「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the superconducting current limiter 1, superconductors 12 are arranged at positions opposed to each other across an insulating substrate 11.例文帳に追加

絶縁性基板１１を介して互いに対向する位置に超電導体１２が配置されていることを特徴とする超電導限流器１とする。 - 特許庁

A multichip package using constant voltage power supply means has a substrate unit 1, a light emitting unit 2, a current limitation unit, frame units 3, and package units 4.例文帳に追加

定電圧電源供給手段を使用するマルチチップパッケージは、基板ユニット１、発光ユニット２、電流制限ユニット、フレームユニット３及びパッケージユニット４を有する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor increasing a current value per unit area to improve drive capability, and composed by forming a semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

単位面積当たりの電流値を増大させ、駆動能力を向上させる基板上に半導体層を形成してなる薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A conductor layer 15 as a current passage is provided on an insulating film 32 in one-side main face of a semi-conductor substrate 23 constituting the Hall element 1.例文帳に追加

ホール素子１を構成する半導体基体２３の一方の主面の絶縁膜３２の上に電流通路としての導体層１５を設ける。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate, at a low cost, which reduces sheet resistance of a compound semiconductor and improves on-current value by its effect.例文帳に追加

化合物半導体のシート抵抗を低減でき、かつ、この効果によるオン電流値を向上させた化合物半導体基板を低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device effectively suppressed in generation of leak current in a substrate and source/drain regions while applying stress to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に応力を印加しつつ、基板やソース／ドレイン領域においてリーク電流の発生が効果的に抑制された半導体装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the maximum substrate current (Isub max) can be a stable region of 5 μA/μm by making the overlapping amount 0.5 μm and over.例文帳に追加

また、このオーバーラップ量を０．５μm以上とすることで、最大基板電流（Ｉｓｕｂ ｍａｘ）が５μＡ／μｍにおいて安定領域とすることができる。 - 特許庁

An electric current passage area 108b in an oxidization narrowed structure has a shape in which a cross section parallel to the substrate 101 has a symmetry of four times.例文帳に追加

そして、酸化狭窄構造体における電流通過領域１０８ｂは、基板１０１に平行な断面が４回対称性を有する形状である。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a p-type semiconductor layer, an active layer, a current introducing layer and a dielectric-film clad layer are laminated on a substrate in the order.例文帳に追加

基板上に、ｐ型半導体層、活性層、電流導入層および誘電体膜クラッド層がこの順に積層されている半導体発光素子である。 - 特許庁

By forming the plated electrodes 14, the current is fed uniformly to the ITO film 13, and the color filter substrate 12 is heated uniformly.例文帳に追加

メッキ電極１４を形成することによってＩＴＯ膜１３に均一に電流を流すことが出来、カラーフィルタ基板１２を均一に加熱することが出来る。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which reduces a substrate leakage current and a dielectric loss without impairing heat sink characteristic and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

放熱特性を損なうことなく基板リーク電流と誘電損失とを低減させた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a current film 12 is vapor-deposited on the surface to be plated and end faces of a semiconductor substrate 101, a mask pattern 201 is formed on the film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１の被メッキ面および端面にカレントフィルム１０２を蒸着した後で、カレントフィルム１０２上にマスクパターン２０１を形成する。 - 特許庁

A flexible wiring board 40A for supplying a current to a light emitting diode 30 is bonded to an Al substrate 50 through a double-faced adhesive tape 45.例文帳に追加

発光ダイオード３０に電流を供給するフレキシブル配線基板４０がＡｌ基板５０に両面接着テープ４５を介して接着している。 - 特許庁

A contact area between the polysilicon film 29 and the supporting substrate 11 is set sufficiently large, thereby obtaining contact via a leak current of the silicon oxide film 28.例文帳に追加

ポリシリコン膜２９と支持基板１１とのコンタクト面積を十分大きく設定することにより、シリコン酸化膜２８のリーク電流を介してコンタクトを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which an HEMT and a protective diode with decreased leakage current are formed on the same substrate.例文帳に追加

ＨＥＭＴと、リーク電流の低減された保護ダイオードとが同一基板上に形成された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極６の下のＮ−型ドレイン層２が熱破壊する前に、サージ電流はこのＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

To provide an electrode structure of a light source tube suppressing grid current not contributing to light emission of the light source tube from a cathode substrate to improve light emission efficiency.例文帳に追加

カソード基板から光源管の発光に寄与しないグリッド電流を抑え、発光効率を向上させる光源管の電極構造を提供する。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

The leak current of each insulating substrate 20 on the high voltage application is measured by an ammeter 90 installed in each voltage application circuit 80.例文帳に追加

そして、各電圧印加回路８０に介装した電流計９０により、高電圧印加時の各絶縁基板２０のリーク電流をそれぞれ測定する。 - 特許庁

Current injection regions Z1, Z2 in the substrate 1 which are in contact with the respective electrodes 3a, 3b are separated electrically into two or more parts.例文帳に追加

各上部電極３ａ，３ｂに接する半導体基板１での電流注入領域Ｚ１，Ｚ２が電気的に２つ以上に分離されている。 - 特許庁

In addition, components for increasing inductance such as a connector and a screw are removed from a discharge current path by arranging the circuits on one circuit substrate.例文帳に追加

また、１つの回路基板上に配置したことで、コネクタやねじといったインダクタンスを増大する成分を放電電流経路から除去することができる。 - 特許庁

To provide a method capable of preventing generation of leakage current and performing element isolation at a temperature, at which a glass substrate can be used, and forming a minute element.例文帳に追加

リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon thin film which can form a crystalline silicon thin film under a relatively low temperature condition at low cost and with high productivity, and which can obtain a substrate for a thin-film transistor with reduced leakage current.例文帳に追加

比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できるシリコン薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A current inhibition layer 12 made of a p-type GaN:Mg layer is interposed between a substrate 11 made of n-type GaN and an n-side contact layer 13.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮからなる基板１１とｎ側コンタクト層１３との間に、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層からなる電流阻止層１２を介在させる。 - 特許庁

A common gate 13 is formed on a silicon substrate, and a single channel region turning into a current path is formed under the gate 13.例文帳に追加

シリコン基板１１上に共通のゲート１３を設けるとともに、ゲート１３の下に電流の通路となる単一のチャネル領域を形成させる。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck that exhibits high attracting power and excellent detaching response in a wide temperature range wherein current leak to a substrate is decreased.例文帳に追加

広い温度範囲で、高い吸着力と良好な脱着応答性を示し、基板への漏れ電流が低減された静電チャックを提供する。 - 特許庁

To efficiently adjust a beam current density distribution of each ion beam in an ion-beam-superposed region on a glass substrate irradiated with a plurality of ion beams.例文帳に追加

ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

A chip resistor 23 to set current value flowing in the LED chip 22 is mounted on the substrate 15 on which the LED chips 22 are mounted, and a lighting circuit is formed.例文帳に追加

ＬＥＤチップ22に流れる電流値を設定するチップ抵抗器23を、ＬＥＤチップ22を実装した基板15に実装して点灯回路を形成する。 - 特許庁

To reduce reverse leakage current of a semiconductor device produced by grinding a semiconductor substrate to have a smaller thickness and performing ion implantation on the grinding surface.例文帳に追加

半導体基板を研削して薄くし、その研削面にイオン注入を行うことにより作製される半導体装置の逆漏れ電流を少なくすること。 - 特許庁

Oxygen ions are easily drawn into the substrate 1 from the cathode electrode 2, more oxygen ions flow to enhance NO purification ratio and current efficiency.例文帳に追加

カソード電極２から酸素イオンが基板１内に引き込まれやすくなり、より多くの酸素イオンが流れるため、ＮＯ浄化率及び電流効率が向上する。 - 特許庁

Furthermore, since three-level system is in its same coherent state in the region of molecule or quantized dot, current flowing in a substrate can be detected effectively.例文帳に追加

しかも３準位系が分子あるいは量子ドットにまたがってコヒーレントに同じ状態を取るために、基板を流れる電流は効率よく検知される。 - 特許庁

A manufacturing method for an electronic module according to the current invention includes a process for forming a LTCC substrate embedded with at least one capacitance construction.例文帳に追加

本発明に係る電子モジュール製造方法は、少なくとも１つの容量性構造が埋め込まれたＬＴＣＣ基板を形成する工程を含む。 - 特許庁

In the detection step, a beam shape, which is a cross-sectional shape of an ion beam applied to the semiconductor substrate, and a beam current of the ion beam are detected.例文帳に追加

検出工程では、半導体基板へ照射されるイオンビームの断面形状であるビーム形状および前記イオンビームのビーム電流を検出する。 - 特許庁

Suitable operating parameters include cathode power, cathode voltage, cathode current, an angle between a cathode support and the substrate, and a flow rate of a reactive gas.例文帳に追加

適切な動作パラメータには、陰極電力、陰極電圧、陰極電流、陰極サポートと基板の間の角度、および反応性ガスの流量がある。 - 特許庁

Plural laser structures which have their stripe width W restricted by a refractive index waveguide structure or current stricture structure are stacked across a substrate 21.例文帳に追加

ストライプ幅Ｗが屈折率導波構造もしくは電流狭窄構造により制限された複数のレーザ構造を基板21を挟んで積層する。 - 特許庁

Electric power is supplied to electrodes 14, 15 formed of silver or the like in which a large exothermic phenomenon is hard to occur even if the electric current is carried on the insulating substrate 11.例文帳に追加

絶縁基板１１上に通電しても大きな発熱現象が起こりにくい銀等で形成された電極１４，１５に電力を供給する。 - 特許庁

The plasma processing system includes an electron source electrode, where direct current (DC) power is coupled to generate a ballistic electron beam in etching a substrate.例文帳に追加

基板のエッチング中に弾道電子ビームを生成するために、プラズマ処理システムは、直流（ＤＣ）電力が結合される電子源電極を含んでいる。 - 特許庁

The current output electrodes 132 are electrically connected to substrate electrodes 118b with a first wiring layer 114 via bonding wires 134.例文帳に追加

電流出力用電極１３２は、ボンディングワイヤ１３４を介して第１の配線層１１４に設けられた基板電極１１８ｂと電気的に接続されている。 - 特許庁

By the effect of the carrier blocking layer, since the inflow of the electrons from the sub collector layer 3 to the substrate 1 is suppressed, a leakage current is reduced.例文帳に追加

このキャリアブロッキング層の効果により、サブコレクタ層３から前記基板１への電子の流入が抑えられるため、リーク電流が低減される。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and apparatus for realizing high ion saturation current density and superior uniformity even if a distance between an antenna and a substrate is diminished.例文帳に追加

アンテナと基板との距離を小さくしても均一性が良く、かつ、高いイオン飽和電流密度が得られるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In the oxidization process, the counter electrode is made negative electrode and the n-type silicon substrate 1 (ohmic electrode) is made positive electrode and electric current is conducted between the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加

酸化工程は、対極を負極、ｎ形シリコン基板１（オーミック電極２）を正極として、正極と負極との間に通電する。 - 特許庁

The electron beam current is controlled by changing the converging degree by the condenser lens 6 depending on the irradiation position on the circular substrate 16.例文帳に追加

そして、円形基板１６上の照射位置に応じてコンデンサレンズ６による集束度を変化させることにより、電子ビーム電流を制御している。 - 特許庁

After the solenoid valve 39 is changed in condition, the solenoid valve 39 keeps retaining its condition even if a current is not applied to any of solenoids, and the substrate is kept being sucked up.例文帳に追加

状態が変化した後は、いずれのソレノイドに通電しなくとも、電磁弁３９はその状態を維持し、基板の吸着状態は維持される。 - 特許庁

In such a connecting relation, gate insulation film leakage current passes through a gate insulation film 10 and flows into the semiconductor substrate 14 from the gate electrode 12.例文帳に追加

このような接続関係においては、ゲート絶縁膜１０を通り抜けて、ゲート絶縁膜リーク電流がゲート電極１２から半導体基板１４に流れる。 - 特許庁

The nitrogen gas N2 can be blown against the central part of the upper surface of the semiconductor substrate 12, and the pressure or the current velocity of nitrogen gas N2 is adjustable variably.例文帳に追加

又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。 - 特許庁