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surface formationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4130件
The dielectric loss of the electric insulation material is made small since the insulation filler 100 contains polymer particles 101 whose relative permittivity and dielectric tangent are small by formation of the electric insulation material by containing the insulation filler 100 to be formed of the polymer particles 101 whose relative permittivity and dielectric tangent are small, and an insulator layer 102 which covers the surface of the polymer particles 101.例文帳に追加
比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子101と、ポリマー粒子101の表面を覆う絶縁体層102とにより形成される絶縁性フィラー100を含有して電気絶縁材料が形成されることで、絶縁性フィラー100は比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子101を含んでいるため、電気絶縁材料の誘電損失を小さくすることができる。 - 特許庁
The manufacturing method of the liquid jet head includes a step of laminating a first metal layer 191 enhancing adhesion and a second metal layer 192 serving as wiring on one surface of a channel formation substrate 10 where a piezoelectric actuator is formed, a step for patterning the second metal layer 192 by wet etching, and a step for patterning the first metal layer 191 by dry etching.例文帳に追加
圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板10の当該一方面に密着を向上する第1の金属層191と、配線となる第2の金属層192とを積層する工程と、前記第2の金属層192をウェットエッチングによりパターニングする工程と、前記第1の金属層191をドライエッチングによりパターニングする工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁
The device includes the first insulative resin film 12 that covers the main surface of the semiconductor chip 11 and has a plurality of contact holes 13 on each pad electrode 21, and the inductor element 17 formed on the formation area 12a of the inductor element 17 in the first insulative resin film 12, of which both terminals are connected to each pad electrode 21 via the contact holes 13.例文帳に追加
半導体チップ11の主面を覆うと共に、各パッド電極21の上に設けられた複数のコンタクトホール13を有する第1の絶縁性樹脂膜12と、該第1の絶縁製造方法樹脂膜12におけるインダクタ素子形成領域12aの上に形成され、その両端子がコンタクトホール13を介してそれぞれパッド電極21と接続されたインダクタ素子17とを有している。 - 特許庁
In a film formation method for forming a silicon oxide film on the processing object W whose metal surface has been exposed within the processing container 22 for vacuum treatment, an Si-contained gas supply process for supplying Si-contained gas to the above processing container 22, and an oxidation-reduction supply process for simultaneously supplying oxide gas and oxidation-reduction gas to the above processing container 22, are alternately executed intermittently.例文帳に追加
真空引き可能になされた処理容器22内で金属の表面が露出している被処理体Wにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器22内へSi含有ガスを供給するSi含有ガス供給工程と、前記処理容器22内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。 - 特許庁
To provide an electrophotographic developer comprising a durable carrier which has high developing ability, effectively prevents so-called spending, that is, formation of a toner film on its surface and is free of impairment of excellent characteristics even in long-term use and a toner which retains excellent characteristics over a long period of time in various environments when combined with the carrier and to provide an image forming method and apparatus.例文帳に追加
高い現像能力を有し、キャリア表面上にトナー膜が形成される所謂スペント化が有効に防止され、しかも、優れた特性が長期間の使用によっても損なわれることのない耐久性のあるキャリア及び、このキャリアと組み合わせることにより各環境下において、優れた特性が長期間持続するトナーとからなる電子写真用現像剤及び画像形成方法と装置を提供することにある。 - 特許庁
The conductor pattern forming method comprises the steps of forming a plurality of copper patterns 110 on one surface of a substrate 100; pressing a part of the copper patterns 110 from the thickness direction to thereby form partly wider regions 112 on the copper patterns 110; making solder powder adhere to each copper pattern 110; and melting the solder powder on the copper pattern for the formation of solder plating having bumps.例文帳に追加
導体パターンの形成方法は、基板100の一方の面上に複数の銅パターン110を形成する工程と、各銅パターン110の一部を厚さ方向から押圧し、銅パターン110の一部の幅広領域112を形成する工程と、各銅パターン110上に半田粉末を付着させる工程と、銅パターン上の半田粉末を溶融し、隆起を有する半田めっきを形成する工程とを有する。 - 特許庁
To provide an interlayer insulating film which can secure flatness as a flexible printed wiring board by making a thickness sufficiently thin as an interlayer insulating film, and improving wiring density of a multi-layered type flexible printed wiring plate along the thickness while securing adhesive strength for a circuit formation surface; and to provide electric, mechanical, and thermal reliability, and a flexible printed wiring board using the insulating film.例文帳に追加
回路形成面との接着性および電気的、機械的、熱的信頼性を確保しつつ、層間絶縁膜としての厚みを十分に薄くし、多層型フレキシブルプリント配線板の厚み方向の配線密度を向上させ、かつフレキシブルプリント配線板としての平坦性を確保できる層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに該絶縁膜を用いたフレキシブルプリント配線板を提供すること。 - 特許庁
The transfer film composed by forming a transferrable transparent electrode film on a base film is inserted into an injection molding die for touch panel substrate formation having a shape corresponding to the touch panel substrate in its inside; a touch panel substrate molding material is injected into it to mold the touch panel; and, at the same time, the transparent electrode film of the transfer film is transferred to the touch panel surface.例文帳に追加
ベースフィルム上に転写可能な透明電極膜を形成してなる転写フィルムを、内部にタッチパネル基板に対応した形状を有するタッチパネル基板成形用射出成形金型内に挿入し、タッチパネル基板成形材料を射出注入しタッチパネル基板を成形すると同時に、前記転写フィルムの透明電極膜をタッチパネル表面に転写することを特徴とするタッチパネル用電極基板の製造方法である - 特許庁
The IC package is constructed such that it has multiple laminated dielectric layers, internal electrode layers arranged between the mutually different dielectric layers, and interlayer connectors electrically connecting the internal electrode layers one another so as to penetrate through the dielectric layers, and that at least one notch 22 or 23 is formed at a place in the IC package's side surface that does not reach to an interlayer connector formation location.例文帳に追加
積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された内部電極層と、前記誘電体層を貫通するようにして前記内部電極層を互いに電気的に接続する層間接続体とを具え、前記ICパッケージの側面において前記層間接続体の形成位置にまで達しないような位置に少なくとも1つのノッチ22,23を形成するようにしてICパッケージを構成する。 - 特許庁
The system further includes a circuit for defining baseline location parameters for an implant location in relation to a virtual representation of the bony tissue based on the surface shape information and a circuit for assessing a fit calculation of each implant in relation to the virtual representation of the bony tissue based on the form factor formation and a plurality of fit factors at each of a plurality of incremental positions in relation to the bony tissue.例文帳に追加
前記システムはさらに、前記表面形状情報に基づいて、前記骨組織の仮想表現に関してインプラントを配置するためのベースライン配置パラメーターを定義するための回路と、前記形状因子情報に基づいて、前記骨組織の前記仮想表現に関して、各インプラントの密着性計算と、前記骨組織に関する複数の漸増位置のそれぞれにおける複数の密着性因子を評価するための回路とを含む。 - 特許庁
In the device for the formation of an image in which a toner image remaining on the electrophotographic photoreceptor is cleaned by a cleaning means, the electrophotographic photoreceptor has a surface layer consisting of a siloxane-based resin layer having the structural unit having at least charge transfer performance and having a crosslinked structure on a conductive supporting body, and the cleaning means has a rubber elastic cleaning blade and a cleaning assist member.例文帳に追加
電子写真感光体上に残留したトナー像をクリーニング手段によりクリーニングする画像形成装置において、該電子写真感光体が導電性支持体上に少なくとも電荷輸送性能を有する構造単位を有し、且つ架橋構造を有するシロキサン系樹脂層の表面層を有し、且つ該クリーニング手段がゴム弾性クリーニングブレードとクリーニング補助部材を有することを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁
When this method for producing a surface conduction-type electron emitting element comprises the formation of an electron emitting part through (A) partially imparting a metal composition including an electron emitting material to substrate and (B) heating and baking of the substrate imparted with the metal composition, the metal composition is the one including water as a main ingredient and at least two kinds of metal complexes mutually different in their ligands.例文帳に追加
電子放出材料を含む金属組成物を基板に部分的に付与する工程と前記の金属組成物を付与された基板を加熱焼成する工程とを経て電子放出部を形成する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、前記の金属組成物に、水を主成分とし配位子の異なる金属錯体を2種以上含有する金属組成物を用いる電子放出素子の製造方法。 - 特許庁
The method for cleaning the semiconductor wafer comprises: the formation of a first liquid film on a surface to be cleaned of the semiconductor wafer, the first liquid film containing hydrogen fluoride and ozone; replacement of the first liquid film with a second aqueous liquid film which contains hydrogen fluoride and ozone; and removal of the second liquid film, wherein the concentration of hydrogen fluoride in the second liquid film is lower than in the first liquid film.例文帳に追加
フッ化水素とオゾンを含有する第一の水性液膜を、清浄化されるべき半導体ウェハの表面上に形成させることと、前記第一の液膜を、フッ化水素とオゾンを含有する第二の水性液膜と置き換えることと、前記第二の液膜を除去することとを含み、前記第二の液膜中のフッ化水素の濃度が前記第一の液膜中よりも低い、半導体ウェハの清浄化方法によって解決される。 - 特許庁
where V_off is the surface potential after latent image formation; V_th is a discharge initiation voltage; RW is the equivalent impedance of the white part of the photoreceptor 1; RR is the resistance value of the transfer member, RP is the equivalent impedance of a recording material and α is the ratio of the recording medium material to the entire width of the transfer member.例文帳に追加
V=V_Off+V_th+I・R_e ただしR_e=1/((1−α)/(R_W+R_R)+α/(R_W+R_R+R_P))と転写バイアス印加手段の電圧電流特性の交点をVt ^* 、It ^* としたとき、 It ^* >1.1×10^-10 ・L・v・(R_W+R_R+R_P)/R_e ここで、V_Offは帯電後表面電位、V_thは放電開始電圧、R_Wは感光体1白部の等価インピーダンス、R_Rは転写部材の抵抗値、R_Pは記録材の等価インピーダンス、αは転写部材全幅に対する記録材の比率である。 - 特許庁
The cured coating film formation method is used for an active energy-curable composition and involves a step of applying the active energy- curable composition to a substrate surface, a first radiation step of radiating active energy in a gas atmosphere having 15% or higher oxygen concentration, and a second radiation step of radiating active energy in a gas atmosphere having less than 15% oxygen concentration in this order.例文帳に追加
活性エネルギー線硬化性組成物の硬化皮膜形成方法であって、基材表面に、活性エネルギー線硬化性組成物を塗工する工程の後、酸素濃度15%以上のガス雰囲気中で活性エネルギー線を照射する第一の照射工程、及び、酸素濃度15%未満のガス雰囲気中で活性エネルギー線を照射する第二の照射工程をこの順に有することを特徴とする硬化皮膜の形成方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer.例文帳に追加
半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第1のルイス塩基性有機化合物と、前記第1のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第2のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層3を作製する工程と、を具備する。 - 特許庁
The method for forming a stacked structure including the amorphous carbon film on the underlayer, includes steps of: supplying an organic silicon gas on the underlayer to form an initial layer including a Si-C bond on the underlayer (t4); and forming the amorphous carbon film on the underlayer with a heating film formation (t6) supplying a film forming gas containing hydrocarbon gas on the underlayer on the surface of which the initial layer is formed.例文帳に追加
アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にSi−C結合を含む初期層を形成する工程(t4)と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程(t6)と、を具備する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic laminate film having an aptitude for easy lamination using a conventional electrophotographic apparatus nearly as it is, realizing direct image printing with high resolution on the film surface which softens at a relatively low temperature and realizing formation of a high quality image having satisfactory heat and light resistances even in outdoor use with good visibility and to provide its manufacturing method and an image forming method.例文帳に追加
従来の電子写真装置を大きく改造することなく、そのまま使用して容易にラミネートすることができる適性を有し、比較的低温で軟化するフィルム表面への高解像度の直接画像印字が可能であり、かつ、屋外使用においても十分な耐熱性、耐光性を有する高品質の画像を視認性よく形成することのできる電子写真用ラミネートフィルムとその製造方法及び画像形成方法を提供することである。 - 特許庁
The mesh electrode substrate has a transparent substrate, a mesh conductive layer formed in mesh of a conductive material on the transparent substrate, and a colored layer formed so as to conceal the formation position of the mesh conductive layer in the plan view when observed from the surface of a transparent substrate, the reverse side from where the mesh conductive layer is formed.例文帳に追加
本発明は、透明基材と、上記透明基材上に導電材料がメッシュ状に形成されてなるメッシュ導電層と、上記透明基材の上記メッシュ導電層が形成された面と反対面から観察する際に、上記メッシュ導電層の形成位置を平面視上隠蔽するように形成される着色層と、を有することを特徴とするメッシュ電極基板を提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁
The color filter includes a substrate, a black matrix formed on the substrate and including an opening, a color layer formed in the opening, a spacer formed on the black matrix by a photolithographic method, and a barrier layer formed on at least a spacer non-formation region surface on the substrate where the spacer is not formed.例文帳に追加
本発明は、基板と、上記基板上に形成され、開口部を備えるブラックマトリクスと、上記開口部に形成された着色層と、上記ブラックマトリクス上に、フォトリソグラフィー法により形成されたスペーサと、少なくとも上記基板上の上記スペーサが形成されていない領域の表面であるスペーサ非形成領域表面に形成されたバリア層と、を有することを特徴とするカラーフィルタを提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁
In this method for measuring thickness of a thin film, in the formation of at least one thin film 12 or more on a transparent substrate 13, light is made to irradiate a thin film formed surface and the reflection factor and the transmissivity thereof are measured to determine the thickness of the thin films.例文帳に追加
透明基板13上に少なくとも1層以上の薄膜12を形成する際に、該薄膜形成表面から光を照射して反射率或いは透過率を測定し、該薄膜の膜厚を測定する方法であって、少なくとも一波長以上の光を用いた単色及び多色光測定において、測定光の波長、波長幅が関係式(1)を満足するようにして膜厚を測定するすることを特徴とする膜厚測定方法である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of realizing an SOI integrated circuit of a complete depleting operation and low parasitic resistance, minimizing the damage of the SOI layer surface of a channel formation part while provided with a recess structure, minimizing a crystal defect while suppressing stress even at the end part of a channel region and suppressing the generation of a leakage current due to it, and provide its manufacturing method.例文帳に追加
完全空乏化動作及び低寄生抵抗のSOI集積回路を実現することができ、リセス構造を有しながら、チャネル形成部のSOI層表面のダメージを最小限に抑えることができ、チャネル領域の端部においても、応力を抑制しながら、結晶欠陥を最小限に止め、それに起因するリーク電流の発生を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The method using an apparatus for growing the biopolymer crystal by a vapor diffusion process comprises holding a biopolymer-containing solution 11 in the void of a substrate 26 by surface tension, applying an alternating electric field to the above solution by a pair of electrodes 31 located near th void of the substrate to induce an induced dipole into the biopolymer so as to move in the solution, and thus promoting the formation of the crystal nucleus.例文帳に追加
生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液11を表面張力により基板26の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極31によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。 - 特許庁
To provide a single-layer type electrophotographic photoreceptor, capable of effectively suppressing filming on the surface of a photoreceptor layer and development of black spots on a formed image due to filming, even when performing image formation in any working environment, and further, capable of stably retaining the sensitivity characteristics, by effectively exhibiting superior charge transportability of a fluorene compound having a specific structure, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加
いずれの使用環境で画像形成を行った場合であっても、感光層の表面におけるフィルミングの発生、及びそれに起因した形成画像における黒点の発生を効果的に抑制することができ、さらに、特定の構造を有するフルオレン化合物の優れた電荷輸送能を有効に発揮させて、感度特性を安定的に保持することができる単層型電子写真感光体及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
The typical configuration of the conductor pattern formation apparatus for forming a conductor pattern on a substrate comprises an ink jet head which jets out a conductive ink and forms the conductor pattern; a transfer member which is formed with the conductor pattern on the surface by the ink jet head and then transfers the conductor pattern to the substrate; and a heating means which heats the transfer member to harden the conductor pattern.例文帳に追加
本発明に係る導体パターン形成装置の代表的な構成は、基板に導体パターンを形成する導体パターン形成装置であって、導電インクを噴射して導体パターンを形成するインク吐出ヘッドと、該インク吐出ヘッドにより表面に導体パターンを形成され、該導体パターンを前記基板に転写する転写部材と、該転写部材を加熱して前記導体パターンを硬化させる加熱手段と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
Then, the member on which the formation of the friction part is intended is held between the oppositely facing cylindrical rollers of the groups and processed by plastic working, so that the ruggedness on the rollers is roll-formed on the surface of such member.例文帳に追加
同じ直径を有する複数の円筒形ローラの中心軸が互いに平行な一組の円筒形ローラ群と該円筒形ローラ群の各円筒ローラに相対向して配置され、該円筒形ローラ群と同じ直径を有するもう一組の円筒形ローラ群の表面に所要の塑性加工用凹凸突起を設け、摩擦部を形成しようとする部材を該群間の相対向する円筒形ローラに挟んで塑性加工し、該ローラの凹凸突起を、摩擦部を形成しようとする部材の表面に転造する。 - 特許庁
This semiconductor storage comprises field effect transistors formed on one surface side of a semiconductor substrate, the plurality of ferroelectric capacitors formed in proximity to each other above the field effect transistors, an insulating film for carrying out self-aligning planarization of the gaps between the adjacent ferroelectric capacitors upon the formation thereof by covering the plurality of ferroelectric capacitors, and the hydrogen diffusion preventing film formed on the insulating film.例文帳に追加
上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の一面側に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの上方に互いに近接して形成された複数の強誘電体キャパシタと、前記複数の強誘電体キャパシタを覆い隣接する前記強誘電体キャパシタ間の間隙をその形成時に自己整合的に平坦化する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された水素拡散防止膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
This system is equipped with n≥4 electrodes 31 through 36 to dispose on the human surface and a power supply unit 20 that generates n-phase IF currents with phase differences by 360°/n each, and provides a quite new effective massage system with formation of wiring that has a cross point 12 at 0 V among the n electrodes when the n IF currents are applied to the n electrodes.例文帳に追加
人体の表面に配置するためのn個(n≧4)の電極31〜36と、360/n度ずつ位相差を有するn相の中周波電流41〜46を発生する電源装置20とを具備し、前記n個の電極に前記n相の中周波電流を同時に印加したときに、前記n個の電極間にゼロVとなる交点12を有する結線を構成して、筋肉の深層部に電流を到達させることで従来にない効果的なマッサージシステムを提供する。 - 特許庁
The defect formation due to sinking or air bubble inclusion caused by the contraction of the resin material for lens can be prevented by filling a liquid resin material for lens into a depression of a form block with a cavity depression, covering at least the surface of the resin material for lens filled into the cavity depression of the form block so as to shroud with a flake member, and heating and curing the resin material.例文帳に追加
半導体光学素子用樹脂レンズの製造方法において、キャビティ凹部を有する成形型の前記凹部に液状のレンズ用樹脂材料を充填し、少なくとも前記成形型のキャビティ凹部に充填されたレンズ用樹脂材料の表面を覆うように薄片材で蓋をし、次いで前記樹脂材料を加熱して硬化させることによって、レンズ用樹脂材料の加熱硬化時の収縮によるひけ又は気泡の混入などを原因とする欠損の発生を防止しすることができる。 - 特許庁
The method for removing defects in an organic EL device and manufacturing it include at least processes of (1) detecting defects in the organic EL layer or its surface, (2) radiating a laser beam on the defects and removing them with the neighboring organic EL composition around it, for the removing method, and (3) a secondary formation process for making up the removed part of the organic EL layer.例文帳に追加
有機EL素子の欠陥除去方法および有機EL素子の製造方法であって、(1)上記有機EL層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、(2)上記検出された欠陥にレーザ光を照射して上記欠陥の近傍にある有機EL層構成物と共に上記欠陥を除去する欠陥除去工程とを少なくとも有することを特徴とする有機EL素子の欠陥除去方法を提供し、(3)上記有機EL層の除去された部分を再度形成する有機EL層二次形成工程とを少なくとも有する。 - 特許庁
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