「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having a low breakdown voltage MOS, a high breakdown voltage MOS, and a bipolar transistor formed on the same semiconductor substrate in which a high reliability npn transistor having a low leak current with no variation is fabricated, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

同一半導体基板に低耐圧ＭＯＳ、高耐圧ＭＯＳ、バイポーラトランジスタが形成された半導体装置において、リーク電流が小さい、リーク電流の変動がない高信頼性のｎｐｎトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable a semiconductor device, which consists of a III-V nitride semiconductor and has a via hole structure, to prevent occurrence of leakage current between a substrate and a semiconductor layer and to obtain high frequency characteristics, high output characteristics and high power characteristics by facilitating via hole formation.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。 - 特許庁

An organic EL display device 1 includes a color filter 15 on a driving substrate 10 side, and includes a third electrode 14 in addition to a first electrode 17 and a second electrode 20 for supplying driving current to a display functional layer (organic EL layer 19).例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１は、駆動基板１０側にカラーフィルタ１５を有する構造において、表示機能層（有機ＥＬ層１９）へ駆動電流を供給するための第１電極１７および第２電極２０に加え、第３電極１４を設けた構造となっている。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharging protective element which is formed on an SOI substrate and the holding current of which can be set to a high value while the device maintains high protecting performance by reducing the base resistances of NPN and PNP bipolar transistors contained in an SCR.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成する静電気放電保護素子において、ＳＣＲ中のＮＰＮバイポーラトランジスタ及びＰＮＰバイポーラトランジスタのベース抵抗を低減し、高い保護性能を維持しつつ保持電流を高く設定することができる静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁

The non-reciprocal circuit element (2-port type isolator) includes a flat yoke 10, a permanent magnet 41, a ferrite 32 to which current magnetic field is applied by the permanent magnet 41, a first central electrode and a second central electrode provided in the ferrite 32, and a circuit substrate 20.例文帳に追加

平板状ヨーク１０と、永久磁石４１と、該永久磁石４１により直流磁界が印加されるフェライト３２と、該フェライト３２に配置された第１中心電極及び第２中心電極と、回路基板２０とを備えた非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）。 - 特許庁

A circuit is formed which applies the current by short-circuiting an electrode of one of two MOS diodes and a substrate of the other MOS diode, and then currents flowing to respective insulating films become opposite in direction, so that the currents can be applied in both forward and backward directions.例文帳に追加

２組のＭＯＳダイオードにおいて、一つのＭＯＳダイオードの電極と他のＭＯＳダイオードの基板とをそれぞれ短絡させ、電流を印加する回路を作ることにより、それぞれの絶縁膜に流れる電流の向きが逆となり、順逆両方向の印加ができるようになる。 - 特許庁

Further, light beams from a condenser lens system 11 is incident upon the back surface side of the element sample 3 (the side of the transparent substrate), in addition to the application of the electron beams, to obtain the applied voltage-current properties of the organic thin film to be measured when light is applied on the element sample 3.例文帳に追加

また、電子ビームの照射とともに、素子試料３の裏面側（透明基板側）に集光レンズ系１１からの光ビームを入射せしめることにより、素子試料３に光を照射したときの被測定有機薄膜の印加電圧−電流特性を得る。 - 特許庁

When the impurity concentration only on the channel interface is reduced and the concentration in the rear of the substrate 11 is raised, unevenness of current flowing through a conduction channel is relaxed while sustaining the threshold voltage Vth at a predetermined level, and variation in threshold ΔVth due to trap can be controlled.例文帳に追加

チャネル界面の不純物濃度のみ低下させ、基板１１の奥の濃度を上昇させることで、しきい値電圧Ｖｔｈを所定の電圧に保ちながら、導電チャネルを流れる電流の不均一性を緩和してトラップによるしきい値変動ΔＶｔｈを抑制することができる。 - 特許庁

Furthermore, the manufacturing method includes a step of forming conduction wiring for supplying an electric current for driving a discharge heater 501 to the discharge heater 501 through the conduction layer, and sub-heaters 511, 512 for generating heat for heating the substrate 100 for the head electrically separated from the conduction wiring.例文帳に追加

また、導電層によって、吐出ヒータ５０１を駆動するための電流を吐出ヒータ５０１に供給する導電配線と、導電配線とは電気的に分離された、ヘッド用基板１００を加熱するための熱を発生するサブヒータ５１１，５１２と、を形成する工程を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

Consequently, even when the resistance of the substrate main body for improving characteristics of the high-frequency silicon power MIS is made small, an influence of a defect etc., generated owing to stress generated at the end 8a of the p^+-type buried layer 8 on a leakage current of the gate protective diode GD1 becomes small.例文帳に追加

これにより、高周波シリコンパワーＭＩＳの特性向上のために基板本体の抵抗を低くしても、ｐ^＋型埋め込み層８の端部８ａにおいて発生した応力により誘発される欠陥等のゲート保護ダイオードＧＤ１のリーク電流に与える影響が小さくなる。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser device has a structure where an N-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type nitride semiconductor layer 4 are successively laminated on a substrate 1, and a P- electrode 6 is formed on the P-type nitride semiconductor layer 4 through the intermediary of a current constriction insulating film 5 of SiO2.例文帳に追加

基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層された構造を有し、このｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極６を形成する。 - 特許庁

To integrate a transverse IGBT which has a high withstand voltage, can be driven at a large current and has high latch up resistance and low ON resistance per unit area, and a transverse MOS transistor which has high withstand voltage and low ON resistance per unit area on the same substrate by the same process.例文帳に追加

高耐圧で、大電流での駆動が可能であり、かつラッチアップ耐量が高く、単位面積あたりのオン抵抗が低い横型ＩＧＢＴと、高耐圧で、単位面積あたりのオン抵抗が低い横型ＭＯＳトランジスタを、同一のプロセスにより同一基板上に集積すること。 - 特許庁

Primary and secondary biases are applied to the substrate 10 and at least one of the electric conductors 18, 20, and at least one of the primary and secondary biases is swept from a first value to a second value, and a current flowing through the SOI wafer in response to the sweep is measured.例文帳に追加

第１と第２のバイアスを、基板１０および少なくとも一つの導電体１８，２０に印加し、第１と第２のバイアスのうちの少なくとも一方を第１の値から第２の値に向けて掃引し、前記掃引に応答してＳＯＩウエハを流れる電流を測定する。 - 特許庁

When data are effectively stored in a backup area 13b when the current is again switched on, a main control substrate C transmits to a control substate D for display commands for control in the order of a power source returning command 40, left or right figure pattern specifying commands 34 to 37, and a customer waiting command 41.例文帳に追加

電源再入時にバックアップエリア１３ｂにデータが有効に記憶されている場合には、主制御基板Ｃは、表示用制御基板Ｄへ電源復帰コマンド４０、左又は右図柄指定コマンド３４〜３７、客待ちコマンド４１の順番で制御用コマンドを送信する。 - 特許庁

This semiconductor laser element is provided with a pair of trenches 20 which are opposed to each other across a current injection area 70, also have a depth reaching a GaAs substrate 1 from an upper face of an element part 50, and are provided so as to extend in parallel to a side end of the element part 50.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、電流注入領域７０を挟んで対向するとともに、素子部５０の上面からＧａＡｓ基板１に達する深さを有し、かつ、素子部５０の側端面と平行に延びるように設けられた一対の溝部２０が設けられている。 - 特許庁

To acquire high frequency characteristics, high output characteristics and super power characteristics by preventing a leakage current generated between a substrate and a semiconductor layer and further easily forming a via hole, in a semiconductor device which comprises a III-V nitride semiconductor and has a via hole structure.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。 - 特許庁

In a step of depositing metal on a sidewall and bottom of a recess made in the surface of a substrate in the manufacturing method, the metal is deposited with use of an injection type plating machine with a current density of not smaller than 0.005 mA/m^2 and not larger than 0.01 mA/m^2.例文帳に追加

本発明の製造方法では、基板表面に設けられた窪みの側壁及び底部に金属を析出する工程において、噴流型メッキ装置を用いて０．００５ｍＡ／ｍｍ^2以上０．０１ｍＡ／ｍｍ^2以下の電流密度で金属を析出させることを特徴とする。 - 特許庁

The VCSEL includes a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are layered in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first p-type guide layer 7 that is formed on a substrate 1 and contains a p-type impurity (Mg); and an n-type current confinement layer 8 that is formed on the first p-type guide layer 7 to contact thereto and contains an n-type impurity (Si) and the p-type impurity (Mg).例文帳に追加

半導体装置は、基板１の上に形成されたｐ型不純物（Ｍｇ）を含む第１のｐ型ガイド層７と、該第１のｐ型ガイド層７の上にそれと接するように形成され、ｎ型不純物（Ｓｉ）及びｐ型不純物（Ｍｇ）を含むｎ型電流狭窄層８とを有している。 - 特許庁

In an electron beam exposure system, a solenoid lens of a projecting optical system comprises a first projecting lens 15 on the side of a reticle, and a second projection lens 19 on the side of a sensitive substrate, both lenses have an excitation coil respectively, both coils being similar shapes of 4:1 with an excitation current ratio of 1:-1 in equal ampere turns.例文帳に追加

電子線露光装置は、投影光学系の電磁レンズがレチクル側の第１投影レンズ１５と感応基板側の第２投影レンズ１９とからなり、それらのレンズは４：１の相似形をなし、相等しいアンペアターンで励磁電流比が１：−１の励磁コイルを有する。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

In an electrodeless discharge lamp lighting device 4, when the induction coil 41 has produced a high frequency magnetic field in an electrodeless discharge lamp 1 by means of a high frequency current supplied from the power supply circuit 40, a stray capacitance is generated between the mounting substrate 46 and the metallic case 47.例文帳に追加

無電極放電灯点灯装置４において、誘導コイル４１が電源回路４０からの高周波電流によって無電極放電灯１に高周波磁界を発生させたとき、実装基板４６と金属ケース４７との間に浮遊容量が発生する。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

In the reduced pressure thermal CVD system for depositing a film of a metal compound on a substrate by supplying a material gas prepared by evaporating an organometallic complex, the particles 111 contained in the material gas are attracted by electrostatic attraction by applying voltage to a current type electrostatic attraction member 109 in the film deposition.例文帳に追加

有機金属錯体を気化した材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜する減圧熱ＣＶＤ装置において、成膜時には通電型静電吸着部材１０９に電圧を印加して材料ガスに含まれるパーティクル１１１を静電吸着により吸着する。 - 特許庁

A vapor deposition material 34 composed of SiO is irradiated with an electron beam from an electron gun 36, this is heated and evaporated, and, further, in a state where rectangular current voltage having a negative polarity is applied to the substrate dome, an SiO_x film with a film thickness of ≥300 nm is deposited.例文帳に追加

ＳｉＯからなる蒸着材料３４に電子銃３６から電子ビームを照射してこれを加熱し蒸発させると共に負極性の矩形直流電圧を基板ドームに印加した状態で３００ｎｍ以上の膜厚のＳｉＯ_Ｘ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a miniaturized electronic part mounting substrate of low cost in which a mounting area for an electronic part is enlarged and generation of current leakage is prevented, and a method for manufacturing it wherein the number of manufacturing processes is decreased lower than conventional method to manufacture at low cost.例文帳に追加

電子部品の実装エリアを広くし、小型化を図ることができ、かつリークの発生を防止し、低コストな電子部品実装用基板を提供するとともに、従来よりも製造工程数を減らし、低コストで製造することができる電子部品実装用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electrostatic discharge protection element having a semiconductor substrate 11 on which a silicide blocking region 14 wherein a current flows when surge is generated is formed, a mixed-crystal semiconductor region 15 of SiGe or SiC is arranged on at least a part of the silicide block region 14.例文帳に追加

サージ発生時に電流の流れるシリサイドブロック領域１４が形成されている半導体基板１１を有する静電放電保護素子において、前記シリサイドブロック領域１４の少なくとも一部に、ＳｉＧｅまたはＳｉＣの混晶半導体領域１５を設けている。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

The current control member 34 is preferably a mask 134 having holes formed thereon so as to have an opening area ratio corresponding to the unevenness on the surface of the substrate, a porous member 234 having the porosity corresponding to the unevenness, or an uneven member 334 having the surface step corresponding to the unevenness.例文帳に追加

電流制御部材３４は、基板の表面の凹凸に対応した開口比で孔が形成されたマスク１３４、凹凸に対応した気孔率を有する多孔質部材２３４、または凹凸に対応した表面段差を有する凹凸部材３３４であることが好ましい。 - 特許庁

The resistor is provided with a resistance body 13, which is formed on an insulating substrate 11 and electrically connected between counter electrodes 12a and 12b, across which an electric current is made to flow, and two trimmed traces 14a and 17a formed on the side edges of the resistance body 13.例文帳に追加

絶縁基板１１上に形成され、相対向する電極１２ａ，１２ｂ間に電気的に接続されて両電極１２ａ，１２ｂ間に電流が流れる矩形状の抵抗体１３と、前記抵抗体１３の側辺に形成された２つのトリミング跡１４ａ，１７ａを備えたものである。 - 特許庁

To provide a formation method of a circuit material which is excellent in workability and enables a bus bar to be readily and surely stuck to a portion of a copper foil pattern of a printed substrate, requiring increase of an allowable current amount and furthermore does not require special resist treatment for the bus bar.例文帳に追加

プリント基板の銅箔パターンのうち許容電流量を増加する必要がある部分に、バスバーを容易にかつ確実に貼り付けることができ、さらに、前記バスバーに別途レジスト処理を施す必要もない作業性に優れた回路材の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor (TFT) substrate, excellent in reliability and off-state current property, with a TFT realizing a thin film for a gate insulating film that is effective in voltage reduction of operation voltage, etc., and its manufacturing method, a semiconductor device and a liquid crystal display having the same.例文帳に追加

信頼性及びオフ電流特性に優れ、動作電圧の低電圧化等に有効なゲート絶縁膜の薄膜化を実現することができる薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板、その製造方法、並びに、それを備える半導体装置及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance element and inverting circuit that can reduce the change in resistance caused by a potential on a power supply line and signal line, etc, passing through a semiconductor substrate around a resistance element layer or passing above the resistance element layer without producing wasted current or distortion of signals.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪みを発生させることなく、抵抗素子層の周辺の半導体基板や、抵抗素子層の上部を通過する電源線、信号線等の電位によって抵抗値が変化するのを抑えることのできる抵抗素子及び反転バッファ回路を提供する。 - 特許庁

In this optical pickup device, holding sheet metal 27 for attaching an optical unit to a carriage 28 is provided with a press bent piece 27a for positioning the optical unit, and covers a semiconductor laser 30 and a flexible substrate for feeding current to a detector.例文帳に追加

本発明の光ピックアップ装置は、光学ユニットをキャリッジ２８に取り付けるための保持板金２７が、光学ユニットの位置決めを行う押し当て屈曲片２７ａを備えるとともに、半導体レーザ３０と検出器に電流を供給するためのフレキシブル基板をカバーすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method of forming a bump having a flat top shape or forming a metal film having preferable in-plane uniformity even under a condition of high current density when performing the plating of an object (substrate) to be plated such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりすることができるめっき装置及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

A power module 13 of an inverter device 11, the flexible substrate 19 equipped with the inverter control circuit 20, a current sensor 21, a power capacitor 22, and a radiator 23 are provided in a motor case 2 of the housing 1.例文帳に追加

ハウジング１のモータケース２内には、インバータ装置１１のパワーモジュール１３と、インバータ制御回路２０を搭載したフレキシブル基板１９と、電流センサ２１、電源コンデンサ２２、放熱器２３等とを設け、これらを遮蔽板２７により電動モータ８と遮断したインバータ収容空間２８に収容する。 - 特許庁

Further, to the substrate 2, an optical transmission side screening shield 11 for covering the laser driver 3B or the like is attached, and, in the optical transmission side screening shield 11, a plurality of slits 12 are formed to extend along the direction of the flow of a driving current to be supplied from the laser driver 3B to the laser diode 3A.例文帳に追加

また、基板２にはレーザドライバ３Ｂ等を覆う光送信側遮蔽シールド１１を取付けると共に、光送信側遮蔽シールド１１にはレーザドライバ３Ｂからレーザダイオード３Ａに供給される駆動電流の流れる方向に沿って延びる複数のスリット１２を形成する。 - 特許庁

The high frequency signal for reducing the fluctuation of output due to the laser beam 30 reflected by the optical memory medium 40 is inputted to the semiconductor laser 12 and the first photodetector 13 and the current-voltage conversion circuit 15 are formed on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体レーザ１２には、光記憶媒体４０で反射されたレーザビーム３０によって出力が変動することを緩和するための高周波信号が入力され、第１の受光素子１３と電流電圧変換回路１５とが半導体基板１１上に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device to form the device in the stable shape with less variation when simultaneously forming a current pinching part in the semiconductor laser device in which semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on a substrate.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、電流狭窄部の同時形成を行う場合に、ばらつきが少なく、安定した形状を形成することが可能となる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁

To reduce the time difference of discharge and charge due to interconnection resistance and capacity on a driving substrate without using a large-scale drive circuit, and to obtain a favorable display without coloring except indicated images by a display element wherein driving voltage or driving current applied to light-emitting elements varies from color to color.例文帳に追加

色毎で発光素子への駆動電圧或いは駆動電流が異なる表示素子において、大規模な駆動回路を用いずに、駆動基板上の配線抵抗と容量から生じる充放電時間差を縮め、表示画像以外の色付きが観られない良好な表示を得る。 - 特許庁

A plurality of metal wirings 11 made of metal films equal to wirings used for a semiconductor device are formed on a semiconductor substrate, and each metal wiring 11 is connected to a lower layer metal wiring 13 through a lower via hole 12 serially, and a constant current is supplied thereto.例文帳に追加

半導体基板上に、半導体装置に使用の配線と同じ，金属の被膜からなる複数の金属配線１１を形成し、各金属配線１１を、下方ビア１２及びこれに接続した下層金属配線１３でもって直列に繋ぎ、これに定電流を供給する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode with a retention property and a current-collecting property of powder such as an active material to be of the same level as an electrode using a foam-like nickel porous substrate having a three-dimensional spread in a sintering type, excellent in high-rate discharge characteristics or cycle characteristics, and reduced weight and cost.例文帳に追加

活物質等の粉末の保持性及び集電性が、焼結式及び三次元的な広がりを持つ発泡状ニッケル多孔基体を用いた電極と同等であり、高率放電特性やサイクル寿命に優れ、且つ、軽量で低コストである電極の製造法を提供すること。 - 特許庁

This surface modifying method for an ITO thin film is a method, wherein an oxygen plasma is produced in a plasm-producing unit 80, an alternating-current voltage is applied between a substrate holder 31 and the unit 80 and ions, neutral molecules and neutral atoms, which are contained in a plasma, are radiated on the surface of an ITO thin film 13.例文帳に追加

本発明の表面改質方法は、プラズマ生成装置８０内で酸素プラズマを生成し、基板ホルダ３１とプラズマ生成装置３の間に交流電圧を印加し、プラズマ中に含まれるイオンや中性分子、中性原子をＩＴＯ薄膜１３表面に照射する。 - 特許庁