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surface atomic layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 128件
To provide a method of continuously depositing the atomic layers of respective single-layer films of a one single-layer film thickness by respectively bringing a plurality of precursors into contact with the surface of a substrate at different temperatures.例文帳に追加
基板上に、異なる温度において、複数の前駆体をそれぞれ接触させることにより、1単層膜厚のそれぞれの単層膜を連続的に原子層堆積する方法を提供する。 - 特許庁
The outer peripheral surface of the roll substrate is clad with the Ni layer, then the Cr layer by plating and is then heat treated for ≥2 hours at ≥500°C, by which a Cr-Ni alloy region of 25 to 75 atomic % in Cr content is formed at the boundary between the Cr layer and the Ni layer at a thickness above 1 μm.例文帳に追加
ロール基体の外周面にNi層と次にCr層をめっきにより被覆した後、500 ℃以上の温度で2時間以上の熱処理を行って、Cr層とNi層との界面に、Cr含有量が25〜75原子%のCr−Ni合金領域を1μm以上の厚さで形成する。 - 特許庁
To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加
特定の金属先駆物質を用いたALD法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
The galvannealed steel sheet ahs a flattened part on the surface, and an oxide layer composed of <20 atomic % Al concentration and the balance substantially Zn and having ≥10 nm thickness exists on the surface of flattened part, and the producing method is provided.例文帳に追加
平坦部を表面に有し、その平坦部表面のAl濃度が20at%未満で、残部が主としてZnからなる酸化物層が10nm以上の厚さで存在する合金化溶融亜鉛めっき鋼板及びその製法。 - 特許庁
Preferably, the conductive substrate has a layer of an element whose atomic number is smaller than that of the constitutive element of the conductive substrate on a surface forming the resin mold.例文帳に追加
また、導電性基板は、樹脂型を形成する面に、導電性基板の構成元素より原子番号が小さい元素からなる層を有する態様が好ましい。 - 特許庁
The cross-sectional shape of the cavity 25 is, for example, a boat-like concave shape and a surface A of the cavity 25 is covered with a film X that is formed by an atomic layer deposition method.例文帳に追加
キャビティ25の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ25の表面Aは、原子層堆積法により形成された膜Xで被覆されている。 - 特許庁
An uneven film whose average surface roughness measured by an atomic force microscope is 2 nm or less is inserted as an intermediate layer between a low anchoring layer and ITO, thereby influence of panel-dependent ITO-film surface shapes on the low anchoring layer can be avoided, and switching characteristics are stabilized.例文帳に追加
低アンカリング層とITO間に中間層として、原子間力顕微鏡で計測した平均表面粗さが2nm以下の凹凸膜を挿入することにより、パネルごとに異なるITO膜の表面形状に低アンカリング層が影響を受けるとなく、スイッチング特性が安定した。 - 特許庁
This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加
プラスチックフィルム基材11の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層12を形成する工程と、下地層12の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層13を形成する工程とを具備する。 - 特許庁
The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加
原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは15〜25nmの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ50nm以上の突起密度は1〜50個/mm^2の範囲である。 - 特許庁
A first protective layer (54) overlies a first region (40) of the surface (52) of the substrate (50), wherein the first protective layer (54) has a composition with a first-protective-layer aluminum content at least 3 atomic percent greater than the substrate (50) aluminum content.例文帳に追加
第1の保護層(54)が、基板(50)の表面(52)の第1の領域(40)を覆い、第1の保護層(54)は、基板(50)アルミニウム含有量よりも少なくとも3原子パーセント多い第1保護層アルミニウム含有量を含む組成を有する。 - 特許庁
The adhesive with not less than 2.0 atom% and not more than 4.0 atom% nitrogen atomic weight of the surface of the adhesive layer (B) is used to bond the polyester film (A) and the metallic sheet (B) together through an adhesive layer (C).例文帳に追加
ポリエステルフィルム(A)と金属板(B)とを接着剤層(C)を介して貼り合わせる際、接着剤層(B)の表面の窒素原子量が2.0atom%以上、4.0atom%以下の接着剤を用いる。 - 特許庁
A transparent conductive oxide layer 19 is set as an anode, and a probe 21 of an atomic force microscope is placed with a predetermined interval from a surface of the transparent conductive oxide layer 19, which is set as a cathode.例文帳に追加
透明導電性酸化物層19を陽極とし、透明導電性酸化物層19の表面から所定の間隔を隔てて原子間力顕微鏡の探針21を設置しこれを陰極とする。 - 特許庁
To provide a method using an atomic layer deposition method in order to grow an extremely homogeneous thin-film whose surface density is favorable, which has an extremely high purity and whose surface properties are controlled with high precision.例文帳に追加
良好な表面密度、極めて高い純度を有し、表面特性を高精度で制御された非常に均一な薄膜を成長するために、原子層堆積法を用いた方法を提供することである。 - 特許庁
According to an analysis by high-frequency glow discharge atomic emission spectrometry, the maximum value of Si concentration in a surface layer extended 20 nm from the surface of the copper or copper alloy tube is 0.3-30 atom%.例文帳に追加
高周波グロー放電発光分光分析法により分析したときの前記銅又は銅合金管の表面から20nmまでの表層部におけるSi濃度の最大値が0.3乃至30原子%である。 - 特許庁
The ferroelectric capacitor includes a first ferroelectric layer in which a ferroelectric is sandwiched between a pair of electrodes and the ferroelectric has a surface roughness (RMS), measured by an atomic force microscope, of not lower than 10 nm; and a second ferroelectric layer which is formed on the first ferroelectric layer and has a surface roughness (RMS), measured by the atomic force microscope, of not higher than 5 nm.例文帳に追加
一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ(RMS)が10nm以上である第1強誘電体層と、該第1強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ(RMS)が5nm以下である第2強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。 - 特許庁
A second ferroelectric film 13 is formed on the first ferroelectric film 12 by an atomic layer deposition method so as to bury the recessed parts 15 on the surface of the first ferroelectric film 12.例文帳に追加
第1強誘電体膜12の表面の凹部15を埋め込むように、第1強誘電体膜12の上に、原子層堆積法により第2強誘電体膜13を形成する。 - 特許庁
A projection aligner 10 is provided with an atomic force microscope(AFM) for measuring a latent image formed on a wafer W with a surface-reaction type resist subjected to silylation as a photosensitive layer.例文帳に追加
露光装置10に、表面反応型のシリル化レジストを感光層としたウエハWに形成される潜像を計測するため、原子間力顕微鏡AFMを備える構成とした。 - 特許庁
The article includes (a) a flexible polymer substrate having an upper surface and a lower surface, and (b) a 2-100 nm-thick air-permeable barrier deposited on one of or both of the upper surface and the lower surface of the substrate by an atomic layer deposition.例文帳に追加
本発明は、a)上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、b)原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ2nm〜100nmを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 - 特許庁
In the magnetic tape produced by forming a magnetic layer 2 on a nonmagnetic flexible substrate 1 and by forming a back coat layer 3 on the opposite surface of the substrate 1 to the magnetic layer forming surface, a carbon film is formed on the back coating layer 3 and the proportion of H/(C+H) in the carbon film is controlled to 30 to 50 atomic %.例文帳に追加
非磁性のフレキシブルな基板1上に磁性層2を形成し、その基板1の磁性層形成面と反対の面にバックコート層3を形成した磁気テープにおいて、バックコート層3の表面にカーボン膜が形成され、そのカーボン膜中のH/(C+H)の割合が30原子%〜50原子%の範囲に規制されていることを特徴とする。 - 特許庁
In the electrical double layer capacitor obtained by the production method of electrical double layer capacitor electrode active material, the atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is in the range of 0.35-0.42, and the specific surface area is in the range of 5-65 m^2/g.例文帳に追加
また、上記の電気二重層キャパシタ電極活物質の製造方法によって得られ、炭素に対する水素の原子比(H/C)が0.35〜0.42の範囲内に、さらに比表面積が5〜65m^2/gの範囲内とする。 - 特許庁
To remove a contamination layer (15), at least partially, from the optical surface (14a) of an EUV reflection optical element (14) by bringing a cleaning gas, preferably containing atomic hydrogen, into contact with the contamination layer (15).例文帳に追加
本発明は、原子状水素を含むことが好ましい洗浄ガスを汚染層(15)に接触させることによって、EUV反射光学要素(14)の光学面(14a)から汚染層(15)を少なくとも部分的に除去すること。 - 特許庁
The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.例文帳に追加
かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の0.1〜10%である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁
The surface lubricant index of the magnetic layer is in the range of 1.3-5.0, and the central surface mean roughness SRa in the area of 40 μm×40 μm measured by the atomic force microscopy (AFM) is equal to or less than 4 nm.例文帳に追加
前記磁性層の表面潤滑剤指数は1.3〜5.0の範囲であり、かつ原子間力顕微鏡(AFM)により測定された40μm×40μmの面積での中心面平均粗さSRaは4nm以下である。 - 特許庁
This magnetic recording medium has a nomnagnetic substrate, a nonmagnetic metallic underlaid layer, which is formed on one main surface side of the nonmagnetic substrate and contains 20 atomic % or more Ru, and a magnetic layer which is formed on the nomnagnetic metallic underlaid layer and has a metallic magnetic thin film.例文帳に追加
非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面側に形成されるとともにRuを20at%以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
This invention is related to an object having a surface oxide layer with the thickness of ≤20 nm containing chromium and cobalt oxide and having the atomic ratio of Cr/Co of >3.例文帳に追加
本発明は、クロムおよびコバルトの酸化物を含んでいる、厚さが20nm以下の表面酸化物層であって、Cr/Coの原子比が3より大きい表面酸化物層を有する物品に関する。 - 特許庁
The hydrogen concentration of the surface atomic layer of a sample (a substrate 20) is measured in the surface treatment apparatus without extracting the sample in atmospheric air, by conducting in the vacuum chamber 2 of the surface treatment apparatus by using the elastic recoil-particle detecting method by the low-energy ion scattering spectral method.例文帳に追加
低エネルギーイオン散乱分光法による弾性反跳粒子検出法を用い、表面処理装置の真空室2内で行うことによって、試料(基板20)を大気中に取り出すことなく表面処理装置内において、試料の表面原子層の水素濃度の測定を行う。 - 特許庁
The hard carbon film is provided at least the surface layer of which contains 3-25 atomic% nitrogen and 4-22 atomic% of at least one kind of metal element selected from a group consisting of a group IIb element, a group IIIa element, a group IVa element, a group Va element, a group VIa element, a group VIIa element and a group VIII element.例文帳に追加
少なくとも表面層が、窒素を3〜25原子%と、IIb族元素、IIIa族元素、IVa族元素、Va族元素、VIa族元素、VIIa族元素及びVIII族元素から成る群より選ばれた少なくとも1種の金属元素を4〜22原子%含有する硬質炭素膜。 - 特許庁
The semiconductor laser element having, at a light emitting end surface, the coat film including an aluminum oxide layer is characterized in that variation in binding energy of a 2p orbital electron and an atomic nucleus of aluminum between a surface part and a deep part in the aluminum oxide layer is ≤1.2 eV.例文帳に追加
本発明は、酸化アルミニウム層を含むコート膜を光出射端面に有する半導体レーザ素子であって、上記酸化アルミニウム層内の表面部と深部におけるアルミニウムの2p軌道電子と原子核の結合エネルギーの変化量が1.2eV以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。 - 特許庁
The suture thread is formed by forming a coating layer on the surface of a fiber material made of fluororesin, the surface of the fiber material has an atomic fraction of a fluorine atom measured by X-ray photoelectron spectroscopy, lower than that of the inside, and the coating layer contains a medicine and a biodegradable polymer.例文帳に追加
フッ素系樹脂からなる繊維素材の表面にコーティング層を形成させてなる縫合糸であって、前記繊維素材の表面におけるX線光電子分光法によるフッ素原子の原子分率がその内部より低く、前記コーティング層が薬剤および生分解性高分子を含有することを特徴とする縫合糸。 - 特許庁
A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加
C面サファイア単結晶基材1aの上にMOCVD法によってAlNからなる表面層1bをエピタキシャル形成した後、該積層体を1300℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁
The method for manufacturing the magnetic probe has a film formation process for forming a film of a magnetic material 7 on the surface of the probe base material 1 having the tip part 1a by the atomic layer deposition method.例文帳に追加
また、本発明による磁性探針の製造方法は、先端部1a有する探針基材1の表面に、原子層堆積法により磁性材料7を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide an apparatus and process capable of executing the process in the cycle time of a high speed by avoiding the undesirable condensation of gaseous precursors in atomic layer deposition which is a method for depositing an extremely thin film on a surface.例文帳に追加
非常に薄い膜を表面にめっきする方法である原子層めっきにおいて前駆物質ガスの望ましくない凝縮を回避し、プロセスが高速のサイクル時間で実施できる装置とプロセスを提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the conductive probe has a film formation process for forming a film of a conductive material 3 on a surface of a probe base material 1 having a tip part 1a by an atomic layer deposition method.例文帳に追加
本発明に係る導電性探針の製造方法は、先端部1a有する探針基材1の表面に、原子層堆積法により導電性材料3を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加
従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁
Such a tool member forms an intermediate layer on a base material surface, and forms the silicon-containing amorphous carbon film having an atomic ratio of Si_0.03 to 0.25C_0.30 to 0.75H_0.22 to 0.50 by using a plasma CVD (chemical vapor deposition) after applying activation processing.例文帳に追加
このような工具部材は基材表面に中間層を形成し、活性化処理を施した後、プラズマCVDを用いて原子比率がSi_0.03_〜_0.25C_0.30_〜_0.75H_0.22_〜_0.50である珪素含有非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁
When the sensitive film 2 is formed on the substrate 1, irregularities on the surface of the substrate 1 are flattened, in such a way that they are 1/5 or smaller than the film thickness of the sensitive film 2, and the tin oxide is then formed by the atomic-layer growth method.例文帳に追加
基板1の上に感応膜2を形成する時は、基板1の表面の凹凸が感応膜2の膜厚の1/5以下になるように平坦化した後、酸化スズを原子層成長法により形成する。 - 特許庁
In steel filaments for a rubber article reinforcement obtained by subjecting circumferential faces of filaments to a positive plating having 15-45 atomic % surface concentration of copper, at least one kind of Co and Ni is added to a surface layer area from the surface of the positive plating to 15 nm depth in the radial direction of the filaments inward.例文帳に追加
フィラメントの周面に<SB>、</SB> 表面の銅濃度が15〜45アトミック%のブラスめっきを施したゴム物品補強用スチールフィラメントにおいて、該ブラスめっきの表面からフィラメント半径方向内側に15nmの深さまでの表層領域に、Co及びNiのいずれか少なくとも1種を含有させる。 - 特許庁
To provide a cutting tool insert coated by the chemical vapor deposition method and equipped with a TiC_xN_y layer having a low tensile stress of 10 to 300 MPa and an αAl_2O_3 layer having a high surface smoothness of 0.1 μm or less when measured in the inter-atomic force microscopic process.例文帳に追加
本発明は、10〜300MPaの低引張応力を備えたTiC_xN_y層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに0.1μm以下の高表面平滑度を備えたαAl_2O_3層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。 - 特許庁
In the laminated foil having the intermediate layer comprising a group IVa metal or an alloy containing the group IVa metal as a primary constituent, the metal foil of which the solid solubility with the group IVa metal is 3 atomic % or less is arranged on at least one surface of the intermediate layer.例文帳に追加
IVa族金属若しくはIVa族金属を主成分とする合金でなる中間層を有する積層箔において、前記中間層の少なくとも一方の面側には、前記IVa族金属との固溶度が互いに3原子%以下である金属箔が配置されている積層箔。 - 特許庁
The material and shape of a conductive electrode tip 186 of an ion source are optimized to form an atomic layer with a trimer on a surface of the tip, and the tip is allowed to operate in an ultralow temperature condition, so that ionization efficiency with gas helium is improved.例文帳に追加
イオン源の導電性電極先端186の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。 - 特許庁
Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed.例文帳に追加
その後、この酸素及び/又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 - 特許庁
An elastic wave device includes a piezoelectric substrate 10, a comb-shaped electrode 12 formed on the piezoelectric substrate 10, and an insulative film 16 formed on a surface of the comb-shaped electrode 12 by using Atomic Layer Deposition (ALD) method and including aluminum oxide.例文帳に追加
圧電基板10と、圧電基板10上に形成された櫛形電極12と、櫛形電極12の表面にALD法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜16と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 - 特許庁
The surface of steel is coated with a rust layer of two or three kinds among an Ni-substituted goethite, Al-substituted goethite and Cr-substituted goethite, and the total content of Ni, Al and Cr in each substituted goethite is ≥0.1 atomic %.例文帳に追加
鋼表面がNi置換ゲーサイト、Al置換ゲーサイト、およびCr置換ゲーサイトの2種または3種からなるさび層で覆われ、各置換ゲーサイトのNi、AlおよびCrの含有量の合計が0.1原子%以上である鋼材。 - 特許庁
In the method for manufacturing the soft magnetic compact, a heat treatment is carried out, after composite soft magnetic particles have been compacted by forming a thin film of an electric insulating nonmagnetic material, on the surface of a soft magnetic particle by atomic layer deposition method.例文帳に追加
軟磁性粒子の表面にアトミック・レイヤ・デポジション法で電気絶縁性非磁性材料からなる薄膜を形成してなる複合軟磁性粒子を圧粉成形後、熱処理することを特徴とする軟磁性成形体の製造方法。 - 特許庁
In the separator material for fuel cell, the Au plating layer 2-20 nm in thickness and 0.5-1.5 nm in arithmetic surface roughness (Ra) measured in a crystal grain of a metal substrate by an atomic force microscope is formed on a surface of the metal substrate.例文帳に追加
金属基材の表面に、厚み2〜20nmで、かつ前記金属基材の結晶粒内において原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ(Ra)が0.5〜1.5nmであるAuめっき層が形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 - 特許庁
In the easily lubricating polyamide laminate film comprising a film layer made of a binder resin and provided on at least one side surface of a polyester film, a mean value of a roughness according to an AFM(atomic force microscope) on an outer surface of the film layer is 3 to 20 nm and specks of roughness are 5 to 70%.例文帳に追加
ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、バインダー樹脂からなる皮膜層を設けた積層フィルムであって、皮膜層の外表面のAFM(原子間力顕微鏡)による粗さの平均値が3〜20nmで、且つ、粗さの斑が5%以上70%以下であることを特徴とする易滑性積層フィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体。 - 特許庁
The photomask blank has a thin film of a single layer or two or more layers formed on a transparent substrate, and is characterized in that: the outermost surface layer of the thin film of a single layer or two or more layers comprises an aluminum compound and metal aluminum added to the aluminum compound; and the rate of content of the metal aluminum is ≤60 atomic%.例文帳に追加
透明基板上に単層の薄膜もしくは2層以上の薄膜が形成されたフォトマスクブランクスにおいて、前記単層の薄膜もしくは2層以上の薄膜の最表面層が、アルミニウム化合物と該アルミニウム化合物に添加した金属アルミニウムとで構成され、前記金属アルミニウムの含有率が60原子%以下であることを特徴とする。 - 特許庁
This surface covered cemented carbide cutting tool is constituted by depositing the diamond type carbon coat having hydrogen contents:10 to 15 atomic %, hardness:25 to 35GPa, surface roughness (R):less than 30nm and average layer thickness:06 to 1.5μm in a magnetic field by plasma CVD on a surface of a cemented carbide base body constituted of tungsten carbide group cemented carbide.例文帳に追加
表面被覆超硬合金製切削工具が、炭化タングステン基超硬合金で構成された超硬基体の表面に、プラズマCVDにて、水素含有量:10〜15原子%、硬さ:25〜35GPa、表面粗さ(R):30nm以下、平均層厚:0.6〜1.5μm、を有するダイヤモンド状炭素被膜を磁場中成膜してなる。 - 特許庁
An intermediate layer is formed using an application liquid for the intermediate layer prepared using: (i) an iron-containing zinc particle having 20 m^2/g or more to 100 m^2/g or less of specific surface area, and containing 1.0 ppm or more to 2.0 ppm or less of iron atom content analyzed by an atomic absorption method; and (ii) a binder resin.例文帳に追加
(i)比表面積が20m^2/g以上100m^2/g以下であり、かつ原子吸光法により分析される鉄原子の含有量が1.0ppm以上2.0ppm以下である鉄含有酸化亜鉛粒子と、(ii)結着樹脂と、を用いて調製された中間層用塗布液を用いて中間層を形成する。 - 特許庁
A release agent composition is a blend of a polydimethylsiloxane with a polymeric resin, and a release sheet is obtained by coating the release agent composition on at least one side of a base material to form a release agent layer having an organic Si content at a depth of 5 nm in the surface layer (measured by electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA)), of 5-30 atomic %.例文帳に追加
ポリジメチルシロキサンと高分子樹脂をブレンドした剥離剤組成物であって、該剥離剤組成物を基材の少なくとも片面に塗布してなる剥離剤層のESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)法による表層の深さ5nmにおける有機Si含有量が5〜30Atomic%である剥離性シート。 - 特許庁
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