置された被処理基板に多孔質層を形成する陽極酸化装置であって、前記電極は少なくとも金属電極部材が非金属電極部材で覆われた構造を有するものである陽極酸化装置。 - 特許庁

To efficiently adjust a current density distribution of beams of respective ribbon-like ion beams in an ion implanter for at least partially overlapping irradiation regions on a glass substrate by m (m is an integer equal to or larger than 2) lines of ribbon-like ion beams and realizing a predetermined implantation amount distribution.例文帳に追加

ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

To provide an excellent semiconductor device which can carry bipolar transistors having different current amplification factors without increasing a cost required to manufacture the semiconductor device and to provide a method for manufacturing the same in the semiconductor device and the method for manufacturing the same which carries the bipolar transistor on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にバイポーラトランジスタを搭載した半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の製造に要するコストを増すことなく、異なる電流増幅率を有するバイポーラトランジスタを搭載することができる、優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plating method and a plating device capable of increasing limiting current to improve the deposition rate of metallic ion and particularly suitable for infilling the inside of deep holes or grooves formed on the surface of a substrate to be plated with a metal plating film without causing a void inside which is formed by the clogging of an inlet.例文帳に追加

限界電流を増加させ金属イオンの析出速度を向上させることができ、特に被めっき基板の表面に形成された深い穴や溝に対して、入り口の閉塞により内部に空隙が生じさせないで、内部を金属めっき膜で埋めるのに好適なめっき方法及びめっき装置を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide type semiconductor optical device has an optical waveguide comprising at least a core layer 3 having at least a function of absorbing light and a clad layer 2 on a semiconductor substrate 1, and in the device, while the light entering the entrance end face propagates the optical waveguide, the light is absorbed to generate a photo current.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層３とクラッド層２とからなる光導波路を形成し、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬するでコア層に吸収されることにより光電流が生成される光導波路型半導体光デバイスである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In the sputtering method in an oxidation mode for depositing an optical multilayer film on a substrate face within a vacuum tank, the total pressure in the vacuum tank is controlled in the process of depositing the optical multilayer film, thus at least either the sputtering voltage or sputtering current is held to prescribed value or prescribed width.例文帳に追加

真空槽内で基板面上に光学多層膜の成膜をする為の酸化モードでのスパッタ方法であって、前記光学多層膜の成膜中に前記真空槽内の全圧を調節することによってスパッタ電圧又はスパッタ電流の少なくとも一方を所定値又は所定幅に保つスパッタ方法。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-optical apparatus and electronic equipment which can suppress the generation of an off-leak current by interrupting light entered from a direction parallel with a substrate into a channel area of a TFT and suppress the malfunction of the TFT by reducing capacity between a light shielding layer and a gate electrode line.例文帳に追加

基板に平行な方向からＴＦＴのチャネル領域に進入する光を遮って、オフリーク電流の発生を抑制することが可能であり、また、遮光層とゲート電極線との間の容量を低減させてＴＦＴの誤動作を抑制することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an organic thin film transistor in which a plurality of separated thin films are formed on a substrate through single-time ink jet discharge, to provide the organic thin film transistor which has a small Off current and also has excellent average mobility by the manufacturing method, and to provide a display device having the transistor.例文帳に追加

１回のインクジェット吐出により基板上に、分離された複数の薄膜を成膜可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供し、該製造方法によりＯｆｆ電流が低く、且つ、平均移動度が良好な有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、該トランジスタを具備する表示装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the influence of a high frequency current flowing through a power feed bar on the temperature detection of a temperature detector, in a parallel plane plate type plasma treatment apparatus including the power feed bar for applying high frequency power to a placement base and the temperature detector for detecting the temperature of the substrate on the placement base.例文帳に追加

、載置台に高周波電力を印加する給電棒と載置台上の基板の温度を検出するための温度検出部とを備えた平行平板型のプラズマ処理装置において、給電棒に流れる高周波電流が温度検出部の温度検出に及ぼす影響を低減すること。 - 特許庁

To provide an electron emitting electrode having a sharp projection and suitable for a purpose requiring large emission current such as an X-ray generating device by a simple manufacturing method which does not require etching in the separation process from a die, or does not require bonding of a support substrate for reinforcement to the electrode produced or the like.例文帳に追加

鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

Thus, by increasing the impedance of a chip antenna side in the view from the antenna feeding point 5 and suppressing the reversed phase components of a current induced on the side of the ground conductor plate 3 by transmission output from a chip antenna, the antenna gain in the front direction of a substrate is improved irrespective of the position of the antenna feeding point 5.例文帳に追加

これにより、アンテナ給電点５から見たチップアンテナ側のインピーダンスを高くして、チップアンテナからの送信出力により接地導体板３側に誘起される電流の逆相成分を抑圧することにより、アンテナ給電点５の位置に依らずに前記基板の正面方向のアンテナ利得を向上させることができる。 - 特許庁

Relating to a high-voltage integrated circuit(HVIC) chip where a resistor 32 is connected between a substrate of the chip and a ground, the resistor 32 limits the current flowing a diode 31 when the specific diode 31 of the chip is made conductive by a negative transient phenomenon at the output node, for significantly improved process for negative voltage spike.例文帳に追加

チップの基板と接地の間に抵抗器３２が接続された高電圧集積回路（ＨＶＩＣ）チップで、抵抗器３２は、出力ノードでの負の過渡現象によってチップの固有ダイオード３１が導通したときに、このダイオード３１を流れる電流を制限することによって、負電圧スパイクの処理が大幅に改善される。 - 特許庁

The strain sensor is equipped with a stacked structure made up by sequentially stacking a lower electrode, a metal oxide film of a perovskite-like structure and an upper electrode on a substrate, and is composed of: a capacitor which is mounted on a specimen; and a measurement circuit for measuring leakage current between the upper electrode and the lower electrode in the capacitor.例文帳に追加

歪センサは、基板上に下部電極と、ペロブスカイト型構造を有する金属酸化膜と、上部電極を順次積層した積層構造を有し、検体上に実装されるキャパシタと、前記キャパシタ中、前記上部電極と下部電極の間のリーク電流を測定する測定回路とより構成される。 - 特許庁

In the current sensor, a core with a gap is integrally molded with a resin case; at least a part of the gap is exposed in a housing part of the resin case; a substrate for mounting a magnetoelectric transducer on a surface side thereof is housed in the housing part and disposed on the gap; and the magnetoelectric transducer is disposed in the gap.例文帳に追加

電流センサは、ギャップを有するコアが樹脂ケースと一体成形され、樹脂ケースの収容部内にギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が収容部内に収容されてギャップ上に配置され、ギャップ内に磁電変換素子が配置されている。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

The thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 is provided with a subcollector layer 41 and a collector layer 42, and a B-added layer 42A which is added with boron (B) is partially formed in the collector layer 42, thus preventing the reduction of current amplification factor even if the subcollector layer 41 is doped at a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

Then, when a prescribed voltage is applied from a power supply 120, since a prescribed current flows to each LED element 110 provided at the i-column LED substrate 100i by each resistor R, the broken LED element 110 is detected by checking the LED element 110 which does not emit light.例文帳に追加

そして、電源１２０より所定の電圧が印加されると、各抵抗Ｒによりｉ列ＬＥＤ基板１００ｉに備えられた各ＬＥＤ素子１１０に所定の電流が流れるので、発光していないＬＥＤ素子１１０を確認することで、破損したＬＥＤ素子１１０を検出することが出来る。 - 特許庁

A boron added layer 42A resulting from adding boron (B) to a collector layer 42 is formed to part of the collector layer 42 in the thin film semiconductor epitaxial substrate 1 formed with the sub collector layer 41 and the collector layer 42 so as to thereby prevent the current amplification factor from being decreased even when the sub collector layer 41 is doped with a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

In the fuse element, electrode parts 3 and 3 on both sides of a substrate 1 and a bank like fuse element 5, connected to the electrode parts 3 and 3 on both side, are formed by metal coating, and a pre-arcing time-current characteristic adjusting allowance 7, which can be trimmed, is provided to contact a portion arranged with the fuse element 5 of the electrode parts 3 and 3.例文帳に追加

基板１の両側に電極部３，３と、両側の電極部３，３に接続するように帯状のヒューズエレメント５とを金属被膜で形成したヒューズ素子において、電極部３，３のヒューズエレメント５が配置される部分に接して、トリミング可能な溶断特性調整代７を設けた。 - 特許庁

Protection diodes D11, D13, D15 within the semiconductor device are turned on when a PIN 1 terminal of the burn-in substrate 2 is connected normally to a control terminal of the the semiconductor device to make a current flow into an electric power source VCC side, a voltage of the PIN 1 terminal goes down thereby in the vicinity of 0 V, and a monitor output comes to zero therein.例文帳に追加

バーンイン基板２のＰＩＮ１端子と半導体装置の制御端子との接触が正常である場合には、半導体装置内の保護ダイオードＤ１１、Ｄ１３、Ｄ１５がＯＮとなり電源ＶＣＣ側へ電流が流れ込むため、ＰＩＮ１端子の電圧は０Ｖ近くまで降下し、モニター出力は０Ｖとなる。 - 特許庁

Further, this has a structure that a hydrophilic material is formed adjacent to the transparent electrode layer 521, that a light-emitting element part formed by the electrode on the substrate and the light-emitting material layer are the EL elements, that the organic material is the light-emitting material, and that the thin film made of the organic material emits light by an applied current.例文帳に追加

また、透明電極層５２１に隣接して吸水性の材料を形成すること、基体上の電極および発光材料層により形成される発光の素子部分が、ＥＬ素子であり、有機材料を発光材料とし、有機材料による薄膜が印加電流によって発光する構造を有している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of polymerizer and capacitor for stably and efficiently realizing the formation of a solid state electrolytic layer upon manufacturing the solid state electrolytic capacitor with the solid state electrolytic layer, through current carrying technique employing an anode substrate with a dielectric oxide film formed on the surface thereof as an anode.例文帳に追加

表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体を陽極として通電手法により固体電解質層形成する固体電解コンデンサを製造する際、固体電解質層の形成を安定して効率的に実現するための重合装置及びコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

Silicon particulates are produced by heating a silicon evaporation source 15, transported, and jetted into a vacuum chamber 30 while carried with an air current of a supersonic free jet J to be physically vapor-deposited on a substrate 33 arranged in the vacuum chamber 30, thereby forming the polycrystalline silicon film of the silicon particulates.例文帳に追加

シリコン蒸発源１５の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットＪの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置された基板３３上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.例文帳に追加

ＦＤ−ＳＯＩの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁