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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > substrate currentに関連した英語例文

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substrate currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1921



例文

Since the NchMOS9 is formed in an N-type well region 17, a substrate current does not flow to the P-type substrate 1 when the NchMOS9 is operated, thus a parasitic bipolar transistor comprising the N-type well region 17, the P-type substrate 1, and an N-type well region 21 is not operated.例文帳に追加

NchMOS9はN型ウエル領域17内に形成されているので、NchMOS9動作時の基板電流がP型基板1に流れず、N型ウエル領域17、P型基板1及びN型ウエル領域21からなる寄生バイポーラトランジスタは動作しない。 - 特許庁

A silicon substrate 21 in a wafer state is arranged in the recessed part for silicon substrate arrangement, a plating resist pattern 34 is formed, electroplating is performed by using the metal layer 14 or the like as a plating current path of one side, and columnar electrodes are formed on the silicon substrate 21.例文帳に追加

そして、ウエハ状態のシリコン基板21をシリコン基板配置用凹部内に配置し、メッキレジストパターン34を形成し、金属層14等を一方のメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、シリコン基板21上に柱状電極を形成する。 - 特許庁

Thus, even when the voltage of the bit line varies to the low-level voltage of the word line in the standby period due to occurrence of the short-circuit failure between the word line and the bit line, the substrate current is prevented from passing through between the source and the substrate of the nMOS transistor and between the drain and the substrate.例文帳に追加

このため、ワード線とビット線間にショート不良が発生し、ビット線の電圧がスタンバイ期間にワード線の低レベル電圧に変化した場合にも、nMOSトランジスタのソースと基板間、またはドレインと基板間に基板電流が流れることを防止できる。 - 特許庁

The interior of a film forming chamber is reduced in pressure and a conductive surface substrate is rapidly heated by flowing electric current to it, and a material layer on the conductive surface substrate is evaporated in a short time and vapor-deposited on a film forming substrate.例文帳に追加

成膜室内を減圧下とし、導電表面基板への通電によって、導電表面基板を急速に加熱し、導電表面基板上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、被成膜基板上に材料層を成膜する。 - 特許庁

例文

The panel structure 10A is composed of a glass substrate 11, the battery membrane 12 installed on the glass substrate 11 and a sealing material 13 covering the outer surfaces of the glass substrate 11 and the battery membrane 12 and equipped with the moisture detector 14A provided on the outer surface of the glass substrate 11 to detect the corrosion current of the outer surface of the glass substrate 11.例文帳に追加

本実施例に係るパネル構造物10Aは、ガラス基板11と、ガラス基板11上に設置される電池膜12と、ガラス基板11と電池膜12との外表面を被覆する封止材13とからなるパネル構造物であって、ガラス基板11の外表面に設けられ、ガラス基板11の外表面の腐食電流を検知する水分検知装置14Aを備えてなる。 - 特許庁


例文

Thus, the cooling effect of the air current to the substrate between the time t2 and the time t5 can be reduced, and the flash irradiation can be applied in a state where the temperature gradient of the substrate surface is relieved.例文帳に追加

このため、時刻t2から時刻t5までの間の、基板に対する気流の冷却効果を低減させることができ、基板表面の温度勾配を緩和した状態で、閃光照射を行うことができる。 - 特許庁

To provide an electrode joining method of a substrate, and the substrate, which can deal with a high-voltage impressing state and large-current implementation, which can realize a joining quality with high reliability, and which can be free from leading to an increase in man-hour.例文帳に追加

工数の増加を招くことなく、高電圧印加状態及び高電流化に対応可能な、高信頼性の接合品質を実現することができる基板の電極接合方法及び基板を提供する。 - 特許庁

To provide a device capable of eliminating generation of an induction electric current on a treated substrate and damage of a substrate surface due to accompanied arc, which has been a problem in a plasma surface treatment device of down-stream method.例文帳に追加

ダウンストリーム方式のプラズマ表面処理装置において問題となっている被処理基板への誘導電流の発生、それ伴うアークによる基板表面の損傷をなくすことができる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a metal substrate with an insulating layer which can be manufactured by a simple process, maintains heat resistance during a semiconductor process, and has a superior withstand voltage property and a small leakage current; and to provide an Al base material for achieving the metal substrate.例文帳に追加

容易なプロセスにて製造可能であり、半導体プロセスにおける耐熱性を有し、耐電圧性に優れ、漏れ電流の小さい絶縁層付金属基板、及びそれを実現するAl基材を提供する。 - 特許庁

例文

A digital signal sampling circuit, a storing circuit, a time setting circuit, and a signal line driving circuit constituted of a constant current circuit are formed of TFTs on a insulating substrate of the same material as the pixel part substrate.例文帳に追加

デジタル信号サンプリング回路と、記憶回路と、時間設定回路と、定電流回路により構成される信号線駆動回路を、画素部基板と同じ物質の絶縁基板上にTFTにより作製する。 - 特許庁

例文

To provide a biosensor using high active lipid modification enzyme, that excels in storage reliability; that allows oxidation current value to be low when substrate concentration is 0; and that may quantify a substrate with high precision.例文帳に追加

高活性の脂質修飾酵素を用いて、保存信頼性が高く、しかも基質濃度が0の場合の酸化電流値が低く、基質を高精度で定量することができるバイオセンサを提供することをも目的とする。 - 特許庁

The vertical cavity surface emitting laser array 110 has a substrate 120, a plurality of the laser elements 130 disposed in a matrix shape on the substrate and an electrode E for supplying a plurality of the laser elements with a current.例文帳に追加

面発光型半導体レーザアレイ110は、基板120と、基板上にマトリックス状に配列された複数のレーザ素子130と、複数のレーザ素子へ電流を供給するための電極部Eとを有する。 - 特許庁

The electrolytic treatment apparatus further comprises a current control member 34 which promotes and controls electrolytic treatment in correspondence with the unevenness formed on the surface of the substrate 10, and is placed in between the substrate 10 and the electrode 32.例文帳に追加

また、電解処理装置は、基板10と電極32との間に配置され、基板10の表面の凹凸に対応して電解処理の促進と抑制を行う電流制御部材34をさらに備える。 - 特許庁

To provide a method for a manufacturing multilayer flexible substrate for obtaining a stable electrolytic plated state, by using a plating apparatus for a long substrate by a current reel-to-reel method.例文帳に追加

現状のリールツーリール工法の長尺基板用めっき装置を用いて、安定した電解めっき状態が得られる多層フレキシブル基板の製造方法及び多層フレキシブル基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate.例文帳に追加

窒化物半導体基板やZnO基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。 - 特許庁

A substrate 31 and an anode 14 are dipped into the mono dispersion solution of ceramic crystal grain or electrodeposition liquid 15, and pulse current is conducted to deposit ceramic crystal grain on the substrate 31 and obtain the ceramic thin film.例文帳に追加

セラミック結晶粒子の単分散溶液である電着液15に基板31と陽極14とを浸漬し、パルス電流を通電して基板31上にセラミック結晶粒子を堆積させてセラミック薄膜を得る。 - 特許庁

Since the dangling bonds of silicon in the interfaces of the substrate 11 are sufficiently terminated by the cyano-ions, the bonds become electrically inactive and no dark current is generated near the interfaces of the substrate 11.例文帳に追加

半導体基板11の界面のシリコンのダングリングボンドは、シアノイオンによって十分に終端化されているので電気的に不活性となり、半導体基板11の界面付近で暗電流が発生することがなくなる。 - 特許庁

A high frequency current from a closest base station is received not only by the substrate within the lower casing 62 and the substrate within the upper casing 61 but also by the metal stick as the extension ground.例文帳に追加

最寄りの基地局からの高周波電流は、アンテナ部79、下部筐体62の内部の基板、および、上部筐体61の内部の基板だけでなく、さらに、延長グランドとしての金属棒78でも受信される。 - 特許庁

To provide a metal substrate with an insulating layer which is capable of being manufactured by a simple process and maintaining excellent heat resistance during each semiconductor process, and has a high withstand voltage property and a small leakage current, and to provide, an Al base material for realizing the metal substrate.例文帳に追加

容易なプロセスにて製造可能であり、半導体プロセスにおける耐熱性を有し、耐電圧性に優れ、漏れ電流の小さい絶縁層付金属基板、及びそれを実現するAl基材を提供する。 - 特許庁

The electrically conductive region of the carrier substrate (50) is electrically coupled to the electrically conductive region of the cover substrate (22) to define an electrically conductive path for the flow of electrical current during the electrically-closed condition of the switching array.例文帳に追加

キャリア基板(50)の導電性領域は、カバー基板(22)の導電性領域に電気的に結合されて、スイッチングアレイの電気的閉止状態の間に電流の流れの導電経路を定めるようにする。 - 特許庁

When heating the substrate 9 inside the chamber 4, the quantity of gases to be exhausted from exhaust ports 51a and 51b is controlled, thereby forming an air current from a central part of the substrate 9 toward a terminal part.例文帳に追加

基板9がチャンバ4内にて加熱される際は、排気口51aおよび51bから排出される気体の量を制御することにより、基板9の中央部から端部方向に向かう気流を形成する。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、P型半導体基板11と逆導電型のN型ウェル12と、P型半導体基板11と同導電型のP+拡散層13とが接合したダイオード17で構成される。 - 特許庁

The alternating magnetic flux 114 induces a current which heats a conductive pattern 106 inside the conductive pattern 106 of the semiconductor substrate 104 while the strip solution 102 is in contact with the semiconductor substrate 104.例文帳に追加

交流の磁束114はストリップ溶液102が半導体基板104に接触している間に半導体基板104の導電性パターン106内で導電性パターン106を加熱する電流を誘導する。 - 特許庁

To improve a ratio of detecting signal to a noise by inhibiting a leakage current generated by an alkali metal segregated by a surface layer of a glass substrate, when the glass substrates and a silicon substrate are anode-bonded.例文帳に追加

ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するにあたって、ガラス基板の表層に偏析されるアルカリ金属によって発生してしまうリーク電流を抑止して、ノイズに対する検出信号の比率を向上させる。 - 特許庁

In the liquid chemical applying method for applying a liquid chemical 2 on the surface while rotating a square substrate 1, air current 4 flows from the center P of the square substrate 1 to the peripheral direction S along the liquid chemical coating surface 3.例文帳に追加

角形基板(1)を回転させてその表面に薬液(2)を塗布する薬液塗布方法であって、薬液塗布表面(3)に沿って、角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に気流(4)を流す事を特徴とする。 - 特許庁

The method includes a step of applying a voltage between the substrate and the anode and between the second cathode and the anode to allow an electric current to flow to the plating bath and a step of electroplating the metal feature different in density on the substrate.例文帳に追加

本プロセスは、電流をめっき浴に流して基板とアノードの間、および第2のカソードとアノードの間に印加するステップと、基板上に異なる密度の金属フィーチャを電気めっきするステップを更に含む。 - 特許庁

In the semiconductor optical device, a compound semiconductor layer which includes an active layer is formed on a substrate, and a current constriction layer having an opening part between the substrate and the active layer is formed.例文帳に追加

基板上に活性層を含む化合物半導体層が形成されており、該基板と該活性層との間に開口部を有する電流阻止層が形成されていることを特徴とする半導体光デバイス装置。 - 特許庁

Then semiconductor crystals are precipitated in the semiconductor area by making a current flow to the semiconductor area, by applying a bias voltage across the silicon substrate and an electrode set up oppositely to the substrate.例文帳に追加

プラズマ雰囲気中で単結晶シリコン基板とこれに対向して設置された電極間にバイアス電圧を印加し、半導体領域に電流を流すことにより、半導体領域上に半導体結晶を析出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that forms capacity between an electrode and an opposing semiconductor substrate, has the electrode formed in a groove formed on the semiconductor substrate, and includes a capacitor for suppressing a leakage current.例文帳に追加

電極と対向する半導体基板との間で容量を形成し、半導体基板に形成された溝内に電極が形成され、リーク電流の抑制が図られたキャパシタを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

To uniformly epitaxially grow an Si layer at low temps. to make semiconductor elements of a high current density at a high rate by forming steps on a substrate and forming a single crystal Si layer of specified thickness on the substrate including the steps by the catalytic CVD method.例文帳に追加

歪点が比較的低い大型のガラス基板であっても低温で均一にシリコン層をエピタキシャル成長させ、高速で大電流密度の半導体素子を作り込むことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate-treating apparatus that can smoothly substitute atmosphere, without disturbing an air current in a treatment chamber, has excellent cleanliness, and prevents increase in cost.例文帳に追加

処理室の気流を乱すことがなく雰囲気を円滑に置換できて清浄度が高く、かつコストアップを生じることがない基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate of high process efficiency along with its manufacturing method, with no performance degradation such as dropping of a punch through voltage and increase in leakage current.例文帳に追加

パンチスルー電圧の低下、漏洩電流の増加などの性能低下がなく、工程効率が良い薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This reduces leakage current due to a PNP bipolar transistor of the P-type drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2, N-well, and P-type substrate.例文帳に追加

これにより、PMOS20_1,20_2のP型ドレイン領域、N型ウエル、及びP型基板によるPNP型の寄生バイポーラトランジスタによるリーク電流が減少する。 - 特許庁

By applying voltages to the film 19 and a supporting substrate 13, depletion layers 20a, 20b are formed on the surface layer and the bottom of the current path 16.例文帳に追加

この電極膜19と支持基板13に電圧を印加することで電流経路16の表層部と底面部とに空乏層20a,20bを形成する。 - 特許庁

To provide a metallic substrate for an electrode plate capable of smoothly taking out high current while increasing capacity by increasing the coating amount of an active material.例文帳に追加

活物質の塗工量を増大させて高容量化を図りながらも大電流を支障なく取り出せる電極板用金属基材を提供する。 - 特許庁

To enable supply of large current to an electronic component, and to prevent an unwanted stress due to vibration applied to the substrate.例文帳に追加

電子部品に大電流を供給することを可能にするとともに、振動が基板に加えられて不要な応力が基板に生じることを抑制する。 - 特許庁

The negative electrode current collector 11 is made rough by installing a projection part 11B on a substrate 11A having a ten-points average roughness Rz1 of 2.0 μm or less.例文帳に追加

負極集電体11は、十点平均粗さRz1が2.0μm以下の基材11Aに突起部11Bを設けることにより粗化されている。 - 特許庁

Therefore, the substrate 12 and electrode layer 37 can be maintained in insulated states except a current injecting area, and accordingly, no nonradiating failures occur.例文帳に追加

よって、電流注入領域を除き、GaAs 基板12と電極層37とを絶縁状態に維持できるので、非発光不良が生じない。 - 特許庁

Operating the operation unit 11 shortens a distance between the operation unit 11 and the detection coil substrate 20 and increases the eddy current generated in the metal body 12.例文帳に追加

操作部11が操作された場合には、操作部11と検出コイル基板20との距離が縮んで、金属体12に発生する渦電流が増加する。 - 特許庁

To solve the problem when a surge voltage is applied to a drain electrode, of a large current being made to flow near the surface of a substrate, resulting in leading to the breaking a transistor.例文帳に追加

ドレイン電極にサージ電圧が印加された場合、基板の表面近傍に大電流が流れるため、トランジスタが破壊される虞を有している。 - 特許庁

Thus, the photo-electrode structure can increase the adhesion force of the light-scattering layer with respect to the substrate and increase the photo-current density.例文帳に追加

これにより、該製造された光電極構造体は、光散乱層の基板に対する接着力が向上し、光電流密度を上昇させることができる。 - 特許庁

The manufacturing method is provided for a thin film transistor substrate effectively minimizing light leakage current and a liquid crystal display including the same, and a method for manufacturing the thin film transistor.例文帳に追加

光漏れ電流を効果的に最小化する薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a substrate voltage control technique for suppressing a leakage current due to a low threshold by preventing decrease in an operation speed relating to a low voltage usage.例文帳に追加

低電圧用途に関して、動作速度の低下を防ぎ、低しきい値による漏れ電流を抑制する基板電圧制御技術を提供する。 - 特許庁

Heat release decided by its resistive value and a current value is generated at the resistive element thin film 20, temperature of the surface of a substrate 12 is raised, and infrared rays are emitted.例文帳に追加

その抵抗値と電流値によって決定される発熱が抵抗体薄膜20に生じ、基板12表面が昇温され、赤外線が放射される。 - 特許庁

To provide an electrodeposition system which continuously deposits oxide on a long-sized substrate and prevents the variation in characteristics of films by generation of stray current.例文帳に追加

長尺基板上に連続して酸化物を堆積させる電析装置において、迷走電流の発生による膜の特性のばらつきを防止する。 - 特許庁

To provide a laminated capacitor which is excellent in surge withstand voltage and effectively protects even circuits on the side of a mounting substrate from surge current, and to provide a mounting structure thereof.例文帳に追加

サージ耐圧が高く、実装基板側の回路をもサージ電流から効果的に保護できる積層コンデンサ及びその実装構造を提供する。 - 特許庁

Further, layers are just sequentially formed, starting with the lattice strain relaxing layer 12 up to the current diffusion layer 16, on the n-GaP substrate 11 for reduced manufacturing cost.例文帳に追加

また、n‐GaP基板11上に格子歪緩和層12から電流拡散層16までを順次形成するだけであるから製造コストを低減できる。 - 特許庁

A drive circuit 30 including a first reference power supply 32, a switching element 34, a current generation section 35 and an operational amplifier 33 is first formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

まず、半導体基板に第1基準電源32、スイッチング素子34、電流生成部35、およびオペアンプ33を備えた駆動回路30を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents metal from being diffused into a silicon substrate below a contact hole to eliminate an increase in current consumption resulting from intrusion of metal.例文帳に追加

コンタクトホール下部において、シリコン基板へのメタルの拡散を防ぎ、メタルの侵入による消費電流の増大を無くした半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

LED substrate modules 3-1, 3-2, 3-3 are connected to output terminals of the constant current source 2 in parallel and bias circuits 4 are connected to the output terminals thereof in parallel.例文帳に追加

定電流電源2の出力端子にLED基板モジュール3-1,3-2,3-3を並列に接続するとともにバイアス回路4を並列に接続する。 - 特許庁




  
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