「substrate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A group 2 of line patterns including a plurality of line patterns 21, 22, 23 different from each other in allowable current capacity are formed on an element substrate 1.例文帳に追加

素基板１の表面に、許容電流値容量の異なる複数の線状パターン２１，２２，２３を含む線状パターン群２を形成する。 - 特許庁

To provide a pointing device wherein current noise of a strain sensor is small and a temperature characteristic is favorable even when a resin substrate with favorable flexibility is used.例文帳に追加

撓み性の良好な樹脂基板を使用するも、歪みセンサの電流ノイズが小さく、かつ、温度特性の良好なポインティングデバイスを得る。 - 特許庁

To provide a surface-emission semiconductor laser device in which a substrate or a wafer under production can be protected against a large current such as ESD.例文帳に追加

製造中の基板またはウエハをＥＳＤ等の大電流から保護することができる面発光型半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

The high voltage power source is connected electrically to the member substrate 1015 through a current limiting resistance 2 and the dummy plate 4 is grounded.例文帳に追加

高圧電源１が、電流制限抵抗２を介して部材基板１０１５に電気的に接続されており、ダミープレート４が接地されている。 - 特許庁

To reduce inductance, and to make excellent a current balance, to prevent deformation of or damage to a substrate board, and to realize high insulation and reliability.例文帳に追加

本発明は、インダクタンスが低く、電流バランスが優れ、基板体の変形や破損を防止して、高絶縁信頼性とすることを目的とする。 - 特許庁

To suppress an off-leakage current in an N-channel MISFET having a silicided source/drain region formed in an Si (110) substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板に形成され、シリサイド化されたソース／ドレイン領域を有するＮチャネルＭＩＳＦＥＴにおいて、オフリーク電流を抑制する。 - 特許庁

A channel region 21 through which a channel current flows is formed in the substrate 122 between the source diffused layer 120 and the drain diffused layer 121.例文帳に追加

ソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１の間の基板１２２内には、チャネル電流が流れるチャネル領域２１が形成される。 - 特許庁

It also has a relay 7 electrically connected to upstream side or downstream side of the medium-current fuse 4 and is provided on the metal core wiring substrate 1.例文帳に追加

中電流ヒューズ４の上流側又は下流側に電気的に接続され、メタルコア配線基板１に設けられたリレー７を有している。 - 特許庁

Before the n--type drain layer 2A under a gate electrode 8 is thermally broken down, the surge current is released to a silicon substrate 1 through this p-n junction.例文帳に追加

ゲート電極８の下のＮ−型ドレイン層２Ａが熱破壊する前に、サージ電流は、このＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

The semiconductor laser 10 is equipped with a substrate 1, a cavity 2, a positive electrode 4, a negative electrode 5, an observation portion 6, and a current source 7.例文帳に追加

半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、正極電極４と、負極電極５と、観測部６と、電流源７とを備える。 - 特許庁

As a result, dimension of each part of the resist patterns REG can be evaluated statistically by measuring the substrate current Ik.例文帳に追加

従って、この基板電流Ｉｋを測定することにより、レジストパターンＲＥＧの各部の寸法を統計的に評価することが可能となる。 - 特許庁

An X electrode driving circuit and a Y electrode driving circuit are mounted on one substrate to prevent the discharge current from straying outside a common reference potential.例文帳に追加

Ｘ電極駆動回路、Ｙ電極駆動回路を一枚基板に搭載して放電電流を共通基準電位以外に迷走させない。 - 特許庁

The optical sensor 12 for measuring the external light illuminance and the optical sensor 13 for measuring the background current are integrally formed on the array substrate 2.例文帳に追加

これら外光照度計測用光センサ１２やバックグラウンド電流計測用光センサ１３は、アレイ基板２上に一体形成されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor where leak current does not increase even if a buffer layer is arranged between a ferroelectric film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

強誘電体膜と半導体基板との間にバッファ層を配置してもリーク電流が増加しない強誘電体キャパシタを提供する。 - 特許庁

In this constitution, the superior uniformity is realized even if the distance between the antenna 5 and the substrate 9 is diminished, and high ion saturation current density is also obtained.例文帳に追加

この構成により、アンテナ５と基板９との距離を小さくしても均一性が良く、かつ、高いイオン飽和電流密度が得られた。 - 特許庁

To each LED element 103, a drive current is supplied from the outside via an external I/F (interface) 102 mounted to a substrate.例文帳に追加

各ＬＥＤ素子１０３には、基板１０１に搭載されている外部Ｉ／Ｆ（インタフェース）１０２を介して外部から駆動電流が供給される。 - 特許庁

A signal corresponding to the quantity of light incident from the reverse surface of the semiconductor substrate is output in the form of a voltage or current, the reverse surface of the semiconductor substrate is a roughened surface, and the protection layer is provided on the reverse surface of the semiconductor substrate to prevent the reverse surface of the semiconductor substrate from discoloring and also to improve use efficiency of the light.例文帳に追加

半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面が粗面であり、さらに半導体基板の裏面に保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 - 特許庁

According to this manufacturing method for the image display device, a sealing material 21 having electric conductivity is arranged at least one of its back face substrate 12 and front face substrate 11, and current is fed to the sealing material from a power supply 120 to heat it and melt, and the front face substrate and back face substrate are joined together by their peripheries.例文帳に追加

画像表示装置の製造方法において、背面基板１２および前面基板１１の少なくとも一方に、導電性を有した封着材２１を配置し、この封着材に電源１２０から通電して加熱溶融させ、前面基板および背面基板の周辺部同士を接合する。 - 特許庁

Since the harness module 6 is formed by a substrate 7 for performing distribution of a current; and a sub-harness 8 for connecting the substrate 7 and an electric equipment, the sub-harness 8 part is short and a connection part to a control substrate 12 can be collectively provided at an optional position in the substrate 7 as a first connector 11.例文帳に追加

電流の分配を行う基板７と、基板７と電装品との間を接続するサブハーネス８とで、ハーネスモジュール６を形成したため、サブハーネス８部分は短くて済み、制御基板１２に対する接続部を、基板７中の任意に位置に第１コネクタ１１として集中させて設けることができる。 - 特許庁

In order to nondestructively inspect whether the semiconductor element formed on a pixel part of the element substrate operates or not, the element substrate and a counter detection electrode are immersed into an electrolyte, the value of electric current that flows between the pixel electrode on the element substrate and the counter detection electrode is measured and, thereby, the normal/defective condition of the element substrate is decided.例文帳に追加

素子基板の画素部に形成された半導体素子が動作するかどうかの検査を非破壊で行うために、電解液に素子基板および対向検出電極を浸し、素子基板上の画素電極および対向検出電極の間に流れる電流値を測定することにより素子基板の良否を判別する。 - 特許庁

As a result, a stray current is fed from the induction coil 41 to the mounting substrate 46 via a heat sink 42, a conductive member 34 and the stray capacitance, and is superimposed on a detection current fed from the detection circuit 43.例文帳に追加

これにより、浮遊電流が、誘導コイル４１から放熱体４２、導電性部材３４及び上記浮遊容量を介して実装基板４６に流れ、検出回路４３からの検出電流と重畳する。 - 特許庁

The MOS transistor M10 is wired to a source, a gate, and a body to function as a constant current source, and has electric characteristics that a source potential becomes higher than the silicon substrate potential, so a saturation current decreases.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１０は、ソース、ゲート及びボディが結線されて定電流源として機能し、ソース電位がシリコン基板電位よりも高くなることで飽和電流が減少する電気的特性をもっている。 - 特許庁

Upon forming the solid state electrolytic layer by the current carrying technique employing the anode substrate with the dielectric oxide film formed on the surface thereof as the anode, the current carrying is effected by employing an anode collector comprising a conductive sponge.例文帳に追加

表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体を陽極として通電手法により固体電解質層形成する際、前記通電を導電性スポンジを含む陽極集電体を用いて行なう。 - 特許庁

To suppress or prevent an impact on temperature rise of a whole control substrate exerted by the temperature rise at a field current switching circuit portion, by suppressing heat transmission to a controller from the field current switching circuit portion.例文帳に追加

界磁電流スイッチング回路部から制御装置への熱伝達を抑制し、界磁電流スイッチング回路部での温度上昇が制御基板全体の温度上昇に与える影響を抑制あるいは防止する。 - 特許庁

To provide an anode formation system in which current density distribution can be made uniform by controlling the magnitude or distribution of leak current and a porous layer can be formed uniformly over the entire surface of a substrate.例文帳に追加

リーク電流の大きさや分布を制御して電流密度分布を均一化することができ、基板の表面の全体にわたって均一に多孔質層を形成することができる陽極化成装置を提供する。 - 特許庁

Safety and reliability of the battery module 1 can be ascertained since a current path between the bus bar 20 and the substrate-side terminal 46 is separated from a large current path between the electrode section 12 and the bus bar 20.例文帳に追加

これにより、バスバー２０−基板側端子４６間の電流路が、電極部１２−バスバー２０間の大電流路から分離されるから、安全性および信頼性をより確かなものとすることができる。 - 特許庁

In a pixel structure, a switching FET 201 and a current control FET 202 are formed on a single-crystal semiconductor substrate 11 and an EL element 203 is electrically connected to the current control FET 202.例文帳に追加

単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。 - 特許庁

To provide an LED lighting device and an LED substrate module which hardly receives an influence of drop of a voltage by an electric wire, and capable of controlling a lighting current that flows through each branch with desired current.例文帳に追加

電線による電圧降下の影響を受けにくく、各枝路に流れる点灯電流を所望の電流で制御することが可能なＬＥＤ点灯装置及びＬＥＤ基板モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

The lighting device 10 has, on its substrate 12, the current control circuit 14, and an inverter circuit block 15 with a power element 25 for stabilizing current and a transformer 26 for converting voltage.例文帳に追加

点灯装置１０は、電流制御回路１４を基板１２に備えるとともに、電流を安定化させるパワー素子２５および電圧変換を実施するトランス２６を有するインバータ回路ブロック１５を基板に備えている。 - 特許庁

Furthermore, substrate of the partition is formed of an electrothermal conversion material which generates heat when a current is supplied, and ink liquid in the individual liquid chambers is heated with heat generated from the partition when it is supplied with a current.例文帳に追加

更に、本発明のインクジェットヘッドにおいて、隔壁の基材は通電して発熱する電気／熱変換材料で形成されて、この隔壁に通電して隔壁からの発熱で個別液室内のインク液を加温する。 - 特許庁

Consequently, a current can be supplied along the thickness of the dielectric substrate 1 while dispersed in the transmission direction A in the through holes 5 and the current density in the through holes 5 can be decreased.例文帳に追加

これにより、スルーホール５内では伝送方向Ａに沿って分散させた状態で誘電体基板１の厚さ方向に向けて電流を流すことができ、スルーホール５内の電流密度を低下させることができる。 - 特許庁

The field emission element includes a metal layer formed on a substrate, a current limiting layer formed on the metal layer, and a carbon nanotube emitter formed on the current limiting layer.例文帳に追加

本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。 - 特許庁

When electric current is made to flow between a Cu seed layer (not shown in Figure) and the anode electrode 104, and the growing by plating is performed, electric current is made to flow also from the second cathode electrode in contact with the vicinity of the center of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a limiting current type oxygen sensor capable of controlling properly a sensor output current value at the manufacturing time, without changing the external form of the whole sensor element and a porous oxygen gas rate controller substrate.例文帳に追加

センサ素子全体の外形や多孔質酸素ガス律速体基板を何ら変更することなしに、製造時に、適宜センサ出力電流値を制御できる限界電流式酸素センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting device that suppresses the influence of a switching noise on a current control circuit with the switching noise generation element and a current control circuit mounted on the same substrate, increase layout flexibility of the switching noise generation element and the current control circuit, and is reduced in size.例文帳に追加

スイッチングノイズ発生素子および電流制御回路を同じ基板に実装した状態で電流制御回路へのスイッチングノイズの影響を抑え、また、スイッチングノイズ発生素子および電流制御回路のレイアウトの自由度を高め、さらに、小型化が図れる点灯装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, a cell current is reduced by raising apparent threshold voltage of a memory cell utilizing substrate bias effect of a MOSFET, judgement of threshold voltage of a memory cell at the time of erasing verifying operation is performed by the same judging current as a current at the time of writing verifying operation.例文帳に追加

これにより、ＭＯＳＦＥＴの基板バイアス効果を利用して見かけ上のメモリセルのしきい値電圧を上昇させることでセル電流を低減し、消去ベリファイ動作時のメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時と同一の判定電流で行う。 - 特許庁

A wire 34 for reducing noise for returning current flowing in the filament 6 and allowing the return current to flow in a direction opposite to that of a filament current flowing in the filament 6 is provided near an anode wire 13 on a glass substrate 4 for composing the fluorescent character display tube 1.例文帳に追加

蛍光表示管１を構成するガラス基板４上であって、アノード配線１３の隣に、フィラメント６を流れる電流を回帰させ、かつ、その回帰電流がフィラメント６を流れるフィラメント電流と逆向きに流れるように、ノイズ低減用配線３４を設ける。 - 特許庁

To provide a current detection circuit to precisely detect a load current by negatively feeding back the voltage up to a comparatively high voltage with an operational amplifier after satisfying the withstand voltage between source gates of a MOSFET for protection even if a substrate bias effect is generated in the MOSFET for protection in a current detection circuit of a power transistor.例文帳に追加

パワートランジスタの電流検出回路の保護用ＭＯＳＦＥＴにおいて基板バイアス効果が生じても、保護用ＭＯＳＦＥＴのソース−ゲート間の耐圧を満足したうえで、比較的高い電圧まで演算増幅器で負帰還して、精度よく負荷電流を検出する。 - 特許庁

Furthermore, a controller outputs the current position output command to the encoder, inputs the current position data from the encoder, and picks up an image after the lapse of a time T1 so as to perform position recognition and substrate installation control in accordance with the current position data of the position recognition.例文帳に追加

又、コントローラは、前記現位置出力コマンドを該エンコーダへ出力し、又前記現位置データを該エンコーダから入力すると共に、前記位置認識の現位置データに従って該位置認識及び前記基板実装の制御を行うべく、時間Ｔ１の後に撮像する。 - 特許庁

Next, in order to evaluate a tunnel current component contained in the first current value, a value of a second current made to flow to the semiconductor substrate 1 by applying a second measurement signal made α (α>1) times the first measurement signal in the temporal axis to the gate of the MIS transistor is measured.例文帳に追加

次に、第１の電流値に含まれるトンネル電流成分を評価すべく、前記第１の測定信号を時間軸方向にα（α＞１）倍した第２の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して半導体基板に流れる第２の電流値を測定する。 - 特許庁

A conductor line shaped in such a way as to induce a current, with respect to a direction of a predetermined alternating magnetic field, is formed on a substrate and a resistor 11 is disposed in an intermediate part of induced current induction areas 4, 5, 6, 7 due to the alternating magnetic field, thereby absorbing and attenuating an induced current.例文帳に追加

所定の交番磁界の向きに対して、電流が誘起しやすいような形状の導体線路を基板上に形成し、交番磁界による誘導電流誘起領域４、５、６、７の中間部に抵抗体１１を配置し、誘導電流を吸収減衰させる。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of directly controlling AC current, outputting AC current with high frequency, stably outputting large power, and further reducing manufacturing costs; and to provide a method for manufacturing a TFT substrate for current control.例文帳に追加

直接的に交流電流を制御し、高周波の交流電流を出力することができ、また、安定して大電力を出力することができ、さらに、製造原価のコストダウンを図ることの可能な電気光学装置、及び、電流制御用ＴＦＴ基板の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the current collector 31 which is used as a constituent of an electrode 30 in which an active material layer 35 is supported in the current collector 31 and has a carbon material (conductive material)-contained polymer layer 33 on the surface of a metallic current collector substrate 32.例文帳に追加

本発明によると、集電体３１に活物質層３５が保持された電極３０の構成要素として用いられ、金属製集電基材３２の表面にカーボン材料（導電材）含有ポリマー層３３を有する集電体３１を製造する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method of coating without a fault such as paint coming-off to the rear side of a current collector, thickness unevenness or the disconnection of the current collector, etc. at the coating time of the paint containing an active substance to form an electrode layer on the current collector (porous substrate) having holes passing front and rear surfaces.例文帳に追加

表裏面を貫通する孔を有した集電体（多孔質基材）上に電極層を形成するために活物質を含む塗料の塗工時に、集電体の裏側への塗料抜け、厚みむらや集電体が切れ等の不具合のない塗工方法を提供する。 - 特許庁

The thin film deposition device includes: a holder 102 supporting a substrate 110; a mask 103 arranged oppositely to one side of the substrate; and a static electricity removal part 120 removing the static electricity generated between the substrate and the mask by causing electric current to flow in the mask.例文帳に追加

基板１１０を支持するホルダー１０２と、基板の一面に対向するように配されるマスク１０３と、基板とマスクとの間に発生した静電気をマスクに電流を流して除去する静電気除去部１２０と、を備える薄膜蒸着装置とする。 - 特許庁